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交叉錯位排列的增強(qiáng)型集成電路引線框架版的制作方法

文檔序號:7177725閱讀:252來源:國知局
專利名稱:交叉錯位排列的增強(qiáng)型集成電路引線框架版的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及半導(dǎo)體電子元器件的制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其指一種集成電路引線框架分立器件在引線框架基材的排列結(jié)構(gòu)技術(shù)。
背景技術(shù)
隨著網(wǎng)絡(luò)通訊、電子多媒體產(chǎn)品以及信息化、智能化技術(shù)快速發(fā)展,集成電路元器件的處理功能日趨重要,并越來越向著小型化、薄型化、集成化、高密度等態(tài)勢發(fā)展;因此,與之相配套的引線框架部件也日趨小型化、薄型化,一個集成電路引線框架的引腳少則七、八個,多則二、三十個;由于每一型號的集成電路均有特定的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),故引線框架的具體結(jié)構(gòu)和尺寸往往只能根據(jù)封裝廠的實際要求而設(shè)計的,企業(yè)不能自行變更尺寸、公差等各類技術(shù)參數(shù)。因此,在確保成品質(zhì)量合格的前提下,如何提高生產(chǎn)效率、降低原材料消耗已經(jīng)成為引線框架制造商提高產(chǎn)品競爭力的主要目標(biāo)。目前比較常見的引線框架版產(chǎn)品如國家知識產(chǎn)權(quán)局于2009年4月I日授權(quán)公告的專利號為ZL200820153815. 3名稱為“一種雙 排并列的集成電路引線框架版件”的實用新型專利,它“由多個相同的基本單元經(jīng)兩側(cè)的邊帶沿軸向連續(xù)排列而成;所述基本單元設(shè)有上下兩個相鄰的引線框架,所述上下相鄰的引線框架經(jīng)導(dǎo)腳連接筋相連接;所述引線框架至少設(shè)有一個用于承載集成芯片的芯片島和多個導(dǎo)腳;所述多個導(dǎo)腳靠近芯片島的端部設(shè)焊區(qū),所述芯片島承載集成芯片的表面和所述
導(dǎo)腳焊區(qū)設(shè)有電鍍層......本產(chǎn)品的生產(chǎn)效率成倍提高,材料損耗減小,并可以使最終的
集成電路成品抗機(jī)械沖擊和耐熱疲勞強(qiáng)度明顯提升,產(chǎn)品使用壽命延長。”但是,此類產(chǎn)品相鄰的兩個引線框架導(dǎo)腳末端與末端相連接,位于縱向兩排導(dǎo)腳之間的空隙均作為邊角料切除,不但原材料利用率不高,而且由于兩個相鄰引線框架之間的間距增大,使得其在截面方向的抗彎性能較差,不利于連續(xù)高速沖壓和中途運輸。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有同類產(chǎn)品制造過程產(chǎn)生的邊角料多、原材料利用率不高、引線框架原材料成本難以下降,以及抗彎性能較差、不利于連續(xù)高速沖壓和中途運輸?shù)娜毕莺筒蛔悖蛏鐣峁┮环N生產(chǎn)效率和原材料利用率高、產(chǎn)品質(zhì)量好、抗彎性能好、版面布局排列合理的集成電路引線框架版產(chǎn)品。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是交叉錯位排列的增強(qiáng)型集成電路引線框架版,它包括多個相同的基本單元經(jīng)上、下兩側(cè)的邊帶連接后橫向重復(fù)延伸而成;所述基本單元內(nèi)設(shè)有左、右兩列引線框架組、,所述左引線框架組和所述右引線框架組的縱向均設(shè)有多個相同的引線框架;所述引線框架設(shè)有中心的管芯片和圍繞所述管芯片設(shè)置的多個導(dǎo)腳;所述引線框架的所述導(dǎo)腳在位于虛線所示的封裝區(qū)邊緣的外側(cè)設(shè)有筋片相固定,位于所述封裝區(qū)外側(cè)的所述導(dǎo)腳末端設(shè)有尖銳的插腳;所述左引線框架組內(nèi)的引線框架朝向所述右引線框架組的所述導(dǎo)腳插腳,伸入于所述右引線框架組的引線框架上下相鄰插腳之間空隙、并與所述右引線框架組的引線框架封裝區(qū)邊緣外側(cè)筋片相連接;所述右引線框架組內(nèi)的引線框架朝向所述左引線框架組的所述導(dǎo)腳插腳,伸入于所述左引線框架組的引線框架上下相鄰插腳之間空隙、并與所述左引線框架組的引線框架封裝區(qū)邊緣外側(cè)筋片相連接。所述導(dǎo)腳在位于虛線所示的所述封裝區(qū)邊緣的內(nèi)側(cè)設(shè)有固封孔;所述管芯片和所述導(dǎo)腳的焊區(qū)相對于所述引線框架基體平面凹陷構(gòu)成沉臺,所述管芯片的背面設(shè)有多個凹坑。本實用新型交叉錯位排列的增強(qiáng)型集成電路引線框架版,水平相鄰的所述左引線框架組和右引線框架組內(nèi)的多個相同引線框架的插腳空隙被交叉填充、錯位排列相連,縱向間距大大縮短;較傳統(tǒng)產(chǎn)品相比較,插腳空隙面積大大減小,從而使加工時產(chǎn)生的邊角料消耗減少、原材料利用率提高;同時也由于相鄰插腳空隙面積縮小以及沉臺相對于引線框架基體平面的折彎結(jié)構(gòu)技術(shù),使得本產(chǎn)品較現(xiàn)有傳統(tǒng)產(chǎn)品的抗彎性能更加優(yōu)異,集成電路引線框架版的機(jī)械強(qiáng)度明顯增強(qiáng),有利于進(jìn)一步提高沖壓速度、提高生產(chǎn)效率和引線框架成品質(zhì)量,本產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于家用電器、TTL電路、內(nèi)存、單片機(jī)等微電子技術(shù)領(lǐng)域。

圖I是本實用新型產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖I基本單元結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是圖2的引線框架結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是圖3的A-A向引線框架管芯片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是圖3的引線框架管芯片的背面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
如圖I所示,本實用新型交叉錯位排列的增強(qiáng)型集成電路引線框架版,以行業(yè)代碼為DIP020的引線框架產(chǎn)品為例,它包括多個相同的基本單元I經(jīng)上、下兩側(cè)的邊帶2連接后橫向重復(fù)延伸而成;所述基本單元I內(nèi)設(shè)有左、右兩列引線框架組60、70,所述左引線框架組60和所述右引線框架組70的縱向均設(shè)有多個完全相同的引線框架4 ;如圖2和圖3所示,所述引線框架4設(shè)有中心的管芯片6和圍繞所述管芯片6設(shè)置的多個導(dǎo)腳7 ;所述管芯片6用于承載集成芯片,所述導(dǎo)腳7在靠近所述管芯片6的端部設(shè)焊區(qū)9,所述焊區(qū)9表面設(shè)有電鍍層以供鍵合絲線焊接所用;所述引線框架4的所述導(dǎo)腳7在位于虛線所示的封裝區(qū)8邊緣的外側(cè)設(shè)有筋片10相固定,以防止加工或者封裝時導(dǎo)腳產(chǎn)生翹屈變形;所述導(dǎo)腳7在位于虛線所示的所述封裝區(qū)8邊緣的內(nèi)側(cè)設(shè)有固封孔13 ;位于所述封裝區(qū)8外側(cè)的所述導(dǎo)腳7末端設(shè)有尖銳的插腳3 ;所述左引線框架組60內(nèi)的引線框架4朝向所述右引線框架組70的所述導(dǎo)腳7插腳3,伸入于所述右引線框架組70的引線框架4上下相鄰插腳3之間空隙5、并與所述右引線框架組70的引線框架4封裝區(qū)8邊緣外側(cè)筋片10相連接;基于同樣的原理,所述右引線框架組70內(nèi)的引線框架4朝向所述左引線框架組60的所述導(dǎo)腳7插腳3,伸入于所述左引線框架組60的引線框架4上下相鄰插腳3之間空隙5、并與所述左引線框架組60的引線框架4封裝區(qū)8邊緣外側(cè)筋片10相連接;如圖4所示,所述管芯片6和所述導(dǎo)腳7的焊區(qū)9相對于所述引線框架4基體平面凹陷構(gòu)成沉臺12,所述沉臺12部位的所述管芯片6表面承載集成芯片;采用這樣的沉臺結(jié)構(gòu)后,既可以有效防止受振動后集成芯片相對于管芯片6產(chǎn)生錯位滑移,又可以進(jìn)一步縮小封裝后成品的厚度;如圖5所示,所述管芯片6的背面設(shè)有多個凹坑11。采用本實用新型專利結(jié)構(gòu)后,水平相鄰的所述左引線框架組60和右引線框架組70內(nèi)的多個相同引線框架4的插腳3空隙5被交叉填充、錯位排列相連,縱向間距大大縮短;較傳統(tǒng)產(chǎn)品相比較,插腳空隙面積大大減小,從而使加工時產(chǎn)生的邊角料消耗減少、原材料利用率提高;同時也由于相鄰插腳空隙5面積縮小以及沉臺12相對于引線框架4基體 平面的折彎結(jié)構(gòu)技術(shù),使得本產(chǎn)品較現(xiàn)有傳統(tǒng)產(chǎn)品的抗彎性能更加優(yōu)異,集成電路引線框架版的機(jī)械強(qiáng)度明顯增強(qiáng),有利于進(jìn)一步提高沖壓速度、提高生產(chǎn)效率和引線框架成品質(zhì)量,本產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于家用電器、TTL電路、內(nèi)存、單片機(jī)等微電子技術(shù)領(lǐng)域。
權(quán)利要求1.一種交叉錯位排列的增強(qiáng)型集成電路引線框架版,它包括多個相同的基本單元(I)經(jīng)上、下兩側(cè)的邊帶(2)連接后橫向重復(fù)延伸而成;所述基本單元(I)內(nèi)設(shè)有左、右兩列引線框架組(60、70),所述左引線框架組(60)和所述右引線框架組(70)的縱向均設(shè)有多個相同的引線框架⑷;所述引線框架⑷設(shè)有中心的管芯片(6)和圍繞所述管芯片(6)設(shè)置的多個導(dǎo)腳(7);所述引線框架(4)的所述導(dǎo)腳(7)在位于封裝區(qū)(8)邊緣的外側(cè)設(shè)有筋片(10)相固定,位于所述封裝區(qū)(8)外側(cè)的所述導(dǎo)腳(7)末端設(shè)有尖銳的插腳(3);其特征在于所述左引線框架組(60)內(nèi)的引線框架(4)朝向所述右引線框架組(70)的所述導(dǎo)腳插腳(3),伸入于所述右引線框架組(70)的引線框架(4)上下相鄰插腳(3)之間空隙(5)、并與所述右引線框架組(70)的引線框架(4)封裝區(qū)(8)邊緣外側(cè)筋片(10)相連接;所述右引線框架組(70)內(nèi)的引線框架(4)朝向所述左引線框架組(60)的所述導(dǎo)腳插腳(3),伸入于所述左引線框架組(60)的引線框架(4)上下相鄰插腳(3)之間空隙(5)、并與所述左引線框架組(60)的引線框架(4)封裝區(qū)(8)邊緣外側(cè)筋片(10)相連接。
2.如權(quán)利要求I所述交叉錯位排列的增強(qiáng)型集成電路引線框架版,其特征在于所述導(dǎo)腳⑵在位于所述封裝區(qū)⑶邊緣的內(nèi)側(cè)設(shè)有固封孔(13);所述管芯片(6)和所述導(dǎo)腳(7)的焊區(qū)(9)相對于所述引線框架(4)基體平面凹陷構(gòu)成沉臺(12),所述管芯片(6)的背面設(shè)有多個凹坑(11)。
專利摘要本實用新型公開了一種交叉錯位排列的增強(qiáng)型集成電路引線框架版,克服了現(xiàn)有同類產(chǎn)品原材料利用率不高和抗彎性能較差的缺陷。它包括多個相同的基本單元經(jīng)上、下兩側(cè)的邊帶連接后橫向重復(fù)延伸而成;所述基本單元內(nèi)設(shè)有左、右兩列引線框架組,所述左、右引線框架組的縱向均設(shè)有多個相同的引線框架;所述引線框架設(shè)有中心的管芯片和多個導(dǎo)腳;所述左引線框架組內(nèi)的引線框架朝向所述右引線框架組的導(dǎo)腳插腳,伸入于所述右引線框架組的引線框架上下相鄰插腳之間空隙、并與所述右引線框架組的引線框架封裝區(qū)邊緣外側(cè)筋片相連接。本產(chǎn)品相鄰的引線框架插腳空隙被交叉填充、錯位排列相連,縱向間距縮短,原材料利用率提高、機(jī)械強(qiáng)度增強(qiáng)。
文檔編號H01L23/495GK202564278SQ20112047869
公開日2012年11月28日 申請日期2011年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月21日
發(fā)明者陳孝龍, 袁浩旭, 李靖, 陳明明 申請人:寧波華龍電子股份有限公司
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