專利名稱：片式抗電磁干擾高頻電感元件的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于抗電磁干擾高頻電感元件技術領域，涉及一種片式抗
電磁干擾高頻電感元件。
技術背景電磁干擾(EMI)對公共環(huán)境和人身安全的危害已被世界各國所公認。作為抑制電磁干擾三大技術屏蔽、接地、濾波之一的濾波技術是目前抑制電磁干擾最有效最經(jīng)濟的手段。運用方法非常簡單，在電氣設備電源線的人口處插入抗電磁干擾濾波器(簡稱EMIF)，濾波器將通過電源線傳導的電磁干擾給予充分的抑制，它既能抑制電氣設備內(nèi)部的電磁干擾，又能抑制外界電網(wǎng)傳入的電磁干擾。由于EMIF應用范圍廣泛，它與傳統(tǒng)濾波器相比有其特殊性，首先是EMIF要求有盡可能寬的阻帶，除工頻50 400Hz以外都可視為有害的干擾頻率。另外，由于電子技術向高頻化、小型化發(fā)展，EMI F也相應趨于小型化、片式化。作為EMIF的材料必須具備以下兩個基本條件其一，具有高磁導率和高飽和磁化強度，使EMIF在低頻段具有最小匝數(shù)，減小繞線電容，并擴展工作頻率范圍；其二， EMIF必須具有極低的磁芯損耗，以提高工作效率和降低成本。 近年來，以計算機為主的各種數(shù)字設備的小型化、高性能化十分引人注目。不過，也帶來了由整機中輻射電磁波的問題，故有關EMC的標準和規(guī)定逐年嚴格起來。隨著電子整機的進一步高功能化、高速化和高密度組裝化，迫切要求起抑制噪聲作用的電子元器件進一步小型化和高頻化。目前，我國還沒有既能抑制輻射電磁場強度又能抑制噪聲用的抗電磁干擾高頻電感元件。 實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是解決現(xiàn)有技術沒有既能抑制輻射電磁場強度又能抑制噪聲用的抗電磁干擾高頻電感元件的技術問題，提供一種片式抗電磁干擾高頻電感元件，以克服現(xiàn)有技術的不足。 為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型片式抗電磁干擾高頻電感元件，由電阻和電容組成的串聯(lián)電路和在片式錳鋅鐵氧體材料磁芯上纏繞兩圈半而形成的線圈構成的，所說電阻值為50 150歐姆，電容的電容量為0. OOluF。 本實用新型片式抗電磁干擾高頻電感元件，是在幾乎不影響傳輸信號的波形質(zhì)量的前提下，既具有抑制輻射電磁場強度又有抑制輻射噪聲的效果，針對高速信號使用效果最好；還具有體積小、片式化的特點。

附圖是本實用新型電路原理示意圖。
具體實施方式
根據(jù)附圖，本實用新型它由電阻R和電容C組成的串聯(lián)電路和在片式錳鋅鐵氧體材料磁芯1上纏繞兩圈半而形成的線圈L構成的，電阻值為50 150歐姆，電容C的電容量為0. OOluF，錳鋅鐵氧體材料磁芯由68%的三氧化二鐵、20%的四氧化三錳20、10%的氧化鋅、1%的納米碳酸鈣1和1%的納米五氧化二釩按重量配比經(jīng)成型、燒結制備而成。 本實用新型片式抗電磁干擾高頻電感元件主要技術指標[0010] 阻抗10MHz時，大于50歐姆，100MHz時，大于150歐姆；[0011]插入損耗(IL) :10MHz時，大于10， 100MHz時，大于20。 本實用新型片式化以適合于表面貼裝，其工作原理是，對應信號源VSC(差模)，因磁心內(nèi)部的磁通小相互抵消，故不產(chǎn)生電感(因此不防礙信號的波形質(zhì)量)，另一方面，對 應共模噪聲(VG)，磁通(小')在同一方向發(fā)生，而產(chǎn)生電感，起到抑制噪聲的效果。
權利要求一種片式抗電磁干擾高頻電感元件，其特征是它由電阻和電容組成的串聯(lián)電路和在片式錳鋅鐵氧體材料磁芯上纏繞兩圈半而形成的線圈構成的，所說電阻值為50～150歐姆，電容的電容量為0.001uF。
專利摘要本實用新型公開了一種片式抗電磁干擾高頻電感元件，由電阻和電容組成的串聯(lián)電路和在片式錳鋅鐵氧體材料磁芯上纏繞兩圈半而形成的線圈構成的，所說電阻值為50～150歐姆，電容的電容量為0.001uF。本實用新型片式抗電磁干擾高頻電感元件，是在幾乎不影響傳輸信號的波形質(zhì)量的前提下，既具有抑制輻射電磁場強度又有抑制輻射噪聲的效果，針對高速信號使用效果最好；還具有體積小、片式化的特點。
文檔編號H01F1/34GK201449835SQ20092003078
公開日2010年5月5日 申請日期2009年7月30日 優(yōu)先權日2009年7月30日
發(fā)明者周興建, 謝真, 高啟龍 申請人:臨沂正原電子有限公司