專利名稱：一種背接觸式光伏電池的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種背接觸式光伏電池的制備方法，屬于晶體硅太陽電池制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在現(xiàn)有的可持續(xù)能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前，在所有的太陽能電池中，硅太陽能電池是得到大范圍商業(yè)推廣的太陽能電池之一，這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲量，同時硅太陽能電池相比其他類型的太陽能電池，有著優(yōu)異的電學(xué)性能和機(jī)械性能，硅太陽能電池在光伏領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。因此，研發(fā)高性價比的硅太陽能電池已經(jīng)成為各國光伏企業(yè)的主要研究方向之一。硅太陽能電池的發(fā)電原理是基于半導(dǎo)體PN結(jié)的光伏效應(yīng)。目前太陽能電池有很多種類和結(jié)構(gòu)，比較普遍的做法是將太陽能電池的正負(fù)極分別置于其受光面和背光面，同類太陽能電池可通過低電阻的金屬實(shí)現(xiàn)正負(fù)互聯(lián)。然而，這類太陽能電池因其受光面上很多區(qū)面積被電極遮擋而存在較大的遮光損失，從而損失了一部分電流。為改善上述結(jié)構(gòu)帶來的光電轉(zhuǎn)化的損失，現(xiàn)有多種結(jié)構(gòu)的太陽能電池被開發(fā)，其中有一類稱為“背接觸”電池，其特點(diǎn)是電池的正負(fù)極均設(shè)于背光面，該結(jié)構(gòu)可減少受光面的遮光損失，增加光電轉(zhuǎn)換效率，而且有利于太陽能電池之間的相互連接?，F(xiàn)有技術(shù)中，實(shí)現(xiàn)“背接觸”太陽能電池器件有以下幾種方案
一種是PN結(jié)設(shè)置在器件的背光面，而受光面沒有PN結(jié)，可參考文獻(xiàn)(R. A. Sinton, Y. Kwark, J. Y. Gan, R. M. Swanson, IEEE Electron Device Letters, Vol. ED- 7. No. 10，October 1986)；該結(jié)構(gòu)的電池需要質(zhì)量極佳的硅片(主要是少數(shù)載流子壽命足夠大)，以保證受光面產(chǎn)生的電流能穿越整個基區(qū)達(dá)到背光面的電極；所以，該類太陽太陽能電池對原材料十分挑剔，在目前的制造水平下很難有大規(guī)模推廣，而且制造成本很高。第二種方案是麗T電池(Metal wrap through)，其PN結(jié)仍然做在器件的受光面， 同時制作十幾至幾十個貫穿整個器件的孔洞，孔洞內(nèi)壁設(shè)有低電阻的電極與受光面電極相連接；于是受光面產(chǎn)生的光電流可由孔洞內(nèi)電極傳導(dǎo)至器件的背光面相應(yīng)電極處。該方案很好地解決了前述背接觸太陽能電池的弱點(diǎn)，可以利用現(xiàn)有水平的硅片生產(chǎn)制造更高光電轉(zhuǎn)化效率的太陽能電池，同時幾乎不增加成本。目前已有多個專利公開了其相應(yīng)技術(shù)，如 W02010126346, JP2010080576、JP2010080578、US20100276772、US20090188550、 US20090178707和KR1020100098993等，這些結(jié)構(gòu)的共同特征是受光面還保留少部分的電極，因而還會存在一定的遮光損失，影響了光電轉(zhuǎn)化效率的進(jìn)一步提高。為了解決上述問題，又有研究者提出了受光面無電極的新結(jié)構(gòu)電池器件(Emitter wrap through，簡稱EWT)；其特點(diǎn)是PN結(jié)仍然做在器件的受光面，同時制作數(shù)萬個貫穿整個器件的孔洞，孔內(nèi)壁高濃度摻雜有PN結(jié)，且通過低電阻的電極與背光面的相應(yīng)電極連接，于是受光面產(chǎn)生的光電流可由孔洞內(nèi)電極傳導(dǎo)至器件的背光面處。多個專利涉及了相應(yīng)技術(shù)，如 US7851696、CA2596827、US7144751、CA2530743、US20090320922、US20110086466、W02005006402、CA2530684、US7649141、W02005018007、W02005076959、W02005076960、 W02006029250.US7863084以及KR1020110011053。盡管該技術(shù)避免了正面電極帶來的遮光
損失，但是為了保證受光面電流無損失地傳輸至背面，需要設(shè)置上萬個孔洞，且孔洞內(nèi)需要形成高濃度摻雜，這些條件既導(dǎo)致了其制備工藝十分復(fù)雜，成本高；同時，過多的孔洞也影響了器件的機(jī)械強(qiáng)度，生產(chǎn)時會出現(xiàn)大量硅片破碎的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種背接觸式光伏電池的制備方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種背接觸式光伏電池的制備方法， 包括如下步驟
(1)在硅片的受光面進(jìn)行制絨，然后開設(shè)孔洞；
(2)在上述硅片的受光面擴(kuò)散制結(jié)，在硅片受光面、周邊及孔洞內(nèi)形成PN結(jié)；
(3)去除磷硅或硼硅玻璃后，在上述硅片受光面、周邊和孔洞內(nèi)的PN結(jié)上設(shè)置透明導(dǎo)電膜；
(4)對硅片周邊和孔洞內(nèi)進(jìn)行刻蝕，去除硅片周邊和孔洞內(nèi)的透明導(dǎo)電膜和PN結(jié)；然后在硅片受光面的透明導(dǎo)電膜上鍍設(shè)減反射膜；
(5)在上述硅片的非鍍膜面上制備貫孔電極、背金屬電極、背鈍化場，即可得到所述背接觸式光伏電池；所述貫孔電極與透明導(dǎo)電膜電連通。上文中，所述硅片可以是P型或η型。所述背鈍化場是與所述硅片導(dǎo)電類型相同的摻雜物質(zhì)或者介質(zhì)鈍化膜，或者是兩種均有。背鈍化場和背金屬電極電連通，且兩者與貫孔電極僅靠空氣絕緣隔離且電極極性相反。所述步驟(5)中的硅片的非鍍膜面是指硅片未鍍設(shè)減反膜的面，即硅片非鍍減反射膜面。所述步驟(4)中對硅片周邊和孔洞內(nèi)進(jìn)行刻蝕，去除硅片周邊和孔洞內(nèi)的透明導(dǎo)電膜和PN結(jié)，因而孔洞內(nèi)僅有貫孔電極。上述技術(shù)方案中，所述步驟(1)中孔洞的數(shù)量為2飛00個。優(yōu)選的，所述步驟(1) 中孔洞的數(shù)量為fioo個。上述技術(shù)方案中，所述步驟(3)中的透明導(dǎo)電膜為ITO薄膜、SnO2薄膜、^i2O3薄膜、ZnO薄膜、Cd2SnO4薄膜或FTO薄膜。這些都是現(xiàn)有技術(shù)，其中，ITO薄膜是指錫摻雜的氧化銦透明導(dǎo)電膜，F(xiàn)TO薄膜是指SnA摻雜F的透明導(dǎo)電膜。當(dāng)然，上述透明導(dǎo)電膜還可以選自 0^^02、0^1102、51~01202，或&10摻8、六1、63、h 等。上述技術(shù)方案中，所述步驟(3)中的透明導(dǎo)電膜的厚度為8(T1000 nm。優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電膜的厚度為100 500 nm。與之相應(yīng)的另一種技術(shù)方案，一種背接觸式光伏電池的制備方法，包括如下步驟
(1)在硅片表面開設(shè)孔洞，然后在其受光面進(jìn)行制絨；
(2)在上述硅片的受光面擴(kuò)散制結(jié)，在硅片受光面、周邊及孔洞內(nèi)形成PN結(jié)；
(3)去除磷硅或是硼硅玻璃后，在上述硅片受光面、周邊和孔洞內(nèi)的PN結(jié)上設(shè)置透明導(dǎo)電膜；
4(4)對硅片周邊和孔洞內(nèi)進(jìn)行刻蝕，去除硅片周邊和孔洞內(nèi)的透明導(dǎo)電膜和PN結(jié)；然后在硅片受光面的透明導(dǎo)電膜上鍍設(shè)減反射膜；
(5)在上述硅片的非鍍膜面上制備貫孔電極、背金屬電極、背鈍化場，即可得到所述背接觸式光伏電池；所述貫孔電極與透明導(dǎo)電膜電連通。上述技術(shù)方案中，所述步驟(1)中孔洞的數(shù)量為2飛00個。上述技術(shù)方案中，所述步驟(3)中的透明導(dǎo)電膜為ITO薄膜、SnO2薄膜、In2O3薄膜、ZnO薄膜、Cd2SnO4薄膜或FTO薄膜。上述技術(shù)方案中，所述步驟(3)中的透明導(dǎo)電膜的厚度為8(T1000 nm。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)
1.本發(fā)明制備得到了一種新的背接觸式光伏電池，與現(xiàn)有的MWT電池相比，本發(fā)明的光伏電池受光面沒有電極遮擋，避免了遮光損失，顯著提高了光電轉(zhuǎn)化效率；與現(xiàn)有的EWT 電池相比，本發(fā)明的電池需要開設(shè)的孔洞大大減少，因而大大降低了碎片率，而且簡化了制備工序。2.本發(fā)明的制備方法簡單，且不需要高質(zhì)量的硅片，因而成本低廉、適于規(guī)模化生產(chǎn)。3.本發(fā)明利用透明導(dǎo)電膜代替受光面上的電極，兼顧了透光與電流收集，因而沒有受光面電極的遮擋，顯著提高了光電轉(zhuǎn)化效率，且外觀統(tǒng)一美觀。


附圖廣8是本發(fā)明實(shí)施例一的制備過程示意附圖9是本發(fā)明實(shí)施例一中背接觸式光伏電池的結(jié)構(gòu)示意圖。其中:1、硅片；2、PN結(jié)；3、透明導(dǎo)電ITO薄膜；4、孔洞；5、減反射膜；6、貫孔電極； 7、背金屬電極；8、背鈍化場。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述 實(shí)施例一
參見圖廣9所示，一種背接觸硅太陽能電池的制備方法，硅片為ρ型，包括如下步驟 第一步，制絨；其目的是通過化學(xué)反應(yīng)使原本光亮的硅片表面形成凸凹不平的結(jié)構(gòu)以延長光在其表面的傳播路徑，從而提高硅片1對光的吸收；制絨后硅片的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1 所示；
第二步，在硅片上開設(shè)孔洞4，數(shù)目為100個，其作用是在孔洞4內(nèi)可以設(shè)置電極將電池片受光面的電流引到電池片的背光面，這樣就可以使得電池片的正極和負(fù)極都位于電池片的背面；在本申請所有實(shí)施例中，可以采用激光、機(jī)械鉆孔或化學(xué)腐蝕的方式進(jìn)行開孔；孔洞4后硅片的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示；
第三步，在硅片的表面進(jìn)行磷擴(kuò)散，在受光面形成PN結(jié)2，同時孔洞內(nèi)壁以及硅片1周邊也形成PN結(jié)2，并用氫氟酸去除磷硅玻璃；形成PN結(jié)2后的結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示；
第四步，將500nm厚的透明導(dǎo)電ITO薄膜3鍍在PN結(jié)上，包括孔洞4內(nèi)壁和硅片周邊 PN結(jié)上，如圖4所示；這里透明導(dǎo)電ITO薄膜的目的是代替?zhèn)鹘y(tǒng)的金屬電極，有效地收集傳導(dǎo)受光面產(chǎn)生的光電流，而不遮擋入射光；鍍ITO薄膜的方法有很多種，比如磁控濺射、有機(jī)金屬氣相沉積、真空蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法、噴涂法、溶膠一凝膠法、靜電噴霧輔助氣相沉積等方法；在本發(fā)明實(shí)施例中，ITO薄膜采用磁控濺射的方式鍍膜；
第五步，周邊和孔內(nèi)刻蝕；目的是去除孔內(nèi)和硅片周邊的透明導(dǎo)電ITO薄膜3和PN結(jié) 2，避免短路；刻蝕的方式有多種，可以為濕法刻蝕，也可以為干法刻蝕，其中，濕法刻蝕包括化學(xué)液腐蝕，化學(xué)腐蝕漿料腐蝕等，干法刻蝕包括等離子氣體腐蝕等；在本發(fā)明實(shí)施例中，采用硝酸、氫氟酸的混合溶液濕法刻蝕，孔內(nèi)和硅片周邊刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示；
第六步，在ITO薄膜上鍍氮化硅減反射膜5，該膜的作用是減小陽光的反射，最大限度地利用太陽能；在本發(fā)明實(shí)施例中，采用PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)在硅片1上形成減反射膜；另外，采用PECVD 只是本發(fā)明的一個實(shí)施例，不應(yīng)構(gòu)成對本發(fā)明的限制，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，鍍膜方法還可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的其他方法；鍍減反射膜5后硅片的結(jié)構(gòu)示意圖如圖6所示；
第七步，在硅片非鍍減反射膜面上絲網(wǎng)印刷貫孔電極6作為負(fù)極；在本發(fā)明所有實(shí)施例中，還可以通過真空蒸發(fā)、濺射等方法將貫孔電極6沉積在硅片1上；制備貫孔電極6與透明導(dǎo)電ITO薄膜3電學(xué)連通，其的結(jié)構(gòu)示意圖如圖7所示；
第八步，在硅片非鍍減反射膜面上絲網(wǎng)印刷背金屬電極7作為正極；在本發(fā)明所有實(shí)施例中，還可以通過真空蒸發(fā)、濺射等方法將背金屬電極沉積在硅片1上；制備背金屬電極的結(jié)構(gòu)示意圖如圖8所示；
第九步，在硅片非鍍減反射膜面上絲網(wǎng)印刷鋁背鈍化場8 ；在本發(fā)明實(shí)施例中，還可以通過真空蒸發(fā)、濺射等方法將鋁背鈍化場沉積在硅片上；制備鋁背鈍化場的結(jié)構(gòu)示意圖如圖9所示；其中，鋁背鈍化場8與背金屬電極7電學(xué)連通，這兩者與貫孔電極6僅靠空氣絕緣隔離。圖9所示即是根據(jù)本發(fā)明方法實(shí)施得到的最終光伏電池的結(jié)構(gòu)示意圖。實(shí)施例二
一種背接觸硅太陽能電池的制備方法，硅片為η型，包括如下步驟 第一步，制絨；其目的是通過化學(xué)反應(yīng)使原本光亮的硅片表面形成凸凹不平的結(jié)構(gòu)以延長光在其表面的傳播路徑，從而提高硅片對光的吸收；
第二步，在硅片上開設(shè)孔洞，數(shù)目為60個，其作用是在孔洞內(nèi)可以設(shè)置電極將電池片受光面的電流引到電池片的背光面，這樣就可以使得電池片的正極和負(fù)極都位于電池片的背面；在本申請所有實(shí)施例中，可以采用激光、機(jī)械鉆孔或化學(xué)腐蝕的方式進(jìn)行開孔；
第三步，在硅片的表面進(jìn)行硼擴(kuò)散，同時孔洞內(nèi)壁以及硅片周邊也形成PN結(jié)，并用氫氟酸去除硼硅玻璃；
第四步，將300nm厚的透明導(dǎo)電Sn02:F薄膜鍍在PN結(jié)上，包括孔內(nèi)壁和硅片周邊PN 結(jié)上；這里透明導(dǎo)電SnO2 = F薄膜的目的是代替?zhèn)鹘y(tǒng)的金屬電極，有效地收集傳導(dǎo)受光面產(chǎn)生的光電流，而不遮擋入射光；鍍SnO2 = F薄膜的方法有很多種，比如磁控濺射、有機(jī)金屬氣相沉積、真空蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法、噴涂法、溶膠一凝膠法、靜電噴霧輔助氣相沉積等方法；在本發(fā)明實(shí)施例中，SnO2 = F薄膜采用磁控濺射方法鍍膜；第五步，周邊和孔內(nèi)刻蝕；目的是去除周邊的透明導(dǎo)電SnO2 = F薄膜和PN結(jié)，避免短路； 刻蝕的方式有多種，可以為濕法刻蝕，也可以為干法刻蝕，其中，濕法刻蝕包括化學(xué)液腐蝕，化學(xué)腐蝕漿料腐蝕等，干法刻蝕包括等離子氣體腐蝕等；在本發(fā)明實(shí)施例中，采用硝酸、 氫氟酸的混合溶液濕法刻蝕；
第六步，采用 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)在SnO2 = F薄膜上鍍二氧化硅減反射膜，該膜的作用是減小陽光的反射，最大限度地利用太陽能；在本發(fā)明實(shí)施例中，在硅片上形成減反射膜；
第七步，在硅片非鍍減反射膜面上絲網(wǎng)印刷貫孔銀電極作為正極；在本發(fā)明所有實(shí)施例中，還可以通過真空蒸發(fā)、濺射等方法將貫孔電極沉積在硅片上；制備貫孔電極與透明導(dǎo)電SnO2 = F薄膜電學(xué)連通；
第八步，在硅片非鍍減反射膜面上絲網(wǎng)印刷背銀電極作為負(fù)極；在本發(fā)明所有實(shí)施例中，還可以通過真空蒸發(fā)、濺射等方法將背電極沉積在硅片上；
第九步，在硅片非鍍減反射膜面進(jìn)行絲網(wǎng)印刷磷漿摻雜并用PECVD法生長氮化硅，作為復(fù)合的背鈍化場；另外，采用絲網(wǎng)印刷磷漿摻雜和PECVD法生長氮化硅只是本發(fā)明的一個實(shí)施例，不應(yīng)構(gòu)成對本發(fā)明的限制，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，磷摻雜或鍍膜方法還可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的其他方法；其中，復(fù)合背鈍化層與背銀電極電學(xué)連通，這兩者與貫孔銀電極僅靠空氣絕緣隔離。 以上所述僅是本申請的優(yōu)選實(shí)施方式，使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解或?qū)崿F(xiàn)本申請。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本申請的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本申請將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種背接觸式光伏電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟(1)在硅片的受光面進(jìn)行制絨，然后開設(shè)孔洞；(2)在上述硅片的受光面擴(kuò)散制結(jié)，在硅片受光面、周邊及孔洞內(nèi)形成PN結(jié)；(3)去除磷硅或硼硅玻璃后，在上述硅片受光面、周邊和孔洞內(nèi)的PN結(jié)上設(shè)置透明導(dǎo)電膜；(4)對硅片周邊和孔洞內(nèi)進(jìn)行刻蝕，去除硅片周邊和孔洞內(nèi)的透明導(dǎo)電膜和PN結(jié)；然后在硅片受光面的透明導(dǎo)電膜上鍍設(shè)減反射膜；(5)在上述硅片的非鍍膜面上制備貫孔電極、背金屬電極、背鈍化場，即可得到所述背接觸式光伏電池；所述貫孔電極與透明導(dǎo)電膜電連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸式光伏電池的制備方法，其特征在于所述步驟(1) 中孔洞的數(shù)量為2飛00個。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背接觸式光伏電池的制備方法，其特征在于所述步驟(1) 中孔洞的數(shù)量為fioo個。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸式光伏電池的制備方法，其特征在于所述步驟(3) 中的透明導(dǎo)電膜為ITO薄膜、SnO2薄膜、In2O3薄膜、ZnO薄膜、Cd2SnO4薄膜或FTO薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸式光伏電池的制備方法，其特征在于所述步驟(3) 中的透明導(dǎo)電膜的厚度為8(T1000 nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背接觸式光伏電池的制備方法，其特征在于所述透明導(dǎo)電膜的厚度為100 500 nm。
7.一種背接觸式光伏電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟(1)在硅片表面開設(shè)孔洞，然后在其受光面進(jìn)行制絨；(2)在上述硅片的受光面擴(kuò)散制結(jié)，在硅片受光面、周邊及孔洞內(nèi)形成PN結(jié)；(3)去除磷硅或是硼硅玻璃后，在上述硅片受光面、周邊和孔洞內(nèi)的PN結(jié)上設(shè)置透明導(dǎo)電膜；(4)對硅片周邊和孔洞內(nèi)進(jìn)行刻蝕，去除硅片周邊和孔洞內(nèi)的透明導(dǎo)電膜和PN結(jié)；然后在硅片受光面的透明導(dǎo)電膜上鍍設(shè)減反射膜；(5)在上述硅片的非鍍膜面上制備貫孔電極、背金屬電極、背鈍化場，即可得到所述背接觸式光伏電池；所述貫孔電極與透明導(dǎo)電膜電連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背接觸式光伏電池的制備方法，其特征在于所述步驟(1) 中孔洞的數(shù)量為2飛00個。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背接觸式光伏電池的制備方法，其特征在于所述步驟(3) 中的透明導(dǎo)電膜為ITO薄膜、SnO2薄膜、In2O3薄膜、ZnO薄膜、Cd2SnO4薄膜或FTO薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背接觸式光伏電池的制備方法，其特征在于所述步驟(3) 中的透明導(dǎo)電膜的厚度為8(T1000 nm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種背接觸式光伏電池的制備方法，包括如下步驟(1)在硅片的受光面進(jìn)行制絨，然后開設(shè)孔洞；(2)在硅片受光面擴(kuò)散制結(jié)，在其受光面、周邊及孔洞內(nèi)形成PN結(jié)；(3)去除磷硅或硼硅玻璃后，在硅片受光面、周邊和孔洞內(nèi)的PN結(jié)上設(shè)置透明導(dǎo)電膜；(4)對硅片周邊和孔洞內(nèi)進(jìn)行刻蝕，去除硅片周邊和孔洞內(nèi)的透明導(dǎo)電膜和PN結(jié)；鍍設(shè)減反射膜；(5)在硅片的非鍍膜面上制備貫孔電極、背金屬電極、背鈍化場，得到背接觸式光伏電池；所述貫孔電極與透明導(dǎo)電膜電連通。本發(fā)明制備得到的背接觸式光伏電池的受光面沒有電極遮擋，避免了遮光損失，顯著提高了光電轉(zhuǎn)化效率；需要開設(shè)的孔洞也大大減少，從而大大降低了碎片率，而且簡化了制備工序。
文檔編號H01L31/18GK102403404SQ201110373840
公開日2012年4月4日 申請日期2011年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月22日
發(fā)明者吳堅, 王栩生, 章靈軍 申請人:蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司, 阿特斯(中國)投資有限公司