專利名稱：半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片、使用其的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法以及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片、使用其的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
在使用半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體裝置的制造工序中的磨削電路未形成面的工序中，為了防止損傷半導(dǎo)體晶片的電路形成面，可以在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上粘貼半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上，不僅形成了電路，還形成了半導(dǎo)體凸塊等具有較大高低差的凹凸。因此，如果在粘貼半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片時(shí)，在半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片和半導(dǎo)體晶片的電路形成面的凹凸之間形成間隙，則在磨削半導(dǎo)體晶片的電路未形成面時(shí)，會(huì)在半導(dǎo)體晶片面內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力分布，導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片容易破損。因此，提出了對(duì)凹凸的追隨性良好的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。例如，專利文獻(xiàn)I中提出了由特定的彈性體組合物所形成的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。此外，專利文獻(xiàn)2和3中提出了具有基材層、凹凸吸收層和粘合劑層的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2005 - 191296號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開2004 - 363139號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2005 - 243909號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 :國(guó)際公開第2006/088074號(hào)小冊(cè)子

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題專利文獻(xiàn)I 4的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片在一定程度上改善了對(duì)凹凸的追隨性。然而，根據(jù)半導(dǎo)體晶片的電路形成面狀態(tài)，存在半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片從晶片的剝離性不足的情況。也就是說(shuō)，有時(shí)在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上預(yù)先形成具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)或微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層。例如，有時(shí)對(duì)于由聚苯并噁唑所形成的電路保護(hù)膜進(jìn)行等離子處理(參照日本特開2006 - 124432號(hào)公報(bào)、日本特開2004 — 31565號(hào)公報(bào))。由此增加電路保護(hù)膜表面的微小凹凸(參照材料科學(xué)(Journal of the society of materials science),Japan Vol. 55No. Ip. 83_88jan. 2006)。這是為了使電路保護(hù)層為多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)而使其低介電常數(shù)化，以降低伴隨電氣信號(hào)的高速化、高頻化的高頻信號(hào)的傳輸延遲。如果在這種具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層上粘貼上述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，則有時(shí)凹凸吸收層和粘合劑層會(huì)流入孔中，導(dǎo)致磨削后難以剝離。此外，隨著高集成化，電路面的凹凸形狀變得復(fù)雜，有時(shí)凹凸吸收層和粘合劑層會(huì)流入凹凸的間隙中而導(dǎo)致磨削后難以剝離。本發(fā)明是鑒于上述情況而作出的發(fā)明，其目的在于提供一種具有對(duì)于半導(dǎo)體晶片的電路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剝離性的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)薄片，以及使用其的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法。進(jìn)一步，本發(fā)明的目的還在于提供一種即使對(duì)于具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層，或即使對(duì)于具有復(fù)雜形狀的凹凸的電路面，也可具有良好剝離性的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)薄片。解決問題的方法本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，含有作為凹凸吸收層的樹脂層(A)和具有比其更高彈性模量的樹脂層(B)的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片在維持對(duì)半導(dǎo)體晶片的電路形成面的凹凸的追隨性的同時(shí)，具有高剝離性。此外還發(fā)現(xiàn)，通過(guò)調(diào)整樹脂層(A)和樹脂層(B)的拉伸彈性模量、厚度的平衡，可以使對(duì)凹凸的追隨性與剝離性高度并存。本發(fā)明是基于這種認(rèn)識(shí)而作出的發(fā)明。 也就是說(shuō)，本發(fā)明的第一方面涉及半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。[I] 一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其具有在25°C時(shí)的拉伸彈性模量E (25)為IGPa以上的基材層；在25°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea (25)和在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea
(60)滿足Ea (60)/Ea (25)〈O. I的關(guān)系，并且前述在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea (60)為0. 005 IMPa的樹脂層(A);和在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Eb (60)為IMPa以上、高于前述樹脂層(A)在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea (60)，并且厚度為0. Iiim以上且不足100 y m的樹脂層(B)，其中，在前述基材層和前述樹脂層(B)之間配置有I層以上的前述樹脂層(A)。[2]如[I]所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其中前述樹脂層(B)配置在前述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的最外表面。[3]如[I]或[2]任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其中前述樹脂層(A)含有烯烴系共聚物。[4]如[I] [3]任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其中樹脂層(A)的密度為 800 890kg/m3。[5]如[I] [4]任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體表面保護(hù)用薄片，其中前述樹脂層(B)含有選自聚乙烯系彈性體和聚苯乙烯系彈性體中的至少一種樹脂。[6]如[I] [5]任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其中前述基材膜是選自聚烯烴層、聚酯層、以及聚烯烴層和聚酯層的層疊中的至少一種層。[7]如[I] [6]任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其中前述樹脂層(A)的厚度tA大于在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上所設(shè)置的高低差。本發(fā)明的第二方面涉及使用半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法。[8] 一種半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其包含在40 80°C的溫度、0. 3 0. 5MPa的壓力下，在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上粘貼權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的第一工序；磨削粘貼有前述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的半導(dǎo)體晶片的電路未形成面的第二工序；對(duì)磨削后的半導(dǎo)體晶片的電路未形成面進(jìn)行加工的第三工序；和剝離前述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的第四工序。
[9]如[8]所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其中在前述半導(dǎo)體晶片的電路形成面上設(shè)置有200 u m以上的高低差。[10]如[8]或[9]所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其中在前述半導(dǎo)體晶片的電路形成面上進(jìn)一步設(shè)置有具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層。[11]如[8] [10]任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其中前述第三工序含有選自金屬濺射工序、鍍敷處理工序和加熱處理工序中的至少一種工序。本發(fā)明的第三方面涉及使用半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的半導(dǎo)體裝置的制造方法。[12] 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包含在40 80°C的溫度、0. 3 0. 5MPa的壓力下，在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上粘貼權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的第一工序；磨削粘貼有前述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的半導(dǎo)體晶片的電路未形成面的第二工序；對(duì)磨削后的半導(dǎo)體晶片的電路未形成面進(jìn)行加工的第三工序；和剝離前述半導(dǎo) 體晶片表面保護(hù)用薄片的第四工序。[13]如[12]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在前述半導(dǎo)體晶片的電路形成面上設(shè)置有200 u m以上的高低差。[14]如[12]或[13]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在前述半導(dǎo)體晶片的電路形成面上進(jìn)一步設(shè)置有具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層。[15]如[12] [14]任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中前述第三工序含有選自金屬濺射工序、鍍敷處理工序和加熱處理工序中的至少一種工序。發(fā)明效果本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)薄片具有對(duì)于半導(dǎo)體晶片的電路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剝離性。進(jìn)一步，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)薄片即使對(duì)于具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層，也可具有良好的剝離性。


圖I是表示半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)薄片的一個(gè)例子的圖。圖2是表示半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)薄片的粘貼工序的一個(gè)例子的圖。
具體實(shí)施例方式I.半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片含有基材層、樹脂層(A)和樹脂層(B)，在基材層和樹脂層(B)之間配置I層以上的樹脂層(A)。樹脂層(A)優(yōu)選在加溫下粘貼薄片時(shí)追隨半導(dǎo)體晶片的電路形成面的凹凸而顯示出高密合性，并且在粘貼薄片后的常溫下保持(固定)形狀。因此，樹脂層(A)優(yōu)選具有熱熔融性、發(fā)生塑性變形。因此，在25°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea (25)和在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea (60)優(yōu)選滿Sea (60)/Ea (25) <0. I0 特別地，更優(yōu)選滿足 Ea (60)/Ea (25)〈0.08，進(jìn)一步優(yōu)選滿足 Ea (60)/Ea (25)〈O. 05。樹脂層(A)在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea (60)優(yōu)選為0. 005MPa I. OMPa,更優(yōu)選為0. OlMPa 0. 5MPa。樹脂層(A)在25°C時(shí)的拉伸彈性模量EA(25)優(yōu)選為IMPa lOMPa，更優(yōu)選為2MPa 9MPa。如果拉伸彈性模量Ea (60)為上述范圍，則在加溫下粘貼薄片時(shí)，顯示出流動(dòng)性，因此可以獲得對(duì)凹凸的良好追隨性。此外，如果拉伸彈性模量Ea (25)為上述范圍，則可以保持在粘貼薄片后的常溫下的形狀，從而可以維持加工中的密合性。樹脂的拉伸彈性模量可以如下測(cè)定。I)作為測(cè)定樣品，準(zhǔn)備例如初始長(zhǎng)度為140mm、寬度為10mm、厚度為75 IOOiim的樣品膜。2)然后，在測(cè)定溫度為25°C、卡盤間距為100mm、拉伸速度為50mm/min的條件下進(jìn)行拉伸試驗(yàn),測(cè)定樣品的伸長(zhǎng)變化量(mm)。3)在所得的S - S曲線(應(yīng)力一形變曲線)的初始上升部分畫切線，并將該切線的斜率除以樣品膜的截面積所得的值作為拉伸彈性模量。樹脂層(A)的密度優(yōu)選為800 890kg/m3，更優(yōu)選為830 890kg/m3，進(jìn)一步優(yōu)選為850 890kg/m3。如果樹脂層(A)的密度不足800kg/m3，則彈性模量變得過(guò)低，因此形狀固定能力下降，如果密度超過(guò)890kg/m3，則彈性模量變得過(guò)高，因此凹凸追隨性下降。

構(gòu)成樹脂層(A)的樹脂只要滿足前述拉伸彈性模量，就沒有特別限定，但優(yōu)選為烯烴系共聚物。烯烴系共聚物優(yōu)選為以碳原子數(shù)2 12的a —烯烴作為主要構(gòu)成單元的a 一烯烴共聚物。碳原子數(shù)2 12的a —烯烴的例子包括乙烯、丙烯、I 一丁烯、I 一戊烯、3 —甲基一I — 丁稀、I —己稀、4 —甲基一I —戍稀、3 —甲基一I —戍稀、I —庚稀、I —羊稀、I —
癸烯、I 一十二烯等。其中，從粘貼時(shí)的凹凸追隨性優(yōu)異的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選乙烯 丙烯共聚物、乙烯*1 -丁烯共聚物、和乙烯 丙烯 碳原子數(shù)4 12的a —烯烴的三元共聚物等乙烯 a —烯烴共聚物；以及丙烯 I 一丁烯共聚物 碳原子數(shù)5 12的a -烯烴的三元共聚物等，更優(yōu)選乙烯 丙烯共聚物。這是因?yàn)楸┑南N系共聚物的熱熔融性高。市售的a —烯烴系共聚物包括三井化學(xué)制造的TAFMER (注冊(cè)商標(biāo))等。樹脂層(A)的拉伸彈性模量通過(guò)構(gòu)成烯烴系共聚物的單體種類、共聚比以及有無(wú)改性等進(jìn)行調(diào)整。例如，為了降低烯烴系共聚物在60°C時(shí)的拉伸彈性模量，提高丙烯的共聚比或用羧酸等改性即可。樹脂層(A)還可以在不損害對(duì)半導(dǎo)體晶片的易粘貼性、易剝離性等的范圍內(nèi)含有其它樹脂或其它添加劑。這樣的添加劑的例子包括紫外線吸收劑、抗氧化劑、耐熱穩(wěn)定劑、潤(rùn)滑劑、軟化劑、粘接性賦予劑等。樹脂層(A)的厚度tA只要是可以包埋半導(dǎo)體晶片的電路形成面的凹凸(包括半導(dǎo)體凸塊)的厚度，就沒有特別限制。例如，如果凹凸的高低差為100 左右，則樹脂層(A)的厚度扒可以設(shè)為100 200 iim。為了提高剝離性，樹脂層(B)優(yōu)選在加溫下粘貼薄片時(shí)，流動(dòng)性不會(huì)變得過(guò)大。因此，不同于樹脂層(A)，樹脂層(B)優(yōu)選在加溫下粘貼薄片時(shí)不顯示出熱熔融性，而是至少在后述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)薄片的粘貼工序中發(fā)生彈性變形。因此，樹脂層(B)在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Eb (60)優(yōu)選高于樹脂層(A)在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea(60)。但是，為了不會(huì)大大損害樹脂層(A)對(duì)凹凸的追隨性(包埋性)，優(yōu)選使樹脂層(B)在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Eb (60)不會(huì)變得過(guò)高。樹脂層(B)在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Eb (60)優(yōu)選為IMPa以上，但優(yōu)選低于基材層在60°C時(shí)的拉伸彈性模量。樹脂層(B)在60°C時(shí)的拉伸彈性模量EB(60)優(yōu)選為IMPa IOMPa,更優(yōu)選為IMPa 7MPa。如果樹脂層(B)在60°C時(shí)的拉伸彈性模量不足IMPa，則在粘貼薄片時(shí)，由于過(guò)度密合至必要程度以上，因此在剝離時(shí)難以剝離。另一方面，如果在60°C時(shí)的拉伸彈性模量過(guò)高，則由于樹脂層變硬，因此對(duì)凹凸的追隨性下降。構(gòu)成樹脂層(B)的樹脂只要滿足前述拉伸彈性模量，就沒有特別限定，但優(yōu)選為熱塑性彈性體。熱塑性彈性體的例子包括聚苯乙烯系彈性體、聚烯烴系彈性體、聚氨酯系彈性體和聚酯系彈性體等。其中，從容易調(diào)整粘接性和柔軟性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選聚苯乙烯系彈性體、聚烯烴系彈性體。聚苯乙烯系彈性體包括苯乙烯一異戊二烯一苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯一乙烯 丁烯一苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯一乙烯 丙烯一苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)、其它的苯乙烯 二烯系嵌段共聚物及其氫化物(氫化苯乙烯 丁二烯橡膠(HSBR)等)等。聚烯烴系彈性體包括顯示出結(jié)晶性的聚烯烴嵌段和顯示出非結(jié)晶性的單體共聚物嵌段的嵌段共聚物。其具體例子包括烯烴 乙烯 丁烯 烯烴共聚物、聚丙烯 聚氧化乙烯 聚丙烯嵌段共聚物、聚丙烯 聚烯烴 聚丙烯嵌段共聚物。市售的聚烯烴系彈性體 包括三井化學(xué)(株)制造的Notio (注冊(cè)商標(biāo))等。樹脂層(B)的厚度tB優(yōu)選設(shè)定為不會(huì)損害對(duì)凹凸的追隨性的程度。因此，樹脂層(B)的厚度tB優(yōu)選為0. I ii m以上且不足100 u m,更優(yōu)選為I y m以上且不足100 u m。如果樹脂層(B)的厚度tB不足0. I ym，則難以獲得樹脂層(B)帶來(lái)的剝離性的效果，如果為100 y m以上，則容易損害樹脂層(A)對(duì)凹凸的追隨性。基材層為了抑制半導(dǎo)體晶片的翹曲 變形而優(yōu)選具有剛性。因此，基材層在25°C時(shí)的拉伸彈性模量E (25)優(yōu)選為IGPa以上。這種基材層優(yōu)選為聚烯烴膜、聚酯膜、以及聚烯烴層和聚酯層的層疊膜等。聚烯烴膜的例子包括聚丙烯膜。聚酯膜的例子包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜?；膶拥暮穸葍?yōu)選為5 250 ii m左右,更優(yōu)選為12 100 ii m。為了不損害薄片在粘貼或剝離時(shí)的操作性，半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片全體的總膜厚優(yōu)選設(shè)為1000 以下，更優(yōu)選設(shè)為700iim以下。半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片也可以根據(jù)需要含有其它層。其它層包括粘接劑層和脫模膜等。粘接劑層沒有特別限制，例如可以為三井化學(xué)(株)制造的ADMER等。脫模膜沒有特別限制，例如可以為進(jìn)行了脫模處理的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜等。如前所述，半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片含有基材層、樹脂層(A)和樹脂層(B)，并在基材層和樹脂層(B)之間配置樹脂層(A)。樹脂層(B)由于具有提高剝離性的功能，因此優(yōu)選配置在半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的(非基材層一側(cè)的)最外表面。樹脂層(A)可以是單層的，也可以是多層的。為了提高樹脂層(A)和基材層的粘接性，可以在樹脂層(A)和基材層之間進(jìn)一步配置粘接劑層。圖I是表示半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片構(gòu)成的一個(gè)例子的圖。如圖I所示，半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片10依次具有基材層12、樹脂層(A)14和樹脂層(B)16。該半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片10以樹脂層(B) 16與半導(dǎo)體晶片的電路形成面接觸的方式進(jìn)行使用。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片可以通過(guò)任意方法來(lái)制造。例如有1)將基材膜、樹脂層(A)和樹脂層(B)共擠出成型，或?qū)渲瑢?A)和樹脂層(B)共擠出成型后層疊在基材膜上，從而得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的方法(共擠出形成法);2)通過(guò)層壓(層疊)基材膜、膜狀的樹脂層(A)和膜狀的樹脂層(B)而得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的方法(層壓法)等。在采用層壓法時(shí)，優(yōu)選根據(jù)需要在膜彼此的界面上形成適當(dāng)?shù)恼辰觿?。為了提高膜彼此的粘接性，也可以根?jù)需要在膜彼此的界面上實(shí)施電暈放電處理等表面處理。層壓可以是擠出層壓和干式層壓中的任一種。膜狀的樹脂層(A)和樹脂層(B)可以通過(guò)擠出成型等進(jìn)行制膜而得到。2.半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法使用本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法的一個(gè)例子包含1)在加溫下，在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上粘貼半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的第一工序、2)磨削粘貼有半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的半導(dǎo)體晶片的電路未形成面的第二工序、3)對(duì)磨削后的半導(dǎo)體晶片的電路未形成面進(jìn)行加工的第三工序和4)剝離半導(dǎo)體晶片表 面保護(hù)用薄片的第四工序。在進(jìn)行了這些工序之后，還可以進(jìn)行切割半導(dǎo)體晶片而進(jìn)行芯片化的工序、用樹脂密封芯片的工序等。首先，準(zhǔn)備形成了電路的半導(dǎo)體晶片。為了防止在后工序中損傷電路，也可以在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上設(shè)置保護(hù)電路的電路保護(hù)層。電路保護(hù)層只要是絕緣樹脂即可，例如，可以為聚酰亞胺、聚苯并噁唑等。此外，為了減少高頻信號(hào)的傳輸延遲，優(yōu)選通過(guò)將電路保護(hù)層形成為多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)，從而降低介電常數(shù)。圖2是表示半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)薄片的粘貼工序的一個(gè)例子的圖。如圖2所示，在第一工序(粘貼工序)中，在加溫下粘貼半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片10，使樹脂層(B) 16位于配置有半導(dǎo)體凸塊24等的半導(dǎo)體晶片20的電路形成面?zhèn)?。如前所述，在半?dǎo)體晶片20的電路形成面上還可以形成具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層22。粘貼溫度可以設(shè)為40 80°C，壓力可以設(shè)為0.3 0.5MPa。如果不足40°C，則由于樹脂層(A)的彈性模量難以降低，因此對(duì)凹凸的追隨性下降。此外，如果粘貼溫度超過(guò)80°C，則不優(yōu)選作為加工溫度。半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的粘貼可以通過(guò)公知的膠帶粘貼機(jī)進(jìn)行。在第二工序(磨削工序)中，以在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上粘貼了半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的狀態(tài)對(duì)半導(dǎo)體晶片的電路未形成面(背面)進(jìn)行磨削加工，直至晶片的厚度達(dá)到一定程度以下。磨削加工后的半導(dǎo)體晶片的厚度例如可以設(shè)為300i!m以下。磨削加工是使用砂輪的機(jī)械磨削加工。磨削方式?jīng)]有特別限制，可以為貫穿進(jìn)磨方式、橫向進(jìn)磨方式等公知的磨削方式。在第二工序(磨削工序)中，半導(dǎo)體晶片以及粘貼在其上的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的溫度通常在25°C以上且不足40°C的范圍內(nèi)。在第三工序(加工工序)中，有時(shí)對(duì)半導(dǎo)體晶片的電路未形成面(背面)進(jìn)行選自金屬濺射工序、鍍敷處理工序和加熱處理工序中的工序。加熱處理工序例如包括在加溫下粘貼芯片接合膠帶的工序。在第四工序(剝離工序)中，在常溫下剝離半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的剝離沒有特別限制，可以通過(guò)公知的膠帶剝離機(jī)進(jìn)行。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片具有顯示出熱熔融性的樹脂層(A)。因此，在第一工序(粘貼工序)中，也如圖2 (B)所示，即使對(duì)于半導(dǎo)體晶片的電路形成面的較大凹凸，例如直徑為200i!m以上的焊錫凸塊等，也可以良好地追隨、無(wú)間隙地密合。此外，在之后的第二工序(磨削工序)和第三工序(加工工序)中，也可以維持與半導(dǎo)體晶片的電路形成面的密合性。進(jìn)一步，由于半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的樹脂層(B)與半導(dǎo)體晶片的電路形成面的凹凸接觸(參照?qǐng)D2 (B))，因此在第四工序(剝離工序)中，在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上不會(huì)殘留糊狀物，從而可以良好地剝離。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片具有不顯示出熱熔融性的樹脂層(B)。因此，如圖2 (B)所示，即使將本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片粘貼在具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層上，也可以抑制樹脂層(A)和(B)流入多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的孔中，從而得到良好的剝離性。實(shí)施例
(實(shí)施例I和2)I.各層的拉伸彈性模量的測(cè)定準(zhǔn)備聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度為75 U m)作為基材膜。準(zhǔn)備將密度為861kg/m3的三井化學(xué)(株)制造的TAFMER P0275(注冊(cè)商標(biāo))進(jìn)行擠出成型所得的膜(厚度為100 u m)作為樹脂層(A)的膜。準(zhǔn)備將三井化學(xué)(株)制造的Notio PN 3560進(jìn)行擠出成型所得的膜(厚度為lOOym)作為樹脂層(B)的膜。對(duì)于這些膜，使用以下方法測(cè)定拉伸彈性模量。將上述膜分別切割成初始長(zhǎng)度為14cm、寬度為Icm的尺寸，從而準(zhǔn)備測(cè)定用的樣品膜。然后，在測(cè)定溫度為25°C、卡盤間距為100mm、拉伸速度為50mm/min的條件下進(jìn)行拉伸試驗(yàn)，測(cè)定樣品膜的伸長(zhǎng)變化量(mm)。然后，在所得的S - S曲線的初始上升部分畫切線，將該切線的斜率除以樣品膜的截面積所得的值作為拉伸彈性模量。2.半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的制作準(zhǔn)備厚度為75 iim的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)作為基材膜。將密度為861kg/m3的三井化學(xué)(株)制造的TAFMER P0275(注冊(cè)商標(biāo))和三井化學(xué)(株)制造的Notio PN3560進(jìn)行共擠出，并將由樹脂層(A)/樹脂層(B)所形成的2層的共擠出樹脂層疊在該聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜的表面上，得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜/樹脂層(A) /樹脂層(B)的厚度為75 u m/480 u m/3 u m。3.半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)準(zhǔn)備在電路形成面上設(shè)置了直徑為250pm的焊錫球而形成凸塊的半導(dǎo)體晶片(厚度為700 u m)。并準(zhǔn)備凸塊間的間隔為250 u m的半導(dǎo)體晶片(實(shí)施例I)和凸塊間的間隔為150 u m的半導(dǎo)體晶片(實(shí)施例2)的2種半導(dǎo)體晶片。然后，使用膠帶粘貼機(jī)(LINTEC RAD3510)，在晶片臺(tái)溫度為70°C、輥溫度為40°C、壓力為0. 5MPa、輥壓速度為2mm/秒的條件下，將前述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片加熱壓合并粘貼在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上。接著，將半導(dǎo)體晶片設(shè)置在Back Grinder裝置(DISCO DFG8560)上，磨削半導(dǎo)體晶片的電路未形成面，直至晶片厚度達(dá)到300 u m。然后，使用膠帶剝離機(jī)(LINTEC RAD3010)，在常溫下從半導(dǎo)體晶片的電路形成面上剝離半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。在這些工序中，如下所示對(duì)半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的凹凸包埋性、剝離性和糊狀物殘留，以及磨削后晶片厚度的面內(nèi)均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)。I)半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的凹凸包埋性使用顯微鏡(KEYENCE公司制造)，以50 100倍的倍率觀察粘貼了半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的半導(dǎo)體晶片的電路形成面，觀察與半導(dǎo)體晶片的電路形成面上的凹凸之間有無(wú)空隙。將有空隙的情況記為X，沒有空隙的情況記為〇。2)磨削后晶片厚度的面內(nèi)均勻性根據(jù)JIS B7502，使用測(cè)微計(jì)(Mitutoyo 227 — 101 )，在 23°C、50%RH 的條件下測(cè)定磨削后的半導(dǎo)體晶片厚度的面內(nèi)偏差(TTV =Total Thickness Variation，總厚度變動(dòng))。具體來(lái)說(shuō)，測(cè)定11點(diǎn)的晶片面內(nèi)厚度，并將厚度的最大值和最小值的差值作為TTV。 將面內(nèi)厚度偏差(TTV)為15 ii m以下的情況記為〇，超過(guò)15 ii m的記為X。3)剝離性使用膠帶剝離機(jī)(LINTEC RAD3010)，通過(guò)180°剝離法評(píng)價(jià)是否可以從半導(dǎo)體晶片的電路形成面上剝離半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。測(cè)定是在23°C、50%RH下，在剝離速度為300mm/sec的條件下進(jìn)行的?？梢粤己脛冸x的情況為〇，無(wú)法剝離的情況為X。4)糊狀物殘留使用顯微鏡，以倍率50 100倍觀察用膠帶剝離機(jī)剝離半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片后的半導(dǎo)體晶片的電路形成面。未確認(rèn)糊狀物殘留的情況為〇，確認(rèn)糊狀物殘留的情況為X。(實(shí)施例3和4)準(zhǔn)備在電路形成面上形成了具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層的半導(dǎo)體晶片來(lái)代替實(shí)施例I的半導(dǎo)體晶片。具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層如下形成。I)聚羥基酰胺(聚苯并噁唑前體)的合成使27. Og (0. 2摩爾)1 一羥基苯并三唑(黑金化成(株)制造，HBT)溶解在150mL的N，N—二甲基乙?；阴０?和光純藥(株)制造，DMAc)中，并冷卻至一10°C。向其中加入三乙胺20. 2g (和光純藥(株)制造，0. 2摩爾)。使29. 5g (0. I摩爾)4，4’ 一二羰基氯一二苯基醚(日本農(nóng)藥(株)制造DEC)溶解在150mL丙酮中，再將其滴加至上述HBT的DMAc和三乙胺的混合溶液中，并使液溫不超過(guò)(TC。在一 10°C對(duì)該溶液持續(xù)攪拌2小時(shí)，然后回到室溫，再攪拌I小時(shí)。攪拌結(jié)束后，通過(guò)過(guò)濾除去三乙胺的鹽酸鹽，將濾液投入2L水中，得到白色沉淀。通過(guò)過(guò)濾收集該沉淀，用丙酮洗滌。再在50°C的真空干燥機(jī)中干燥48小時(shí)，得到DEC的HBT酯。使18. 3g (0. 05摩爾)雙(3 —氨基一 4 一羥基苯基)六氟丙烷(Central硝子(株)制造Bis - APAF)溶解在200ml的DMAc中。向該溶液中加入DEC的HBT酯24. 6g (0. 05摩爾)，在50°C反應(yīng)6小時(shí)，得到Bis - APAF和DEC進(jìn)行酰胺鍵合而成的聚羥基酰胺(聚苯并噁唑前體)。將該溶液投入2L水中，通過(guò)過(guò)濾收集聚合物的白色沉淀，再用水洗滌。將該聚合物在50°C的真空干燥機(jī)中干燥48小時(shí)，得到聚羥基酰胺粉末。2)感光劑A的合成使42. 4g (0. I 摩爾)4，4’ 一 [I — [4 — [I — (4 —輕基苯基)一I —甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚(本州化學(xué)(株)制造，Tris - PPA)溶解在600mL的1，4 一二噁烷(和光純藥(株)制造)中。將該溶液加熱至40°C，并加入67. Ig (0.25摩爾)5 —萘醌二疊氮基磺酰氯(東洋合成(株)制造，NAC - 5)。向該溶液中滴加將25. 3g (0. 25摩爾)三乙胺稀釋在IOOmL的1，4 一二噁烷中所得的溶液，并使內(nèi)溫不超過(guò)45°C。滴加結(jié)束后，在40°C攪拌2小時(shí)。然后，使溶液的溫度回到室溫，通過(guò)過(guò)濾除去三乙胺的鹽酸鹽，將濾液投入3L水中，得到黃色沉淀。通過(guò)過(guò)濾收集該沉淀，用1%的鹽酸水溶液IL洗滌，再用3L水洗滌。將該黃色沉淀在50°C的真空干燥機(jī)中干燥48小時(shí)，得到感光劑A。3)感光性聚苯并噁唑前體溶液的制備使20g前述聚羥基酰胺粉末、4. 6g前述感光劑A和2. Og的4，4’ -(1-(2-(4 一羥基苯基)-2 一丙基)苯基亞乙基)雙酚(本州化學(xué)工業(yè)公司制造，商品名為Tris -PA)溶解在60mLY —丁內(nèi)酯(三菱化學(xué)(株)制造)中。將該溶液加入到IOOmL的注射器中，用直徑0. 45 y m的聚四氟乙烯制過(guò)濾器(Advantech (株)制造)進(jìn)行過(guò)濾，得到感光性聚苯并噁唑前體溶液。
4)多孔質(zhì)保護(hù)層的形成使用東京Electron (株)制造的涂布 顯影裝置(Clean Track Mark — 7),將所得的感光性聚苯并噁唑前體溶液涂布在6英寸晶片上，使熱板烘烤后的膜厚達(dá)到7. 8 y m。在熱板烘烤后，使用GCA公司制造的i射線分檔器DSW - 8750，以3000J/m2的曝光量，通過(guò)具有100 u mX 100 u m的剔除圖案的掩模圖案對(duì)晶片整面進(jìn)行曝光。曝光后，使用Mark — 7的顯影裝置，通過(guò)2. 38%的四甲基氫氧化銨水溶液(三菱氣體化學(xué)(株)制造的ELM — D)進(jìn)行旋覆浸沒式(puddle)顯影90秒鐘。顯影后的聚苯并噁唑前體膜的膜厚為7. I y m。將形成了該聚苯并卩惡唑前體膜的娃晶片放入光洋Thermo Systems (株)制造的惰性烘箱INH - 21⑶中，在氧濃度為20ppm以下，在140°C熱處理30分鐘，然后用I小時(shí)升溫至380°C，并在380°C熱處理I小時(shí)。由此，得到聚苯并噁唑樹脂膜。然后，使用SAMCO (株)制造的反應(yīng)性離子蝕刻裝置RIE - 10，在CF4、氣體流量為50sccm、壓力為0. 6Torr、輸出功率為280W的條件下，進(jìn)行3分鐘等離子處理(反應(yīng)性離子蝕刻)。由此，得到具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層。在如此所得的半導(dǎo)體晶片的電路保護(hù)層上設(shè)置直徑為250 Pm的焊錫球，從而準(zhǔn)備形成了凸塊的半導(dǎo)體晶片(厚度為700 u m)。并準(zhǔn)備凸塊間的間隔為250 u m的半導(dǎo)體晶片(實(shí)施例3)和凸塊間的間隔為150 u m的半導(dǎo)體晶片(實(shí)施例4)的2種半導(dǎo)體晶片。使用準(zhǔn)備的半導(dǎo)體晶片以及與實(shí)施例I相同的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。(實(shí)施例5)除了將樹脂層(B)的厚度變更為20i!m以外，和實(shí)施例I同樣地得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。然后，和實(shí)施例3同樣地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。(實(shí)施例6)除了將三井化學(xué)(株)制造的Notio PN3560變更為三井化學(xué)(株)制造的NotioPN0040作為樹脂層(B)的樹脂以外，和實(shí)施例3同樣地得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。然后，和實(shí)施例3同樣地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。
(實(shí)施例7)除了將三井化學(xué)(株)制造的Notio PN3560變更為三井化學(xué)(株)制造的NotioPN2060作為樹脂層(B)的樹脂以外，和實(shí)施例3同樣地得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。然后，和實(shí)施例3同樣地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。(實(shí)施例8)除了將三井化學(xué)(株)制造的Notio PN3560變更為氫化苯乙烯 丁二烯橡膠(HSBR)作為樹脂層(B)的樹脂以外，和實(shí)施例3同樣地得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。然后，和實(shí)施例3同樣地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。(實(shí)施例9)
除了使用在三井化學(xué)(株)制造的Notio PN3560中添加了 5重量％聚丙烯(PP)的樹脂作為樹脂層(B)的樹脂以外，和實(shí)施例3同樣地得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。然后，和實(shí)施例3同樣地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。(實(shí)施例10)除了在厚度為75 ii m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯層上層疊厚度為20 ii m的聚烯烴層(三井化學(xué)(株)制造，Admer)作為基材層以外，和實(shí)施例3同樣地得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。然后，和實(shí)施例3同樣地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。(實(shí)施例11)除了在厚度為75 ii m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯層上層疊厚度為20 ii m的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)層作為基材層以外，和實(shí)施例3同樣地得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。然后，和實(shí)施例3同樣地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。(比較例I)除了在厚度為75pm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯層上層疊乙烯一乙酸乙烯酯共聚物(EVA)層作為基材層，并且未形成樹脂層(B)以外，和實(shí)施例3同樣地得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。然后，和實(shí)施例3同樣地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。(比較例2)除了將樹脂層(B)的厚度變更為lOOym以外，和實(shí)施例3同樣地得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。然后，和實(shí)施例3同樣地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。(比較例3)除了將樹脂層(A)變更為乙烯一乙酸乙烯酯共聚物(EVAFLEX EV420，三井杜邦聚合化學(xué)公司制造)，并使厚度為480 u m以外，和比較例2同樣地得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。然后，和實(shí)施例3同樣地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。(比較例4和5)除了將三井化學(xué)(株)制造的Notio PN3560變更為如下制備的UV粘合劑作為樹脂層(B)的樹脂以外，和實(shí)施例3同樣地得到半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片。然后，比較例4和實(shí)施例3同樣地、比較例5和實(shí)施例2同樣地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的評(píng)價(jià)以及磨削后的晶片的評(píng)價(jià)。粘合劑聚合物的聚合使用過(guò)氧化苯甲酰系聚合引發(fā)劑[日本油脂(株)制造，NYPER BMT 一 K40]0. 8重量份(作為引發(fā)劑為0. 32重量份)，使30重量份丙烯酸乙酯、40重量份丙烯酸2 —乙基己酯、10重量份丙烯酸甲酯和20重量份甲基丙烯酸縮水甘油酯的單體混合物在65重量份甲苯、50重量份乙酸乙酯中，在80°C反應(yīng)10小時(shí)。反應(yīng)結(jié)束后，冷卻所得的溶液，進(jìn)一步加入100重量份二甲苯、10重量份丙烯酸和0. 3重量份十四烷基二甲基芐基氯化銨[日本油脂(株)制造，Cation M2-100]，一邊吹入空氣，一邊在85°C反應(yīng)50小時(shí)。由此，得到丙烯酸系粘合劑聚合物的溶液(粘合劑主劑)。UV粘合劑的制備
在所得的丙烯酸系粘合劑聚合物的溶液(粘合劑主劑)中，相對(duì)于100重量份丙烯酸系粘合劑聚合物固體成分，添加2重量份作為分子內(nèi)鍵開裂型光聚合引發(fā)劑的聯(lián)苯?？s二甲醇[日本汽巴一嘉基公司(株)，IRGA⑶RE 651]、0. 3重量份作為分子內(nèi)具有聚合性碳碳雙鍵的單體的二季戊四醇六丙烯酸酯和二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯的混合物[東亞合成化學(xué)工業(yè)(株)制造，ARONIX M - 400]，并進(jìn)一步添加I. 35重量份作為熱交聯(lián)劑的異氰酸酯系交聯(lián)劑[三井東壓化學(xué)(株)制造，OLESTER P49 - 75 - S](作為熱交聯(lián)劑為I重量份)，得到UV粘合劑。實(shí)施例I 11的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表I ;比較例I 5的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2。表I
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其具有 在25°C時(shí)的拉伸彈性模量E (25)為IGPa以上的基材層； 在25°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea (25)和在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea (60)滿足Ea (60)/Ea (25)〈O. I的關(guān)系，并且所述在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea (60)為0. 005 IMPa的樹脂層(A);和 在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Eb (60)為IMPa以上、高于所述樹脂層(A)在60°C時(shí)的拉伸彈性模量Ea (60)，并且厚度為0. I y m以上且不足100 u m的樹脂層(B)， 在所述基材層和所述樹脂層(B)之間配置有I層以上的所述樹脂層(A)。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其中所述樹脂層(B)配置在所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的最外表面。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其中所述樹脂層(A)含有烯烴系共聚物。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其中樹脂層(A)的密度為800 890kg/m3。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體表面保護(hù)用薄片，其中所述樹脂層(B)含有選自聚こ烯系弾性體和聚苯こ烯系彈性體中的至少ー種樹脂。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其中所述基材膜是選自聚烯烴層、聚酯層、以及聚烯烴層和聚酯層的層疊體中的至少ー種層。
7.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其中所述樹脂層(A)的厚度扒大于在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上所設(shè)置的高低差。
8.一種半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其包含 在40 80°C的溫度、0. 3 0. 5MPa的壓カ下，在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上粘貼權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的第一エ序； 磨削粘貼有所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的半導(dǎo)體晶片的電路未形成面的第二エ序; 對(duì)磨削后的半導(dǎo)體晶片的電路未形成面進(jìn)行加工的第三エ序；和 剝離所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的第四エ序。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其中在所述半導(dǎo)體晶片的電路形成面上設(shè)置有200 u m以上的高低差。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其中在所述半導(dǎo)體晶片的電路形成面上進(jìn)ー步設(shè)置有具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其中所述第三エ序含有選自金屬濺射エ序、鍍敷處理工序和加熱處理工序中的至少ー種エ序。
12.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包含 在40 80°C的溫度、0. 3 0. 5MPa的壓カ下，在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上粘貼權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的第一エ序； 磨削粘貼有所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的半導(dǎo)體晶片的電路未形成面的第二エ序; 對(duì)磨削后的半導(dǎo)體晶片的電路未形成面進(jìn)行加工的第三エ序；和剝離所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片的第四エ序。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在所述半導(dǎo)體晶片的電路形成面上設(shè)置有200 u m以上的高低差。
14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在所述半導(dǎo)體晶片的電路形成面上進(jìn)ー步設(shè)置有具有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的電路保護(hù)層。
15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第三エ序含有選自金屬濺射エ序、鍍敷處理工序和加熱處理工序中的至少ー種エ序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有對(duì)于半導(dǎo)體晶片的電路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剝離性的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)薄片。具體來(lái)說(shuō)，提供一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用薄片，其具有在25℃時(shí)的儲(chǔ)能模量E(25)為1GPa以上的基材層；在25℃時(shí)的儲(chǔ)能模量EA(25)和在60℃時(shí)的儲(chǔ)能模量EA(60)滿足EA(60)/EA(25)<0.1的關(guān)系，并且前述在60℃時(shí)的拉伸彈性模量EA(60)為0.005～1MPa的樹脂層(A)；和在60℃時(shí)的儲(chǔ)能模量EB(60)為1MPa以上、高于前述樹脂層(A)在60℃時(shí)的儲(chǔ)能模量EA(60)，并且厚度為0.1μm以上且不足100μm的樹脂層(B)。
文檔編號(hào)H01L21/683GK102763211SQ20118000965
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2011年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月2日
發(fā)明者尾崎勝敏, 才本芳久, 林下英司, 片岡真, 酒井充 申請(qǐng)人:三井化學(xué)東賽璐株式會(huì)社