專利名稱：非平面化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其工藝，特別是涉及一種于絕緣結(jié)構(gòu)與外延層的接觸面上形成含氮層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其工藝。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體元件尺寸的縮小，維持小尺寸半導(dǎo)體元件的效能是目前業(yè)界的主要目標(biāo)。為了提高半導(dǎo)體元件的效能，目前已逐漸發(fā)展出各種鰭狀場效晶體管元件(Fin-shaped field effect transistor, FinFET)。鰭狀場效晶體管元件包括以下幾項優(yōu)點。首先，鰭狀場效晶體管元件的工藝能與傳統(tǒng)的邏輯元件工藝整合，因此具有相當(dāng)?shù)墓に囅嗳菪?；其次，由于鰭狀結(jié)構(gòu)的立體形狀增加了柵極與基底的接觸面積，因此可增加?xùn)艠O對于溝道區(qū)域電荷的控制，從而降低小尺寸元件帶來的漏極引發(fā)的能帶降低(Drain Induced BarrierLowering, DIBL)效應(yīng)以及短溝道效應(yīng)(short channel effect);此外，由于同樣長度的柵極具有更大的溝道寬度，因此亦可增加源極與漏極間的電流量。已知鰭狀場效晶體管元件仍有發(fā)展空間。例如，一般鰭狀場效晶體管元件中的外延層包覆作為源/漏極區(qū)的鰭狀結(jié)構(gòu)，以增加源/漏極區(qū)的總體積，其中外延層在選擇性沉積并包覆鰭狀結(jié)構(gòu)表面的同時，其下表面會與下方的絕緣結(jié)構(gòu)相接觸。然而，由于外延層與絕緣結(jié)構(gòu)在材料上的差異，二者會互相排斥而使外延層產(chǎn)生近乎54. 8°的結(jié)晶面的起飛角度，致使二者無法貼合；換言之，由于外延層會相對絕緣結(jié)構(gòu)以斜角向上生長，因而局限了外延層生長出的總體積。再者，此結(jié)構(gòu)亦會使后續(xù)的金屬硅化物不易附著于其上。因此，本發(fā)明即針對已知鰭狀場效晶體管元件進(jìn)行改善，以進(jìn)一步提升元件的效倉泛。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其工藝，其在絕緣結(jié)構(gòu)與外延層的接觸面上形成含氮層，因而可增大外延層與絕緣結(jié)構(gòu)的接觸面積，進(jìn)而增加外延層的總體積及使金屬硅化物易形成于外延層上。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括基底、至少二鰭狀結(jié)構(gòu)、至少一絕緣結(jié)構(gòu)以及多個外延層。鰭狀結(jié)構(gòu)位于基底上。絕緣結(jié)構(gòu)位于鰭狀結(jié)構(gòu)之間，且絕緣結(jié)構(gòu)具有含氮層。外延層分別覆蓋部分鰭狀結(jié)構(gòu)，并位于含氮層上。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體工藝，包括下述步驟。首先，提供基底。接著，形成至少二鰭狀結(jié)構(gòu)于基底上。而后，形成氧化層于鰭狀結(jié)構(gòu)之間。之后，形成含氮層，在氧化層中。然后，進(jìn)行外延工藝，以形成多個外延層覆蓋部分鰭狀結(jié)構(gòu)?；谏鲜?，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其工藝，其在外延層及絕緣結(jié)構(gòu)(例如氧化層)之間形成含氮層，使外延層及絕緣結(jié)構(gòu)之間不會因互相排斥而產(chǎn)生外延層相對于氧化層的角度。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可增加外延層及氧化層的接觸面積，因而增大所形成的外延層的總體積。如此，可使后續(xù)形成于外延層上的金屬硅化物較容易附著，并可增加其表面積。


圖1繪示本發(fā)明實施例的含硅基底的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2繪示本發(fā)明另一實施例的含絕緣體上硅基底的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖3-9繪示本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體工藝的剖面示意圖。圖10繪示本發(fā)明另一實施例的半導(dǎo)體工藝的剖面示意圖。
附圖標(biāo)記說明 100a、IOOb :半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110、212 :基底120a、120b、220a、220b :鰭狀結(jié)構(gòu)122:墊氧化層124:氮化層130 :絕緣結(jié)構(gòu)140a、140b :外延層150、150a、150’ 含氮層160 :柵極結(jié)構(gòu)162:柵極介電層164:柵極電極166:蓋層168:間隙壁210:絕緣體上硅基底214:底氧化層216 :硅層El :蝕刻光刻工藝E2 :外延工藝N :氮化工藝
具體實施例方式圖1繪示本發(fā)明實施例的含硅基底的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2繪示本發(fā)明另一實施例的含絕緣體上硅基底的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參閱圖1-2，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IOOa及IOOb皆包括基底110、二鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b、絕緣結(jié)構(gòu)130以及二外延層140a及140b。鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b位于基底110上。絕緣結(jié)構(gòu)130位于鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b之間。絕緣結(jié)構(gòu)130具有含氮層150。外延層140a及140b分別覆蓋部分鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b，并位于含氮層150上。圖1-2僅繪示二鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b，但一般半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IOOa及IOOb可包括更多個鰭狀結(jié)構(gòu)，而絕緣結(jié)構(gòu)130則位于各鰭狀結(jié)構(gòu)之間。當(dāng)然,將有多個外延層分別覆蓋這些鰭狀結(jié)構(gòu)。再者，在圖1-2的實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IOOa及IOOb可指鰭狀場效晶體管(Fin field-effect transistor)或三柵極場效晶體管(Tr1-gateM0SFET)。如為鰭狀場效晶體管，鰭狀結(jié)構(gòu)120a或120b的兩側(cè)壁則作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IOOa或IOOb的柵極溝道，因此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IOOa或IOOb具有雙柵極溝道。如為三柵極場效晶體管，鰭狀結(jié)構(gòu)120a或120b的頂面及兩側(cè)壁則作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IOOa或IOOb的柵極溝道，因此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IOOa或IOOb具有三柵極溝道。詳細(xì)而言，基底110可包括硅基底或絕緣體上硅基底等，但本發(fā)明不以此為限。如圖1所示，以基底110為硅基底為例。二鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b直接從基底110延伸出，其中二鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b —般是在基底110上覆蓋硬掩模并利用硬掩模進(jìn)行光刻蝕刻而得，但本發(fā)明不以此為限。絕緣結(jié)構(gòu)130則設(shè)于鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b之間。絕緣結(jié)構(gòu)130可例如為氧化層，其可例如以已知的淺溝槽隔離技術(shù)形成。在本實施例中，絕緣結(jié)構(gòu)130具有含氮層150，其可例如以直接氮化絕緣結(jié)構(gòu)130表面或者直接沉積氮化層于絕緣結(jié)構(gòu)130上而得，因此含氮層150可能包括氮化硅層或氮氧化硅層，視實際需求及工藝方法而定。另外，根據(jù)氮化工藝的不同，含氮層150a亦可還包括位于鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b及外延層140a及140b之間。外延層140a及140b則分別覆蓋部分鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b，并位于含氮層150上。特定而言，含氮層150所設(shè)置的位置是接近于外延層140a及140b及絕緣結(jié)構(gòu)130的接觸面。如此一來，摻雜入氮原子之后，外延層140a及140b及絕緣結(jié)構(gòu)130就不會產(chǎn)生如已知所述的接近角度54. 8°的排斥現(xiàn)象，并會貼附該含氮層150的表面生長，進(jìn)而可增加外延層140a及140b及絕緣結(jié)構(gòu)130的接觸面積,使增加外延層140a及140b所生長出的總體積，因而增加覆蓋于外延層140a及140b上的金屬硅化物(未繪示)的表面積。再者，由于本發(fā)明的外延層140a及140b及絕緣結(jié)構(gòu)130可更緊密貼合，因而可促使后續(xù)形成的鈦(Ti)、鈷(Co)、鎳(Ni)等金屬層更容易順應(yīng)地完全覆蓋于外延層140a及140b及絕緣結(jié)構(gòu)130表面以進(jìn)行自對準(zhǔn)金屬娃化物(Salicide)工藝。 此外，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IOOa可又包括柵極結(jié)構(gòu)160，覆蓋各外延層140a及140b之間的鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b。詳細(xì)而言，柵極結(jié)構(gòu)160可包括柵極介電層162、柵極電極164、蓋層166及間隙壁168。柵極介電層162覆蓋鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b。柵極電極164覆蓋柵極介電層162。蓋層166覆蓋柵極電極164。間隙壁168位于柵極介電層162、柵極電極164及蓋層166側(cè)邊。如以此結(jié)構(gòu)而言，外延層140a及140b則分別與相對于柵極結(jié)構(gòu)160另一邊的外延層(未繪示)，作為源/漏極對。如此，便可形成鰭狀場效晶體管或三柵極場效晶體管(Tr1-gate M0SFET)等的多柵極場效晶體管(Mult1-gate M0SFET)。當(dāng)然，亦可再設(shè)置其他元件于此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IOOa上。此外，柵極結(jié)構(gòu)160中的柵極電極164可為金屬柵極電極或多晶硅柵極電極。如為多晶硅柵極電極，其可于后續(xù)工藝中以金屬柵極取代，其中后續(xù)工藝可例如為后柵極(Gate last)工藝。后柵極工藝又可包括前置高介電常數(shù)的后柵極(Gate last for high-k first)工藝或后置高介電常數(shù)的后柵極(Gate last for high-klast)工藝。詳細(xì)工藝步驟為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所熟知故不再贅述。另外，如圖2所示，以基底110為絕緣體上硅基底為例。其所能達(dá)到的功能類似于圖1所示的實施例。其絕緣結(jié)構(gòu)130是直接形成一層，例如氧化層，在基底110上。因此，鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b則形成于絕緣結(jié)構(gòu)130上，而非如圖1所示，由基底110延伸出。然而，由于圖2的實施例在絕緣結(jié)構(gòu)130及鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b上方的結(jié)構(gòu)仍與圖1的實施例相似，故亦可達(dá)到圖1實施例的功能，本發(fā)明則不再贅述。以下提供半導(dǎo)體工藝，用以形成上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。圖3-9繪示本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體工藝的剖面示意圖。圖10繪示本發(fā)明另一實施例的半導(dǎo)體工藝的剖面示意圖。首先，以硅基底為例。如圖3所示，提供基底110。形成掩模層(未繪示)于基底110上，其中掩模層包括墊氧化層(未繪示)以及氮化層(未繪示)位于墊氧化層上。進(jìn)行蝕刻光刻工藝E1，圖案化掩模層，以形成圖案化的墊氧化層122及圖案化的氮化層124，并暴露出部分的基底110。接著，如圖4所示，將墊氧化層122及氮化層124的圖案轉(zhuǎn)移至基底110以形成二鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b。本實施例中，在形成二鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b。而后，如圖5所示，利用沉積、平坦化與回蝕刻等工藝，形成絕緣結(jié)構(gòu)130，例如氧化層，在鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b之間，其中絕緣結(jié)構(gòu)130可例如以淺溝隔離結(jié)構(gòu)形成。如此，則可形成二鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b于基底110上以及形成絕緣結(jié)構(gòu)130于鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b之間。之后，可將墊氧化層122及氮化層124移除，而使于后續(xù)工藝中形成三柵極場效晶體管。在其他實施例中，亦可留下墊氧化層122及氮化層124，而于后續(xù)工藝中形成鰭狀場效晶體管結(jié)構(gòu)?；蛘?請參閱圖6A-6B,圖6A-6B為本實施例的另一實施示例。首先，如圖6A所示，以絕緣體上硅基底為例，提供絕緣體上硅基底210，其包括基底212、底氧化層214位于基底212上，以及硅層216位于底氧化層214上。接著，如圖6B所示，圖案化硅層216以形成鰭狀結(jié)構(gòu)220a及220b，并暴露出部分底氧化層214，在鰭狀結(jié)構(gòu)220a及220b之間。如此一來，亦可形成二鰭狀結(jié)構(gòu)220a及220b于基底212上以及形成絕緣結(jié)構(gòu)(底氧化層214)于鰭狀結(jié)構(gòu)220a及220b之間。如圖1所示，以硅基底所形成的絕緣結(jié)構(gòu)130僅位于鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b之間，而如圖6B所示，以絕緣體上硅基底210所形成的底氧化層214則亦會位于鰭狀結(jié)構(gòu)220正下方。然而，此二者的不同之處，并不影響本發(fā)明后續(xù)的半導(dǎo)體工藝。接著，如圖7所示，可形成柵極結(jié)構(gòu)160于部分絕緣結(jié)構(gòu)130及部分鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b上。形成柵極結(jié)構(gòu)160的工藝可包括依序沉積再圖案化，而形成柵極介電層162于 部分絕緣結(jié)構(gòu)130及部分鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b上、柵極電極164于柵極介電層162上、蓋層166于柵極電極164上以及間隙壁168于柵極介電層162、柵極電極164及蓋層166的側(cè)邊，而這些材料層的形成方法為本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所熟知，故不再贅述。如圖8所示，形成含氮層150于絕緣結(jié)構(gòu)130中。在本實施例中，進(jìn)行氮化工藝N直接氮化絕緣結(jié)構(gòu)130，以形成含氮層150于絕緣結(jié)構(gòu)130中。但在其他實施例中，亦可沉積形成含氮層于絕緣結(jié)構(gòu)130上。在實施例中，氮化工藝N可包括去離子等離子體氮化工藝、含氨氣的退火工藝、遠(yuǎn)端等離子體氮化工藝或熱氮化工藝，但本發(fā)明不以此為限。在優(yōu)選的實施示例下，在進(jìn)行氮化工藝N之后，可還包括進(jìn)行后氮化退火工藝，其中后氮化退火工藝可例如包括含氨氣的退火工藝等。依據(jù)不同的形成含氮層150的方法，所形成的含氮層150的材料可能包括氮化硅層或氮氧化硅層等。另外，氮化工藝N可全面地或局部地氮化絕緣結(jié)構(gòu)130及鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b。如氮化工藝N全面地氮化絕緣結(jié)構(gòu)130及鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b，則將還包括含氮層150a位于鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b中。如圖9所示，進(jìn)行外延工藝E2，以形成外延層140a及140b于柵極結(jié)構(gòu)160的側(cè)邊，分別覆蓋部分鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b，并位于含氮層150上。亦即未被柵極結(jié)構(gòu)160覆蓋的鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b表面均會分別形成外延層140a及140b，而外延層140a及140b則視多柵極場效晶體管(Mult1-gate M0SFET)的電性而定,可包括娃鍺外延層或娃碳外延層等。特定而言，含氮層150所形成的位置是接近于外延層140a及140b及絕緣結(jié)構(gòu)130的接觸面。如此一來，摻雜入氮原子之后，外延層140a及140b及絕緣結(jié)構(gòu)130就不會產(chǎn)生如已知的所述的接近角度54. 8°的排斥現(xiàn)象，而可增加外延層140a及140b及絕緣結(jié)構(gòu)130的接觸面積，使增加外延層140a及140b所生長出的總體積，因而增加覆蓋于外延層140a及140b上的金屬硅化物(未繪示)的表面積。再者，由于本發(fā)明的外延層140a及140b及絕緣結(jié)構(gòu)130可緊密貼合，因而可促使后續(xù)形成的鈦(Ti)、鈷(Co)、鎳(Ni)等金屬層更容易順應(yīng)地完全覆蓋于外延層140a及140b及絕緣結(jié)構(gòu)130表面以進(jìn)行自對準(zhǔn)金屬硅化物工藝。另外，本實施例是在形成柵極結(jié)構(gòu)160之后，進(jìn)行氮化工藝N以形成含氮層150。在另一實施例中，亦可如圖10所示，在形成絕緣結(jié)構(gòu)130(如圖5或圖6B所示)之后，即全面性地進(jìn)行氮化工藝N，以于絕緣結(jié)構(gòu)130及鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b中形成含氮層150’。換言之，本發(fā)明亦可在形成柵極結(jié)構(gòu)160之前，先于絕緣結(jié)構(gòu)130及鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b中形成含氮層150’。當(dāng)然，含氮層150可不僅是以氮化工藝N形成，其亦可例如以化學(xué)氣相沉積工藝(Chemical Vapor Deposition Process,CVD)直接沉積一層含氮層于絕緣結(jié)構(gòu)130及鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b中。此外，含氮層150’可全面地形成于絕緣結(jié)構(gòu)130及鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b中，或者形成于部分的絕緣結(jié)構(gòu)130或鰭狀結(jié)構(gòu)120a及120b中。綜上所述，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其工藝，其在外延層及絕緣結(jié)構(gòu)(例如氧化層)之間形成含氮層，使外延層及絕緣結(jié)構(gòu)不會產(chǎn)生如已知的排斥現(xiàn)象，導(dǎo)致外延層相對于氧化層產(chǎn)生向上的斜角。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可增加外延層及絕緣結(jié)構(gòu)的接觸面積，因而增大所形成的外延層的總體積。如此，可使后續(xù)形成于外延層上的金屬硅化物較容易附著，并可增加其表面積。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的等同變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種非平面化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括基底；至少二鰭狀結(jié)構(gòu)，位于該基底上；至少一絕緣結(jié)構(gòu)，位于該多個鰭狀結(jié)構(gòu)之間，且該絕緣結(jié)構(gòu)具有含氮層；以及多個外延層，分別覆蓋部分該多個鰭狀結(jié)構(gòu)，并位于該含氮層上。
2.如權(quán)利要求1所述的非平面化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該基底包括硅基底或絕緣體上硅基。
3.如權(quán)利要求1所述的非平面化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括柵極結(jié)構(gòu)，覆蓋該多個外延層之間的鰭狀結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的非平面化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該柵極結(jié)構(gòu)還包括柵極介電層，覆蓋該多個鰭狀結(jié)構(gòu)；柵極電極，覆蓋該柵極介電層；蓋層，覆蓋該柵極電極；以及間隙壁，位于該柵極介電層、該柵極電極及該蓋層側(cè)邊。
5.如權(quán)利要求1所述的非平面化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該氮化層包括氮化硅層或氮氧化硅層。
6.如權(quán)利要求1所述的非平面化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該含氮層亦位于該多個鰭狀結(jié)構(gòu)及該多個外延層之間。
7.一種半導(dǎo)體工藝，包括提供基底；形成至少二鰭狀結(jié)構(gòu)于該基底上；形成氧化層于該多個鰭狀結(jié)構(gòu)之間；形成含氮層，在該氧化層中；以及進(jìn)行外延工藝，以形成多個外延層覆蓋部分該多個鰭狀結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體工藝，其中該基底包括硅基底或絕緣體上硅基底。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體工藝，其中形成該多個鰭狀結(jié)構(gòu)于該硅基底上的步驟， 包括形成掩模層于該娃基底上；圖案化該掩模層并利用圖案化的該掩模層蝕刻該基底，以形成該多個鰭狀結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體工藝，其中該掩模層包括墊氧化層以及氮化層。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體工藝，其中該絕緣體上硅基底，包括基底；底氧化層，位于該基底上；以及娃層，位于該底氧化層上。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體工藝，其中形成該多個鰭狀結(jié)構(gòu)于該絕緣體上硅基底上以及形成該氧化層于該多個鰭狀結(jié)構(gòu)之間的步驟，包括圖案化該硅層以形成該多個鰭狀結(jié)構(gòu)，并暴露出部分該底氧化層，在該多個鰭狀結(jié)構(gòu)之間。
13.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體工藝，其中形成該含氮層包括進(jìn)行氮化工藝，直接氮化該氧化層的表面，以于該氧化層中形成該含氮層。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體工藝，其中該氮化工藝包括去離子等離子體氮化工藝、含氨氣的退火工藝、遠(yuǎn)端等離子體氮化工藝或熱氮化工藝。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體工藝，其中在進(jìn)行該氮化工藝之后，還包括進(jìn)行后氮化退火工藝。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體工藝，其中該后氮化退火工藝包括含氨氣的退火工藝。
17.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體工藝，其中該含氮層包括形成于該氧化層及該外延層之間以及形成于該外延層及該多個鰭狀結(jié)構(gòu)之間。
18.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體工藝，在形成該氧化層之后，還包括形成柵極結(jié)構(gòu)于部分該氧化層及部分該多個鰭狀結(jié)構(gòu)上，且該多個外延層位于該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)邊。
19.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體工藝，在形成該氮化層之后，還包括形成柵極結(jié)構(gòu)于部分該氧化層及部分該多個鰭狀結(jié)構(gòu)上，且該多個外延層位于該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)邊。
全文摘要
本發(fā)明公開一種非平面化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其工藝，該非平面化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底、至少二鰭狀結(jié)構(gòu)、至少一絕緣結(jié)構(gòu)以及多個外延層。鰭狀結(jié)構(gòu)位于基底上。絕緣結(jié)構(gòu)位于鰭狀結(jié)構(gòu)之間，且絕緣結(jié)構(gòu)具有含氮層。外延層分別覆蓋部分鰭狀結(jié)構(gòu)，并位于含氮層上。
文檔編號H01L29/78GK103000687SQ20111027087
公開日2013年3月27日 申請日期2011年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月14日
發(fā)明者蔡世鴻, 林建廷, 簡金城, 林進(jìn)富, 劉志建, 蔡騰群, 吳俊元 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司