專利名稱：空氣橋立體電路及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造エ藝，特別是ー種空氣橋立體電路及其制作方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代半導(dǎo)體器件制作過程中，隨著電路結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，一次金屬連線不能滿足要求，因此往往采用多次金屬進行互聯(lián)。但是當金屬線相互交叉或者重疊時，就會存在寄生電容。由于空氣的介電常數(shù)比諸如ニ氧化硅和氮化硅的傳統(tǒng)層間介質(zhì)的介電常數(shù)低，以空氣為介質(zhì)的交叉或重疊的金屬線寄生電容較低，因此在微電子器件、電路的制造過程中，一些關(guān)鍵金屬線交叉或者重疊處，往往采用空氣作為介質(zhì)，這種結(jié)構(gòu)稱為空氣橋。目前常用金屬濺射或者化學(xué)鍍的方法制作空氣橋。采用上述兩種方法制作的空氣橋本體相對較薄，因此造成成品率和可靠性較差，而且形成的導(dǎo)體電路本身的保護性能較弱，部分設(shè)計的金屬直接暴露在空氣中。 因此，需要ー種空氣橋的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式
部分中進一歩詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術(shù)方案的保護范圍。為了解決現(xiàn)有的空氣橋制作エ藝相對復(fù)雜，エ藝可控性和精度較差等問題，本發(fā)明提供了ー種空氣橋立體電路的結(jié)構(gòu)及其制作方法
ー種空氣橋立體電路的制作方法，其特征在于包括
步驟1，提供半導(dǎo)體襯底和形成在所述半導(dǎo)體襯底上的至少兩個焊墊；
步驟2，在所述襯底和所述焊墊表面形成第一光刻膠層，對所述第一光刻膠層進行曝光以在所述第一光刻膠層中形成第一待去除區(qū)，所述第一待去除區(qū)分別與各所述焊墊上方的區(qū)域?qū)?yīng)；
步驟3，在所述第一光刻膠層上形成第二光刻膠層，對所述第二光刻膠層曝光以在所述第二光刻膠層中形成第二待去除區(qū)，所述第二待去除區(qū)為包括對應(yīng)于各所述第一待去除區(qū)上方和相鄰所述第一待去除區(qū)之間的區(qū)域；
步驟4，去除所述第一待去除區(qū)中的第一光刻膠層和所述第二待去除 區(qū)中的所述第二光刻膠層，以形成空氣橋圖案；
步驟5，在所述空氣橋圖案中填充金屬以形成空氣橋立體電路；
步驟6，去除剰余的所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層。所述步驟I和步驟2之間還包括在所述焊墊的邊緣以及所述半導(dǎo)體襯底上未覆蓋有所述焊墊的區(qū)域形成第一鈍化層的步驟。還包括在所述第一鈍化層和所述焊墊表面上形成凸點下金屬層的步驟，以及在所述步驟6中去除未覆蓋在所述焊墊之上的所述凸點下金屬層。
各所述第一待去除區(qū)的邊緣位于覆蓋在所述焊墊邊緣的所述第一鈍化層上。所述步驟I與所述步驟2之間還包括清洗焊墊表面的步驟。所述第一光刻膠層采用負性光刻膠，所述第二光刻膠層采用負性光刻膠。所述第一光刻膠層采用正性光刻膠，所述第二光刻膠層采用負性光刻膠。所述金屬為銅。所述填充金屬的方法為電鍍。所述焊墊的材料為鋁。還包括在所述空氣橋立體電路表面上形成第二鈍化層的步驟，并在所述第二鈍化層中對應(yīng)至少一個所述焊墊的位置處形成開ロ，在所述開口中形成凸點。 還包括在所述凸點上形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的材料是錫或者銅。所述步驟4中去除第一光刻膠層和第二光刻膠層的方法為顯影和灰化。ー種空氣橋立體電路，其特征在于所述空氣橋立體電路包括
-半導(dǎo)體襯底；
-焊墊，所述焊墊的數(shù)量為至少兩個，且所述焊墊形成于所述半導(dǎo)體襯底上；
-橋墩，所述橋墩形成于各所述焊墊上；和
-橋面，所述橋面形成于各所述橋墩頂部且相互連接，其中采用電鍍的方法形成所述橋墩和橋面。所述焊墊的邊緣以及所述半導(dǎo)體襯底上未覆蓋有所述焊墊的區(qū)域形成有第一鈍化層。所述焊墊和所述橋墩之間形成有凸點下金屬層。所述橋面上形成有第二鈍化層，且所述第二鈍化層中對應(yīng)至少ー個所述焊墊的位置處形成有開ロ，所述開ロ中形成有凸點。所述凸點上形成有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的材料是錫或者銅。所述空氣橋立體電路的材料為銅。所述橋墩的厚度范圍是3 20微米。所述橋面的厚度范圍是f 15微米。本發(fā)明的空氣橋立體電路的制作方法利用了多層光敏材料正、負性的差別，進行多次曝光，一次顯影，形成需要的圖形，エ藝簡化，提高了生產(chǎn)效率且降低了生產(chǎn)成本。根據(jù)本發(fā)明提供的方法制成的空氣橋立體電路具有高架橋式結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、可靠性較高，空氣橋立體電路的下方是空氣，能有效提高器件的電性能，尤其是高頻條件下的電性能。且空氣橋立體電路表面上覆蓋有絕緣層，増加了電路的保護性能。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，
圖IA至圖IK是根據(jù)本發(fā)明實施例一的制作空氣橋電路的方法流程示意 圖2A至圖2K是根據(jù)本發(fā)明實施例ニ的制作空氣橋電路的方法流程示意圖。
具體實施方式
在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需ー個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的ー些技術(shù)特征未進行描述。為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的步驟，以便說明本發(fā)明是如何對不同屬性的光敏材料曝光、顯影以解決現(xiàn)有的空氣橋エ藝復(fù)雜、可控性較差的問題。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。實施例一
首先，如圖IA所示，提供半導(dǎo)體襯底100和形成在半導(dǎo)體襯底100上的至少兩個焊墊101，在焊墊101的邊緣以及半導(dǎo)體襯底100上未覆蓋有焊墊101的區(qū)域形成第一鈍化層 102。覆蓋在焊墊101邊緣的第一鈍化層102高于形成在襯底100上的第一鈍化層102。再對上述步驟得到的器件結(jié)構(gòu)進行清洗，通過清洗去除自然生長在器件結(jié)構(gòu)上的氧化層，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，所述清洗可以采用氫氟酸等清洗剤。其中，襯底100可以為硅或者絕緣體上硅(SOI)。在襯底100中可以形成有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(LOCOS)隔離結(jié)構(gòu)。襯底100中還形成有各種阱(well)結(jié)構(gòu)及襯底表面的溝道層。一般來說，形成阱(well)結(jié)構(gòu)的離子摻雜導(dǎo)電類型與溝道層離子摻雜導(dǎo)電類型相同，但是濃度較柵極溝道層低，離子注入的深度范圍較廣，同時需達到大于隔離結(jié)構(gòu)的深度。為了簡化，此處僅以一空白襯底100圖示?？梢杂米饕r底100的含Si半導(dǎo)體材料的例證性例子包括Si、SiGe, SiC、SiGeC,絕緣體上硅(SOI)或絕緣體上SiGe (SG0I)，但不限于此。根據(jù)所制造的器件，襯底100可以是未摻雜的或摻雜的。如圖IB所示,利用物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition PVD)在上述襯底100上形成凸點下金屬層103 (Under Bump Metal UBM),本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，凸點下金屬層103的結(jié)構(gòu)包括粘附層和形成在所述粘附層上的種子層，所述粘附層的材料可以為金屬鈦(Ti)、鉈(Ta)或者其合金，所述種子層可以是銅(Cu)或者銅合金。如圖IC所示，在凸點下金屬層103上形成第一光刻膠層104，第一光刻膠層104采用正性光刻膠。如圖ID所不,對第一光刻膠層104進行曝光以在第一光刻膠層104中形成第一待去除區(qū)104a和第一保留區(qū)104b，第一待去除區(qū)104a為經(jīng)過后續(xù)エ藝后需要被去除的區(qū)域，第一保留區(qū)104b為經(jīng)過后續(xù)エ藝后仍然被保留的區(qū)域，第一待去除區(qū)104a對應(yīng)于各個焊墊101上方的區(qū)域，且第一待去除區(qū)104a的邊緣位于環(huán)繞焊墊101邊緣的第一鈍化層102上。本實施例中第一光刻膠層104采用正性光刻膠，則對第一待去除區(qū)104a進行曝光，第一保留區(qū)104b不進行曝光。如圖IE所不,在第一光刻膠層104上形成第二光刻膠層105,第二光刻膠層105米用負性光刻膠。如圖IF所示，對第二光刻膠層105進行曝光以在第二光刻膠層105中形成第二待去除區(qū)105a，第二光刻膠層105中其余的區(qū)域為第二保留區(qū)105b，第二待去除區(qū)105a為包括對應(yīng)于各個第一待去除區(qū)104a上方和相鄰第一待去除區(qū)104a之間的區(qū)域。即第二待去除區(qū)105a為圖IF中所示第二光刻膠層105中陰影部分的區(qū)域。本實施例中第二光刻膠層105采用負性光刻膠，因此對第二保留區(qū)105b進行曝光，第二待去除區(qū)105a不進行曝光。如圖IG所示，對第一光刻膠層104和第二光刻膠層105進行顯影和灰化，以在第一光刻膠層104和第二光刻膠層105中形成空氣橋圖案106。通過顯影、灰化分別去除第一光刻膠層104和第二光刻膠層105中的第一待去除區(qū)104a和第二待去除區(qū)105a部分。其中，所述灰化的方法為采用等離子體去除。去除的第一光刻膠層104中的第一待去除區(qū)104a形成空氣橋圖案106的橋墩部分，去除的第二光刻膠層105中第二待去除區(qū)105a形成空氣橋圖案106中的橋面部分。如圖IH所示，向空氣橋圖案106中電鍍金屬，所述金屬可以是銅，以在空氣橋圖案106中形成空氣橋立體電路107?？諝鈽蛄Ⅲw電路107包括橋墩部分107a和橋面部分107b，橋面部分107b位于橋墩部分107a的上方且將相鄰橋墩部分107a連接起來。如圖II所示，去除剰余的第一光刻膠層104和第二光刻膠層105以及去除未覆蓋在焊墊101之上的凸點下金屬層103。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，去除第一光刻膠層 104、第二光刻膠層105可以采用本領(lǐng)域常見的方法，例如剝離。去除部分凸點下金屬層103可以采用濕法刻蝕。對凸點下金屬層103進行刻蝕時，由于覆蓋在焊墊101邊緣的第一鈍化層102的高度高于形成于半導(dǎo)體襯底100上的第一鈍化層102，因此形成于焊墊101之上的第一鈍化層102對凸點下金屬層103有保護作用，進而避免位于焊墊101之上的凸點下金屬層103被刻蝕去除。如圖IJ所示，在空氣橋立體電路107的橋面部分107b上形成第二鈍化層108，在第二鈍化層108中對應(yīng)至少ー個焊墊101的位置處形成開ロ 109，再在開ロ 109中形成凸點110，凸點110與空氣橋立體電路107的橋墩部分107a相連。本發(fā)明對開ロ 109的大小不作限定，并且可以根據(jù)實際電路的設(shè)計需求設(shè)置多個開ロ 109。凸點110的材料為銅，其作用在于將空氣橋電路連接至外部電路。第二鈍化層108的作用在于避免空氣橋立體電路107受到潮濕空氣腐蝕或者氧化。優(yōu)選地，如圖IK所示，為了使空氣橋電路更加易于與外部電路的連接，在凸點110上形成導(dǎo)電層111，所述導(dǎo)電層111的材料可以是錫或者銅。實施例ニ
首先，如圖2A所示，提供襯底200和形成在襯底200上的至少兩個焊墊201，焊墊201的邊緣以及焊墊201的周圍形成有第一鈍化層202。焊墊201邊緣的第一鈍化層202高于形成在襯底200上的第一鈍化層202。再對上述步驟得到的器件結(jié)構(gòu)進行清洗，通過清洗去除自然生長器件結(jié)構(gòu)上的氧化層，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，所述清洗可以采用氫氟酸等清洗劑。其中，襯底200可以為硅或者絕緣體上硅(SOI)。在襯底200中可以形成有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(LOCOS)隔離結(jié)構(gòu)。襯底200中還形成有各種阱(well)結(jié)構(gòu)及襯底表面的溝道層。一般來說，形成阱(well)結(jié)構(gòu)的離子摻雜導(dǎo)電類型與溝道層離子摻雜導(dǎo)電類型相同，但是濃度較柵極溝道層低，離子注入的深度范圍較廣，同時需達到大于隔離結(jié)構(gòu)的深度。為了簡化，此處僅以一空白襯底200圖示?？梢杂米饕r底200的含Si半導(dǎo)體材料的例證性例子包括Si、SiGe, SiC、SiGeC,絕緣體上硅(SOI)或絕緣體上SiGe (SG0I)，但不限于此。根據(jù)所制造的器件，襯底200可以是未摻雜的或摻雜的。如圖2B所示,利用物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition PVD)在襯底200上形成凸點下金屬層203(Under Bump Metal UBM),本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，凸點下金屬層203的結(jié)構(gòu)包括粘附層和形成在所述粘附層上的種子層，所述粘附層的材料可以為金屬鈦(Ti)、鉈(Ta)或者其合金，所述種子層可以是銅(Cu)或者銅合金。如圖2C所不,在凸點下金屬層203上形成第一光刻膠層204,第一光刻膠層204米用負性光刻膠。如圖2D所不,第一光刻膠層204進行曝光以在第一光刻膠層204中形成第一待去除區(qū)204a和第一保留區(qū)204b，第一待去除區(qū)204a為經(jīng)過后續(xù)エ藝后需要被去除的區(qū)域，第一保留區(qū)204b為經(jīng)過后續(xù)エ藝后仍然被保留的區(qū)域，第一待去除區(qū)204a對應(yīng)于各個焊墊201上方的區(qū)域，且第一待去除區(qū)204a對應(yīng)于各個焊墊201上方的區(qū)域，且第一待去除區(qū)204a的邊緣位于環(huán)繞焊墊201邊緣的第一鈍化層202上。本實施例中第一光刻膠層204 采用負性光刻膠，則對第一保留區(qū)204b進行曝光，第一待去除區(qū)204a不進行曝光。如圖2E所不,在第一光刻膠層204上形成第二光刻膠層205,第二光刻膠層205米用負性光刻膠。如圖2F所示，對第二光刻膠層205進行曝光以在第二光刻膠層205中形成第二待去除區(qū)205a，其余的區(qū)域為第二保留區(qū)205b，第二待去除區(qū)205a為包括對應(yīng)于各個第一待去除區(qū)204a上方和相鄰第一待去除區(qū)204a之間的區(qū)域。即第二待去除區(qū)205b為圖2F中所示第二光刻膠層205中陰影部分的區(qū)域。本實施例中第二光刻膠層205采用負性光刻膠，因此對第二保留區(qū)205b進行曝光，第二待去除區(qū)205a不進行曝光。如圖2G所示，對第一光刻膠層204和第二光刻膠層205進行顯影和灰化，以在第一光刻膠層204和第二光刻膠層205中形成空氣橋圖案206。通過顯影、灰化分別去除第一光刻膠層204和第二光刻膠層205中的第一待去除區(qū)204a和第二待去除區(qū)205a部分。其中，所述灰化的方法為采用等離子體去除。去除的第一光刻膠層204中的第一待去除區(qū)204a形成空氣橋圖案206的橋墩部分，去除的第二光刻膠層205中第二待去除區(qū)205a形成空氣橋圖案206中的橋面部分。如圖2H所示，向空氣橋圖案206中電鍍金屬，所述金屬可以是銅，以在空氣橋圖案206中形成空氣橋立體電路207?？諝鈽蛄Ⅲw電路207包括橋墩部分207a和橋面部分207b，橋面部分207b位于橋墩部分207a的上方且將相鄰橋墩部分207a連接起來。如圖21所示，去除剰余的第一光刻膠層204和第二光刻膠層205以及去除未覆蓋在焊墊201之上的凸點下金屬層203。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，去除第一光刻膠層204、第二光刻膠層205可以采用本領(lǐng)域常見的方法，例如剝離。去除部分凸點下金屬層203可以采用濕法刻蝕。對凸點下金屬層203進行刻蝕時，由于覆蓋在焊墊201的邊緣的第一鈍化層202高于形成在半導(dǎo)體襯底200上的第一鈍化層202，因此形成于焊墊201之上的第一鈍化層202對凸點下金屬層203有保護作用，進而避免位于焊墊201之上的凸點下金屬層203被刻蝕去除。如圖2J所示，在空氣橋立體電路207的橋面部分207b上形成第二鈍化層208，在第二鈍化層208中對應(yīng)至少ー個焊墊201的位置處形成開ロ 209，再在開ロ 209中形成凸點210，凸點210與空氣橋立體電路207的橋墩部分207a相連。本發(fā)明對開ロ 209的大小不作限定，并且可以根據(jù)實際電路的設(shè)計需求設(shè)置多個開ロ 209。凸點210的材料為銅，其作用在于將空氣橋電路連接至外部電路。第二鈍化層208的作用在于避免空氣橋立體電路207受到潮濕空氣腐蝕或者氧化。優(yōu)選地，如圖2K所示，為了使空氣橋電路更加易于與外部電路的連接，在凸點210上形成導(dǎo)電層211，所述導(dǎo)電層211的材料可以是錫或者銅。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，在上述兩個實施例中，所述曝光可以通過紫外線照射被掩模板遮擋的光刻膠層來實現(xiàn)。根據(jù)上述實施例一和實施例ニ制作的空氣橋立體電路的橋面部分的厚度為f 15微米，橋墩的厚度范圍是Γ20微米。因此根據(jù)本發(fā)明的空氣橋立體電路結(jié)構(gòu)的成品率較高且可靠性較好。本發(fā)明的空氣橋立體電路的制作方法利用了多層光敏材料正、負性的差別，進行 多次曝光，一次顯影，形成需要的圖形，該方法具有エ藝簡化、生產(chǎn)效率高且生產(chǎn)成本較低的特點。根據(jù)本發(fā)明提供的方法制成的空氣橋立體電路具有高架橋式結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、可靠性較高，空氣橋立體電路的下方是空氣，能有效提高器件的電性能，尤其是高頻條件下的電性能。形成的空氣橋立體電路表面上覆蓋有絕緣層，増加了電路的保護性能。本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應(yīng)當理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種空氣橋立體電路的制作方法，其特征在于包括 步驟1，提供半導(dǎo)體襯底和形成在所述半導(dǎo)體襯底上的至少兩個焊墊； 步驟2，在所述襯底和所述焊墊表面形成第一光刻膠層，對所述第一光刻膠層進行曝光以在所述第一光刻膠層中形成第一待去除區(qū)，所述第一待去除區(qū)分別與各所述焊墊上方的區(qū)域?qū)?yīng)； 步驟3，在所述第一光刻膠層上形成第二光刻膠層，對所述第二光刻膠層曝光以在所述第二光刻膠層中形成第二待去除區(qū)，所述第二待去除區(qū)為包括對應(yīng)于各所述第一待去除區(qū)上方和相鄰所述第一待去除區(qū)之間的區(qū)域； 步驟4，去除所述第一待去除區(qū)中的第一光刻膠層和所述第二待去除 區(qū)中的所述第二光刻膠層，以形成空氣橋圖案； 步驟5，在所述空氣橋圖案中填充金屬以形成空氣橋立體電路； 步驟6，去除剩余的所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層。
2.如權(quán)利要求I所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特征在 于所述步驟I和步驟2之間還包括在所述焊墊的邊緣以及所述半導(dǎo)體襯底上未覆蓋有所述焊墊的區(qū)域形成第一 鈍化層的步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特征在 于還包括在所述第一鈍化層和所述焊墊表面上形成凸點下金屬層的步驟，以及在所述步驟6中去除未覆蓋在所述焊墊之上的所述凸點下金屬層。
4.如權(quán)利要求2所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特征在 于各所述第一待去除區(qū)的邊緣位于覆蓋在所述焊墊邊緣的所述第一鈍化層上。
5.如權(quán)利要求I所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特征 在于所述步驟I與所述步驟2之間還包括清洗焊墊表面的步驟。
6.如權(quán)利要求I所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特在 于所述第一光刻膠層采用負性光刻膠，所述第二光刻膠層采用負性光刻膠。
7.如權(quán)利要求I所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特在 于所述第一光刻膠層采用正性光刻膠，所述第二光刻膠層采用負性光刻膠。
8.如權(quán)利要求I所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特征在 于所述金屬為銅。
9.如權(quán)利要求I所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特征在 于所述填充金屬的方法為電鍍。
10.如權(quán)利要求I所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特征在 于所述焊墊的材料為鋁。
11.如權(quán)利要求I所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特征在 于還包括在所述空氣橋立體電路表面上形成第二鈍化層的步驟，并在所述第二鈍化層中對應(yīng)至少一個所述焊墊的位置處形成開口，在所述開口中形成凸點。
12.如權(quán)利要求11所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特征 在于還包括在所述凸點上形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的材料是錫或者銅。
13.如權(quán)利要求I所述的一種空氣橋立體電路的制作方法，其特征在 于所述步驟4中去除第一光刻膠層和第二光刻膠層的方法為顯影和灰化。
14.一種空氣橋立體電路，其特征在于所述空氣橋立體電路包括 -半導(dǎo)體襯底； -焊墊，所述焊墊的數(shù)量為至少兩個，且所述焊墊形成于所述半導(dǎo)體襯底上； -橋墩，所述橋墩形成于各所述焊墊上；和 -橋面，所述橋面形成于各所述橋墩頂部且相互連接，其中采用電鍍的方法形成所述橋墩和橋面。
15.如權(quán)利要求14所述的一種空氣橋立體電路，其特征在于所述 焊墊的邊緣以及所述半導(dǎo)體襯底上未覆蓋有所述焊墊的區(qū)域形成有第一鈍化層。
16.如權(quán)利要求14所述的一種空氣橋立體電路，其特征在于所述 焊墊和所述橋墩之間形成有凸點下金屬層。
17.如權(quán)利要求14所述的一種空氣橋立體電路，其特征在于所述 橋面上形成有第二鈍化層，且所述第二鈍化層中對應(yīng)至少一個所述焊墊的位置處形成有開口，所述開口中形成有凸點。
18.如權(quán)利要求17所述的一種空氣橋立體電路，其特征在于所述凸點上形成有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的材料是錫或者銅。
19.如權(quán)利要求14所述的一種空氣橋立體電路，其特征在于所述空氣橋立體電路的材料為銅。
20.如權(quán)利要求14所述的一種空氣橋立體電路，其特征在于所述橋墩的厚度范圍是3 20微米。
21.如權(quán)利要求14所述的一種空氣橋立體電路，其特征在于所述橋面的厚度范圍是Γ15微米。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種空氣橋立體電路及其制作方法，包括提供半導(dǎo)體襯底和形成在半導(dǎo)體襯底上的至少兩個焊墊；在襯底和焊墊表面形成第一光刻膠層，對第一光刻膠層進行曝光以在第一光刻膠層中形成第一待去除區(qū)，第一待去除區(qū)分別與各焊墊上方的區(qū)域?qū)?yīng)；在第一光刻膠層上形成第二光刻膠層，對第二光刻膠層曝光以在第二光刻膠層中形成第二待去除區(qū)，第二待去除區(qū)為包括對應(yīng)于各第一待去除區(qū)上方和相鄰第一待去除區(qū)之間的區(qū)域；去除第一待去除區(qū)中的第一光刻膠層和第二待去除區(qū)中的第二光刻膠層，以形成空氣橋圖案；在空氣橋圖案中填充金屬以形成空氣橋立體電路；去除剩余的第一光刻膠層和第二光刻膠層。本發(fā)明的方法提高了生產(chǎn)效率且降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號H01L23/522GK102832162SQ201110157240
公開日2012年12月19日 申請日期2011年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月13日
發(fā)明者丁萬春 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司