專利名稱：金屬絡(luò)合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及這些金屬絡(luò)合物和包含這些絡(luò)合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。因此，本發(fā)明涉及通式(1)的化合物[M(L)n(L，)m]wx+(陰離子)廣通式(1)其中通式(1)的化合物包括通式O)的部分M(L)n
權(quán)利要求
1.通式⑴的化合物[M(L)n(L' )m]wx+(陰離子)廣通式(1)其中通式(1)的化合物包括通式O)的部分M(L)n:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于標(biāo)記χ= y = ζ = 0，即，所述絡(luò)合物是不帶電荷的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物，其特征在于M代表過渡金屬或代表主族金屬，其中M優(yōu)選選自錫、鉻、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鎳、鈀、鉬、銅、銀和金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于配體L中的一個(gè)基團(tuán)A代表氮原子，和其它的基團(tuán)A代表碳原子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于Cyl包含確切的一個(gè)基團(tuán)Z。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于Cyl選自以下通式 (3)至06)的結(jié)構(gòu)
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于Cy2選自根據(jù)權(quán)利要求6所述的通式(3)至06)的結(jié)構(gòu)，或選自通式07)至04)的結(jié)構(gòu)
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于基團(tuán)Z代表C(= 0)或CR2，優(yōu)選代表C ( = 0)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于通式O)的部分代表通式G5)的結(jié)構(gòu)
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于存在將L與一個(gè)或多個(gè)另外的配體L或L ‘連結(jié)的橋連單元V，該化合物選自通式(51)至(55)的結(jié)構(gòu)
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于配體L‘選自一氧化碳，一氧化氮，烷基氰，芳基氰，烷基異氰，芳基異腈，胺，膦，亞磷酸鹽或酯，胂，胼，含氮雜環(huán)化合物，卡賓，氫陰離子，氘陰離子，F(xiàn)—、Cl—、Br"和Γ，烷基炔陰離子，芳基炔陰離子，氰陰離子，氰酸陰離子，異氰酸陰離子，硫氰酸陰離子，異硫氰酸陰離子，脂族或芳族醇陰離子， 脂族或芳族硫醇陰離子，氨陰離子，羧酸陰離子，芳基基團(tuán)，02_，S2—，碳陰離子，氮賓，N3—，二胺，亞胺，二亞胺，含有兩個(gè)氮原子的雜環(huán)化合物，二膦，衍生于1，3- 二酮的1，3- 二酮陰離子，衍生于3-酮酸酯的3-酮酸酯陰離子，衍生于氨基羧酸的羧酸陰離子，衍生于水楊基亞胺的水楊基亞胺陰離子，衍生于二醇的二醇陰離子，衍生于二硫醇的二硫醇陰離子，含氮雜環(huán)化合物的硼酸化物，或由通式(70)至(97)的兩種基團(tuán)組合構(gòu)成的二齒配體，其中一個(gè)基團(tuán)經(jīng)由中性氮原子或卡賓原子鍵合，和另一基團(tuán)經(jīng)由帶負(fù)電荷的碳原子或帶負(fù)電荷的氮原子鍵合
12.制備權(quán)利要求1至11中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物的方法，該方法包括使游離的配體L和任選的L‘與通式(102)的金屬醇鹽，與通式(103)的金屬酮酮化物，與通式(104) 的金屬鹵化物，或與通式(105)的二聚金屬絡(luò)合物反應(yīng)
13.低聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1至11中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其中至少一個(gè)如上定義的基團(tuán)R代表與所述聚合物或樹枝狀聚合物結(jié)合的鍵。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物或根據(jù)權(quán)利要求13所述的低聚物、聚合物或樹枝狀聚合物在電子器件中的用途。
15.電子器件，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至11中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物或至少一種根據(jù)權(quán)利要求13所述的低聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其中所述電子器件優(yōu)選選自有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED、PLED)、有機(jī)集成電路(O-IC)、有機(jī)場效應(yīng)晶體管(O-FET)、 有機(jī)薄膜晶體管(O-TFT)、有機(jī)發(fā)光晶體管(O-LET)、有機(jī)太陽能電池(O-SC)、有機(jī)光學(xué)探測器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場猝熄器件(O-FQD)、發(fā)光電化學(xué)電池(LEC)或有機(jī)激光二極管 (0-laser)0
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于根據(jù)權(quán)利要求1至11中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物在一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層中用作發(fā)光化合物，其優(yōu)選與選自如下物質(zhì)的基質(zhì)材料結(jié)合使用酮、氧化膦、亞砜、砜、三芳基胺、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、茚并咔唑衍生物、氮雜咔唑、橋連咔唑衍生物、雙極性基質(zhì)材料、硅烷、氮雜硼雜環(huán)戊二烯、硼酸酯、三嗪衍生物、鋅絡(luò)合物、二氮雜或四氮雜硅雜環(huán)戊二烯衍生物和二氮雜磷雜環(huán)戊二烯衍生物，或這些基質(zhì)材料的混合物。
全文摘要
本發(fā)明涉及金屬絡(luò)合物和包含所述金屬絡(luò)合物的電子器件，特別是有機(jī)電致發(fā)光器件。
文檔編號H01L51/00GK102574882SQ201080046562
公開日2012年7月11日 申請日期2010年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月16日
發(fā)明者埃斯特·布羅伊寧, 多米尼克·約斯滕, 菲利普·施特塞爾 申請人:默克專利有限公司