專利名稱：磷光銥絡(luò)合物的制作方法
磷光銥絡(luò)合物
背景技術(shù)：
本發(fā)明通常涉及磷光銥絡(luò)合物、在主鏈中結(jié)合所述絡(luò)合物或結(jié)合所述絡(luò)合物作為端基的聚合物和含有所述絡(luò)合物和聚合物的光電器件。預(yù)期利用在經(jīng)受偏壓時(shí)發(fā)光的薄膜材料的有機(jī)發(fā)光器件(OLEDs)將成為平板照明和顯示技術(shù)的日益受歡迎的形式。這是因?yàn)镺LEDs具有廣泛的潛在應(yīng)用，包括蜂窩電話、 個(gè)人數(shù)字助理(PDAs)、計(jì)算機(jī)顯示器、車載信息顯示器、電視監(jiān)視器以及用于一般照明的光源。由于其顏色明亮、視角寬、與全動視頻相容、溫度范圍廣、形狀因子薄且適合、動力需求低且具有用于低成本制造工藝的潛能，所以O(shè)LEDs被看作是陰極射線管(CRTs)和液晶顯示器(LCDs)的未來替代技術(shù)。由于其發(fā)光效率高，因此對于某些類型的應(yīng)用來說，OLEDs被看作具有替代白熾燈和或許甚至熒光燈的潛能。來自O(shè)LEDs的光發(fā)射通常通過電致發(fā)光發(fā)生，即從通過對基態(tài)電致發(fā)光材料兩端施加偏壓形成的單線激態(tài)發(fā)射光。認(rèn)為能夠通過其他機(jī)制(電致磷光，即從通過對基態(tài)電致發(fā)光材料兩端施加偏壓形成的三重激態(tài)發(fā)射光)產(chǎn)生光的OLEDs將顯示出比主要通過電致發(fā)光產(chǎn)生光的OLEDs明顯更高的量子效率。通過電致磷光從OLEDs發(fā)射光受到限制，因?yàn)榇蠖鄶?shù)發(fā)光有機(jī)材料中的三重激態(tài)強(qiáng)烈傾向于非輻射馳豫到基態(tài)。因此，電致磷光材料有希望作為相對于技術(shù)現(xiàn)狀顯示出更大效率的OLED器件及其它光電器件的關(guān)鍵組分。例如，能夠通過電致磷光產(chǎn)生光的OLEDs預(yù)期顯示出器件內(nèi)無輻射衰變過程的能量損失量降低(相對于主要通過電致發(fā)光產(chǎn)生光的OLEDs來說)，由此在OLED的操作期間提供額外的溫度控制措施。改善的發(fā)光效率已經(jīng)通過在諸如OLED的有機(jī)電致發(fā)光器件中結(jié)合含磷光鉬的染料來實(shí)現(xiàn)(參見 Baldo 等，"Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices (來自有機(jī)電致發(fā)光器件的高效磷光發(fā)射)”，Nature, 395 卷，151-1 ，1998)且也已經(jīng)使用了磷光含銥的染料(例如參見Lecloux等美國專利申請 20030096138，2003年5月22日)。盡管有早先的研發(fā)，但當(dāng)前尋找不僅增加效率而且提供控制OLED產(chǎn)生的光的顏色的更好措施的新型發(fā)磷光材料相當(dāng)重要。例如，將非常希望提供使有機(jī)電致發(fā)光器件能夠具有改善的總效率、而同時(shí)允許光輸出根據(jù)應(yīng)用的性質(zhì)而紅移或藍(lán)移的新型發(fā)磷光材料。發(fā)明簡述簡短地講，一方面，本發(fā)明涉及式I金屬絡(luò)合物，衍生自所述絡(luò)合物的聚合物和含有衍生自所述絡(luò)合物的聚合物的光電器件，
權(quán)利要求
1.光電器件，其具有包含式I金屬絡(luò)合物的至少一個(gè)層，
2.權(quán)利要求1的光電器件，其中所述環(huán)金屬化配體為苯基吡啶或二氟苯基吡啶。
3.權(quán)利要求1的光電器件，其中M為Ir。
4.權(quán)利要求1的光電器件，其中R2為氫。
5.權(quán)利要求1的光電器件，其中R1為被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基烷基。
6.權(quán)利要求5的光電器件，其中所述被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基烷基的至少一個(gè)取代基為可聚合的基團(tuán)。
7.權(quán)利要求6的光電器件，其中所述可聚合的基團(tuán)為鹵素、羥基、乙烯基、烯丙基、乙烯氧基、烯丙氧基、(甲基)丙烯酸酯、烷基甲硅烷氧基或其組合。
8.權(quán)利要求1的光電器件，其中R1選自
9.權(quán)利要求1的光電器件，其中所述金屬絡(luò)合物為
10.權(quán)利要求6的光電器件，其中所述至少一個(gè)層包含具有衍生自式I金屬絡(luò)合物的結(jié)構(gòu)或末端單元的聚合物。
11.權(quán)利要求10的光電器件，其中所述聚合物另外包含衍生自芴或被取代的芴的結(jié)構(gòu)單元。
12.光電器件，其具有包含具有衍生自至少一種式IA金屬絡(luò)合物的側(cè)基或端基的聚合物的至少一個(gè)層，
13.權(quán)利要求12的光電器件，其中所述被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基烷基的至少一個(gè)取代基為鹵素、羥基、烷氧基甲硅烷基、乙烯基或(甲基)丙烯酸酯。
14.式I的金屬絡(luò)合物，
15.權(quán)利要求14的金屬絡(luò)合物，其中M為Ir。
16.權(quán)利要求14的金屬絡(luò)合物，其中所述被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基烷基的至少一個(gè)取代基為可聚合的基團(tuán)。
17.權(quán)利要求15的金屬絡(luò)合物，其中所述可聚合的基團(tuán)為鹵素、羥基、乙烯基、烯丙基、 乙烯氧基、烯丙氧基、(甲基)丙烯酸酯、烷基甲硅烷氧基或其組合。
18.權(quán)利要求14的金屬絡(luò)合物，其中R1選自
19.權(quán)利要求14的金屬絡(luò)合物，其中所述環(huán)金屬化配體為苯基吡啶或二氟苯基吡啶,
20.權(quán)利要求14的金屬絡(luò)合物，其中所述金屬絡(luò)合物選自
21.具有衍生自式IA金屬絡(luò)合物的結(jié)構(gòu)或末端單元的聚合物，
22.權(quán)利要求21的聚合物，其另外包含衍生自芴或被取代的芴的結(jié)構(gòu)單元。
23.權(quán)利要求21的聚合物，其中所述被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基燒基的至少一個(gè)取代基為鹵素、羥基、烷氧基甲硅烷基、乙烯基或(甲基)丙烯酸酯。
全文摘要
式I和IA的金屬絡(luò)合物和衍生自所述絡(luò)合物的聚合物可用于光電器件(參見I和IA)，其中M為Ir、Co或Rh；XX為環(huán)金屬化配體(參見XX)；R1為氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、芳基烷基或被取代的芳基烷基；R2為氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、芳基烷基或被取代的芳基烷基；且R1和R2中的至少一者不為氫；R1a為氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、芳基烷基或被取代的芳基烷基；R2a為氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、芳基烷基或被取代的芳基烷基；且R1a和R2a中的至少一者為被取代的烷基、被取代的芳基、被取代的芳基烷基，且所述被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基烷基中的至少一個(gè)取代基為可聚合的基團(tuán)。
文檔編號H01L51/00GK102203109SQ200980143774
公開日2011年9月28日 申請日期2009年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月29日
發(fā)明者D·W·小懷森亨特, K·E·里茨, K·S·奇查克 申請人:通用電氣公司