專利名稱：一種用于hdmi接口保護(hù)的tvs管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體芯片的制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于 HDMI (High-Definition Multimedia hterface，簡稱 HDMI，高清晰度多媒體接口)接口保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制(以下簡稱“TVS”管)。
背景技術(shù)：
TVS管是一種新型的半導(dǎo)體保護(hù)器件，并聯(lián)在電路中以實(shí)現(xiàn)電路防靜電保護(hù)，TVS 管的原理是利用二極管的雪崩效應(yīng)，當(dāng)電壓達(dá)到擊穿電壓時(shí)，TVS管進(jìn)入伏安特性的雪崩擊穿區(qū)，流過TVS管的電流急劇增大，而TVS管兩端的電壓幾乎不變，從而使大電流旁路并使電壓鉗位置被保護(hù)的電路能經(jīng)受住的范圍內(nèi)，使得設(shè)備被靜電損害的幾率大大降低。HDMI (High-Definition Multimedia hterface)，即高清晰度多媒體接口。這種 HDMI最新數(shù)字音頻和視頻接口，將會(huì)取代目前所有DVD播放機(jī)、電視機(jī)、顯示器的接口。應(yīng)用HDMI的好處是只需要一條HDMI線，便可以同時(shí)傳送視頻信號，而不像現(xiàn)在需要多條線來連接。HDMI標(biāo)準(zhǔn)最大的優(yōu)勢在于提供高達(dá)5(ibpS的數(shù)據(jù)傳輸帶寬，可以傳送無壓縮的音頻信號及高分辨率視頻信號，而且可以保證最高質(zhì)量；同時(shí)無需在信號傳送前進(jìn)行數(shù)/?；蛘吣?數(shù)轉(zhuǎn)換。采用常規(guī)TVS管對HDMI接口進(jìn)行靜電、浪涌保護(hù)時(shí)，經(jīng)常出現(xiàn)信號抖動(dòng)、花屏、畫質(zhì)音質(zhì)降低等情況。經(jīng)過對大量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，超過IpF的電容就有可能對HDMI接口的數(shù)據(jù)傳輸造成損害。因此，本實(shí)用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，能夠生產(chǎn)出小于IpF電容的TVS管，在保證HDMI接口正常傳輸數(shù)據(jù)的前提下，對HDMI接口進(jìn)行靜電、浪涌的保護(hù)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種用于HDMI接口保護(hù)的TVS管，本實(shí)用新型采用提高芯片電阻率，淺結(jié)擴(kuò)散工藝實(shí)現(xiàn)了小于IpF電容的TVS管，在保證HDMI接口正常傳輸數(shù)據(jù)的前提下，對HDMI接口進(jìn)行靜電、浪涌的保護(hù)。本實(shí)用新型的技術(shù)方案一種用于HDMI接口保護(hù)的TVS管，包括N型襯底以及在該N型襯底的一面形成的P擴(kuò)散區(qū)，該N型襯底材料的電阻值為30 Ω / 口。本實(shí)用新型中，該P(yáng)擴(kuò)散區(qū)結(jié)深為0. 8 0. 9um。本實(shí)用新型中，所述TVS管面積為0. 26mm*0.沈讓。本實(shí)用新型中，所述TVS管的電容值范圍為0. 8 0. 85pF。本實(shí)用新型具有的有益效果采用本實(shí)用新型所述用于HDMI接口保護(hù)的TVS管， 能夠生產(chǎn)出電容值在IpF以下的TVS管，并且在保證HDMI接口正常傳輸數(shù)據(jù)的前提下，對 HDMI接口進(jìn)行靜電、浪涌的保護(hù)。

[0012]圖1為本實(shí)用新型所述用于HDMI接口保護(hù)的TVS管的剖面圖。圖號對照說明IN型襯底 2P擴(kuò)散區(qū)
具體實(shí)施方式
為使對本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識，用以較佳的實(shí)施例及附圖配合詳細(xì)的說明，說明如下圖1是本實(shí)用新型所述用于HDMI接口保護(hù)的TVS管的平面圖，如圖所示。本實(shí)施例中的一種用于HDMI接口保護(hù)的TVS管，包括N型襯底1以及在該N型襯底1的一面形成的P擴(kuò)散區(qū)2，該N型襯底1的材料的電阻值為30 Ω / □，該P(yáng)擴(kuò)散區(qū)2的結(jié)深為0. 8 0. 9um。在相同的工藝條件下，硅片的電阻率越大，芯片的電容值越?。挥性磪^(qū)的結(jié)深越淺，TVS管的電容值越??；芯片面積越小，芯片的電容值越小。本實(shí)用新型對大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，選擇硅片的電阻值30 Ω / □，有源區(qū)結(jié)深范圍控制在0. 8 0. 9um,芯片面積為 0. 26mm*0. 26mm,生產(chǎn)的TVS管的電容值范圍在0. 8 0. 85pF,滿足了 HDMI接口對TVS電容值的要求，并且在保證HDMI接口正常傳輸數(shù)據(jù)的前提下，對HDMI接口進(jìn)行靜電、浪涌的保護(hù)。綜上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，凡依本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種用于HDMI接口保護(hù)的TVS管，其特征在于，包括N型襯底以及在該N型襯底的一面形成的P擴(kuò)散區(qū)，該N型襯底材料的電阻值為30 Ω / 口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于HDMI接口保護(hù)的TVS管，其特征在于，該P(yáng)擴(kuò)散區(qū)結(jié)深為 0. 8 0. 9um。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于HDMI接口保護(hù)的TVS管，其特征在于，所述TVS管面積為 0. 26mm*0. 26mm0
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于HDMI接口保護(hù)的TVS管，其特征在于，所述TVS管的電容值范圍為0. 8 0. 85pF。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于HDMI接口保護(hù)的TVS管，包括N型襯底以及在該N型襯底的一面形成的P擴(kuò)散區(qū)，該N型襯底材料的電阻值為30Ω/□，該P(yáng)擴(kuò)散區(qū)結(jié)深為0.8～0.9um。采用本實(shí)用新型所述用于HDMI接口保護(hù)的TVS管，能夠生產(chǎn)出電容值在1pF以下的TVS管，并且在保證HDMI接口正常傳輸數(shù)據(jù)的前提下，對HDMI接口進(jìn)行靜電、浪涌的保護(hù)。
文檔編號H01L29/861GK201985108SQ20112002977
公開日2011年9月21日 申請日期2011年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月28日
發(fā)明者孫志斌, 楊利君, 歐新華 申請人:上海芯導(dǎo)電子科技有限公司