專利名稱：附著模塊、附接基板的設(shè)備及制造附著襯墊的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供了附著模塊、用于附接基板的設(shè)備以及用于制造附著襯墊的方法，且更具體而言，本發(fā)明涉及附著模塊、用于附接基板的設(shè)備以及用于制造附著襯墊的方法，其中基板等可以使用分子之間的吸引力來附著。
背景技術(shù)：
隨著工業(yè)技術(shù)的發(fā)展，用于處理基板等組件的各種技術(shù)已經(jīng)被廣泛地使用。例如，已經(jīng)使用諸如在基板的一側(cè)上沉積或施加預(yù)定材料、使用設(shè)置圖案構(gòu)圖或蝕刻基板、附接兩個(gè)基板等各種基板處理技術(shù)。具體而言，已經(jīng)研究和開發(fā)了諸如液晶顯示器(IXD)、等離子體顯示板(PDP)、電致發(fā)光顯示器(ELD)、真空熒光顯示器(VFD)等各種平板顯示器，且進(jìn)一步開發(fā)了用于半導(dǎo)體基板的處理方法。因此，用于這種基板的工藝也得到多方面地發(fā)展。 用于處理這種基板的工藝一般在這種狀態(tài)執(zhí)行一個(gè)基板或多個(gè)基板固定在基板處理設(shè)備中。因而，在基板處理設(shè)備內(nèi)提供固定基板的卡盤，使用靜電力來固定基板的靜電卡盤(ESC)近來被廣泛地使用。靜電卡盤一般由燒結(jié)的氧化鋁陶瓷或噴涂的氧化鋁陶瓷制成。靜電卡盤內(nèi)部地嵌有用以連接到直流(DC)電源的電極板，且使用從DC電源應(yīng)用的高壓產(chǎn)生的靜電力將基板附著到靜電卡盤上。然而，在使用靜電卡盤中出現(xiàn)很多問題。首先，因?yàn)樵诟浇踊鍟r(shí)必須連續(xù)地向靜電卡盤供應(yīng)DC電源，因而消耗很多的功率。而且，當(dāng)通過靜電附著基板時(shí)，由于靜電卡盤的電極圖案引起的靜電殘余可能導(dǎo)致基板上的污染。而且，因?yàn)殪o電卡盤具有精確的機(jī)械和電學(xué)結(jié)構(gòu)，其制造成本非常高。而且，在覆蓋有聚酰亞胺膜的靜電卡盤的情況中，當(dāng)在工藝過程中基板破裂時(shí)，聚酰亞胺膜可能被基板的顆粒損壞。

發(fā)明內(nèi)容
因此，設(shè)想了本發(fā)明以解決上述問題，且本發(fā)明的一個(gè)方面涉及提供一種附著模塊、用于附接基板的設(shè)備以及制造附著襯墊的方法，其中基板可以使用分子之間的吸引力即范德瓦爾力(van der waal)附著。在上述方面中，本發(fā)明提供了一種附著模塊，包括該附著模塊的基板附接設(shè)備以及用于制造附著襯墊的方法，其中所述附著模塊包括形成有多個(gè)緊固部分(fasteningportion)的框架；以及用于使用分子之間的吸引力附接基板的附著襯墊，該附著襯墊包括其中多個(gè)附著凸起被分組布置的多個(gè)附著部分。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，用于穩(wěn)固地定位基板的額外動(dòng)力和電力的附加使用被最小化，使得與常規(guī)靜電卡盤相比，使用效率和安全性可以得到改善。而且，還可以防止在使用靜電卡盤的情況下由于殘余靜電產(chǎn)生的基板上的污染，且與靜電卡盤相比，制造成本低。


圖I是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的包括附著模塊的基板附接設(shè)備的剖面圖。圖2是示出了圖I的基板附接設(shè)備的第二附著卡盤的透視圖。圖3是圖2的附著模塊的透視圖。圖4是沿著圖3的線A-A’的剖面圖。圖5示出了圖4的附著凸出的電子顯微鏡照片。圖6是示出了制造圖3的附著模塊的方法的流程圖。 圖7至圖11是示出了在制造圖6的附著模塊的方法中的主要步驟的示意圖。圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的附著模塊的透視圖。圖13示出了圖12的附著部分的電子顯微鏡照片。圖14是示出了制造圖12的附著模塊的方法的流程圖。圖15至圖20是示出了制造圖14中的附著模塊的方法的主要步驟的示意圖。圖21是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的附著模塊的透視圖。圖22是示出了圖21的附著部分的剖面的剖面圖。
具體實(shí)施例方式此后，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的附著模塊。在下面的示例性實(shí)施方式中，例如將描述布置在基板附接設(shè)備中的附著模塊，但是注意本發(fā)明不限于此。另選地，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式可以應(yīng)用于基板蝕刻設(shè)備、基板沉積設(shè)備或其他各種基板處理設(shè)備。圖I是示出了包括根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的附著模塊的基板附接設(shè)備的剖面圖。如圖I所示，基板附接設(shè)備包括形成外部外觀的基底框架10。而且，在基底框架10內(nèi)提供下腔體200，且在下腔體200上方提供上腔體100。而且，其中附接基板P的處理空間在上腔體100和下腔體200之間形成。其中附接基板P的空間設(shè)置有單獨(dú)的真空泵(未示出)，使得當(dāng)附接基板時(shí)，處理空間可以被抽真空。上腔體100由布置在下腔體200中的提升螺絲210和提升馬達(dá)230支撐，且被布置為可被上下提升。當(dāng)上腔體100上下提升時(shí)，處理空間被密封和向外打開，使得基板P可以運(yùn)送進(jìn)或者運(yùn)送出處理空間。在該示例性實(shí)施方式中，僅上腔體100被配置成可上下提升，但本發(fā)明不限于此。另選地，可以僅將下腔體配置成上下提升，或者上和下腔體均可被配置成上下提升。同時(shí)，上腔體100和下腔體200分別內(nèi)部地設(shè)置有第一附著卡盤120和第二附著卡盤220，從外部運(yùn)送來的基板P附著到所述附著卡盤上。第一附著卡盤120布置在上腔體100中，形成其中附接第一基板Pl的空間，且第二附著卡盤220布置在下腔體200中，形成其中附接第二基板P2的空間。將在稍后更詳細(xì)地描述第一和第二附著卡盤120和220的配置。用于監(jiān)控第一和第二基板Pl和P2的對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)照相機(jī)130布置在上腔體100上方。上腔體100形成有垂直穿透第一附著卡盤120且允許照相機(jī)130進(jìn)行拍攝的拍攝孔101。此外，線性致動(dòng)器110布置在上腔體100的外圍邊緣部分上。在附接基板時(shí)，線性致動(dòng)器110精密地調(diào)節(jié)上腔體100和下腔體之間的空間以因而控制第一基板Pl和第二基板P2之間的縫隙。同時(shí)，提供了垂直穿透下腔體200和第二附著卡盤220的多個(gè)提升引腳241和在下腔體200下方的提升引腳驅(qū)動(dòng)器240。因而，當(dāng)被提升引腳驅(qū)動(dòng)器240驅(qū)動(dòng)為上下提升時(shí)，提升引腳241在載入基板P時(shí)從用于附接第一或第二附著卡盤120或220的叉桿(未不出)接收基板P，或者在載出基板P時(shí)向叉桿提供基板P。而且，在下腔體200下方提供單獨(dú)的照明裝置250。當(dāng)照相機(jī)130拍攝用于第一和第二基板Pl和P2的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)，照明裝置250提供光。在下腔體200的第二附著卡盤周圍，可以提供用于測(cè)量上腔體100和下腔體200之間的縫隙的線性測(cè)量?jī)x表260以及能夠調(diào)節(jié)第二基板P2的水平位置的UVW臺(tái)270。

在上述描述中，通過舉例的方式詳細(xì)解釋了基板附接設(shè)備的主要配置。另選地，一些元件可以省略，或者位置有改變。下面，將參照?qǐng)D2至圖5詳細(xì)描述第一和第二附著卡盤。此處，第一附著卡盤120和第二附著卡盤220的配置彼此類似，且因而將代表性地描述第二附著卡盤220以避免重復(fù)描述。圖2是示出了圖I的基板附接設(shè)備的第二附著卡盤的透視圖。如圖2所示，第二附著卡盤包括支撐板和附著模塊。支撐板221固定到下腔體220。而且，支撐板221的頂面是平坦的，使得第二基板P2可以安放在其上并被支撐。在支撐板221的頂面上，可以形成其中可以插入和布置多個(gè)附著模塊300的座落凹槽(未示出)以及用于附著基板P的附著凹槽221a。此處，附著凹槽221a貢獻(xiàn)于在第二基板P2首先安放時(shí)通過附著第二基板P2而將第二基板P2附著到第二附著卡盤220。而且，當(dāng)附接基板時(shí)，附著凹槽221a用于通過其噴射壓力氣體，使得第一基板Pl和第二基板P2可以被按壓和附接。同時(shí)，附著模塊300被插入和布置，使得其一側(cè)可以暴露于支撐板221的頂側(cè)。因而，當(dāng)?shù)诙錚2被安放時(shí)，第二基板P2的一側(cè)接觸附著模塊300的一側(cè)且通過分子之間的吸引力附著到附著模塊300上。下面，將參照?qǐng)D3至圖5更詳細(xì)地描述附著模塊300。圖3是圖2的附著模塊的透視圖，且圖4是沿著圖3的線A_A’的剖面圖。如圖3和圖4所示，附著模塊300包括形成外部外觀的框架310以及用于附著基板P的附著襯墊320?？蚣?10具有環(huán)行結(jié)構(gòu)，且插入和布置在支撐板221中。另選地，框架的形狀可以根據(jù)基板的形狀和尺寸不同地設(shè)計(jì)。同時(shí)，參照?qǐng)D3，框架310的底面和側(cè)面插入和布置在支撐板221中，且其頂面暴露于支撐板221的頂面。同時(shí)，暴露于支撐板221的頂面的框架310的頂面形成有外圓周部分311和內(nèi)圓周部分312。外圓周部分311沿著框架310的外圓周形成。而且，在布置在支撐板221的狀態(tài)下，外圓周部分311的頂面可以具有與支撐板211的頂面相同的高度。外圓周部分311沿著圓周方向具有至少一個(gè)緊固孔311a。
附著模塊300在形成緊固孔311a的位置耦合到支撐板221且布置在支撐板221中。緊固孔311a可以具有各種緊固結(jié)構(gòu)。例如，在本示例性實(shí)施方式中，被螺紋化以容納螺紋部件的通孔用作緊固孔311a。在這種情況下，當(dāng)需要更換或修理附著模塊300時(shí)，容易獨(dú)立地分離和布置附著模塊300。內(nèi)圓周部分312沿著框架310的內(nèi)圓周形成。如圖5所示，內(nèi)圓周部分312形成高度比外圓周部分311低的平臺(tái)。此時(shí)，附著襯墊320安放并布置在內(nèi)圓周部分312上方。附著襯墊320包括基底部分321和附著部分322。基底部分321形成附著襯墊320的底面，且安放在框架310的內(nèi)圓周部分312中。附著部分322在基底部分321上形成，且形成了其中多個(gè)附著凸起被分組的結(jié)構(gòu)。圖5示出了圖4的附著凸出的電子顯微鏡照片。如圖5所示，附著部分322的附著凸起322a是具有圓形剖面的柱形結(jié)構(gòu)。此處，附著凸起322a可以具有約O. 5 μ m至50 μ m的長(zhǎng)度和O. 05 μ m至20 μ m的直徑。而且，附著凸起322a可以與相鄰附著凸起以50 μ m或更小的間隔布置。 如果附著凸起322a接觸基板P，則基于范德瓦爾原理的分子之間的吸引力施加在附著凸起322a和基板P之間。此時(shí)，至少200uN的吸引力施加到一個(gè)附著凸起322a。因此，這種附著凸起322a致密地布置，使得基板P可以通過相應(yīng)附著凸起322a的所得力附著。如上所述，附著凸起322a在預(yù)定位置分組以構(gòu)成附著部分322。附著襯墊320包括基底部分321上的多個(gè)附著部分322。而且，各個(gè)附著部分322在環(huán)行基底部分321上沿著圓周方向以預(yù)定間隔彼此隔開。在該示例性實(shí)施方式中，其中附著凸起322a以預(yù)定間隔分組的附著部分在基底部分321的一些位置處形成，但是本發(fā)明不限于此。另選地，附著凸起可以遍及基底部分形成。附著模塊300基于施加在多個(gè)附著凸起322a和基板之間的分子之間的吸引力附著基板P。因此，與靜電卡盤相比，不僅附著模塊300的制造成本低，而且使用效率和穩(wěn)定性改善。而且，它實(shí)現(xiàn)為單個(gè)緊湊模塊且因此在修理和更換時(shí)容易更換。同時(shí)，附著模塊的附著襯墊以這種方式制造形成有對(duì)應(yīng)于附著模塊的圖案的模板用于將圖案轉(zhuǎn)印到成型液體。下面，將參照?qǐng)D6至11更詳細(xì)地描述制造根據(jù)示例性實(shí)施方式的附著模塊的方法。圖6是示出了制造圖3的附著模塊的方法的流程圖，且圖7至圖11是示出了圖6中制造的附著模塊的方法的主要步驟的示意圖。首先，為了使用成型方法形成附著襯墊320，制造具有對(duì)應(yīng)于附著襯墊的附著凸起的圖案的模板T。此時(shí)，在模板T的頂面上形成鈍化膜圖案，使得模板T被選擇性地蝕刻。這種鈍化膜圖案通過光刻工藝形成。具體而言，模板T的頂面上施加鈍化膜，形成平坦表面(SllO)。此時(shí)，光刻膠PR用
作鈍化膜。然后，用光照射光刻膠。此時(shí)，經(jīng)構(gòu)圖的掩膜M位于被來自光源的光照射的路徑上，使得可以發(fā)射具有預(yù)定圖案的光(參照?qǐng)D7)。因?yàn)楫?dāng)暴露于光時(shí)光刻膠PR在特征方面變化，光刻膠PR根據(jù)光的圖案在特性方面選擇性地變化。然后，僅特性變化(或特性不變)的光刻膠被去除以形成光刻膠PR的圖案(S120，見圖8)。當(dāng)光刻膠PR被完全構(gòu)圖時(shí)，對(duì)模板T的上部執(zhí)行蝕刻工藝(S130)。此處，蝕刻工藝可以是通過考慮光刻膠PR的類型和蝕刻再現(xiàn)性而選擇的干法蝕刻工藝或濕法蝕刻工藝。不形成光刻膠的部分通過蝕刻工藝蝕刻，且形成對(duì)應(yīng)于預(yù)設(shè)圖案的凹槽Ta。然后，剩余的光刻膠被去除以完成模板T的制造(參照?qǐng)D9)。此處，在模板T的頂面上形成的凹槽Ta被構(gòu)圖以對(duì)應(yīng)于在附著襯墊320上提供的附著凸起322a。因此，凹槽TA可以具有O. 05 μ m至20 μ m的直徑且以50 μ m或更小的距離從相鄰凹槽Ta隔開。而且，因?yàn)榘疾跿a的深度對(duì)應(yīng)于附著凸起322a的長(zhǎng)度，蝕刻工藝時(shí)間或蝕刻源濃度被控制，使得蝕刻的深度的范圍從O. 5 μ m到50 μ m。作為另一方法，模板的構(gòu)圖凹槽可以通過壓印工藝形成。如果通過上述階段完成模板T，則使用模板T進(jìn)行成型(S140)。在該示例性實(shí)施方式中，液化硅樹脂用作成型液體S。除此之外，液化光纖、樹脂材料或液化碳族材料等可以用作成型液體。成型通過將模板T的一側(cè)按壓到容納在分開的框架中的成型液體S的表面實(shí)現(xiàn)(參照?qǐng)D10)。因而，模板T的凹槽圖案被轉(zhuǎn)印到成型液體S。

然后，成型液體被硬化(S150)。為了硬化成型液體S，可以提供熱或紫外射線。如果成型液體S被硬化，則通過移除模板T完成附著襯墊320(S160，參照?qǐng)D11)。因而，附著襯墊320包括對(duì)應(yīng)于模板T的凹槽Ta形成的多個(gè)附著凸起322a。而且，附著襯墊320附接到框架310的內(nèi)圓周部分312，由此制造附著模塊300(S170)。此處，通過上述方法制造的模板重復(fù)地再利用以由此減小制造附著模塊的成本。而且，如果制造形成有對(duì)應(yīng)于多個(gè)附著襯墊的凹槽圖案的大尺寸模板，則一個(gè)工藝就足以制造多個(gè)附著襯墊，由此提高了制造產(chǎn)量。下面，將描述根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的附著模塊。為了避免重復(fù)描述，將省略與本發(fā)明的上述示例性實(shí)施方式相同的元件和技術(shù)特征的描述。圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的附著模塊的透視圖，且圖13示出了圖12的附著部分的電子顯微鏡照片。盡管在上述示例性實(shí)施方式中，附著模塊的附著部分僅配置有多個(gè)附著凸起，但在本示例性實(shí)施方式中，附著部分還包括多個(gè)附著凸起322a和布置在相鄰?fù)蛊?22a之間的多個(gè)分隔壁322b。此處，多個(gè)分隔壁322b線性地從基底部分321的頂面凸出。此時(shí)，多個(gè)分隔壁322b長(zhǎng)方形地布置以將附著部分322的區(qū)域分隔成多個(gè)分區(qū)。而且，多個(gè)附著凸起322a分別布置在由分隔壁322b分隔的分區(qū)中。分隔壁322b形成為具有比附著凸起322a更低的高度。而且，分隔壁322b布置在多個(gè)附著凸起322a之間，由此減小附著凸起之間形成的微孔。在提供多個(gè)附著凸起以在真空中附著基板的情況下，空氣可能未從附著凸起之間的空間排出，且因而相應(yīng)位置的基板可能微小變形。因此，在本示例性實(shí)施方式中，布置在多個(gè)附著凸起322a之間的分隔壁322b減小附著部分322之間的微孔，使得由于附著部分中的空氣殘余導(dǎo)致的變形可以被最小化。在本示例性實(shí)施方式中，多個(gè)分隔壁用于填充附著部分中多個(gè)附著凸起之間的空間，但是本發(fā)明不限于此。除了這種分隔壁結(jié)構(gòu)之外，各種凸出可以布置在附著凸起之間的空間中且減小附著部分的微孔。
下面，將參照?qǐng)D14至圖20詳細(xì)描述制造根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的附著模塊的方法。圖14是示出了制造圖12的附著模塊的方法的流程圖，且圖15至圖20是示出了圖14中的制造附著模塊的方法中的主要步驟的示意圖。與第一示例性實(shí)施方式一樣，制造具有圖案的模板T以用于成型附著襯墊。模板T具有其頂面上的鈍化膜圖案以被選擇性蝕刻。此時(shí)，鈍化膜圖案可以通過光刻工藝構(gòu)圖。具體而言，光刻膠PR應(yīng)用在模板T的頂面上形成平坦表面。而且，布置預(yù)設(shè)構(gòu)圖的掩膜M，使得可以發(fā)射具有預(yù)定圖案的光。在第一示例性實(shí)施方式的曝光工藝中，使用僅具有對(duì)應(yīng)于附著凸起的圖案的掩膜。然而，在本示例性實(shí)施方式中，使用具有對(duì)應(yīng)于附著凸起322a和分隔壁32b的圖案的掩膜M (參照?qǐng)D15)。

如果如上所述發(fā)射光，光刻膠PR根據(jù)光的圖案在特性方面變化，且僅特性變化(或特性不變)的光刻膠被去除以形成圖案(S210，見圖16)。然后，對(duì)經(jīng)構(gòu)圖的光刻膠PR的上部進(jìn)行蝕刻工藝，使得可以在模板T上形成對(duì)應(yīng)于附著凸起322a和分隔壁322b的凹槽 Ta 和 Tb(S220，見圖 17)。此處，因?yàn)槲g刻工藝在相同的環(huán)境下執(zhí)行且執(zhí)行相同的時(shí)段，所以對(duì)應(yīng)于分隔壁的凹槽Tb的深度等于對(duì)應(yīng)于附著凸起的凹槽Ta的深度。因此，在本示例性實(shí)施方式中，僅對(duì)應(yīng)于附著凸起322a的凹槽Ta被附加地蝕刻，使得附著凸起322a形成為具有比分隔壁322b更高的高度。因而，再次向?qū)?yīng)于附著凸起322a的凹槽Ta的區(qū)域之外的所有區(qū)域應(yīng)用光刻膠PR(S230，見圖18)。該工藝可以通過類似于對(duì)光刻膠PR進(jìn)行構(gòu)圖的方法進(jìn)行。即，光刻膠被應(yīng)用于模板的整個(gè)表面，且通過形成為僅具有對(duì)應(yīng)于附著凸起的圖案的掩膜照射光。因而，因?yàn)楣鈨H照射對(duì)應(yīng)于附著凸起的凹槽，相應(yīng)位置的光刻膠被去除且然后進(jìn)行蝕刻工藝(S240，見圖19)。同樣，在模板T中，僅對(duì)應(yīng)于附著凸起的凹槽Ta被蝕刻兩次，使得凹槽Ta可以比對(duì)應(yīng)于分隔壁的凹槽Tb蝕刻得更深。如果通過上述階段完成了模板，則凹槽的圖案通過將模板T按壓到成型液體的表面而轉(zhuǎn)印(S250)。然后，成型液體被硬化，且模板被移除以由此完成具有附著凸起和分隔壁的附著襯墊(S260及S270，見圖20)。而且，附著襯墊附接到且布置在框架的內(nèi)圓周部分中，由此制造附著模塊(S280)。下面，將描述根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的附著模塊。為了避免重復(fù)性描述，將省略與本發(fā)明的上述示例性實(shí)施方式相同的元件和技術(shù)特征相關(guān)的描述。圖21是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的附著模塊的透視圖，且圖22是示出了圖21的附著部分的剖面的剖面圖。如圖21和圖22所示，與上述第二示例性實(shí)施方式一樣，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的附著模塊包括多個(gè)附著凸起322a和多個(gè)分隔壁322b。盡管在第二示例性實(shí)施方式中，分隔壁形成為具有比附著凸起更低的高度，在本示例性實(shí)施方式中，分隔壁322b和附著凸起322a形成為具有彼此相同的高度。因而，在本示例性實(shí)施方式中，當(dāng)附著基板P時(shí)，附著模塊300中的附著凸起322a和分隔壁322b變得與基板P接觸。而且，不僅附著凸起322a而且分隔壁322b在基板P上的分子之間施加吸引力且因而附著了基板P，由此與上述示例性實(shí)施方式相比，改善了附著模塊300的附著。而且，多個(gè)附著凸起322a之間的空間填充有分隔壁322b且因而減小了附著部分的孔隙比率。因此，在真空中附著基板的階段中，由于附著部分322中的空氣殘余導(dǎo)致的變形可以被最小化。盡管一些殘余空氣導(dǎo)致壓力差，因?yàn)榉指舯?22b放射狀地支撐/附著基板P，因而能耐受由于壓力差導(dǎo)致的力，由此有利地防止基板P變形。在根據(jù)第一和第二示例性實(shí)施方式的方法的基礎(chǔ)上，可以容易地理解本示例性實(shí)施方式中制造附著模塊的方法。為了避免重復(fù)描述，將省略其詳細(xì)描述。如上所述，依照3個(gè)示例性實(shí)施方式描述了附著模塊、具有附著模塊的基板附接設(shè)備以及制造附著模塊的方法。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯見，除了上述示例性實(shí)施方式之夕卜，一些兀件或一些方法可以改變且不同地實(shí)施。 另選示例性實(shí)施方式可以應(yīng)用于在附著基板的同時(shí)處理基板的半導(dǎo)體制造設(shè)備、基板蝕刻設(shè)備、基板沉積設(shè)備等各種基板處理設(shè)備。而且，另選示例性實(shí)施方式可以應(yīng)用于諸如機(jī)械手等運(yùn)送基板的基板運(yùn)送設(shè)備。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施方式特別示出和描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在不偏離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的條件下做出形式和細(xì)節(jié)中的各種改變。示例性實(shí)施方式應(yīng)僅以說明性意義理解且不用于限制目的。因此，本發(fā)明的范圍并不由本發(fā)明的詳細(xì)描述限定，而是由所附權(quán)利要求限定，且范圍內(nèi)的所有差異將被解讀為包括在本發(fā)明中。本申請(qǐng)要求2011年3月9日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2011-0021132號(hào)的優(yōu)先權(quán),此處以引證的方式并入其全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1.ー種附著模塊，所述附著模塊包括 框架；以及 附著襯墊，在所述框架的ー側(cè)上提供且能夠通過分子之間的吸引力附著基板， 其中所述附著襯墊包括在所述附著襯墊上分組布置的多個(gè)附著部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的附著模塊，其中所述附著部分包括由多個(gè)凸出分隔壁形成的多個(gè)分區(qū)，且所述多個(gè)附著凸起分別布置在所述分區(qū)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的附著模塊，其中所述分隔壁包括與所述多個(gè)附著凸起相同的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的附著模塊，其中所述分隔壁和所述多個(gè)附著凸起包括硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的附著模塊，其中所述分隔壁凸出為具有與所述附著凸起相同的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的附著模塊，其中所述分隔壁凸出為具有比所述附著凸起更低的高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的附著模塊，其中所述分隔壁形成為方形圖案，且所述多個(gè)附著凸起被配置成具有圓形剖面。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的附著模塊，其中所述框架包括環(huán)形結(jié)構(gòu)，且所述框架的ー側(cè)包括其中多個(gè)緊固部分沿著圓周方向布置的外圓周部分以及其中能夠布置所述附著襯墊的內(nèi)圓周部分。
9.ー種基板附接設(shè)備，所述基板附接設(shè)備包括 腔體；以及 附著卡盤，其布置在所述腔體內(nèi)且能夠通過分子之間的吸引力附著運(yùn)送到所述腔體內(nèi)的基板， 所述附著卡盤包括附著襯墊，所述附著襯墊包括以設(shè)置圖案形成多個(gè)分區(qū)的分隔壁以及布置在相應(yīng)分區(qū)中以附著基板的多個(gè)附著凸起。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板附接設(shè)備，其中所述附著卡盤包括布置在其一側(cè)上的可拆卸的多個(gè)附著模塊，且所述附著襯墊分別在所述多個(gè)附著模塊的ー側(cè)上形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板附接設(shè)備，其中所述分隔壁具有等于或低于所述附著凸起的高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板附接設(shè)備，其中所述分隔壁形成為方形圖案。
13.—種制造設(shè)置有多個(gè)附著凸起的附著襯墊的方法，所述方法包括 在模板的頂面上形成具有預(yù)設(shè)圖案的凹槽； 通過將形成有所述凹槽的模板的頂面壓到液化成型材料上而轉(zhuǎn)印所述凹槽的圖案； 硬化所述成型材料；以及 移除所述模板。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述凹槽包括 向所述模板的頂面應(yīng)用光刻膠； 對(duì)所述光刻膠進(jìn)行構(gòu)圖以對(duì)應(yīng)于所述凹槽的所述圖案；以及 在所述光刻膠的頂面上進(jìn)行蝕刻エ藝。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述凹槽包括基于多個(gè)線性形狀形成第一構(gòu)圖凹槽，將所述模板的頂面分隔成多個(gè)區(qū)域，以及形成分別布置在由所述第一構(gòu)圖凹槽分隔出的所述多個(gè)區(qū)域中的第二構(gòu)圖凹槽。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第二構(gòu)圖凹槽具有等于或深于所述第一構(gòu)圖的深度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述蝕刻エ藝被執(zhí)行一次以形成所述第一構(gòu)圖凹槽，且被執(zhí)行兩次以形成所述第二構(gòu)圖凹槽。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述模板的頂面上的所述凹槽通過壓印エ藝形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及附著模塊、附接基板的設(shè)備及制造附著襯墊的方法。該附著模塊包括框架以及在框架的一側(cè)上提供且能夠通過分子之間的吸引力來附著基板的附著襯墊，該附著襯墊包括其中多個(gè)附著凸起被分組布置的多個(gè)附著部分。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，用于穩(wěn)固地布置基板的額外動(dòng)力和電力的附加使用被最小化，使得與常規(guī)靜電卡盤相比，使用效率和安全性可以得到改善。而且，可以防止在使用靜電卡盤的情況中由于殘余靜電產(chǎn)生的基板上的污染，與靜電卡盤相比，制造成本低。
文檔編號(hào)H01L21/683GK102683254SQ20111027494
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月9日
發(fā)明者黃載錫 申請(qǐng)人:麗佳達(dá)普株式會(huì)社