專利名稱：一種低溫多晶硅顯示裝置及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是涉及ー種低溫多晶硅顯示裝置及其制作方法。
背景技術：
低溫多晶技術已經(jīng)廣泛應用到液晶顯示器和/或有機發(fā)光二極管領域，同時結合平面轉換 Gn-Plane Switching, IPS)或邊緣場切換(Fringe Field Switching, FFS)技木，可以達到更佳的顯示特性，更好地滿足消費者的需求。如圖1所示，現(xiàn)有技術中，低溫多晶硅顯示裝置包括基板10、金屬屏蔽層11、多晶硅層12、公共電極13以及金屬層14。金屬屏蔽層11、多晶硅層12、公共電極13和及金屬層14依次形成在基板10之上方，其中多晶硅層12中的一部分作為薄膜晶體管的溝道15。 形成金屬屏蔽層11的目的是為了減少光照引起的漏電流，保護薄膜晶體管的溝道15。金屬層14沉積形成在公共電極13之上方，并且與公共電極13并聯(lián)，其作用是降低公共電極13 的阻值，減少公共電極13的電阻值過大所引起的延遲效應。在現(xiàn)有的エ藝流程中，至少需要使用12次掩模板(Mask)才能完成包括上述制程在內的整個エ藝流程。這樣的エ藝流程成本高，完成一次エ藝流程的時間也很長，嚴重影響產(chǎn)能。

發(fā)明內容
本發(fā)明主要解決的技術問題是提供ー種低溫多晶硅顯示裝置及其制作方法，能夠降低公共電極層的阻值，減少因為公共電極層的電阻值過大引起的延遲效應，減少一次掩膜板的使用，減少完成一次エ藝流程的時間，降低成本，提高產(chǎn)能。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是提供ー種低溫多晶硅顯示裝置的制作方法，包括在基板之上方形成金屬屏蔽層；在金屬屏蔽層之上方形成與金屬屏蔽層絕緣的多晶硅層；在多晶硅層之上方分別形成相互絕緣的公共電極層和像素電極層，并且使像素電極層與多晶硅層電連接，使公共電極層與金屬屏蔽層電連接。其中，在基板之上方形成金屬屏蔽層的步驟包括在基板之上方形成金屬屏蔽層， 并使金屬屏蔽層延伸至對應公共電極層的下方。其中，在多晶硅層之上方分別形成相互絕緣的公共電極層和像素電極層、并且使像素電極層與多晶硅層電連接、使公共電極層與金屬屏蔽層電連接的步驟包括在多晶硅層之上方依序形成三層絕緣層，并且在對應多晶硅層與像素電極層電連接的位置形成貫穿三層絕緣層的第一導電通路，在對應金屬屏蔽層與公共電極層電連接的位置形成貫穿三層絕緣層的第二導電通路；在三層絕緣層之上方分別形成相互絕緣的公共電極層和像素電極層，并且使像素電極層與多晶硅層通過第一導電通路電連接，使公共電極層與金屬屏蔽層通過第二導電通路電連接。其中，在多晶硅層之上方依序形成三層絕緣層、并且在對應多晶硅層與像素電極層電連接的位置形成貫穿三層絕緣層的第一導電通路、在對應金屬屏蔽層與公共電極層電連接的位置形成貫穿三層絕緣層的第二導電通路的步驟包括在多晶硅層之上方依序形成三層絕緣層中的兩層絕緣層；在兩層絕緣層中對應多晶硅層與像素電極層電連接的位置形成第一貫穿孔；在第一貫穿孔中填滿第一導電材料；在填滿第一導電材料后，在兩層絕緣層之上方再形成三層絕緣層中剩下的ー層絕緣層；在三層絕緣層中剩下的一層絕緣層中對應多晶硅層與像素電極層電連接的位置形成第二貫穿孔，并且在對應金屬屏蔽層與公共電極層電連接的位置形成貫穿三層絕緣層的第三貫穿孔；在第二貫穿孔中填滿第二導電材料，第一導電材料和第二導電材料連接，形成第一導電通路，在第三貫穿孔中填滿第三導電材料，形成第二導電通路。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的另ー個技術方案是提供ー種低溫多晶硅顯示裝置，包括基板、在基板之上方設置的金屬屏蔽層、在金屬屏蔽層之上方設置的與金屬屏蔽層絕緣的多晶硅層以及在多晶硅層之上方分別設置的相互絕緣的公共電極層和像素電極層；其中，像素電極層與多晶硅層電連接，公共電極層與金屬屏蔽層電連接。其中，金屬屏蔽層延伸至對應公共電極層的下方，以使得電連接至公共電極層。其中，低溫多晶硅顯示裝置包括依序設置于多晶硅層之上方的三層絕緣層，并且在對應多晶硅層與像素電極層電連接的位置設有貫穿三層絕緣層的第一導電通路，在對應金屬屏蔽層與公共電極層電連接的位置設有貫穿三層絕緣層的第二導電通路；像素電極層與多晶硅層通過第一導電通路電連接，公共電極層與金屬屏蔽層通過第二導電通路電連接。其中，低溫多晶硅顯示裝置是液晶顯示裝置。其中，液晶顯示裝置是平面轉換IPS或邊緣場切換FFS液晶顯示裝置。其中，低溫多晶硅顯示裝置是有機發(fā)光二極管顯示裝置。本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術的情況，本發(fā)明通過將公共電極層與原有的金屬屏蔽層電連接，無需專門沉積與公共電極層并聯(lián)以降低公共電極層電阻的金屬層， 即能夠降低公共電極層的阻值，減少因為公共電極層的電阻值過大引起的延遲效應，減少一次掩膜板的使用，減少完成一次エ藝流程的時間，降低成本，提高產(chǎn)能。


圖1是現(xiàn)有技術低溫多晶硅顯示裝置實施例中薄膜晶體管基板的部分截面示意圖；圖2是本發(fā)明低溫多晶硅顯示裝置實施例中薄膜晶體管基板的部分截面示意圖；圖3是本發(fā)明低溫多晶硅顯示裝置制作方法實施例的流程圖。
具體實施例方式下面，對本發(fā)明低溫多晶硅顯示裝置實施例進行具體描述，以更清楚公開本發(fā)明的細節(jié)和精神。如圖2所示，圖2是本發(fā)明低溫多晶硅顯示裝置實施例中薄膜晶體管基板的部分截面示意圖。本發(fā)明低溫多晶硅顯示裝置包括基板110、金屬屏蔽層100、多晶硅層101、柵極金屬層102、源極金屬層103、漏極金屬層104、公共電極層105以及像素電極層106。
金屬屏蔽層100設置在基板110之上方，以減少光照引起的漏電流。金屬屏蔽層100之上方設置有與金屬屏蔽層100相互絕緣的多晶硅層101。柵極金屬層102設置在多晶硅層101之上方，并通過第一絕緣層107與多晶硅層101絕緣。源極金屬層103和漏極金屬層104設置于同一金屬層，并且均設置在柵極金屬層102之上方， 并通過第二絕緣層108與柵極金屬層102絕緣。公共電極層105設置在源極金屬層103之上方，并且通過第三絕緣層109與源極金屬層103絕緣。公共電極層105可以為透明導電薄膜ΙΤ0，也可以為其他透明的導電材料比如透明的金屬。其中，金屬屏蔽層100延伸至對應公共電極層105的下方，以使得金屬屏蔽層100電連接至公共電極層105。多晶硅層101作為薄膜晶體管的導電通道，分別與源極金屬層103和漏極金屬層 104連接。柵極金屬層102、源極金屬層103和漏極金屬層104公共構成薄膜晶體管或者有機發(fā)光二極管。通過薄膜晶體管控制像素電極層106是否產(chǎn)生電場、如何產(chǎn)生電場以實現(xiàn)顯示的目的?；蛘咴诹硗獾膶嵤├?，通過控制有機發(fā)光二極管是否發(fā)光、如何發(fā)光以實現(xiàn)顯示的目的。像素電極層106設置在公共電極層105之上方，并且與公共電極層105絕緣。公共電極層105之上方可以設置金屬層，以此來進ー步降低公共電極層105的電阻。當然，公共電極層105之上方也可以不設置金屬層。像素電極層106形成于低溫多晶硅顯示裝置的顯示區(qū)域內。像素電極層106的材料為透明導電薄膜ΙΤ0。在多晶硅層101上方的第一絕緣層107和第二絕緣層108形成有第一貫穿孔111。 第一貫穿孔111穿透第一絕緣層107和第二絕緣層108，并且填滿與源極金屬層103相同的導電材料。源極金屬層103通過第一貫穿孔111與多晶硅層101電連接。在源極金屬層103上方的第三絕緣層109形成第二貫穿孔112。第二貫穿孔112 穿透第三絕緣層109，并且填滿與像素電極106相同的導電材料。像素電極層106通過第二貫穿孔112與源極金屬層103電連接。第一貫穿孔111和第二貫穿孔112共同形成第一導電通路，像素電極層106通過第一導電通路與多晶硅層101電連接。在形成第一導電通路吋，還可以在像素電極層106與多晶硅層101之間直接形成貫穿孔，實現(xiàn)像素電極層106與多晶硅層101之間的電連接。在形成第一導電通路吋，還可以在形成第一貫穿孔111和第二貫穿孔112后，在像素電極106和公共電極105之間形成貫穿孔，實現(xiàn)像素電極層106與多晶硅層101之間的電連接。金屬屏蔽層100的上方形成有第三貫穿孔113，第三貫穿孔113穿透公共電極層 105與金屬屏蔽層100之間的第一絕緣層107和第二絕緣層108，并且填滿與公共電極層 105相同的導電材料。公共電極層105通過第三貫穿孔113與金屬屏蔽層100電連接。第三貫穿孔113作為第二導電通路，實現(xiàn)公共電極層105與金屬屏蔽層100之間的電連接。第三貫穿孔113可以與第一貫穿孔111在同一次光罩制程中形成。第三貫穿孔 113的數(shù)量可以為ー個或者多個，以實現(xiàn)公共電極層105與金屬屏蔽層100之間更好的電連接。上述低溫多晶硅顯示裝置的結構和類型僅僅是示例性的，可以是各種類型的液晶顯示裝置，如TN型、STN型、IPS或FFS等薄膜晶體管。也可以是有機發(fā)光二極管顯示裝置。本文不作限制。區(qū)別于現(xiàn)有技木，本發(fā)明通過將公共電極層與原有的金屬屏蔽層電連接，無需專門沉積與公共電極層并聯(lián)以降低公共電極層電阻的金屬層，即能夠降低公共電極層的阻值，減少因為公共電極層的電阻值過大引起的延遲效應，減少一次掩膜板的使用，減少完成一次エ藝流程的時間，降低成本，提高產(chǎn)能。如圖3所示，圖3是本發(fā)明低溫多晶硅顯示裝置制作方法實施例的流程圖。低溫多晶硅顯示裝置的制作方法包括步驟SlOl 在基板之上方形成金屬屏蔽層。步驟S102 在金屬屏蔽層之上方形成與金屬屏蔽層絕緣的多晶硅層。步驟S103 在多晶硅層之上方分別形成相互絕緣的公共電極層和像素電極層，并且使所述像素電極層與多晶硅層電連接，使公共電極層與金屬屏蔽層電連接。再參閱圖2所示，在實施步驟SlOl吋，金屬屏蔽層100延伸至對應公共電極層105 的下方，以使得金屬屏蔽層100電連接至公共電極層105。繼續(xù)參閱圖2所示，在實施步驟S102吋，在多晶硅層101之上方依次沉積第一絕緣層107、柵極金屬層102、第二絕緣層108、源極金屬層104以及第三絕緣層109。在多晶硅層100之上方形成有第一貫穿孔111，第一貫穿孔111穿透第一絕緣層 107和第二絕緣層108，并且第一貫穿孔111中填滿與源極金屬層104相同的導電材料。源極金屬層104通過第一貫穿孔111與多晶硅層101電連接。在源極金屬層104之上方形成第二貫穿孔112，第二貫穿孔112穿透第三絕緣層109，并且第二貫穿孔112中填滿與像素電極層106相同的導電材料。像素電極層106通過第二貫穿孔112與源極金屬層104電連接。第一貫穿孔111和第二貫穿孔112共同形成第一導電通路，像素電極層106通過第一導電通路與多晶硅層100電連接。繼續(xù)參閱圖2所示，在實施步驟S103吋，在第三絕緣層109之上方依次沉積公共電極層105、像素電極層106。在金屬屏蔽層100之上方形成有第三貫穿孔113，第三貫穿孔113穿透公共電極層105與金屬屏蔽層100之間的第一絕緣層107和第二絕緣層108，并且第三貫穿孔113中填滿與公共電極層105相同的導電材料。公共電極層105通過第三貫穿孔113與金屬屏蔽層100電連接。第三貫穿孔113作為第二導電通路，實現(xiàn)公共電極層105與金屬屏蔽層100 之間的電連接。第三貫穿孔113與第一貫穿孔111在同一次光罩制程中形成。第三貫穿孔 113的數(shù)量可以為ー個或者多個，可以實現(xiàn)公共電極層105與金屬屏蔽層100之間更好的電連接。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。
權利要求
1.ー種低溫多晶硅顯示裝置的制作方法，其特征在干，包括 在基板之上方形成金屬屏蔽層；在所述金屬屏蔽層之上方形成與金屬屏蔽層絕緣的多晶硅層； 在所述多晶硅層之上方分別形成相互絕緣的公共電極層和像素電極層，并且使所述像素電極層與多晶硅層電連接，使公共電極層與金屬屏蔽層電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于所述在基板之上方形成金屬屏蔽層的步驟包括在基板之上方形成金屬屏蔽層，并使所述金屬屏蔽層延伸至對應公共電極層的下方。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于所述在多晶硅層之上方分別形成相互絕緣的公共電極層和像素電極層、并且使所述像素電極層與多晶硅層電連接、使公共電極層與金屬屏蔽層電連接的步驟包括在所述多晶硅層之上方依序形成三層絕緣層，并且在對應多晶硅層與像素電極層電連接的位置形成貫穿三層絕緣層的第一導電通路，在對應金屬屏蔽層與公共電極層電連接的位置形成貫穿三層絕緣層的第二導電通路；在所述三層絕緣層之上方分別形成相互絕緣的公共電極層和像素電極層，并且使所述像素電極層與多晶硅層通過第一導電通路電連接，使公共電極層與金屬屏蔽層通過第二導電通路電連接。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于所述在多晶硅層之上方依序形成三層絕緣層、并且在對應多晶硅層與像素電極層電連接的位置形成貫穿三層絕緣層的第一導電通路、在對應金屬屏蔽層與公共電極層電連接的位置形成貫穿三層絕緣層的第二導電通路的步驟包括在多晶硅層之上方依序形成三層絕緣層中的兩層絕緣層；在所述兩層絕緣層中對應多晶硅層與像素電極層電連接的位置形成第一貫穿孔；在所述第一貫穿孔中填滿第一導電材料；在填滿所述第一導電材料后，在所述兩層絕緣層之上方再形成三層絕緣層中剩下的一層絕緣層；在所述三層絕緣層中剩下的一層絕緣層中對應多晶硅層與像素電極層電連接的位置形成第二貫穿孔，并且在對應金屬屏蔽層與公共電極層電連接的位置形成貫穿三層絕緣層的第三貫穿孔；在所述第二貫穿孔中填滿第二導電材料，所述第一導電材料和第二導電材料連接，形成所述第一導電通路，在所述第三貫穿孔中填滿第三導電材料，形成所述第二導電通路。
5.ー種低溫多晶硅顯示裝置，其特征在干，包括基板、在所述基板之上方設置的金屬屏蔽層、在所述金屬屏蔽層之上方設置的與金屬屏蔽層絕緣的多晶硅層以及在所述多晶硅層之上方分別設置的相互絕緣的公共電極層和像素電極層；其中，所述像素電極層與多晶硅層電連接，公共電極層與金屬屏蔽層電連接。
6.根據(jù)權利要求5所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于所述金屬屏蔽層延伸至對應公共電極層的下方，以使得電連接至公共電極層。
7.根據(jù)權利要求6所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于所述低溫多晶硅顯示裝置包括依序設置于多晶硅層之上方的三層絕緣層，并且在對應多晶硅層與像素電極層電連接的位置設有貫穿三層絕緣層的第一導電通路，在對應金屬屏蔽層與公共電極層電連接的位置設有貫穿三層絕緣層的第二導電通路；所述像素電極層與多晶硅層通過第一導電通路電連接，所述公共電極層與金屬屏蔽層通過第二導電通路電連接。
8.根據(jù)權利要求5所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于 所述低溫多晶硅顯示裝置是液晶顯示裝置。
9.根據(jù)權利要求8所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于所述液晶顯示裝置是平面轉換IPS或邊緣場切換FFS液晶顯示裝置。
10.根據(jù)權利要求5所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于 所述低溫多晶硅顯示裝置是有機發(fā)光二極管顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低溫多晶硅顯示裝置及其制作方法，包括在基板之上方形成金屬屏蔽層；在金屬屏蔽層之上方形成與金屬屏蔽層絕緣的多晶硅層；在多晶硅層之上方分別形成相互絕緣的公共電極層和像素電極層，并且使所述像素電極層與多晶硅層電連接，使公共電極層與金屬屏蔽層電連接。通過上述方式，本發(fā)明能夠降低公共電極層的阻值，減少因為公共電極層的電阻值過大引起的延遲效應，減少一次掩膜板的使用，減少完成一次工藝流程的時間，降低成本，提高產(chǎn)能。
文檔編號H01L21/77GK102569187SQ20111043317
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月21日 優(yōu)先權日2011年12月21日
發(fā)明者周秀峰 申請人:深圳市華星光電技術有限公司