專利名稱：能防止高壓放電的臺面型整流芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種整流芯片，特別涉及能防止高壓放電的整流芯片。
背景技術(shù)：
在臺面造型蝕刻過程中，因晶圓表面高濃度的硼抑制了此處對硅的腐蝕，在每個 芯片的四周形成了尖銳的邊沿。而采用傳統(tǒng)的刮涂法不能在此處留下足夠的玻璃，不能有 效地對此處進行護封而切斷對環(huán)境的放電通路，在點測時會在芯片邊緣產(chǎn)生嚴(yán)重的尖端放 電。在高壓下對環(huán)境的放電會造成芯片的降檔、失效。

發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種工藝結(jié)構(gòu)簡單合理，可避免高壓放電對芯片造成損 傷的能防止高壓放電的臺面型整流芯片。 為達到上述目的，本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的。能防止高壓放電的臺 面型整流芯片，包括芯片，臺面?zhèn)缺阝g化玻璃層及防高壓放電的鈍化玻璃層，防高壓放電的 鈍化玻璃層包封于芯片上表面的四周邊緣及臺面?zhèn)缺阝g化玻璃層上。 本實用新型的優(yōu)點是臺面?zhèn)缺阝g化玻璃層對芯片的臺面?zhèn)缺谶M行了有效的護 封，防高壓放電的鈍化玻璃層對芯片上表面的四周邊緣與臺面?zhèn)缺诙歼M行了有效的包封， 從而切斷了芯片邊沿對環(huán)境的放電以及由于高壓放電對芯片造成的損傷，保證了芯片電特 性的穩(wěn)定性，使得點測時晶粒不會出現(xiàn)尖端放電，從而避免了芯片的降檔、失效。

圖1是本實用新型能防止高壓放電的臺面型整流芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型的實施例作進一步詳細(xì)的描述。 如圖l所示，能防止高壓放電的臺面型整流芯片，包括芯片l，臺面?zhèn)缺阝g化玻璃 層2及防高壓放電的鈍化玻璃層3，防高壓放電的鈍化玻璃層3包封于芯片1上表面的四周 邊緣及臺面?zhèn)缺阝g化玻璃層2上。
權(quán)利要求一種能防止高壓放電的臺面型整流芯片，包括芯片(1)及臺面?zhèn)缺阝g化玻璃層(2)，其特征在于它還包括防高壓放電的鈍化玻璃層(3)，防高壓放電的鈍化玻璃層(3)包封于芯片(1)上表面的四周邊緣及臺面?zhèn)缺阝g化玻璃層(2)上。
專利摘要本實用新型公開了一種能防止高壓放電的臺面型整流芯片。它包括芯片，臺面?zhèn)缺阝g化玻璃層及防高壓放電的鈍化玻璃層，防高壓放電的鈍化玻璃層包封于芯片上表面的四周邊緣及臺面?zhèn)缺阝g化玻璃層上。本實用新型對芯片上表面的四周邊緣與臺面?zhèn)缺诙歼M行了有效的包封，從而切斷了芯片邊沿對環(huán)境的放電以及由于高壓放電對芯片造成的損傷，保證了芯片電特性的穩(wěn)定性，使得點測時晶粒不會出現(xiàn)尖端放電，從而避免了芯片的降檔、失效。
文檔編號H01L21/329GK201466031SQ20092011955
公開日2010年5月12日 申請日期2009年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月11日
發(fā)明者應(yīng)燕霞 申請人:紹興旭昌科技企業(yè)有限公司