專利名稱：半導體表面護板和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體表面保護方法和表面護板，用于在晶片背側(cè)研磨的過程中保護半導體晶片含電路的側(cè)面。更具體地說，本發(fā)明涉及一種半導體表面保護方法和表面護板，其容許半導體晶片的超薄背面研磨，或者其容許在電路側(cè)具有高突出例如焊料塊的半導體晶片的背側(cè)研磨。
背景技術(shù)：
半導體晶片的減薄(此處還稱作“研磨”)通常通過“背側(cè)研磨”方法完成，其中晶片的電路側(cè)受到表面護板保護，而研磨與電路側(cè)相對的背側(cè)面。硅晶片的厚度在工業(yè)級上通常是150μπι，但是理想的是更薄的晶片厚度。當晶片被研磨到更小的厚度時，由于電路側(cè)的不規(guī)則性，因而研磨表面(背側(cè))的不平坦現(xiàn)象即電路圖轉(zhuǎn)移到背側(cè)的現(xiàn)象變得更加顯著。背側(cè)轉(zhuǎn)移現(xiàn)象的原因解釋如下。目前使用的壓敏粘結(jié)劑表面護板受其順應(yīng)半導體晶片上的線路的不規(guī)則性的能力的限制。結(jié)果，在壓敏粘結(jié)劑層和電路側(cè)之間產(chǎn)生了一間隙 (氣囊)，以致晶片不是直接地被那些區(qū)域中的壓敏粘結(jié)劑層(保護層)支撐。當晶片被研磨得非常薄時，晶片沿垂直方向在電路模之間沒有支撐的標志線(道)上移動，同時壓縮氣囊，結(jié)果這些區(qū)域中的晶片沒有被研磨，而保持比其它部分厚。另一方面，當硬的突出比如塊存在時，晶片被較大程度研磨，因此變得比其它部分薄。如果最終厚度為150μπι或更厚， 則這個現(xiàn)象不是問題，但是如果晶片被減薄到小于100 μ m(特別是最終為厚度50 μ m或更小)，或者如果高的突出例如塊存在于晶片的電路側(cè)(例如，100 μ m或更大)，則不僅晶片的橫向強度被相當大地降低，而且在嚴重情況下晶片甚至可能會在研磨的過程中被損壞。此外，當晶片被研磨得薄至大約50 μ m時，晶片的邊緣破碎或晶片和表面保護層之間研磨水的滲透可構(gòu)成問題，但是該問題也由于缺少表面護板附著到晶片邊緣所導致。此外，利用薄的并且在電路側(cè)具有100 μ m或更大的塊或其它的突出的半導體晶片，難以通過聯(lián)接通常的表面護板而完成研磨。現(xiàn)有的表面護板通常是一種在聚合物薄膜材料上具有作為表面保護層的壓敏粘結(jié)劑層的護板。壓敏粘結(jié)劑被設(shè)計為以便于具有低彈性模量，以便符合電路側(cè)的不規(guī)則性。 然而如果這個趨勢太強，則當通過剝離從晶片取下護板時，晶片會經(jīng)受相當大的壓力，并遭受破壞。這導致研制出了能量束能夠剝離的護板，其中壓敏粘結(jié)劑通過用諸如紫外線的能量束照射而硬化，以降低晶片和護板在剝離前的粘著強度。然而，通常發(fā)生的問題是壓敏粘結(jié)劑層在研磨過程中未硬化的狀態(tài)下太易彎曲，從而晶片在研磨過程中遭受破壞。日本未經(jīng)審查的專利公開HEI No. 11-26404公開了一種晶片研磨方法，其中上述能量束能夠剝離的護板被聯(lián)接在電路形成的晶片上，且壓力敏粘結(jié)劑層在能量束作用下硬化，其后研磨晶片的背側(cè)面。然而，由于壓敏粘結(jié)劑不是液體，因而其對晶片電路側(cè)的不規(guī)則性的適應(yīng)性并不足夠。日本未經(jīng)審查的專利公開No. 2000-38556公開了一種熱熔半導體表面護板。該熱熔護板通過在60-100°C加熱而熔化并顯示出流體性質(zhì)，從而它能順應(yīng)電路側(cè)的不規(guī)則性， 并且顯示出優(yōu)異的研磨性能。然而，當溫度升高到熔點以上時，所述護板重復熔化。在大多數(shù)情況下，已經(jīng)與護板層壓在一起的半導體晶片在被用來聯(lián)接芯片的薄膜或“模聯(lián)接薄膜”(以下被稱為“DAF”)層壓的過程中或通過濺鍍形成金屬膜的步驟中受到隨后加熱。結(jié)果，在這樣的步驟中產(chǎn)生的溫度升高導致的問題包括護板的再熔化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一個方面的目的是提供一種半導體表面保護方法，其使用具有對半導體晶片電路側(cè)足夠的適應(yīng)性并且在研磨過程中作為支持物足夠的剛性的材料，該材料不隨著重復溫度升高而變成液體，以及提供了一種可用于本方法的表面護板?？偟膩碚f，本發(fā)明提供了一種半導體表面保護方法，其中半導體晶片的電路側(cè)在晶片背側(cè)研磨的過程中受到保護，所述方法包括以下步驟將半導體晶片的電路側(cè)通過在輻照加熱后硬化的流體表面保護層連接到聚合物薄膜材料上；和硬化該表面保護層。根據(jù)一個方式，本發(fā)明提供了一種半導體表面保護方法，其中半導體晶片的電路側(cè)在晶片研磨的過程中受到保護，該方法包括以下步驟通過表面保護層，將半導體晶片的電路側(cè)連接到聚合物薄膜材料；和硬化該表面保護層，所述表面保護層在室溫下是液體，或者可以是通過加熱而變成液體，其在輻照或加熱后硬化。根據(jù)另一個方式，本發(fā)明提供了一種半導體表面保護方法，其中半導體晶片的電路側(cè)在晶片的背側(cè)研磨過程中受到保護，該方法包括以下步驟提供包含聚合物薄膜材料的表面護板，其上形成有在室溫下為固體、在加熱后變成液體和在輻照后或加熱到高于流化溫度的溫度后硬化的表面保護層；加熱所述表面護板，以產(chǎn)生表面保護層流體；將所述半導體晶片的電路側(cè)放置成與流化的表面保護層接觸；和硬化該表面保護層。根據(jù)另一方式，本發(fā)明提供了一種用于在晶片的背側(cè)研磨過程中保護半導體晶片的電路側(cè)的表面護板，該表面護板包含聚合物薄膜材料，其上設(shè)有在室溫下是固體的表面保護層，該表面保護層在加熱后變成流體，并在輻照或在加熱到高于流化溫度的溫度后硬化。在上述方法中，所述表面保護層在處于流態(tài)時接觸所述晶片電路側(cè)面，因此為在電路側(cè)上形成的表面外形提供了足夠的適應(yīng)性。具有足夠的適應(yīng)性的保護層硬化時顯示出較高剛性，從而保護了晶片的電路側(cè)。此外，一旦保護層硬化，其在隨后加熱步驟中不再流體化，所述步驟例如模聯(lián)接薄膜層壓步驟或者形成濺鍍金屬膜步驟。上述保護方法可以使用上述表面護板進行。在整個說明書中，術(shù)語“流體”指樣品粘彈性曲線圖的狀態(tài)，其中彈性剪切損耗模量(G")大于彈性剪切儲存模量(G')，或Tan δ ( = G" /G')大于或等于1。在整個說明書中，術(shù)語“彈性剪切儲存模量(G')”和“彈性剪切損耗模量(G")” 分別指在硬化前表面保護層材料的彈性剪切儲存模量和彈性剪切損耗模量。使用粘彈性測量設(shè)備，在頻率IOHz、形變0. 04%和升降溫速率3°C /min下將剪切存儲和損耗模量值記錄在圖表上。
更具體地說，對于表面保護層直徑25mm和厚度0. 6mm的試驗樣品，使用粘彈性測量設(shè)備(ARES，Rheometrics產(chǎn)品)測量上述參數(shù)。所述術(shù)語“彈性張力儲存模量(E')”和“彈性張力損耗模量(E")”分別指在硬化之后的彈性張力儲存模量和彈性張力損耗模量。使用粘彈性測量設(shè)備，在頻率10Hz、形變 0. 04%和升降溫速率5°C /min下將張力存儲和損耗模量值記錄在圖表上。更具體地說，對于表面保護層切割成22. 7mmX IOmmX 50um的試驗樣品在硬化之后(例如，在80W/Cm高壓汞燈紫外輻射3分鐘后)，使用粘彈性測量設(shè)備(SOLIDS ANALYZER RSA II，Rheometrics產(chǎn)品)測量上述參數(shù)。現(xiàn)在將參考附圖以更多的細節(jié)解釋本發(fā)明。圖1是本發(fā)明半導體表面保護方法一個實施方案的第一流程圖。首先，提供可在光或加熱作用下硬化的流體表面保護層材料(步驟(a))。該表面保護層的材料可以在室溫(大約20-25°C)下為液體或在室溫下是固體，其在加熱作用下流化。然后，將表面保護層3材料均勻地涂在晶片1的電路側(cè)2上(步驟(b))。然后，將聚合物薄膜材料4放置在保護層3上(步驟(c))，并通過紫外線或加熱而使該保護層3硬化 (步驟(d))。在這個過程中，必須小心操作，以避免在保護層3和晶片1之間的界面、保護層3和聚合物薄膜材料4之間的界面或者在保護層3內(nèi)混入空氣?？諝饣烊雽⒎恋K在晶片上形成光滑的磨削面，從而無法將晶片薄薄地研磨到均一的厚度，或可能在研磨的過程中導致晶片損壞。在真空中進行該過程可防止混入空氣。圖2是本發(fā)明半導體表面保護方法的另一個實施方案的第二流程圖。首先，在聚合物薄膜材料4上形成表面保護層3，從而制備表面護板5 (步驟(a))， 該表面保護層3在室溫(大約20-25°C)下是固體，并且可在高溫條件下通過光照射或加熱而硬化。這可以通過使用溶液涂布和干燥法或通過熱熔性涂布方法而做到。然后，在足夠流化保護層3的溫度下加熱表面護板5 (步驟(b))。晶片1被放置在流化的保護層上，以便使電路側(cè)2與保護層3接觸(步驟(C))。在保護層冷卻后，再次形成固體(步驟(c'))。 改造該固體將有助于處理晶片/護板疊層。然后，保護層3可以在紫外線或加熱作用下硬化。如果使用加熱，則所使用的溫度大于表面保護層流化所需要的溫度(步驟(d))。出于與第一流程圖同樣原因，這一系列步驟還可以在真空中進行。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)使用加熱層壓機實施步驟(b)的加熱和步驟(c)的接觸更為方便。當使用加熱層壓機時，可通過使晶片1與晶片邊緣的加熱流化的保護層3逐漸接觸而防止空氣混入。


圖1是本發(fā)明半導體表面保護方法一個實施方案的第一流程圖；圖2是本發(fā)明半導體表面保護方法的另一個實施方案的第二流程圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將解釋本發(fā)明的表面護板。表面保護層在一個實施方案中，本發(fā)明表面護板的表面保護層是這樣一種材料，該材料在室溫下為固體、在加熱后變成流體、并在暴露到輻射或在加熱到高于流化溫度的溫度后硬化。如上所述，術(shù)語“流體”指樣品粘彈性曲線圖的狀態(tài)，其中彈性剪切損耗模量(G")大于彈性剪切儲存模量(G')，或TanS( = G" /G')彡1。固體表面保護層的流化溫度優(yōu)選為 30-100°C，更優(yōu)選為大約35-60°C。如果在Tan δ =1下的溫度高于100°C，則該方法必須在 IOO0C以上的溫度下進行，以層壓表面護板，這在設(shè)備和產(chǎn)率方面是不利的。如果在Tan δ =1下的溫度低于30°C，并且尤其是低于室溫(20°C)，則當護板被包裝成卷并存儲時，儲藏穩(wěn)定性將變差。硬化的保護層優(yōu)選在50°C下具有的彈性張力儲存模量(E')為5X107Pa 或更大。這個彈性模量水平可以保證作為研磨過程中的支持物足夠的剛性，并準許將晶片研磨到極薄和均一的厚度。在另一個實施方案中，所述表面保護層在室溫下是流體，并在暴露到輻射或加熱到高于室溫的溫度后硬化。優(yōu)選的是，表面保護層包含在分子中具有兩個或更多不飽和烯鍵式部分或兩個或更多陽離子可聚合基團的可聚合化合物。作為特定的用于表面保護層的、包含兩個或更多烯鍵式不飽和部分材料，可能提到自由基可聚合化合物，例如(1)低分子化合物，其在室溫O0-25°c )下是晶體或蠟質(zhì)的，包括異氰脲酸衍生的(甲)丙烯酸鹽，諸如三丙烯?；跻一惽桦逅狨セ蛉妆；跻一惽桦逅狨?；季戊四醇衍生的(甲)丙烯酸鹽，諸如季戊四醇四甲基丙烯酸酯或季戊四醇二丙烯酸單硬脂酸酯；或雙酚A衍生的(甲)丙烯酸酯，諸如雙酚A 二甲基丙烯酸酯；(2)分子量10，000或更大的尿烷(甲)丙烯酸酯樹脂， 其在室溫下是固體；或C3)分子量1000或更大的以下的樹脂，其在室溫O0-25°C )下是固體苯酚型酚醛環(huán)氧樹脂(甲)丙烯酸酯樹脂、甲酚型酚醛環(huán)氧樹脂(甲)丙烯酸酯樹脂和雙酚A環(huán)氧二(甲)丙烯酸酯樹脂。對于特定的用于表面保護層的特定的材料，還可以合適使用的是陽離子可聚合化合物，包括(1)基于環(huán)氧基的低分子化合物，諸如對苯二酚二環(huán)氧甘油醚或?qū)Ρ蕉姿岫h(huán)氧丙脂，其在室溫下是晶體或蠟質(zhì)的；和( 分子量1000或更大的苯酚型酚醛環(huán)氧樹脂、 甲酚型酚醛環(huán)氧樹脂和雙酚A環(huán)氧樹脂，其在室溫下是固體。在另一個實施方案中，所述表面保護層在室溫下是流體，并在輻照或加熱到高于室溫的溫度后硬化。用于表面保護層的材料還可以包含在常溫下是液體的可聚合化合物， 只要該表面保護層在常溫下可以在添加各組分之后作為固體處理就行。對于液體自由基可聚合化合物的例子，可以提到(甲)丙烯酸酯化合物，諸如三羥甲基丙烷三(甲)丙烯酸酯；季戊四醇三(甲)丙烯酸酯；季戊四醇四(甲)丙烯酸酯；二戊赤蘚醇單羥基戊(甲) 丙烯酸酯；二戊赤蘚醇六(甲)丙烯酸酯和1，6_己二醇二(甲)丙烯酸酯；或乙烯醚衍生物，諸如乙二醇二乙烯基醚。對于液體陽離子可聚合化合物，可以提到聚環(huán)氧化合物，其含有化合物，諸如山梨糖醇四縮水甘油醚、季戊四醇四縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚和雙酚A 二縮水甘油醚等等。表面保護層還可以連同可聚合化合物的、包含熔點或軟化點在25-100°C范圍內(nèi)的熱塑樹脂，其含量不影響本發(fā)明目的。代表性的熱塑樹脂的例子包括聚烯烴共聚物，比如低密度聚乙烯(LDPE)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)和離聚物樹脂(IONO)；熱塑性彈性體，比如基于丁二烯的彈性體、基于苯乙烯-異戊二烯的彈性體和基于酯的彈性體；丙烯酸樹脂，比如異丁烯酸甲酯；基于聚氯乙烯的樹脂，比如氯乙烯.醋酸乙烯酯共聚物；熱塑性聚酯；聚氨酯等等。這些材料用于提高或調(diào)整表面保護層在硬化前的流化溫度(TanS彡1)的目的。它們還可以給予硬化后的保護層以柔性。當表面保護層為通過暴露到輻射而硬化的照相排版或可光致固化型時，其通常包括吸收光以產(chǎn)生自由基或陽離子、以便啟動聚合反應(yīng)的光引發(fā)劑。對于特定的自由基聚合引發(fā)劑，可以提到安息香、安息香甲基醚、苯偶姻乙醚、安息香異丙醚、芐基二苯基硫化物、偶氮雙異丁腈、二芐基、二乙酰基、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮、 2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮和2-芐基-2- 二甲基氨基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1，而對于特定的陽離子聚合引發(fā)劑，可以提到烯丙基重鹽、烯丙基锍鹽、烯丙基碘翁鹽等等。自由基聚合引發(fā)劑或陽離子聚合引發(fā)劑的量并不具體限制，而是基于可聚合化合物的重量，通常為0. I-IOwt%。對于通過加熱而硬化的熱固化型，保護層通常包含熱聚合引發(fā)劑。熱聚合引發(fā)劑包括偶氮二異丁基腈、過氧化苯甲酰等等。表面保護層還可以包含添加劑，例如填充劑、抗氧化劑、增塑劑等等，其含量范圍為不損害所需的性能(例如流動性和硬化后彈性張力存儲模量)。表面保護層的厚度可以視要求而定設(shè)置在比半導體晶片的含電路側(cè)的表面外形大小至少大10 μ m的范圍內(nèi)，但是考慮到表面保護板整體上總厚度的均一性，其通常為20-300 μ m(含)，優(yōu)選為30-200 μ m， 且更優(yōu)選為50-150 μ m。聚合物薄膜材料在一個實施方案中，所述聚合物薄膜材料支持表面保護層，以提供護板。聚合物薄膜材料并不具體限制，只要其為具有適于該應(yīng)用的均一厚度的聚合物薄膜就行。然而，當暴露到輻射(比如紫外線或可見光)、用來硬化所述表面保護層時，該表面保護層必須使紫外線(或可見光)能夠足夠透過。例如，可以使用聚酯，比如聚對苯二甲酸乙二醇酯；聚烯烴樹脂，比如聚丙烯；或聚氯乙烯樹脂；聚偏氯乙烯樹脂；聚酰胺樹脂等等。薄膜的厚度并不具體限制，但優(yōu)選的是到達提供適于從晶片的電路側(cè)剝離除去薄膜連同保護層的彎曲柔性的程度。因此聚合物薄膜材料的厚度通常將為50-300 μ m。制造方法在一個實施方案中，以如下方式制造表面護板。加熱形成表面保護層的固體材料 (例如在大約50-100°C下)，使之流化。然后通過適當?shù)难b置，例如刮刀涂布機，將該流化層均勻地涂到合適的聚合物薄膜材料、例如聚酯薄膜上，然后允許冷卻，以形成根據(jù)本發(fā)明的表面護板?；蛘?，保護層的固體材料可以被溶解在適當?shù)娜軇?、例如甲基乙基?MEK)中， 從而制備出涂層溶液，然后可以用同樣方式將該溶液均勻地涂到聚合物薄膜材料上，并且蒸發(fā)溶劑，從而獲得本發(fā)明的表面護板。使用表面護板的方法在一個實施方案中，本發(fā)明的表面護板可以通過加熱后或在加熱過程中接觸粘合而被層壓到半導體晶片的電路側(cè)上。晶片的護板和電路側(cè)還可以在真空室中接觸粘合。這樣的方法可以在不混入空氣的氣泡的情況下完成完全疊層。研磨相對晶片的電路側(cè)的那側(cè)，以使晶片減薄。然后，通過拋光步驟加工研磨的表面。對于拋光步驟，可以提到常用于這一目的的化學腐蝕、化學機械拋光(CMP)、干磨光等等。根據(jù)應(yīng)用，這可以跟著任何所希望的金屬膜形成的步驟，例如濺鍍或汽相沉積，或?qū)訅喊惭b芯片所必需的模聯(lián)接薄膜的步驟。盡管這些步驟是加熱步驟，但是本發(fā)明的表面護板具有足夠耐熱性，并且可以因此耐受這樣的步驟。然后，通過將研磨和磨光的側(cè)面層壓到切片上，使通過上述背側(cè)處理步驟而獲得的晶片固定，其后通過在隨后的切片步驟前剝離，除去了表面護板。上述說明假定半導體表面保護方法使用表面護板，但是如圖1的流程圖所示，本發(fā)明的方法還可以使用流體保護層進行。在該情況下用于保護層的材料可以是與被用于上述護板相同的材料，但是還可以是在室溫下為流體的材料。從而，可以使用在室溫下是液體的自由基可聚合化合物，例如三羥甲基丙烷三(甲)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基戊(甲)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲) 丙烯酸酯和1，6_己二醇二(甲)丙烯酸酯、或乙烯醚衍生物(比如乙二醇二乙烯基醚)；和在室溫下是液體的陽離子可聚合化合物，例如聚環(huán)氧化合物，比如山梨糖醇四縮水甘油醚、 季戊四醇四縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油基乙醚和雙酚A 二縮水甘油醚等等。還可以包含上述熱塑樹脂。本發(fā)明的表面護板不局限于保護半導體晶片的電路側(cè)，而是可以有效適用于需要的對表面不規(guī)則性的適應(yīng)性的其它用途。實例1. ffl辣耐戶te _牛戶謝勁勿PI Ji _ _細·式具有以下組成的混合物被用作用于表面護板的保護層的材料。實例1-3和對照例用的組合物在室溫下是固體。實例4用的組合物在室溫下是液體。1. 1保護層組合物實例1(紫外固化固體保護層)表 權(quán)利要求
1.一種半導體表面保護方法，其中半導體晶片的電路側(cè)在所述晶片的背側(cè)研磨步驟過程中受到保護，該方法包括以下步驟提供流體表面保護層材料，該材料在暴露于輻照或加熱時硬化，并具有在研磨過程中對于在半導體晶片的電路側(cè)上的不平整性足夠的順應(yīng)性和作為載體的足夠的剛性；將所述保護層材料涂覆到聚合物薄膜材料上；通過接觸粘合將所述流體表面保護層層壓到半導體晶片的電路側(cè)上；和硬化所述保護層材料。
2.一種半導體表面保護方法，其中半導體晶片的電路側(cè)在所述晶片的背側(cè)研磨步驟過程中受到保護，該方法包括以下步驟提供表面護板，該表面護板包含聚合物薄膜材料，該聚合物薄膜材料上有表面保護層， 該表面保護層在室溫下為固體、在加熱后變成流體、并在輻照或加熱到高于流化溫度的溫度后硬化；加熱所述表面護板，以使表面保護層有效流動；將所述半導體晶片的電路側(cè)放置成與流化的表面保護層接觸；和硬化所述表面保護層。
3.一種用于在晶片背側(cè)研磨步驟過程中保護半導體晶片電路側(cè)的表面護板，該表面護板包括聚合物薄膜材料，該聚合物薄膜材料上面提供有表面保護層，該表面保護層在室溫下為固體，在加熱后變成流體，并在輻照或在加熱到高于流化溫度的溫度后硬化，其中所述表面保護層含有至少一種類型的在分子內(nèi)具有兩個或更多個烯鍵式不飽和部分的自由基可聚合化合物，該自由基可聚合化合物包括基于(甲基)丙烯酸的低分子量化合物，選自異氰脲酸衍生的(甲)丙烯酸酯或雙酚A衍生的(甲)丙烯酸酯，其在室溫 (20-25°C )下為晶體或蠟質(zhì)的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面護板，其中，在表面保護層硬化前，用粘彈性測量設(shè)備在頻率10Hz、形變0. 04%和升降溫速率3°C/分鐘下測量，在室溫Q0-25°C)下，該表面保護層的彈性剪切損耗模量(G")小于它的彈性剪切儲存模量(G')，和在30-100°C下，彈性剪切損耗模量(G")大于其彈性剪切儲存模量(G')，而硬化后用粘彈性測量設(shè)備在頻率 1Hz、形變0. 04%和升降溫速率5°C/分鐘下測量，在50°C下，該表面保護層的彈性張力儲存模量(E')大于5X107Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的表面護板，其中所述表面保護層還包含自由基聚合引發(fā)劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的表面護板，其中所述表面保護層含有至少一種在分子內(nèi)具有兩個或更多陽離子可聚合基團的陽離子可聚合化合物，該陽離子可聚合化合物選自(1)基于環(huán)氧基的低分子量化合物，其選自對苯二酚二縮水甘油醚或?qū)Ρ蕉姿岫h(huán)氧丙脂，其在室溫O0-25°C )下為晶體或蠟質(zhì)的；和(2)分子量1000或更大的苯酚型酚醛環(huán)氧樹脂、甲酚型酚醛環(huán)氧樹脂和雙酚A環(huán)氧樹脂，其在室溫下為固體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的表面護板，其中所述表面保護層還包含陽離子聚合引發(fā)劑。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導體表面護板和方法。具體地，本發(fā)明提供了一種半導體表面保護方法和表面護板，其采用了對于半導體晶片電路側(cè)面上的不規(guī)則性具有足夠適應(yīng)性并且在研磨過程中作為支持物足夠的剛性的材料，該材料不隨著重復溫度升高而變成流體。還提供了在半導體晶片背側(cè)研磨步驟中用于保護電路側(cè)面的表面護板，該表面護板具有聚合物薄膜材料，上面具有保護層，該保護層在加熱后可以變成流體，并且在輻照或加熱后硬化。
文檔編號H01L21/68GK102172858SQ201110060980
公開日2011年9月7日 申請日期2004年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月12日
發(fā)明者野田一樹 申請人:3M創(chuàng)新有限公司