專利名稱：一種降低多晶制絨反射率的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種降低多晶制絨反射率的方法。
背景技術：
太陽能電池發(fā)展的重心已經(jīng)從單晶向多晶方向發(fā)展，提高太陽能轉換效率是太陽 能電池制造領域所要考慮的重要問題，一般采用降低太陽能電池片表面的反射率來提高光 電轉換效率，對于單晶硅，可應用各向異性化學腐蝕的方法在表面形成金字塔狀的絨面結 構，降低表面的反射率，但是對于多晶硅，由于其晶向偏離，一般無法用常規(guī)的方法形成金 字塔狀的絨面，常規(guī)的多晶硅太陽能電池主要采用酸制絨的方式形成酸制絨絨面，但這種 酸制絨絨面的反射率較高，一般在20% 25%，大大地影響了太陽能電池的轉換效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種降低多晶制絨反射 率的方法，用其方法制作的多晶片表面的反射率較低，用其多晶片制作的太陽能電池的轉 換效率較高。 本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是一種降低多晶制絨反射率的方法， 用于降低多晶片表面制絨后的反射率，具有以下步驟 A、酸制絨采用由多晶硅制成的多晶片，將多晶片進行酸制絨處理，使多晶片單面 腐蝕深度為3 5微米，多晶片表面形成酸制絨絨面； B、堿制絨將已進行酸制絨處理的多晶片放入O. 1% 10X的K0H溶液或Na0H溶 液中處理10 30分鐘，溶液溫度為70 100度，多晶片〈100〉面形成金字塔形的金字塔 絨面。 本發(fā)明的有益效果是采用本發(fā)明的方法可以使多晶片表面同時得到金字塔絨面 和酸制絨絨面，金字塔絨面的反射率遠低于酸制絨絨面的反射率，所以采用本發(fā)明的方法 制成的多晶片表面的反射率較低，用其多晶片制作的太陽能電池的轉換效率較高。
具體實施例方式
—種降低多晶制絨反射率的方法，用于降低多晶片表面制絨后的反射率，具有以 下步驟 A、酸制絨采用由多晶硅制成的多晶片，將多晶片進行酸制絨處理，使多晶片單面 腐蝕深度為3 5微米，多晶片表面形成酸制絨絨面，酸制絨絨面的反射率在20% 25%;
B、堿制絨將已進行酸制絨處理的多晶片放入O. 1% 10X的K0H溶液或Na0H溶 液中處理10 30分鐘，溶液溫度為70 100度，多晶片〈100〉面形成金字塔形的金字塔 絨面。 金字塔絨面的反射率遠低于酸制絨絨面的反射率，這樣就可以降低多晶片的整體 反射率。
權利要求
一種降低多晶制絨反射率的方法，用于降低多晶片表面制絨后的反射率，其特征在于具有以下步驟A、酸制絨采用由多晶硅制成的多晶片，將多晶片進行酸制絨處理，使多晶片單面腐蝕深度為3～5微米，多晶片表面形成酸制絨絨面；B、堿制絨將已進行酸制絨處理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中處理10～30分鐘，溶液溫度為70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔絨面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種降低多晶制絨反射率的方法，用于降低多晶片表面制絨后的反射率，具有以下步驟A、酸制絨采用由多晶硅制成的多晶片，將多晶片進行酸制絨處理，使多晶片單面腐蝕深度為3～5微米，多晶片表面形成酸制絨絨面；B、堿制絨將已進行酸制絨處理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中處理10～30分鐘，溶液溫度為70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔絨面。采用本發(fā)明的方法制成的多晶片表面的反射率較低，用其多晶片制作的太陽能電池的轉換效率較高。
文檔編號H01L31/18GK101794843SQ201010129489
公開日2010年8月4日 申請日期2010年3月15日 優(yōu)先權日2010年3月15日
發(fā)明者張軍 申請人:常州天合光能有限公司