專利名稱：具有減小的配置面積和較低電源瞬態(tài)的振蕩器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及振蕩器電路，并且更具體地涉及具有減小的配置面積和較低電源瞬態(tài)的振蕩器電路。
背景技術(shù)：
振蕩器電路在許多電子電路應(yīng)用中可看到。例如，可以在DC/DC變換器、電容性的傳感器、音頻接收器和FM(頻率調(diào)制)發(fā)生器中，即在許多應(yīng)用中看到振蕩器電路。通常，振蕩器的頻率由電容器來設(shè)定。然而，由于電容器在一些振蕩器電路工作期間充電和放電，在一些內(nèi)部節(jié)點上的電壓可以升高到超過電源軌道(power supply rail)的電壓，導(dǎo)致反常的行為。為了防止電源軌道外部的漂移，已經(jīng)使用了衰減電容器。然而，衰減電容器的加入增加了充電和放電的電容的總量，導(dǎo)致電源電流中的大尖峰。此外，衰減電容器需要至少和用于設(shè)定頻率的電容器一樣大，因此大大增加了在集成電路上應(yīng)用振蕩器電路所需的表面積大小。在一些情形中，集成電路振蕩器的用戶需要能夠設(shè)定振蕩器的振蕩頻率。一種使振蕩頻率可由用戶設(shè)定的方式是使用外部振蕩電容器。然而，由于衰減電容器的尺寸取決于振蕩電容器的尺寸，用戶必須增加兩個外部電容器，即一個振蕩電容器和一個衰減電容器，以設(shè)定振蕩頻率。因此，需要去除對衰減電容器的需要的集成電路振蕩器。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種振蕩器電路，包括比較器電路，具有用于接收周期性輸入電壓的輸入端，以及用于響應(yīng)周期性輸入電壓與預(yù)定閾值電壓相交而提供周期性輸出電壓的輸出端；監(jiān)視及控制電路，具有耦接到比較器的輸入端的輸入端，用于監(jiān)視及控制周期性輸出電壓的電壓擺動，從而在監(jiān)視及控制電路的輸出端處提供受控制的周期性的輸出電壓；以及電容器，耦接在監(jiān)視及控制電路的輸出端和比較器的輸入端之間。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種振蕩器電路，包括第一電流源，具有耦接到第一電源電壓端的第一端，以及用于提供輸入電壓的第二端；開關(guān)，具有耦接到第一電流源的第二端的第一端，控制端，以及第二端；第二電流源，具有耦接到開關(guān)的第二端的第一端，以及耦接到第二電源電壓端的第二端；比較器電路，具有耦接到第一電流源的第二端、用于接收輸入電壓的輸入端，該輸入電壓與預(yù)定的閾值電壓比較，從而在比較器的輸出端處產(chǎn)生周期性的比較器輸出電壓；監(jiān)視及控制電路，具有耦接到比較器的輸入端的輸入端，用于監(jiān)視及控制周期性的比較器輸出電壓的電壓擺動，從而在監(jiān)視及控制電路的輸出端處提供受控制的周期性的輸出電壓；以及電容器，耦接在比較器的輸入端和監(jiān)視及控制電路的輸出端之間。


通過附圖中的例子但不限于附圖而說明本發(fā)明，其中相似的參考數(shù)字表示類似的元件，其中圖1以示意圖的形式說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的振蕩器電路；圖2說明圖1中振蕩器電路的輸入和輸出電壓的波形；圖3以部分框圖和部分示意圖的形式說明根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的振蕩器電路；圖4以示意圖的形式說明根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的振蕩器電路；以及圖5說明圖4的振蕩器電路的輸入和輸出電壓的波形。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解圖中的元件是為了簡明和清晰而說明的，沒有必要按比例繪制。例如，圖中一些元件的尺寸相對于其它元件而可能被夸大了，以幫助更好地理解本發(fā)明的實施方式。
具體實施例方式
一般地，本發(fā)明提供一種CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)振蕩器電路，該電路具有由反饋信號控制的可切換的電流源、比較器電路、監(jiān)視及控制電路以及反饋電容器。比較器電路提供取決于其輸入處的電壓的輸出信號。監(jiān)視及控制電路耦接到比較器電路的輸入和輸出端，以監(jiān)視和控制其輸出電壓的電壓擺動(voltage swing)。反饋電容器耦接在監(jiān)視及控制電路的輸出端和比較器電路的輸入端之間，并且選擇其大小以按需要設(shè)定振蕩頻率。由于比較器的精度不重要，因此簡單的高增益反相電路可以用于該功能。
監(jiān)視及控制電路將其輸出信號限制在電源軌道之內(nèi)，而不需要使用衰減電容器。通過從振蕩器電路去除衰減電容器，振蕩器電路可以更小，從而需要更少的集成電路表面積。此外，電源電流尖峰信號由于沒有額外的衰減電容器的電容隨著振蕩電容器被反復(fù)充電和放電而被降低。此外，如果用戶需要能夠設(shè)定振蕩頻率，不同于需要至少兩個外部電容器即一個振蕩電容器和一個衰減電容器的一些現(xiàn)有技術(shù)的振蕩器電路，只有一個外部電容器被連接到器件的端子上。
圖1以示意圖的形式說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的振蕩器電路10。反饋電容器30連接在多個串聯(lián)的反相器18、20、22和24的輸入和輸出之間。多個串聯(lián)的反相器用作采用電源電壓大約一半的參考電壓的比較器。使用P溝道晶體管12、N溝道晶體管14和28產(chǎn)生對電容器充電和放電的電流。P溝道晶體管12和N溝道晶體管14被偏置以作為電流源而工作。N溝道晶體管28用作響應(yīng)由反相器26提供的控制信號的開關(guān)。當輸入至多個串聯(lián)的反相器晶體管的節(jié)點15處的電壓高于或低于反相器的閾值時，反相器24的輸出電壓VOUT切換至高或低。反饋電容器30耦接在反相器24的輸出端和反相器18的輸入端之間，具有將電壓VIN升高至電源電壓之上的效果。對振蕩器電路10的分析表明，振蕩器電路10的振蕩頻率是電容器30的電容值、輸出VOUT處的電壓擺動幅度以及由電流源12及14提供的電流大小的函數(shù)。衰減電容器16耦接至反相器18的輸入端，由于電容器16和電容器30之間的電荷共享，用于將VIN保持在電源軌道之內(nèi)。為了將VIN保持在電源軌道之內(nèi)，通常電容器16應(yīng)當至少與電容器30一樣大。衰減電容器16對于振蕩頻率沒有效果，因為對由電容器提供的VIN上的電壓擺動的衰減正好被由電流源充電的有效電容增加平衡。然而，需要在不使用衰減電容器16的情形下將VIN的電壓擺動保持在電源軌道之內(nèi)。
圖2說明圖1的振蕩器電路10的輸入和輸出電壓的波形?，F(xiàn)在參照圖1和圖2，在緊隨t0之后的時間，VIN是高電壓。VOUT也是高電壓。反饋電壓FB高，導(dǎo)致開關(guān)28關(guān)閉，開始由電流源14對電容器16和30放電。電容器16和30的放電速率在圖2中由t0和t1之間的VIN斜線說明，并且取決于電容器16和30的大小。當節(jié)點15處的電壓減小至反相器18的閾值電壓時，反相器18的輸出變?yōu)楦唠妷?，而VOUT變?yōu)榈碗妷骸＿@是第一半周期的結(jié)束。該電壓經(jīng)由電容器30被耦接至輸入節(jié)點15。反相器26的輸出轉(zhuǎn)變成低電壓，從而導(dǎo)致開關(guān)28斷開，或者變?yōu)榛旧喜粚?dǎo)電。當開關(guān)28斷開時，電容器16和30如在時間t1和t2之間所說明的那樣朝著電源電壓VDD充電。當電壓再次達到反相器的閾值時，信號切換，結(jié)束第二半周期。
電容器16在振蕩器10中的加入不影響振蕩頻率，而是僅用于衰減VIN處的電壓擺動。
如果未包含電容器16，在每一個半周期中，VIN處的電壓擺動將等于VOUT處的擺動，從而在電源軌道之外具有漂移，導(dǎo)致不需要的電路操作。
每個半周期的持續(xù)時間等于改變電容器30上的電壓達VOUT上的電壓擺動量所需的時間，即t＝C30*VOUT_swing/電流，其中C30是電容器30的電容。電容器16將電壓擺動衰減至VOUT*C30/(C16+C30)，但也提高了必須充電至(C16+C30)的有效電容。因此，該時間是t＝(C16+C30)*VOUT*C30/(C16+C30)/電流＝C30*VOUT_swing/電流，象以前一樣。然而，集成衰減電容器16需要集成電路上的大量表面積。此外，對電容充電和放電導(dǎo)致電源電流尖峰信號。此外，振蕩器電路10的一些應(yīng)用可以允許振蕩器電容器30從外部連接到電路上，以允許用戶選擇振蕩頻率。在這種情形下，用戶必須增加兩個電容器，即一個振蕩器電容器和一個衰減電容器。
圖3以部分框圖和部分示意圖的形式說明根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的振蕩器電路40。在一種實施方式中，振蕩器電路40可以應(yīng)用到使用CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)電路元件的集成電路上。振蕩器電路40包括電流源42和46、開關(guān)44、比較器48、監(jiān)視及控制電路50，電容器52和緩沖電路54。
如圖3所說明的那樣，電流源42和46以及開關(guān)44在標識為VDD的電源電壓端和標識為VSS的電源電壓端之間串聯(lián)連接在一起。電源電壓端VDD例如接收5伏的電源電壓，電源電壓端VSS為地電位。在一個實施方式中，電流源42是P溝道晶體管，電流源是N溝道晶體管，偏置成用作電流源。比較器48的第一輸入端耦接在節(jié)點45處的電流源42和開關(guān)44之間，用于接收輸入電壓VIN。第二輸入端接收標識為THRESHOLD的閾值電壓，輸出端提供標識為VOUT的輸出電壓。注意在所說明的實施方式中閾值電壓THRESHOLD是電源電壓的大約一半，但在其它的實施方式中，閾值電壓可以不同于電源電壓的一半。閾值電壓不直接影響振蕩頻率，其數(shù)值不重要，因此比較器48可以由簡單的CMOS反相器構(gòu)成，其中有效閾值電壓在該結(jié)構(gòu)的反相器中是內(nèi)稟的，并且是電源電壓之間的大約居中位置。監(jiān)視和控制電路50具有耦接成監(jiān)視VIN和VOUT二者的輸入端，并且作為響應(yīng)，提供幅度受控制的輸出電壓。在一個實施方式中，以示例的方式，監(jiān)視和控制電路50可以包括串聯(lián)耦接在比較器48和電容器52的輸出之間的N溝道晶體管和P溝道晶體管，其柵極連接至節(jié)點45(未示出)。電容器52耦接在監(jiān)視及控制電路50的輸出和節(jié)點45之間。緩沖電路54耦接至比較器48的輸出，用于控制開關(guān)44。注意用于實現(xiàn)比較器48的電路類型不重要，可以是為高于預(yù)定閾值的輸入電壓提供正輸出以及為低于相同的預(yù)定閾值電壓的輸入電壓提供負或較低輸出的任何電路。
在工作中，振蕩器電路40通常按與振蕩器電路10相似的方式作用，除了代替使用衰減電容器以將VIN保持在電源軌道之下，振蕩器電路40使用監(jiān)視及控制電路50。仍參照圖3，通過斷開和閉合開關(guān)44，在節(jié)點45處產(chǎn)生周期性的輸入電壓VIN。當開關(guān)44斷開時，來自電流源42的電流朝VDD對電容器52充電。當節(jié)點45的電壓達到預(yù)定電壓值時，通過控制監(jiān)視及控制電路50的電壓VOUT，監(jiān)視和控制電路50防止VIN進一步增加。也就是說，監(jiān)視和控制電路50控制VOUT以防止VIN接近電源電壓。由于VCOMP切換邏輯，高反饋電壓FB導(dǎo)致開關(guān)44閉合。當開關(guān)44閉合時，流經(jīng)電流源46的電流開始使電容器52朝VSS放電。當輸入電壓VIN減小到閾值電壓THRESHOLD之下時，比較器輸出電壓VCOMP切換，并且輸出電壓VOUT減小。當VOUT降低至預(yù)定電壓值之下時，通過限制VOUT的電壓降，監(jiān)視及控制電路50防止VIN進一步減小，直至電流源具有部分充電電容器52。當VOUT降低時，反饋電壓FB導(dǎo)致開關(guān)44再次斷開。電流源42再次對電容器52充電。
監(jiān)視及控制電路50通過限制電容器52上的電荷量來控制電壓VIN的電壓擺動，而不需要使用如圖1的現(xiàn)有技術(shù)電路所示的衰減電容器。由于只使用振蕩電容器52，振蕩器電路40可以使用較少的表面積來集成。此外，在使用外部振蕩器電容器的實施方式中，只需要向電路加入一個電容器。注意，圖3說明的電流源42和46以及開關(guān)44的結(jié)構(gòu)只是在節(jié)點45處提供電流的一種方式。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到有在節(jié)點65處提供電流的其它電路。例如，在另外的實施方式中，可以在電流源42和節(jié)點45之間加入額外的開關(guān)，提供額外的控制。
圖4以示意圖的形式說明根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的振蕩器電路60。振蕩器電路60包括P溝道晶體管62、N溝道晶體管64及66、多個串聯(lián)的反相器68、監(jiān)視和控制電路80、反相器88以及電容器90。多個串聯(lián)的反相器68包括反相器70、72、74和76。監(jiān)視和控制電路80包括P溝道晶體管82和N溝道晶體管84。P溝道晶體管62具有連接到電源電壓端VDD的源極、用于接收偏置電壓PBIAS的柵極，以及漏極。N溝道晶體管64具有在節(jié)點65處連接至P溝道晶體管62的漏極的漏極、柵極和源極。N溝道晶體管66具有連接到N溝道晶體管64的源極的漏極、用于接收偏置電壓NBIAS的柵極，以及連接到電源電壓端VSS的源極。P溝道晶體管62和N溝道晶體管66都用作可開關(guān)的電流源，該電流源在反饋信號FB的控制下交替地對反饋電容器90充電和放電。N溝道晶體管64用作開關(guān)。
多個串聯(lián)的反相器68的第一反相器70具有連接到節(jié)點65的輸入端，以及輸出端。反相器72具有連接到反相器70的輸出端的輸入端，以及輸出端。反相器74具有連接到反相器72的輸出端的輸入端，以及輸出端。最后的反相器76包括P溝道晶體管78和N溝道晶體管86。晶體管78和86的柵極連接到反相器74的輸出端。晶體管78的源極連接到VDD，晶體管86的漏極連接到VSS。注意在圖4中，反相器76耦接到VDD和VSS。但是，在其他實施方式中，反相器76可耦接至調(diào)整過的電源電壓以提供對振蕩頻率的更精確的控制。監(jiān)視及控制電路80連接在晶體管78和86之間。P溝道晶體管82具有連接到P溝道晶體管78的漏極的源極、連接到節(jié)點65的柵極、以及用于提供輸出電壓VOUT的漏極。N溝道晶體管84具有連接到P溝道晶體管82的漏極的漏極、連接到節(jié)點65的柵極、以及連接到N溝道晶體管86的漏極的源極。反相器88具有連接到監(jiān)視及控制電路80的輸出端的輸入端、以及連接到N溝道晶體管64的柵極的輸出端。電容器90具有連接到監(jiān)視及控制電路80的輸出端的第一電流電極、以及連接到節(jié)點65的第二電流電極。電容器90在振蕩器60中提供正反饋。
圖5說明圖4的振蕩器電路60的輸入及輸出電壓的波形圖。參照圖4和圖5，在下文中討論振蕩器電路60。為了理解振蕩器電路60怎樣工作，假定比較器68輸入電壓為低(圖5中的時間t0)，因此VOUT的驅(qū)動電壓將為低，反饋信號FB將切換電流源62和66，使得電流在比較器68輸入節(jié)點65處流入電容器90。該電壓將上升，直至達到比較器的閾值。當電壓與閾值相交時比較器切換，輸出電壓VOUT從其低值擺動至其高值(時間t0和t1之間)。該高值電壓VOUT經(jīng)由反饋電容器90耦合回至比較器輸入節(jié)點65，導(dǎo)致電壓上升輸出電壓擺量(典型地為VDD)。在該情形剛發(fā)生之后，負反饋信號FB也將電流源的方向切換到晶體管66，導(dǎo)致電容器90在大約時間t1處開始放電。
最終，在時間t2，節(jié)點將放電至相同的比較器閾值，輸出驅(qū)動器將切換為低，這樣的改變將經(jīng)由電容器90反饋回至輸入節(jié)點65。負反饋信號FB將再次切換電流源62從而對電容器充電，周期將在大約時間t2處再次開始。時間t2和t3之間的下半周期以同樣的方式發(fā)生。
每個半周期的持續(xù)時間是電流源對電容器90充電(或放電)達等于輸出電壓VOUT變化的電壓所需的時間?；蛘?，它可以看成是從輸入節(jié)點注入(或去除)電荷的時間，該電荷等于經(jīng)由電容器90耦合進來的電荷。該電荷是Q＝C*V。對于每一個半周期時間是t＝Q/I＝C*V/I，其中C是電容器90的電容。
注意比較器68閾值電壓的數(shù)值不影響振蕩器60的頻率。它僅在調(diào)節(jié)輸入節(jié)點在其附近擺動的電壓時才是重要的，由于電流源62和66可能在它們能驅(qū)動的電壓方面有限制，以及也可能在電源軌道外部具有將電壓鉗制成不高于二極管壓降的寄生二極管，因此它是重要的。在典型的應(yīng)用中，比較器閾值可以為大約VDD/2，因此在輸入節(jié)點65處的電壓將在VDD/2之上和之下擺動VDD，達到1.5*VDD和-0.5VDD。為了保持頻率穩(wěn)定性，電流源電路必須不鉗制這樣的電壓擺動。
在圖1的現(xiàn)有技術(shù)振蕩器電路10中，額外的衰減器電容器16被耦接在輸入節(jié)點15處。電容器16衰減輸入節(jié)點15處的電壓擺動，典型地達2個因子。因此，節(jié)點15處的電壓擺動被限制在0伏和VDD之間，而沒有被與電流源12和14相關(guān)的寄生二極管鉗制。電容器16對頻率沒有影響，因為在每一個半周期的開始和結(jié)束時(即當輸入電壓等于比較器閾值電壓時)，衰減電容器16上的電荷相同，電流源需要與未使用該電容器的情形下的相同時間以注入相同的電荷。
如圖3和4所說明的本發(fā)明按不同的方式限制振蕩器電壓。取代衰減比較器輸入處的信號，圖3的監(jiān)視及控制電路50以及圖4的監(jiān)視及控制電路80控制比較器輸出處的電壓擺動，使得VOUT的擺動不至于高到導(dǎo)致輸入電壓超出電源軌道。因為所有的問題是在比較器輸入節(jié)點處的電壓與閾值相交時，輸出級已經(jīng)完全擺動至其最終的水平，因此保證了頻率穩(wěn)定性?；旧?，此時發(fā)生的事不相關(guān)。
以示例的方式，設(shè)想取代電壓VOUT從0伏擺動至VDD，它在開始時從0擺動至VDD/2。輸入電壓將從VDD/2擺動至VDD，仍然在軌道之內(nèi)。反饋電容器將開始放電，并且當電壓減小到接近VDD/2時，VOUT完成其轉(zhuǎn)變完全上升至VDD，電容器將繼續(xù)放電，輸入節(jié)點將最終達到比較器閾值。在這一點上，條件與VOUT已經(jīng)在開始時完全擺動相同，因此所需的時間是相同的并且頻率仍受控制。
通常，根據(jù)本發(fā)明，監(jiān)視及控制電路監(jiān)視輸入電壓(觀察它是否太接近于地或太接近于VDD)，以使VOUT的擺動限制或控制到小于或等于預(yù)定電壓，直至輸入節(jié)點的電壓從一個軌道向另一個軌道移動。
圖4的監(jiān)視及控制電路80的晶體管82和晶體管84監(jiān)視輸入節(jié)點65處的電壓并限制從晶體管78和晶體管86的漏極向電容器90施加VOUT，使得輸入節(jié)點65處的電壓不比MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)閾值電壓更接近軌道。注意在所說明的實施方式中，多個串聯(lián)的反相器68包括四個反相器。然而，在其它的實施方式中，串聯(lián)的反相器的數(shù)目可以不同于四個。此外，在所說明的實施方式中，反相器切換邏輯狀態(tài)的電壓大約是電源電壓的一半。在其它的實施方式中，反相器切換邏輯狀態(tài)的電壓可以不同。此外，在其它的實施方式中，晶體管82和84的位置可以分別與晶體管78和86的位置交換。
監(jiān)視及控制電路80將比較器的周期性輸出信號保持在電源軌道之內(nèi)，而不需要使用衰減電容器，如圖1中的衰減電容器16。衰減電容器可以去除，因為其存在對振蕩頻率沒有影響。通過從振蕩器電路去除衰減電容器，振蕩器電路更小，從而節(jié)省集成電路上的表面積。此外，因為衰減電容器沒有與振蕩電容器一起反復(fù)充電和放電，電源電流尖峰信號也降低了。此外，如果用戶需要能夠使用外部連接的電容器設(shè)定振蕩頻率，也只需要連接一個電容器，從而相對于圖1的現(xiàn)有技術(shù)的振蕩器電路減少了外部連接部件的數(shù)目。
在前述的說明書中，已經(jīng)參照具體的實施方式描述了本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員理解可以進行各種更改和變動，而不背離下面權(quán)利要求提出的本發(fā)明的范圍。因此，說明書和附圖應(yīng)視為示例性的而不是限制性的，所有這樣的更改都希望包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
對具體的實施方式已經(jīng)如上描述了益處、其它優(yōu)點和針對問題的方案。然而，益處、優(yōu)點、針對問題的方案，以及可能導(dǎo)致任何益處、優(yōu)點或方案或使其顯著的任何要素不應(yīng)理解成任一或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵、所需或必要的特征或要素。在本文中使用的術(shù)語“包括”、“包含”或其任何其它變化，都希望理解成覆蓋非排它的包含，使得包含一組要素的工藝、方法、制品或設(shè)備不僅包括那些要素，而且可以包括未在表述上列出的、或該工藝、方法、制品或設(shè)備固有的其它要素。
權(quán)利要求
1.一種振蕩器電路，包括比較器電路，具有用于接收周期性輸入電壓的輸入端，以及用于響應(yīng)周期性輸入電壓與預(yù)定閾值電壓相交而提供周期性輸出電壓的輸出端；監(jiān)視及控制電路，具有耦接到比較器的輸入端的輸入端，用于監(jiān)視及控制周期性輸出電壓的電壓擺動，從而在監(jiān)視及控制電路的輸出端處提供受控制的周期性的輸出電壓；以及電容器，耦接在監(jiān)視及控制電路的輸出端和比較器的輸入端之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的振蕩器電路，其中所述振蕩器電路在集成電路上實現(xiàn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的振蕩器電路，其中所述電容器在集成電路的外部實現(xiàn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的振蕩器電路，其中所述振蕩器電路的振蕩頻率是所述電容器的電容的函數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的振蕩器電路，其中所述比較器包括多個串聯(lián)的反相器，所述多個串聯(lián)的反相器中的第一反相器具有用于接收周期性輸入電壓的輸入端，所述多個串聯(lián)的反相器中的最后一個反相器具有用于提供周期性輸出電壓的輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的振蕩器電路，其中所述多個串聯(lián)的反相器包括奇數(shù)數(shù)目的串聯(lián)的反相器。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的振蕩器電路，其中所述多個串聯(lián)的反相器還包括第二反相器，具有耦接到第一反相器的輸出端的輸入端，以及輸出端；以及第三反相器，具有耦接到第二反相器的輸出端的輸入端，以及耦接到最后一個反相器的輸入端的輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的振蕩器電路，還包括第一電流源，具有耦接到第一電源電壓端的第一端，以及耦接到第一反相器的輸入端、用于提供周期性的輸入電壓的第二端；開關(guān)，具有耦接到第一電流源的第二端的第一端，用于接收控制信號的控制端，以及第二端；第二電流源，具有耦接到開關(guān)的第二端的第一端，以及耦接到第二電源電壓端的第二端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的振蕩器，還包括第四反相器，第四反相器具有耦接到第三反相器的輸出端的輸入端，以及耦接成向開關(guān)提供控制信號的輸出端。
10.一種振蕩器電路，包括第一電流源，具有耦接到第一電源電壓端的第一端，以及用于提供輸入電壓的第二端；開關(guān)，具有耦接到第一電流源的第二端的第一端，控制端，以及第二端；第二電流源，具有耦接到開關(guān)的第二端的第一端，以及耦接到第二電源電壓端的第二端；比較器電路，具有耦接到第一電流源的第二端、用于接收輸入電壓的輸入端，該輸入電壓與預(yù)定的閾值電壓比較，從而在比較器的輸出端處產(chǎn)生周期性的比較器輸出電壓；監(jiān)視及控制電路，具有耦接到比較器的輸入端的輸入端，用于監(jiān)視及控制周期性的比較器輸出電壓的電壓擺動，從而在監(jiān)視及控制電路的輸出端處提供受控制的周期性的輸出電壓；以及電容器，耦接在比較器的輸入端和監(jiān)視及控制電路的輸出端之間。
全文摘要
一種振蕩器電路(60)，具有比較器電路(68)和監(jiān)視及控制電路(80)。比較器(68)提供周期性的輸出信號。監(jiān)視及控制電路(80)響應(yīng)監(jiān)視周期性的輸入電壓而控制周期性輸出電壓的電壓擺動。電容器(90)耦接在監(jiān)視及控制電路(80)的輸出端和比較器(68)的輸入端之間，并選擇其大小以設(shè)定振蕩頻率。監(jiān)視及控制電路(80)用于限制輸入電壓漂移，而不需要使用衰減電容器。去除衰減電容器提供了具有降低的電源電流尖峰信號并較容易應(yīng)用的較小振蕩器電路。
文檔編號H03K4/502GK1679235SQ03820973
公開日2005年10月5日 申請日期2003年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月6日
發(fā)明者約翰·M.·皮古特 申請人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司