專利名稱：低插損鐵氧體微波器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及微波器件技術(shù)，特別是涉及一種低插損鐵氧體微波器件的結(jié)構(gòu)改進(jìn)。
背景技術(shù)：
鐵氧體微波器件(如環(huán)行器、隔離器)在微波電路中起到環(huán)行、隔離、調(diào)幅等作用， 主要用于軍事雷達(dá)系統(tǒng)、通信領(lǐng)域。現(xiàn)有鐵氧體微波器件主要由鐵氧體制作而成，鐵氧體是一種磁性陶瓷材料，由!^e2O3 (三氧化二鐵)和其它金屬氧化物燒結(jié)而成。鐵氧體的特殊性能一方面是電磁波通過鐵氧體時(shí)，損耗很?。涣硪环矫娈?dāng)有外加恒定磁場時(shí)，鐵氧體顯現(xiàn)各項(xiàng)異性，正因?yàn)殍F氧體對微波信號產(chǎn)生相移及衰減的不可逆效應(yīng)(即非互易性)，因此被用于制作鐵氧體微波器件。但是現(xiàn)有鐵氧體微波器件的插損(即插入損耗，相當(dāng)于我們常說的衰減)值都較高，通常在0. 5dB左右。插損是環(huán)行器/隔離器的最主要性能指標(biāo)之一，隨著技術(shù)和市場的飛速發(fā)展，這個(gè)指標(biāo)已不能滿足需求，降低插損是鐵氧體微波器件設(shè)計(jì)和生產(chǎn)中的一大難題，業(yè)界同行試圖用鐵氧體表面處理的方法來降低插損，但是少見文獻(xiàn)報(bào)道，降低插損的效果不佳。
發(fā)明內(nèi)容針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種插損值低的低插損鐵氧體微波器件。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所提供的一種低插損鐵氧體微波器件，包括鐵氧體器件本體，其特征在于所述鐵氧體器件本體的一個(gè)側(cè)面上涂有一層金屬銀涂層。進(jìn)一步的，所述金屬銀涂層的厚度為0. 002士0. 0005mm。本實(shí)用新型提供的低插損鐵氧體微波器件，在微波器件的鐵氧體一側(cè)面上涂有薄薄的一層金屬銀涂層，由于金屬銀具有良好的導(dǎo)電性，微波器件的鐵氧體將會更好地改善性能，將插損降至0. 2dB以下，遠(yuǎn)低于現(xiàn)有的鐵氧體微波器件。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的低插損鐵氧體微波器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖說明對本實(shí)用新型的實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述，但本實(shí)施例并不用于限制本實(shí)用新型，凡是采用本實(shí)用新型的相似結(jié)構(gòu)及其相似變化，均應(yīng)列入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種低插損鐵氧體微波器件，包括器件本體1，其特征在于所述器件本體1的一側(cè)面上涂覆有金屬銀涂層2。[0011]進(jìn)一步的，所述金屬銀涂層的厚度為0. 002士0. 0005mm。本實(shí)用新型提供的低插損鐵氧體微波器件的鐵氧體加工方法，步驟如下1)將鐵氧體待涂銀層的側(cè)面朝向上方，用絲網(wǎng)平貼所述鐵氧體表面；2)將由銀粉和環(huán)氧樹脂組成的含銀漿料涂覆在所述鐵氧體表面上，構(gòu)成均勻的厚度為0. 002 士0. 0005mm金屬銀涂層；3) 150°C焙烘0. 5 1小時(shí)后，再高溫800°C燒結(jié)使金屬銀涂層固化。其中，步驟1)所述絲網(wǎng)為250目。其中，步驟2 )所述含銀漿料中，銀粉顆粒的直徑為3 5 μ m，重量百分?jǐn)?shù)60 % 80%。本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述金屬銀涂層2的厚度為0.002士0.0005mm，插損降至 0. 2dB以下，遠(yuǎn)低于現(xiàn)有鐵氧體微波器件。本實(shí)用新型實(shí)施例適用于環(huán)行器/隔離器等鐵氧體微波器件。
權(quán)利要求1.一種低插損鐵氧體微波器件，包括鐵氧體器件本體，其特征在于所述鐵氧體器件本體的一個(gè)側(cè)面上涂有一層金屬銀涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低插損鐵氧體微波器件，其特征在于所述金屬銀涂層的厚度為 0. 002 + 0. 0005mm。
專利摘要一種低插損鐵氧體微波器件，涉及微波器件技術(shù)領(lǐng)域，所解決的技術(shù)問題是降低插損。該低插損鐵氧體微波器件，包括鐵氧體器件本體，其特征在于所述鐵氧體器件本體的一個(gè)側(cè)面上涂有一層金屬銀涂層，金屬銀涂層的厚度為0.002±0.0005mm。本實(shí)用新型的積極效果是在鐵氧體表面薄薄涂覆一層厚度為0.002±0.0005mm金屬銀涂層，能將插損降至0.2dB以下，遠(yuǎn)低于現(xiàn)有鐵氧體微波器件。
文檔編號H01P1/36GK202333101SQ201120510859
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月9日
發(fā)明者朱潔文, 黃寧 申請人:捷考奧電子(上海)有限公司