專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠改善絕緣耐受性的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
存在利用層間絕緣膜覆蓋下布線并且在其上設(shè)置有上布線的半導(dǎo)體裝置。在該半導(dǎo)體裝置的表面，進(jìn)行引線鍵合的焊盤以外的區(qū)域被半絕緣性的保護(hù)膜覆蓋(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。專利文獻(xiàn)I :日本特開平7-326744號公報。
在對上布線進(jìn)行刻蝕的區(qū)域，層間絕緣膜的一部分也被刻蝕而變薄。此外，層間絕緣膜在下布線的臺階差部分變薄。存在如下問題在這樣的層間絕緣膜較薄的區(qū)域，在產(chǎn)生電位差的下布線和上布線之間，經(jīng)由半絕緣性的保護(hù)膜流過漏電流，產(chǎn)生ESD(Electrostatic Discharge :浄電放電)破壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題而提出的，其目的在于得到一種能夠改善絕緣耐受性的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有基板；設(shè)置在所述基板上的下布線；覆蓋所述下布線的層間絕緣膜；設(shè)置在所述層間絕緣膜上并且彼此分離的第一以及第ニ上布線；以及覆蓋所述第一以及第二上布線的半絕緣性的保護(hù)膜，在所述下布線的正上方，在所述第一上布線與所述第二上布線之間的區(qū)域，不設(shè)置所述保護(hù)膜。根據(jù)本發(fā)明，能夠改善絕緣耐受性。


圖I是示出本發(fā)明的實施方式I的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖2是將圖I的由虛線包圍的部分放大了的俯視圖。圖3是將圖2的一部分放大了的俯視圖。圖4是沿圖3的A-A’的剖視圖。圖5是示出比較例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖6是示出本發(fā)明的實施方式I的半導(dǎo)體裝置的變形例的俯視圖。圖7是沿圖6的B-B’的剖視圖。圖8是示出本發(fā)明的實施方式2的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖9是沿圖8的C-C’的剖視圖。圖10是示出本發(fā)明的實施方式2的半導(dǎo)體裝置的變形例的俯視圖。圖11是示出本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖12是示出本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體裝置的變形例I的俯視圖。圖13是示出本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體裝置的變形例2的俯視圖。
圖14是示出本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體裝置的變形例3的俯視圖。
具體實施例方式參照附圖，對本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。對相同或者對應(yīng)的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略重復(fù)說明。實施方式I
圖I是示出本發(fā)明的實施方式I的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。在芯片上設(shè)置有進(jìn)行引線鍵合的柵極焊盤I、發(fā)射極焊盤2、與電流溫度傳感器(未圖示)連接的傳感器焊盤3。這些焊盤以外的區(qū)域被保護(hù)膜4覆蓋。為了使耐壓穩(wěn)定化并且防止極化，保護(hù)膜4具有膜厚為2000A 10000 A的半絕緣性的SInSiN膜(折射率2. 2 2. 7)和在其上設(shè)置的膜厚為2000A 10000 A的絕緣膜(折射率I. 8 2. 2)。并且，也可以使用半絕緣性多晶硅(SIPOS =Semi-Insulating Poly-crystal I ine Silicon)等代替 SInSiN 膜。圖2是將圖I的由虛線包圍的部分放大了的俯視圖。彼此分離的鋁布線5a、5b經(jīng)由接觸電極6分別連接到柵極電阻7的兩端。從保護(hù)膜4的開ロ露出的鋁布線5a的一部分成為柵極焊盤I。鋁布線5b與柵極布線8連接。柵極布線8與在發(fā)射極焊盤2的下方設(shè)置的溝槽柵極9連接。圖3是將圖2的一部分放大了的俯視圖。圖4是沿圖3的A_A’的剖視圖。在Si基板10上設(shè)置有為2000A 10000A的柵極氧化膜11，在其上設(shè)置有由膜厚為500A 5000A的摻雜多晶硅構(gòu)成的柵極電阻7。由膜厚為2000A 10000A的氧化膜構(gòu)成的層間絕緣膜12覆蓋柵極電阻7。在柵極電阻7的兩端，層間絕緣膜12被刻蝕，埋入鎢等的接觸電極6。層間絕緣膜12利用CVD (Chemical Vapor Deposition)進(jìn)行堆積,在柵極電阻7的臺階差部分變薄。在層間絕緣膜12上設(shè)置有彼此分離的膜厚為I μ m 10 μ m的鋁布線5a、5b。鋁布線5a、5b是通過在利用蒸鍍或者濺射形成了鋁膜之后進(jìn)行刻蝕而形成的。半絕緣性的保護(hù)膜4覆蓋鋁布線5a、5b。但是，在柵極電阻7的正上方，在鋁布線5a和鋁布線5b之間的區(qū)域不設(shè)置半絕緣性的保護(hù)膜4。接著，與比較例進(jìn)行比較，對本實施方式的效果進(jìn)行說明。圖5是示出比較例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。在比較例中，在柵極電阻7的正上方，在鋁布線5a和鋁布線5b之間的區(qū)域設(shè)置有半絕緣性的保護(hù)膜4。但是，在對鋁布線5a、5b進(jìn)行刻蝕時，在該區(qū)域，層間絕緣膜12的一部分也被刻蝕而變薄。因此，在比較例中，在產(chǎn)生電位差的柵極電阻7和鋁布線5a、5b之間，經(jīng)由半絕緣性的保護(hù)膜4流過漏電流，產(chǎn)生ESD破壞。另ー方面，在本實施方式中，在柵極電阻7的正上方，在鋁布線5a和鋁布線5b之間的區(qū)域不設(shè)置半絕緣性的保護(hù)膜4。由此，能夠使柵極電阻7和鋁布線5a、5b之間的絕緣距離變長，所以，能夠防止ESD破壞。因此，能夠改善絕緣耐受性。圖6是示出本發(fā)明的實施方式I的半導(dǎo)體裝置的變形例的俯視圖。圖7是沿圖6的B-B’的剖視圖。在柵極電阻7的正上方的整個區(qū)域不設(shè)置保護(hù)膜4。由此，能夠進(jìn)一歩改善絕緣耐受性。實施方式2圖8是示出本發(fā)明的實施方式2的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖9是沿圖8的C-C’的剖視圖。在Si基板10上設(shè)置有柵極電阻7a、7b。層間絕緣膜12覆蓋柵極電阻7a、7b。在層間絕緣膜12上設(shè)置有鋁布線5a、5b。鋁布線5a、5b彼此分離，經(jīng)由接觸電極6分別與柵極電阻7a、7b連接。半絕緣性的保護(hù)膜4覆蓋鋁布線5a、5b。在鋁布線5a和鋁布線5b之間的區(qū)域的下方，在Si基板10上設(shè)置有溝槽布線13。溝槽布線13將柵極電阻7a和柵極電阻7b連接。溝槽布線13是將Si基板10刻蝕數(shù)μ m形成溝槽并將其側(cè)壁氧化而形成了膜厚為100A 2000 A的氧化膜之后埋入摻雜多晶硅而形成的。利用該溝槽布線13，能夠使柵極電阻7a、7b和鋁布線5a、5b之間的絕緣距離變長，所以，能夠防止ESD破壞。因此，能夠改善絕緣耐受性。圖10是示出本發(fā)明的實施方式2的半導(dǎo)體裝置的變形例的俯視圖。溝槽布線13 被布線成網(wǎng)格狀。由此，溝槽布線13的電阻變小，所以，能夠抑制電流集中。實施方式3
圖11是示出本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。鋁布線5a具有從保護(hù)膜4露出的柵極焊盤I。溝槽布線13通過該柵極焊盤I之下。由此，能夠使元件面積變小。其他結(jié)構(gòu)與實施方式2相同，也能夠得到與實施方式2相同的效果。圖12是示出本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體裝置的變形例I的俯視圖。溝槽布線13通過柵極焊盤I的角部之下。由此，能夠避開柵極焊盤I的正下方，所以，能夠抑制損傷等的影響。此外，溝槽布線13變短，所以，能夠使溝槽布線13的電阻變小。圖13是示出本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體裝置的變形例2的俯視圖。溝槽布線13相對于柵極焊盤I的角部傾斜地配置。由此，溝槽布線13進(jìn)ー步變短，所以，能夠使溝槽布線13的電阻進(jìn)ー步變小。圖14是示出本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體裝置的變形例3的俯視圖。溝槽布線13在柵極焊盤I的下方布線為網(wǎng)格狀。由于柵極焊盤I的面積較大，所以，能夠配置很多溝槽布線13。由此，溝槽布線13的電阻變小到能夠忽略的程度，所以，能夠抑制電流集中。并且，在實施方式2、3的半導(dǎo)體裝置中，與實施方式I同樣地，在柵極電阻7的正上方，也可以在鋁布線5a和鋁布線5b之間的區(qū)域不設(shè)置半絕緣性的保護(hù)膜4。由此，能夠進(jìn)ー步改善絕緣耐受性。附圖標(biāo)記說明
I柵極焊盤(引線鍵合區(qū)域)
4保護(hù)膜
5a鋁布線(第一上布線)
5b鋁布線(第二上布線)
7柵極電阻(下布線)
7a柵極電阻(第一下布線)
7b柵極電阻(第二下布線)
10 Si基板(基板)
12層間絕緣膜 13溝槽布線。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有 基板； 設(shè)置在所述基板上的下布線； 覆蓋所述下布線的層間絕緣膜； 設(shè)置在所述層間絕緣薄膜上并且彼此分離的第一以及第二上布線；以及 覆蓋所述第一以及第二上布線的半絕緣性的保護(hù)膜， 在所述下布線的正上方，在所述第一上布線和所述第二上布線之間的區(qū)域，不設(shè)置所述保護(hù)膜。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 在所述下布線的正上方的整個區(qū)域不設(shè)置所述保護(hù)膜。
3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有 基板； 設(shè)置在所述基板上的第一以及第二下布線； 覆蓋所述第一以及第二下布線的層間絕緣膜； 設(shè)置在所述層間絕緣膜上并且彼此分離的第一以及第二上布線； 在所述第一上布線和所述第二上布線之間的區(qū)域的正下方設(shè)置在所述基板上并且將所述第一下布線和所述第二下布線連接的溝槽布線；以及覆蓋所述第一以及第二上布線的半絕緣性的保護(hù)膜。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 所述第一上布線具有從所述保護(hù)膜露出的引線鍵合區(qū)域， 所述溝槽布線通過所述弓I線鍵合區(qū)域之下。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 所述溝槽布線通過所述引線鍵合區(qū)域的角部之下。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 所述溝槽布線相對于所述引線鍵合區(qū)域的所述角部傾斜地配置。
7.如權(quán)利要求3 6的任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 所述溝槽布線網(wǎng)格狀地進(jìn)行布線。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于得到一種能夠改善絕緣耐受性的半導(dǎo)體裝置。在Si基板(10)(基板)上設(shè)置有柵極電阻(7)(下布線)。層間絕緣膜(12)覆蓋柵極電阻(7)。在層間絕緣膜(12)上設(shè)置有彼此分離的鋁布線(5a、5b)(第一以及第二上布線)。半絕緣性的保護(hù)膜(4)覆蓋鋁布線(5a、5b)。在柵極電阻(7)的正上方，在鋁布線(5a)和鋁布線(5b)之間的區(qū)域不設(shè)置保護(hù)膜(4)。
文檔編號H01L23/60GK102693964SQ20121004537
公開日2012年9月26日 申請日期2012年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月25日
發(fā)明者藤井秀紀(jì) 申請人:三菱電機株式會社