專利名稱：金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種具有一不透明樹脂層及至少
二鈍化層的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
以IGZO (In-Ga-Zn-O 一銦鎵錫氧化物)為通道材料的薄膜晶體管因適合沉積于玻璃基板的上，故已常應(yīng)用于顯示器的像素灰階控制。請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示一現(xiàn)有薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖I所不，該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)100包含一玻璃基板101、一柵電極102、一閘絕緣層103、一 IGZO層104、一源電極105a、一漏電極105b、一鈍化層106、以及一樹脂層 107。其中，該玻璃基板101用以承載該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的其余組成。該柵電極102沉積于該玻璃基板101上方的一金屬導(dǎo)體,用以與一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)耦接。該閘絕緣層103沉積于該柵電極102及該玻璃基板101上方的一絕緣層，用以使該柵電極102與該IGZO層104、該源電極105a、及該漏電極105b電氣絕緣。該IGZO層104沉積于該閘絕緣層103上方的一 n型半導(dǎo)體層，用以充作一通道。該源電極105a沉積于該IGZO層104 —側(cè)的一金屬導(dǎo)體,用以與一源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)耦接。該漏電極105b沉積于該IGZO層104另一側(cè)的一金屬導(dǎo)體,用以與一畫素電極率禹接。該鈍化層106沉積于該源電極105a、該IGZO層104、及該漏電極105b上方的一娃化合物，用以降低所述通道的漏電流。該樹脂層107沉積于該源電極105a、該鈍化層106、及該漏電極105b上方的一透明樹脂層，用以形成一保護(hù)層。然而該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)仍會(huì)有光漏電流(Photo Leakage Current)效應(yīng),如圖2 所示，在Vgs = 0V, Vds = 15V時(shí)，一強(qiáng)光所產(chǎn)生的光漏電流約等于0. 1mA。又該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)亦會(huì)因水、氧、氫的侵入一其數(shù)量隨著時(shí)間增加一而劣化，從而導(dǎo)致漏電流增加，如圖3 所示，在相同的測試條件下，在第一日期(6/22)測得的漏電流約為10_13A，而在23天后的第二日期(7/15)測得的漏電流約為IO-6A0為解決前述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)，本發(fā)明提出一新穎的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其可通過較佳的光、水、及空氣阻絕手段降低光漏電流及避免通道的劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于揭露一種金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其可有效防止光、水、及空氣的入侵以保護(hù)通道，從而降低漏電流。本發(fā)明的另一目的在于揭露一種金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可有效防止光、水、及空氣的入侵以保護(hù)通道，從而降低漏電流。為達(dá)到上述目的，一金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)乃被提出，其具有一基板、一柵電極、 一閘絕緣層、一 IGZO層、一源電極、一漏電極、一第一鈍化層、一第二鈍化層、以及一不透明樹脂層。該基板用以承載該金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的其余組成。該柵電極沉積于該基板上方的一金屬導(dǎo)體,用以與一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)f禹接。該閘絕緣層沉積于該柵電極及該基板上方的一絕緣層，用以使該柵電極與該IGZO 層、該源電極、及該漏電極電氣絕緣。該IGZO層沉積于該閘絕緣層上方的一 n型半導(dǎo)體層，用以充作一通道。該源電極沉積于該IGZO層一側(cè)的一金屬導(dǎo)體,用以與一源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)f禹接。該漏電極沉積于該IGZO層另一側(cè)的一金屬導(dǎo)體,用以與一畫素電極f禹接。該第一鈍化層沉積于該源電極、該IGZO層、及該漏電極上方的一第一娃化合物層，其具有良好的絕緣性質(zhì)。該第二鈍化層沉積于該第一鈍化層上方的一第二硅化合物層，其具有良好的阻水、阻氣性質(zhì)。該樹脂層沉積于該源電極、該第二鈍化層、及該漏電極上方的一不透明樹脂層，用以形成一保護(hù)層，以防止光、水分、或塵埃的入侵。
驟
驟
為達(dá)到上述目的，一金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法被提出，其具有以下步
步驟a 步驟b 步驟c 步驟d 步驟e 步驟f 步驟g 步驟h
在一基板上方沉積一柵電極。
在該柵電極及該基板上方沉積一絕緣層。
在該閘絕緣層上方沉積一 IGZO層，其中該IGZO層充作一通道。 在該IGZO層的一側(cè)沉積一源電極。
在該IGZO層的另一側(cè)沉積一漏電極。
在該源電極、該IGZO層、及該漏電極上方沉積一第一鈍化層。 在該第一鈍化層上方沉積一第二鈍化層。
在該源電極、該第二鈍化層、及該漏電極上方沉積一不透明樹脂層。
為達(dá)到上述目的，另一金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法被提出，其具有以下步
步驟a.在一基板上方沉積一柵電極。
步驟b.在該柵電極及該基板上方沉積一絕緣層。
步驟c.在該絕緣層的一側(cè)沉積一源電極。
步驟d.在該絕緣層的另一側(cè)沉積一漏電極。
步驟e.在該源電極、該閘絕緣層、及該漏電極上方沉積一 IGZO層，其中該IGZO層
充作一通道。步驟f.在該源電極、該IGZO層、及該漏電極上方沉積一第一鈍化層。 步驟g.在該第一鈍化層上方沉積一第二鈍化層。步驟h.在該源電極、該第二鈍化層、及該漏電極上方沉積一不透明樹脂層。為能進(jìn)一步了解本發(fā)明的結(jié)構(gòu)、特征及其目的，茲附以圖式及較佳具體實(shí)施例的詳細(xì)說明如后。


圖I繪示一現(xiàn)有薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2繪示圖I薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的光漏電流效應(yīng)；圖3繪示圖I薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的漏電流劣化效應(yīng)；圖4繪示本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)一較佳實(shí)施例的剖面圖；圖5繪示本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)另一較佳實(shí)施例的剖面圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參照?qǐng)D4，其繪示本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)一較佳實(shí)施例的剖面圖。由該結(jié)構(gòu)剖面圖可知，該金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200具有一基板201、一柵電極202、一閘絕緣層 203、一 IGZO層204、一源電極205a、一漏電極205b、一第一鈍化層206、一第二鈍化層207、 以及一不透明樹脂層208。該基板201用以承載該金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的其余組成，其材質(zhì)包含玻璃或軟性塑料。該柵電極202沉積于該基板201上方的一金屬導(dǎo)體,用以與一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)I禹接， 其材質(zhì)較佳為一不透明金屬材質(zhì)-例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/Nd合金。該閘絕緣層203沉積于該柵電極202及該基板201上方的一絕緣層，其中間具有一上凸區(qū)域。該絕緣層包含氧化硅或氮化硅，用以使該柵電極202與該IGZO層204、該源電極205a、及該漏電極205b電氣絕緣。該IGZO層204沉積于該閘絕緣層203上方的一 n型半導(dǎo)體層，其中間具有一上凸區(qū)域且其用以充作一通道。該源電極205a沉積于該IGZO層204 —側(cè)的一金屬導(dǎo)體,呈一階梯狀，用以與一源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)耦接，其材質(zhì)較佳為一不透明金屬材質(zhì)-例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/Nd
I=I -Wl o該漏電極205b沉積于該IGZO層204另一側(cè)的一金屬導(dǎo)體,呈一階梯狀,用以與一畫素電極耦接，其材質(zhì)較佳為一不透明金屬材質(zhì)-例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/Nd合金。該第一鈍化層206沉積于該源電極205a、該IGZO層204、及該漏電極205b上方的
一第一硅化合物層，其中間具有一下凹區(qū)域且其具有良好的絕緣性質(zhì)。該第一硅化合物層較佳為包含氧化娃。該第二鈍化層207沉積于該第一鈍化層206上方的一第二硅化合物層，其中間具有一下凹區(qū)域且其具有良好的阻水、阻氣性質(zhì)。該第二硅化合物層較佳為包含氮化硅-因?yàn)榈杈哂写笥谘趸璧拿芏?，可產(chǎn)生較佳的阻水、阻氣效果。該樹脂層208沉積于該源電極205a、該第二鈍化層207、及該漏電極205b上方的一不透明樹脂層-其顏色較佳為黑色，用以形成一保護(hù)層，以防止光、水分或塵埃的入侵。請(qǐng)參照?qǐng)D5，其繪示本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)另一較佳實(shí)施例的剖面圖。由該結(jié)構(gòu)剖面圖可知，該金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300具有一基板301、一柵電極302、一閘絕緣層303、一源電極304a、一漏電極304b、一 IGZO層305、一第一鈍化層306、一第二鈍化層307、 以及一不透明樹脂層308。該基板301用以承載該金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的其余組成，其材質(zhì)包含玻璃或軟性塑料。該柵電極302沉積于該基板301上方的一金屬導(dǎo)體,用以與一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)f禹接， 其材質(zhì)較佳為一不透明金屬材質(zhì)一例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/Nd合金。該閘絕緣層303沉積于該柵電極302及該基板301上方的一絕緣層，其中間具有一上凸區(qū)域。該絕緣層包含氧化硅或氮化硅，用以使該柵電極302與該IGZO層305、該源電極304a、及該漏電極304b電氣絕緣。該源電極304a沉積于該閘絕緣層303 —側(cè)的一金屬導(dǎo)體，呈一階梯狀，用以與一源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)耦接，其材質(zhì)較佳為一不透明金屬材質(zhì)-例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/ Nd合金。該漏電極304b沉積于該閘絕緣層303另一側(cè)的一金屬導(dǎo)體，呈一階梯狀，用以與一畫素電極耦接，其材質(zhì)較佳為一不透明金屬材質(zhì)一例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/Nd
么么 I=I -Wl o該IGZO層305沉積于該源電極304a、該閘絕緣層303、及該漏電極304b上方的一 n型半導(dǎo)體層，其中間具有一下凹區(qū)域且其用以充作一通道。該第一鈍化層306沉積于該源電極304a、該IGZO層305、及該漏電極304b上方的一第一硅化合物層，其具有良好的絕緣性質(zhì)。該第一硅化合物層較佳為包含氧化硅。該第二鈍化層307沉積于該第一鈍化層306上方的一第二硅化合物層，其具有良好的阻水、阻氣性質(zhì)。該第二硅化合物層較佳為包含氮化硅-因?yàn)榈杈哂写笥谘趸璧拿芏?，可產(chǎn)生較佳的阻水、阻氣效果。該樹脂層308沉積于該源電極304a、該第二鈍化層307、及該漏電極304b上方的一不透明樹脂層-其顏色較佳為黑色，用以形成一保護(hù)層，以防止光、水分或塵埃的入侵。依前述的說明，本發(fā)明進(jìn)一步提出一金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其具有以下步驟在一基板上方沉積一柵電極(步驟a);在該柵電極及該基板上方沉積一閘絕緣層(步驟b);在該閘絕緣層上方沉積一 IGZO層，其中該IGZO層充作一通道(步驟c);在該 IGZO層的一側(cè)沉積一源電極(步驟d);在該IGZO層的另一側(cè)沉積一漏電極(步驟e);在該源電極、該IGZO層、及該漏電極上方沉積一第一鈍化層(步驟f);在該第一鈍化層上方沉積一第二鈍化層(步驟g);以及在該源電極、該第二鈍化層、及該漏電極上方沉積一不透明樹脂層(步驟h)。在步驟a，該基板的材質(zhì)包含玻璃或軟性塑料，而經(jīng)沉積的所述柵電極較佳為一不透明金屬材質(zhì)-例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/Nd合金。在步驟b，經(jīng)沉積的所述閘絕緣層中間具有一上凸區(qū)域且所述絕緣層包含氧化硅或氮化硅。在步驟C，經(jīng)沉積的所述IGZO層為一 n型半導(dǎo)體層，其中間具有一上凸區(qū)域。在步驟d，經(jīng)沉積的所述源電極呈一階梯狀，且其材質(zhì)較佳為一不透明金屬材質(zhì)-例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/Nd合金。在步驟e，經(jīng)沉積的所述漏電極呈一階梯狀，且其材質(zhì)較佳為一不透明金屬材質(zhì)-例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/Nd合金。在步驟f，經(jīng)沉積的所述第一鈍化層其中間具有一下凹區(qū)域且其較佳為包含氧化硅。在步驟g，經(jīng)沉積的所述第二鈍化層其中間具有一下凹區(qū)域且其較佳為包含氮化硅。在步驟h，經(jīng)沉積的所述不透明樹脂層其顏色較佳為黑色。依前述的說明，本發(fā)明進(jìn)一步提出另一金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其具有以下步驟在一基板上方沉積一柵電極(步驟a);在該柵電極及該基板上方沉積一閘絕緣層(步驟b);在該閘絕緣層的一側(cè)沉積一源電極(步驟c);在該閘絕緣層的另一側(cè)沉積一漏電極(步驟d);在該源電極、該閘絕緣層、及該漏電極上方沉積一 IGZO層，其中該IGZO 層充作一通道(步驟e);在該源電極、該IGZO層、及該漏電極上方沉積一第一鈍化層(步驟f);在該第一鈍化層上方沉積一第二鈍化層(步驟g);以及在該源電極、該第二鈍化層、 及該漏電極上方沉積一不透明樹脂層(步驟h)。在步驟a，該基板的材質(zhì)包含玻璃或軟性塑料，而經(jīng)沉積的所述柵電極較佳為一不透明金屬材質(zhì)-例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/Nd合金。在步驟b，經(jīng)沉積的所述閘絕緣層中間具有一上凸區(qū)域且所述閘絕緣層包含氧化硅或氮化硅。在步驟C，經(jīng)沉積的所述源電極呈一階梯狀，且其材質(zhì)較佳為一不透明金屬材質(zhì)-例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/Nd合金。在步驟d，經(jīng)沉積的所述漏電極呈一階梯狀，且其材質(zhì)較佳為一不透明金屬材質(zhì)-例如(但不限于)Mo/Cr合金或Al/Nd合金。在步驟e，經(jīng)沉積的所述IGZO層為一 n型半導(dǎo)體層，其中間具有一下凹區(qū)域。在步驟f，經(jīng)沉積的所述第一鈍化層其較佳為包含氧化硅。在步驟g，經(jīng)沉積的所述第二鈍化層其較佳為包含氮化硅。在步驟h，經(jīng)沉積的所述不透明樹脂層其顏色較佳為黑色。本發(fā)明因其新穎的設(shè)計(jì)而具有以下的優(yōu)點(diǎn)所述的不透明樹脂層可防止光線照射所述的IGZO層，從而降低光漏電流。所述的第一鈍化層具有良好的電氣絕緣特性，有助于降低通道的漏電流。所述的第二鈍化層具有良好的阻水、阻氣特性，有助于防止所述IGZO層的劣化。綜上所述，本發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可為其IGZO層提供遮光、阻水、及阻氣的多重保護(hù)，以降低漏電流，故本發(fā)明確已改進(jìn)現(xiàn)有薄膜晶體管的缺失。本案所揭示的，乃較佳實(shí)施例，舉凡局部的變更或修飾而源于本案的技術(shù)思想而為熟習(xí)該項(xiàng)技藝的人所易于推知的，俱不脫本案的專利權(quán)范疇。
權(quán)利要求
1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于具有一基板；一柵電極，其沉積于該基板上方的一金屬導(dǎo)體，用以與一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)稱接；一閘絕緣層，其沉積于該柵電極及該基板上方的一絕緣層；一IGZO層，其沉積于該閘絕緣層上方的一銦鎵錫氧化物層，用以充作一通道；一源電極，其沉積于該IGZO層一側(cè)的一金屬導(dǎo)體,用以與一源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)稱接；一漏電極，其沉積于該IGZO層另一側(cè)的一金屬導(dǎo)體，用以與一畫素電極耦接；一第一鈍化層，其沉積于該源電極、該IGZO層、及該漏電極上方的一第一娃化合物層； 一第二鈍化層，其沉積于該第一鈍化層上方的一第二硅化合物層；以及一樹脂層，其沉積于該源電極、該第二鈍化層、及該漏電極上方的一不透明樹脂層。
2.如權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板包含玻璃或軟性塑料。
3.如權(quán)利要求2所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該柵電極包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。
4.如權(quán)利要求3所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該閘絕緣層具有一上凸區(qū)域且其包含氧化硅或氮化硅。
5.如權(quán)利要求4所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該IGZO層具有一上凸區(qū)域。
6.如權(quán)利要求5所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源電極呈一階梯狀且其包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。
7.如權(quán)利要求6所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該漏電極呈一階梯狀且其包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。
8.如權(quán)利要求7所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一鈍化層具有一下凹區(qū)域且所述的第一硅化合物層包含氧化硅。
9.如權(quán)利要求8所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二鈍化層具有一下凹區(qū)域且所述的第二硅化合物層包含氮化硅。
10.如權(quán)利要求9所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該樹脂層的顏色為黑色。
11.如權(quán)利要求4所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該IGZO層具有一下凹區(qū)域。
12.—種金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其具有以下步驟在一基板上方沉積一柵電極；在該柵電極及該基板上方沉積一閘絕緣層；在該閘絕緣層上方沉積一 IGZO層，其中該IGZO層充作一通道；在該IGZO層的一側(cè)沉積一源電極；在該IGZO層的另一側(cè)沉積一漏電極；在該源電極、該IGZO層、及該漏電極上方沉積一第一鈍化層；在該第一鈍化層上方沉積一第二鈍化層；以及在該源電極、該第二鈍化層、及該漏電極上方沉積一不透明樹脂層。
13.如權(quán)利要求12所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的基板包含玻璃或軟性塑料，且所述的柵電極包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。
14.如權(quán)利要求13所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的閘絕緣層中間具有一上凸區(qū)域且所述的閘絕緣層包含氧化硅或氮化硅。
15.如權(quán)利要求14所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的 IGZO層具有一上凸區(qū)域。
16.如權(quán)利要求15所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的源電極呈一階梯狀且其包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。
17.如權(quán)利要求16所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的漏電極呈一階梯狀且其包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。
18.如權(quán)利要求17所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的第一鈍化層具有一下凹區(qū)域且其包含氧化硅。
19.如權(quán)利要求18所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的第二鈍化層具有一下凹區(qū)域且其包含氮化硅。
20.如權(quán)利要求19所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的不透明樹脂層其顏色為黑色。
21.一種金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其具有以下步驟在一基板上方沉積一柵電極；在該柵電極及該基板上方沉積一閘絕緣層；在該閘絕緣層的一側(cè)沉積一源電極；在該閘絕緣層的另一側(cè)沉積一漏電極；在該源電極、該閘絕緣層、及該漏電極上方沉積一 IGZO層，其中該IGZO層充作一通道；在該源電極、該IGZO層、及該漏電極上方沉積一第一鈍化層；在該第一鈍化層上方沉積一第二鈍化層；以及在該源電極、該第二鈍化層、及該漏電極上方沉積一不透明樹脂層。
22.如權(quán)利要求21所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的第一鈍化層包含氧化硅。
23.如權(quán)利要求22所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的第二鈍化層包含氮化硅。
24.如權(quán)利要求23所述的金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的不透明樹脂層其顏色為黑色。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，該結(jié)構(gòu)具有一基板；一柵電極，沉積于該基板上方；一閘絕緣層，沉積于該柵電極及該基板上方；一IGZO層，沉積于該閘絕緣層上方，用以充作一通道；一源電極，沉積于該閘絕緣層上方且與該IGZO層的一側(cè)相鄰；一漏電極，沉積于該閘絕緣層上方且與該IGZO層的另一側(cè)相鄰；一第一鈍化層，沉積于該源電極、該IGZO層、及該漏電極上方；一第二鈍化層，沉積于該第一鈍化層上方；以及一不透明樹脂層，沉積于該源電極、該第二鈍化層、及該漏電極上方。
文檔編號(hào)H01L29/786GK102610652SQ20111002557
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月20日
發(fā)明者林欽雯, 辛哲宏, 黃仲欽, 黃全一 申請(qǐng)人:元太科技工業(yè)股份有限公司