專利名稱：晶片磨削方法和保護帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于磨削光器件晶片等晶片的背面的磨削裝置、以及為了保護形成于 晶片表面的器件而粘貼于晶片表面的保護帶。
背景技術(shù)：
光器件晶片在藍寶石基板等的表面通過呈格子狀地形成的被稱為間隔道的分割 預(yù)定線而劃分出多個區(qū)域，在該劃分出的區(qū)域?qū)盈B由氮化鎵類化合物半導體等構(gòu)成的外延 層(工e層)從而形成光器件。然后，將光器件晶片沿間隔道切斷，以將形成有光器件的區(qū) 域分割開來，由此制造出一個個光器件。這樣被分割的光器件晶片在沿間隔道進行切斷之 前，利用磨削裝置對藍寶石基板的背面進行磨削，從而加工至預(yù)定的厚度。另外，藍寶石基 板的背面的磨削以如下方式實施為了保護形成于藍寶石基板的表面的光器件而粘貼由氯 乙烯片材構(gòu)成的保護帶，并將該保護帶側(cè)保持于卡盤工作臺(例如，參照專利文獻1)。專利文獻1 日本特開2008-23693號公報然而，當在藍寶石基板的表面粘貼由氯乙烯片材構(gòu)成的保護帶并進行磨削，使得 藍寶石基板的厚度變薄而達到50μπι以下時，存在藍寶石基板會產(chǎn)生破裂的問題。該問題 在碳化硅基板等硬脆性基板的磨削中也會產(chǎn)生。這樣的問題被認為是因為在利用磨輪對經(jīng)保護帶保持于卡盤工作臺的基板的背 面進行磨削時，粘貼于基板表面的保護帶發(fā)生橫向偏移。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術(shù)課題在于提供一種即使磨削硬脆 性基板的背面使該基板很薄，該基板也不會產(chǎn)生破裂的磨削方法和保護帶。為了解決上述技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片磨削方法，該晶片磨削方法是 對在表面形成有器件的晶片的背面進行磨削以形成為預(yù)定的厚度的晶片磨削方法，其特征 在于，所述晶片磨削方法包括以下工序保護帶粘貼工序，在該保護帶粘貼工序中，將保護 帶的一個面粘貼于晶片的表面；晶片保持工序，在該晶片保持工序中，將粘貼于所述晶片 的表面的保護帶的另一個面吸附保持于磨削裝置的卡盤工作臺的保持面；以及磨削工序， 在該磨削工序中，使旋轉(zhuǎn)的磨削磨具的磨削面作用在吸附保持于所述卡盤工作臺的保持面 的晶片的背面，從而磨削晶片的背面，所述卡盤工作臺的具有保持面的保持部由具有多個 氣孔的多孔陶瓷形成，粘貼于晶片表面的所述保護帶的所述另一個面形成為具有多個凹凸 的粗糙面，所述多個凹凸能夠嵌入到構(gòu)成所述卡盤工作臺的保持部的多孔陶瓷的多個氣孔 中，在所述晶片保持工序中，使多個凹凸嵌入到構(gòu)成所述卡盤工作臺的保持部的多孔陶瓷 的多個氣孔中。關(guān)于形成于所述保護帶的所述另一個面的多個凹凸，表面粗糙度的最大高度設(shè)定 為5μπι以上。此外，構(gòu)成所述卡盤工作臺的保持部的多孔陶瓷的多個氣孔的開口面積設(shè) 定為Imm2以下，形成于所述保護帶的所述另一個面的多個凹凸中的凸部的截面面積設(shè)定為Imm2以下。此外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種保護帶，當將在表面形成有器件的晶片的表面?zhèn)缺３?于磨削裝置的卡盤工作臺的保持部來磨削晶片的背面時，為了保護晶片的表面，將所述保 護帶的一個面粘貼于晶片的表面，其中，所述磨削裝置的卡盤工作臺具備由具有多個氣孔 的多孔陶瓷形成的所述保持部，所述保護帶的特征在于，所述保護帶的另一個面形成為具 有多個凹凸的粗糙面，所述多個凹凸能夠嵌入到構(gòu)成卡盤工作臺的保持部的多孔陶瓷的多 個氣孔中。關(guān)于所述多個凹凸，表面粗糙度的最大高度設(shè)定為5μπι以上。此外，所述多個凹 凸中的凸部的截面面積設(shè)定為Imm2以下。在本發(fā)明所述的晶片磨削方法中，粘貼于晶片表面的保護帶的另一個面形成為具 有多個凹凸的粗糙面，所述多個凹凸能夠嵌入到構(gòu)成卡盤工作臺的保持部的多孔陶瓷的多 個氣孔中，在晶片保持工序中，使多個凹凸嵌入到構(gòu)成卡盤工作臺的保持部的多孔陶瓷的 多個氣孔中，因此，增大了相對于保持部的摩擦力，抑制了橫向偏移。因此，能夠防止由于保 護帶的橫向偏移而引起的晶片的破裂。


圖1是用于實施本發(fā)明所述的晶片磨削方法的磨削裝置的立體圖。圖2是作為利用本發(fā)明所述的晶片磨削方法來進行磨削的晶片的光器件晶片的 立體圖。圖3是本發(fā)明所述的晶片磨削方法中的保護帶粘貼工序的說明圖。圖4是表示在本發(fā)明所述的晶片磨削方法中使用的保護帶用片材的表面粗糙度 和對保護帶用片材實施噴砂處理后的表面粗糙度的測量結(jié)果的曲線圖。圖5是本發(fā)明所述的晶片磨削方法中的晶片保持工序的說明圖。圖6是本發(fā)明所述的晶片磨削方法中的磨削工序的說明圖。圖7是表示本發(fā)明所述的晶片磨削方法中的保護帶粘貼工序的其它實施方式的 說明圖。圖8是表示本發(fā)明所述的晶片磨削方法中的磨削工序的其它實施方式的說明圖。標號說明2 裝置殼體；3 磨削單元；31 移動基座；32 主軸單元；321 主軸殼體；322 旋 轉(zhuǎn)主軸；323 伺服馬達；324 支座；4 磨輪；41 環(huán)狀的支承基座；42 磨削磨具；5 磨削單 元進給機構(gòu)；6 卡盤工作臺機構(gòu)；61 卡盤工作臺；10 光器件晶片；100 藍寶石基板；11 保護帶。
具體實施例方式下面，參照附圖，對本發(fā)明所述的晶片磨削方法和保護帶的優(yōu)選實施方式進行詳 細說明。圖1表示用于實施本發(fā)明所述的磨削方法的磨削裝置的立體圖。圖1所示的磨削裝置具備整體以標號2示出的裝置殼體。該裝置殼體2具有細 長地延伸的長方體形狀的主體部21 ；以及設(shè)置于該主體部21的后端部(圖1中為右上端)
4且實質(zhì)上鉛直地向上方延伸的直立壁22。在直立壁22的前表面，設(shè)置有沿上下方向延伸的 一對導軌221、221。在這一對導軌221、221裝配有作為磨削構(gòu)件的磨削單元3，該磨削單元 3被裝配成能夠在上下方向移動。磨削單元3具備移動基座31和裝配于該移動基座31的主軸單元32。移動基座 31在后表面兩側(cè)設(shè)置有沿上下方向延伸的一對腳部311、311，在這一對腳部311、311形成 有被引導槽312、312，上述一對導軌221、221以能夠滑動的方式與上述被引導槽312、312卡 合。在以能夠滑動的方式裝配在這樣設(shè)置于直立壁22的一對導軌221、221的移動基座31 的前表面，設(shè)置有向前方凸出的支承部313。在該支承部313安裝有主軸單元32。主軸單元32具備裝配于支承部313的主軸殼體321 ；以旋轉(zhuǎn)自如的方式配設(shè)于 該主軸殼體321的旋轉(zhuǎn)主軸322 ；以及作為用于驅(qū)動該旋轉(zhuǎn)主軸322旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動構(gòu)件的伺 服馬達323。旋轉(zhuǎn)主軸322的下端部超過主軸殼體321的下端地向下方凸出，在該旋轉(zhuǎn)主軸 322的下端設(shè)置有圓板形狀的支座324。另外，在支座324，沿周向隔開間隔地形成有多個 螺栓貫穿插入孔(未圖示)。在該支座324的下表面以能夠裝卸的方式裝配有磨輪4。該 磨輪4具有環(huán)狀的支承基座41 ；以及在同一圓周上呈環(huán)狀地配設(shè)于該環(huán)狀的支承基座41 的下表面的多個磨削磨具42，支承基座41通過緊固螺栓325而裝配于上述支座324的下表 面。在這樣構(gòu)成的主軸單元32中，當驅(qū)動伺服馬達323時，磨輪4經(jīng)旋轉(zhuǎn)主軸322和支座 324而旋轉(zhuǎn)。圖示的實施方式中的磨削裝置具有磨削單元進給機構(gòu)5，該磨削單元進給機構(gòu)5 使上述磨削單元3沿上述一對導軌221、221在上下方向(與后述卡盤工作臺的保持面垂直 的方向)移動。該磨削單元進給機構(gòu)5具備外螺紋桿51，該外螺紋桿51配設(shè)于直立壁22 的前側(cè)、且實質(zhì)上鉛直地延伸。該外螺紋桿51的上端部和下端部通過安裝于直立壁22的 軸支承部件52和53而被支承成能夠自如旋轉(zhuǎn)。在上側(cè)的軸支承部件52配設(shè)有作為用于 驅(qū)動外螺紋桿51旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動源的脈沖馬達54，該脈沖馬達54的輸出軸與外螺紋桿51傳 動連接。在移動基座31的后表面還形成有從其寬度方向中央部向后方凸出的連接部(未 圖示)，在該連接部形成有沿鉛直方向延伸的內(nèi)螺紋貫通孔，上述外螺紋桿51與該內(nèi)螺紋 孔螺合。因此，當脈沖馬達54正轉(zhuǎn)時，移動基座31即磨削單元3下降即前進(進行磨削進 給)，當脈沖馬達54反轉(zhuǎn)時，移動基座31即磨削單元3上升即后退。圖示的磨削裝置中，在殼體2的主體部21配設(shè)有卡盤工作臺機構(gòu)6?？ūP工作臺機 構(gòu)6具備卡盤工作臺61 ；將該卡盤工作臺61的周圍覆蓋起來的罩部件62 ；以及配設(shè)在該 罩部件62的前側(cè)和后側(cè)的波紋構(gòu)件63和64?？ūP工作臺61由卡盤工作臺主體611和保 持部612構(gòu)成，該保持部612配設(shè)于該卡盤工作臺主體611的上表面，并且在該保持部612 的上表面具有用于保持被加工物的保持面。構(gòu)成該卡盤工作臺61的保持部612由具有多 個氣孔的多孔陶瓷形成，并與未圖示的抽吸構(gòu)件連通。另外，由多孔陶瓷形成的保持部612 優(yōu)選將多個氣孔的開口面積設(shè)定為Imm2以下。即，當形成于保持部612的多個氣孔的開口 面積超過Imm2時，在后述的磨削工序中氣孔會轉(zhuǎn)印于晶片的被磨削面。因此，關(guān)于形成于 保持部612的多個氣孔的直徑，優(yōu)選設(shè)定成使開口面積在Imm2以下。此外，在圖示的實施 方式中的構(gòu)成卡盤工作臺61的卡盤工作臺主體611的外周，沿徑向凸出地配設(shè)有用于保持 后述環(huán)狀框架的四個磁鐵613。這樣構(gòu)成的卡盤工作臺61通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動構(gòu)件而旋 轉(zhuǎn)。此外，卡盤工作臺61通過未圖示的卡盤工作臺移動構(gòu)件而在圖1所示的被加工物載置區(qū)域24和研磨區(qū)域25之間移動，研磨區(qū)域25與構(gòu)成上述主軸單元32的磨輪4對置。波 紋構(gòu)件63和64可以由如帆布那樣的適當材料形成。波紋構(gòu)件63的前端固定于主體部21 的前表面壁，波紋構(gòu)件63的后端固定于罩部件62的前端面。波紋構(gòu)件64的前端固定于罩 部件62的后端面，后端固定于裝置殼體2的直立壁22的前表面。在使卡盤工作臺61沿箭 頭23a所示的方向移動時，波紋構(gòu)件63伸展而波紋構(gòu)件64收縮，在使卡盤工作臺61沿箭 頭23b所示的方向移動時，波紋構(gòu)件63收縮而波紋構(gòu)件64伸展。對使用如上所述地構(gòu)成的磨削裝置來磨削晶片的背面的磨削方法進行說明。圖2表示利用本發(fā)明所述的晶片磨削方法來進行磨削的光器件晶片的立體圖。圖 2所示的光器件晶片10中，例如在厚度為600 μ m的藍寶石基板100的表面IOOa通過呈格 子狀地形成的間隔道101劃分出多個區(qū)域，在該劃分出的區(qū)域中層疊由氮化鎵類化合物半 導體等構(gòu)成的外延層，從而形成了光器件102。關(guān)于圖2所示的光器件晶片10，在磨削藍寶石基板100的背面IOOb以形成為預(yù) 定厚度(例如，50μπι)時，如圖3的(a)和(b)所示，為了保護形成于藍寶石基板100的表 面IOOa的光器件102，利用粘接劑將保護帶11的一個面Ila粘貼于藍寶石基板100的表面 IOOa (保護帶粘貼工序)。該保護帶11由厚度為0. 5mm的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、丙 烯酸酯、聚甲基丙烯甲酯等硬質(zhì)的合成樹脂片材形成。另外，保護帶11的另一個面lib形 成為具有多個凹凸的粗糙面，所述多個凹凸嵌入到構(gòu)成上述卡盤工作臺61的保持部612的 多孔陶瓷的多個氣孔中。作為在保護帶11的另一個面lib形成具有多個凹凸的粗糙面的 方法，可以使用噴砂處理或電暈放電處理。圖4的(a)是表示聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)片材的表面粗糙度的測量結(jié)果的 曲線圖，橫軸表示片材的表面方向，縱軸表示表面粗糙度。根據(jù)圖4的(a)可知在聚對苯 二甲酸乙二醇酯(PET)的表面粗糙度中，算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.016 μ m，最大高度(Ry) 為0. 14 μ m0這樣，若是最大高度為0. 14μπι的凹凸，則難以限制該凹凸嵌入到由多孔陶瓷 形成的保持部612的多個氣孔中進行磨削時產(chǎn)生的橫向偏移。圖4的(b)是表示對上述聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)片材實施噴砂處理后的表 面粗糙度的測量結(jié)果的曲線圖，橫軸表示片材的表面方向，縱軸表示表面粗糙度。根據(jù)圖4 的(b)可知在進行了噴砂處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的表面粗糙度中，算術(shù)平均 粗糙度(Ra)為0. 909 μ m,最大高度(Ry)為5. 668 μ m。這樣，若是最大高度為5 μ m以上的 凹凸，則能夠限制該凹凸嵌入到由多孔陶瓷形成的保持部612的多個氣孔中進行磨削時產(chǎn) 生的橫向偏移。另外，為了嵌入到構(gòu)成上述卡盤工作臺61的保持部612的多孔陶瓷的多個 氣孔中，上述多個凹凸中的凸部的截面面積設(shè)定為Imm2以下。在實施了上述保護帶粘貼工序后，將光器件晶片10的保護帶11側(cè)載置到圖1所 示的磨削裝置中的位于被加工物載置區(qū)域24的卡盤工作臺61上。即，如圖5所示，將保 護帶11的另一個面lib(形成為具有多個凹凸的粗糙面)載置到卡盤工作臺61的保持部 612上，其中，所述保護帶11的一個面粘貼于構(gòu)成光器件晶片10的藍寶石基板100的表面 100a。然后，通過使未圖示的抽吸構(gòu)件工作，來將光器件晶片10經(jīng)保護帶11吸附保持在由 多孔陶瓷形成的保持部612上(晶片保持工序)。因此，保持在卡盤工作臺61的保持部612 上的光器件晶片10中，藍寶石基板100的背面IOOb成為上側(cè)。當這樣將一個面粘貼于藍寶 石基板100的表面IOOa的保護帶11吸附保持到卡盤工作臺61的由多孔陶瓷形成的保持
6部612上時，由于保護帶11的另一個面lib形成為具有多個凹凸的粗糙面，所述多個凹凸 能夠嵌入到形成保持部612的多孔陶瓷的多個氣孔中，所以通過使多個凹凸嵌入到多孔陶 瓷的多個氣孔中，增大了相對于保持部的摩擦力，因此在后述磨削工序中抑制了橫向偏移。在如上所述實施了晶片保持工序后，使未圖示的卡盤工作臺移動構(gòu)件工作，使卡 盤工作臺機構(gòu)6沿圖1中箭頭23a所示的方向移動，從而將保持在卡盤工作臺61上的光器 件晶片10定位于磨輪4的下方的磨削區(qū)域25。另外，在該狀態(tài)下保持于卡盤工作臺61上 的光器件晶片10如圖6所示地被定位于磨削位置，在該磨削位置，構(gòu)成磨輪4的磨削磨具 42通過所述光器件晶片10的中心(P)。這樣，在將保持于卡盤工作臺61上的光器件晶片 10定位于磨削位置后，使卡盤工作臺61向圖6中箭頭61a所示的方向以例如500rpm的旋 轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，并且一邊使磨輪4向箭頭4a所示的方向以例如IOOOrpm的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，一 邊使磨削磨具42的作為下表面的磨削面與作為被加工面的構(gòu)成光器件晶片10的藍寶石基 板100的背面IOOb接觸，使磨輪4如箭頭4b所示地向下方以例如0. 1 μ m/秒的磨削進給 速度進行預(yù)定量的磨削進給(磨削工序)。其結(jié)果為，光器件晶片10形成為器件的完成厚 度(例如，50 μ m)。在上述磨削工序中，保護帶11的一個面粘貼于構(gòu)成如上所述地保持在卡盤工作 臺61上的光器件晶片10的藍寶石基板100的表面100a，在所述保護帶11的另一個面lib 形成有多個凹凸，所述多個凹凸嵌入到卡盤工作臺61的由多孔陶瓷形成的保持部612的多 個氣孔中，從而增大了相對于保持部的摩擦力，因此抑制了橫向偏移。因此，能夠防止由于 保護帶的橫向偏移而引起的光器件晶片10的破裂。此外，在圖示的實施方式中，由于保護 帶11由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、丙烯酸酯、聚甲基丙烯甲酯等硬質(zhì)的合成樹脂片材 形成，所以水平方向(橫向)的變形極少，因此能夠防止光器件晶片10的因橫向偏移而引 起的破裂的產(chǎn)生。如上所述地實施磨削工序而形成為預(yù)定厚度的光器件晶片10在保護帶11粘貼于 藍寶石基板100的表面IOOa的狀態(tài)下被搬送至下一工序、即例如沿光器件晶片10的間隔 道101實施激光加工的激光加工工序。接下來，參照圖7和圖8，對本發(fā)明所述的晶片磨削方法中的其它實施方式進行說明。在該實施方式中，如圖7的(a)所示，將保護帶11裝配于由不銹鋼等金屬材料形 成的環(huán)狀框架F。然后，如圖7的(b)所示，利用粘接劑將構(gòu)成光器件晶片10的藍寶石基板 100的表面IOOa粘貼在裝配于環(huán)狀框架F的保護帶11的一個面lla(上表面)(保護帶粘 貼工序)。另外，裝配于環(huán)狀框架F的保護帶11與上述圖3所示的保護帶11 一樣，由聚對 苯二甲酸乙二醇酯(PET)、丙烯酸酯、聚甲基丙烯甲酯等硬質(zhì)的合成樹脂片材形成。并且，保 護帶11的另一個面lib(下表面)形成為具有多個凹凸的粗糙面，所述多個凹凸嵌入到構(gòu) 成上述卡盤工作臺61的保持部612的多孔陶瓷的多個氣孔中。關(guān)于實施了上述保護帶粘貼工序的光器件晶片10，如圖8所示地將保護帶11側(cè)載 置到卡盤工作臺61上。此時，裝配有保護帶11的環(huán)狀框架F載置在四個磁鐵613上，并且 被四個磁鐵613的磁力所吸附保持，所述四個磁鐵613配設(shè)在構(gòu)成卡盤工作臺61的卡盤工 作臺主體611的外周。然后，通過使未圖示的抽吸構(gòu)件工作，來將光器件晶片10經(jīng)保護帶 11吸附保持在由多孔陶瓷形成的保持部612上(晶片保持工序)。當這樣將一個面粘貼于藍寶石基板100的表面100a( —個面)的保護帶11吸附保持到卡盤工作臺61的由多孔陶 瓷形成的保持部612上時，由于保護帶11的另一個面lib形成為具有多個凹凸的粗糙面， 所述多個凹凸能夠嵌入到形成保持部612的多孔陶瓷的多個氣孔中，所以通過使多個凹凸 嵌入到多孔陶瓷的多個氣孔中，增大了相對于保持部的摩擦力，因此抑制了橫向偏移。接著，如圖8所示，將保持在卡盤工作臺61上的光器件晶片10定位于磨輪4的下 方的磨削區(qū)域，使卡盤工作臺61向箭頭61a所示的方向以例如500rpm的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，并 且一邊使磨輪4向箭頭4a所示的方向以例如IOOOrpm的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，一邊使磨削磨具 42的作為下表面的磨削面與作為被加工面的構(gòu)成光器件晶片10的藍寶石基板100的背面 IOOb接觸，使磨輪4如箭頭4b所示地向下方以例如0. 1 μ m/秒的磨削進給速度進行預(yù)定量 的磨削進給(磨削工序)。其結(jié)果為，光器件晶片10形成為器件的完成厚度(例如，50 μ m)。這樣，實施磨削工序而形成為預(yù)定厚度的光器件晶片10在粘貼于裝配在環(huán)狀框 架F的保護帶11的狀態(tài)下被搬送至下一工序、即例如沿光器件晶片10的間隔道101從背 面?zhèn)葘嵤┘す饧庸さ募す饧庸すば颉?br> 權(quán)利要求
一種晶片磨削方法，該晶片磨削方法是對在表面形成有器件的晶片的背面進行磨削以形成為預(yù)定的厚度的晶片磨削方法，其特征在于，所述晶片磨削方法包括以下工序保護帶粘貼工序，在該保護帶粘貼工序中，將保護帶的一個面粘貼于晶片的表面；晶片保持工序，在該晶片保持工序中，將粘貼于所述晶片的表面的保護帶的另一個面吸附保持于磨削裝置的卡盤工作臺的保持面；以及磨削工序，在該磨削工序中，使旋轉(zhuǎn)的磨削磨具的磨削面作用在吸附保持于所述卡盤工作臺的保持面的晶片的背面，從而磨削晶片的背面，所述卡盤工作臺的具有保持面的保持部由具有多個氣孔的多孔陶瓷形成，粘貼于晶片表面的所述保護帶的所述另一個面形成為具有多個凹凸的粗糙面，所述多個凹凸能夠嵌入到構(gòu)成所述卡盤工作臺的保持部的多孔陶瓷的多個氣孔中，在所述晶片保持工序中，使多個凹凸嵌入到構(gòu)成所述卡盤工作臺的保持部的多孔陶瓷的多個氣孔中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片磨削方法，其中，關(guān)于形成于所述保護帶的所述另一個面的多個凹凸，表面粗糙度的最大高度設(shè)定為 5 μ m以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶片磨削方法，其中，構(gòu)成所述卡盤工作臺的保持部的多孔陶瓷的多個氣孔的開口面積設(shè)定為Imm2以下，形 成于所述保護帶的所述另一個面的多個凹凸中的凸部的截面面積設(shè)定為Imm2以下。
4.一種保護帶，當將在表面形成有器件的晶片的表面?zhèn)缺３钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺 的保持部來磨削晶片的背面時，為了保護晶片的表面，將所述保護帶的一個面粘貼于晶片 的表面，其中，所述磨削裝置的卡盤工作臺具備由具有多個氣孔的多孔陶瓷形成的所述保 持部，所述保護帶的特征在于，所述保護帶的另一個面形成為具有多個凹凸的粗糙面，所述多個凹凸能夠嵌入到構(gòu)成 卡盤工作臺的保持部的多孔陶瓷的多個氣孔中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的保護帶，其中，關(guān)于所述多個凹凸，表面粗糙度的最大高度設(shè)定為5μπι以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的保護帶，其中，所述多個凹凸中的凸部的截面面積設(shè)定為Imm2以下。
全文摘要
本發(fā)明提供晶片磨削方法和保護帶，即使磨削硬脆性基板的背面使該基板很薄，該基板也不會產(chǎn)生破裂。晶片磨削方法是對在表面形成有器件的晶片的背面進行磨削以形成為預(yù)定厚度的晶片磨削方法，其包括保護帶粘貼工序，將保護帶粘貼于晶片表面；晶片保持工序，將保護帶的另一個面吸附保持于卡盤工作臺的保持面；以及磨削工序，使旋轉(zhuǎn)的磨削磨具的磨削面作用在吸附保持于所述保持面的晶片的背面，從而磨削晶片背面，具有保持面的保持部由具有多個氣孔的多孔陶瓷形成，保護帶的另一個面形成為具有多個凹凸的粗糙面，所述多個凹凸能夠嵌入到構(gòu)成保持部的多孔陶瓷的多個氣孔中，在晶片保持工序中，多個凹凸嵌入到構(gòu)成保持部的多孔陶瓷的多個氣孔中。
文檔編號H01L21/68GK101964306SQ20101023605
公開日2011年2月2日 申請日期2010年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月23日
發(fā)明者山口崇 申請人:株式會社迪思科