專利名稱：傳導發(fā)射保護的制作方法
技術領域：
本申請涉及用于電子器件的多層基板，更具體地說涉及形成用于電子器件的低傳導發(fā)身寸(conductive emission)基板。
背景技術：
電子部件，例如開關，可以形成在裸片(die)上，然后其可以被裝載(received)在基板上，以便包括在更大的電子電路中。例如，圖1示意性地示出用于電氣部件12(例如裸片)的第一現有技術多層基板10。該基板包括形成在接地結構18上的單個導電層14和單個絕緣層16 (或“介電層”)。導電層14形成在絕緣層16上，并且裝載電氣部件12。有效寄生電容20通過絕緣層16存在于導電層14和接地結構18之間，并且引起不期望的電磁傳導發(fā)射、或有效寄生電容20到接地結構18。而且，絕緣層16的不期望的厚度防止了基板 10有效地促進熱從電氣部件12傳遞到接地結構18。圖2示意性地示出第二現有技術基板40，該基板包括被多個導電層44a_d分開的多個絕緣層42a-e。第一絕緣層42a具有381微米(15密耳)的厚度，其也是不期望地厚。 然而，該基板40仍展示出上面討論的不期望的電磁傳導發(fā)射問題。

發(fā)明內容
一種實例低傳導發(fā)射基板包括多個薄的高介電強度絕緣層，所述多個薄的高介電強度絕緣層被相應多個導電層分開，其中所述多個導電層之一被短接到所述多個導電層中的另一個。一種制造低傳導發(fā)射基板的實例方法包括形成第一絕緣層、在第一絕緣層上形成第一導電層、在第一導電層上形成第二絕緣層、以及在第二絕緣層上形成第二導電層。該方法還包括將第一導電層電耦合到第二導電層。從下面的說明書和附圖可以最好地理解本發(fā)明的這些和其它特征，下面是附圖的簡要說明。


圖1示意性地示出用于電氣部件的第一現有技術多層基板。圖2示意性地示出用于電氣部件的第二現有技術多層基板。圖3示意性地示出用于電氣部件的第二多層基板。
具體實施例方式如上所述，圖1示意性地示出用于電氣部件12的第一現有技術多層基板10，其展示出有效寄生電容20和從電氣部件12到接地結構18的不良熱傳遞。應當理解，寄生電容 20有效地起電容器的作用，但是不對應于實際電容器。圖2中所示的基板40還展示出該不期望的寄生電容。
圖3示意性地示出第二多層基板22，其用于容納有效寄生電容20并且用于將來自電氣部件12的熱傳導到接地結構18?；?2包括多個薄的高介電強度絕緣層16a、16b， 該多個薄的高介電強度絕緣層16a、16b被相應多個導電層Ha、14b分開。術語“高介電強度”指的是大于每密耳500伏(每微米19. 68伏)的介電強度。在一個實例中，“高介電強度” 指的是至少約每密耳15，876伏(每微米6. 25伏)的介電強度。如圖3所示，基板22包括接地結構18、形成在接地結構18上的第一絕緣層16a、和形成在第一絕緣層16a上的第一導電層14a。接地結構18可以包括用于接地連接的任何結構，例如接地板。如上所述，有效寄生電容20通過第一絕緣層16a存在于第一導電層1 和接地結構18之間。為了處理有效寄生電容20，第二絕緣層16b形成在第一導電層1 上，并且第二導電層14b形成在第二絕緣層16b上。導電層14a、14b通過連接對被電耦合以在第二導電層14b和第一導電層1 之間通過第二絕緣層16b形成第二有效寄生電容沈。第二寄生電容26使有效寄生電容20的影響無效，并且通過減少到接地結構18的電磁發(fā)射來提供傳導發(fā)射保護作用。在一個實例中，基板22用于將傳導發(fā)射減小到比由基板10展示出的水平小1，000倍的水平?；?2因此可以被描述為低傳導發(fā)射基板。電氣部件12被裝載在第二導電層14b上。在一個實例中，電氣部件12對應于 MOSFET、JFET或BJT開關，其可以形成在裸片上。層14a、16a因它們在電氣部件12和接地結構18之間提供的絕緣效應而提供“法拉第屏蔽”。絕緣層16a、16b可以使用脈沖激光沉積技術形成，其中激光被脈沖地產生以形成絕緣材料薄層，或者可以使用電子束沉積工藝(其中使用電子束而不是激光束)形成。在一個實例中，絕緣層16a、16b具有明顯小于381微米(15密耳)的厚度。在一個實例中，絕緣層16a、16b具有1微米(.04密耳)的厚度。在一個實例中，絕緣層16a、16b具有在0. 05 -5. 00微米(0. 0019 - 0. 196密耳)之間的厚度。一些用于絕緣層16a、16b的實例沉積材料包括碳化硅(“SiC”)、氮化硅(“Si3N4”)、二氧化硅(“Si02”)、氮化鋁(“A1N”)、氧化鋁或鋁土(“A1203”)、和二氧化鉿或二氧化鉿(“Hf02”)。能夠形成層16a、16b的一種激光器是通過藍波半導體(BlueWave Semiconductor)制造的。減小層16a、16b的厚度可以改善基板22 的導熱性以將來自電氣部件12的熱有效地傳導到接地結構18。導電層14a、14b還可以使用脈沖激光沉積技術、電子束沉積技術或化學汽相工藝來形成。一些用于導電層14a、14b的實例沉積材料包括銅、鋁、鎳和金。薄導電層Ha、14b 的形成還可以有助于改善電氣部件12和接地板18之間的導熱性。上面提到的激光沉積技術導致產生以柱狀形式沉積的材料層。下面示出的等式1可以用于計算電容。
C · ρ 9 Λ
οε# π - aC=—-——等式 1
d
其中A是導電層的表面積； d是導電層之間的距離；
4是給定材料的介電常數；和場是空氣的標準介電常數。
5
如等式1中所示，減小導電層14a、14b之間的距離可能會不期望地增加多層基板 22的有效寄生電容20。然而，通過借助連接M電耦合導電層14a、14b，可以降低有效寄生電容20。盡管已經公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但是本領域技術人員將認識到，某些修改型式將會在權利要求書的范圍內。為此，應當研究下面的權利要求書來確定它們真正的范圍和內容。
權利要求
1.一種低傳導發(fā)射基板，包括多個薄的高介電強度絕緣層，所述多個薄的高介電強度絕緣層被相應多個導電層分開，其中所述多個導電層之一被短接到所述多個導電層中的另一個。
2.根據權利要求1的基板，其中所述多個絕緣層中的至少一個是使用激光沉積工藝形成的。
3.根據權利要求1的基板，其中所述多個絕緣層中的至少一個是使用電子束沉積工藝形成的。
4.根據權利要求2的基板，其中所述多個絕緣層中的至少一個包括選自由碳化硅、氮化硅、二氧化硅、氮化鋁、氧化鋁、鋁土、二氧化鉿和二氧化鉿構成的組的至少一種材料。
5.根據權利要求2的基板，其中所述多個導電層中的至少一個是使用激光沉積工藝形成的。
6.根據權利要求5的基板，其中所述多個導電層中的至少一個包括選自由銅、鋁、鎳和金構成的組的至少一種材料。
7.根據權利要求1的基板，還包括耦合到所述多個導電層之一的裸片。
8.根據權利要求7的基板，其中所述裸片對應于開關。
9.根據權利要求6的基板，其中所述多個導電層和所述多個絕緣層用于傳遞熱。
10.根據權利要求1的基板，其中所述多個絕緣層之一和所述多個導電層之一共同提供法拉第屏蔽。
11.一種低傳導發(fā)射基板，包括具有小于381微米的厚度的第一絕緣層； 形成在第一絕緣層上的第一導電層；形成在第一導電層上并具有小于381微米的厚度的第二絕緣層； 形成在第二絕緣層上的第二導電層，所述第二導電層用于裝載電氣部件；和在第一導電層和第二導電層之間的電連接。
12.根據權利要求11的基板，其中第一絕緣層和第二絕緣層是使用激光沉積工藝和電子束沉積工藝中的至少一個形成的。
13.根據權利要求11的基板，其中裸片被耦合到第二導電層，并且其中第一導電層、 第一絕緣層、第二導電層和第二導電層用于傳遞熱。
14.一種制造低傳導發(fā)射基板的方法，包括 形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成第一導電層； 在第一導電層上形成第二絕緣層； 在第二絕緣層上形成第二導電層；以及將第一導電層電耦合到第二導電層。
15.根據權利要求13的方法，其中第一絕緣層和第二絕緣層中的每一個具有小于381 微米的厚度。
16.根據權利要求15的方法，其中第一導電層和第二導電層中的每一個是使用激光沉積工藝或電子束沉積工藝中的至少一個形成的。
17.根據權利要求14的方法，還包括將電氣部件施加到第二絕緣層，其中所述第一絕緣層形成在接地結構上。
18.根據權利要求17的方法，其中所述電氣部件包括開關。
19.根據權利要求14的方法，其中第一絕緣層或第二絕緣層中的至少一個包括選自由碳化硅、氮化硅、二氧化硅、氮化鋁、氧化鋁、鋁土、二氧化鉿和二氧化鉿構成的組的至少一種材料。
20.根據權利要求14的方法，其中第一導電層或第二導電層中的至少一個包括選自由銅、鋁、鎳和金構成的組的至少一種材料。
全文摘要
根據一個非限制性實施例，一種低傳導發(fā)射基板包括多個薄的高介電強度絕緣層，所述多個薄的高介電強度絕緣層被相應多個導電層分開，其中所述多個導電層之一被短接到所述多個導電層中的另一個。
文檔編號H01L23/552GK102160174SQ200980136660
公開日2011年8月17日 申請日期2009年8月13日 優(yōu)先權日2008年9月18日
發(fā)明者H. 塞恩德克 E., 薩爾迪瓦 H., A. 赫特爾 T. 申請人:聯合工藝公司