專利名稱：一種高頻片式電感材料及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電感材料領(lǐng)域，特別涉及一種高性能低燒高頻多層片式電感材料的組成及其制備方法。
背景技術(shù)：
20世紀90年代以來，電子設(shè)備向便攜式、小型化、網(wǎng)絡(luò)化和多媒體方向迅速發(fā)展，促使電路組裝技術(shù)向表面安裝技術(shù)(簡稱SMT)迅速轉(zhuǎn)移，并且使SMT成為現(xiàn)代電路組裝技術(shù)的主流。同時，隨著計算機輔助設(shè)備，移動通訊設(shè)備、音像產(chǎn)品的快速發(fā)展以及軍事國防等領(lǐng)域的需求，對通訊頻段的爭奪越發(fā)激烈，使得研制適用于高頻范圍的多層片式元器件的技術(shù)成為當(dāng)今SMT技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。
片式電感作為三大無源元件之一，與傳統(tǒng)的繞線式電感元件相比，具有體積小，重量輕，有良好的磁屏蔽效果，漏磁通小，可焊性好與耐熱性好，可靠性高，適于高密度組裝等優(yōu)點。故隨著技術(shù)的發(fā)展，前者所占的比重將逐漸增大。
高頻片式電感器是介質(zhì)材料與內(nèi)部螺旋式串/并聯(lián)電極疊層共燒而成的獨石結(jié)構(gòu)。其工藝技術(shù)的關(guān)鍵是介質(zhì)材料和內(nèi)導(dǎo)體材料(從導(dǎo)電性能及成本方面考慮，銀為最佳選擇)共燒。這要求其中的介質(zhì)材料具有較低的燒結(jié)溫度(＜1000℃)，可與內(nèi)導(dǎo)體材料相匹配的熱膨脹系數(shù)。同時，由于自諧振頻率(SRF)、集膚效應(yīng)(skin effect)以及渦流效應(yīng)的限制，很多介質(zhì)材料本身就不能應(yīng)用于高頻，因此材料本身還必須滿足低介電常數(shù)(ε＜＝8)，低介電損耗，tgδ在10～3量級，來減少信號延遲時間。從目前的研究和工業(yè)化現(xiàn)狀來看，應(yīng)用于高頻、特高頻的片式電感介質(zhì)材料比較少。但是，人們?nèi)匀贿M行了大量的研究工作。
“玻璃+陶瓷”復(fù)合體系中玻璃是一種低熔點的且介電常數(shù)低、介電損耗低的玻璃，陶瓷是一種低介電常數(shù)的可提高燒結(jié)體物理性能的晶相物質(zhì)。在此體系中，玻璃起助燒作用，陶瓷起骨架作用，來調(diào)節(jié)材料的物理性能和防止燒結(jié)過程中的變形。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種高頻片式電感材料及制備方法，具有成本低，成品合格率高，方法簡單易行的特點。
本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣解決的一種高頻片式電感材料，由重量百分含量45～75wt％的硼硅玻璃和總含量在25～55wt％之間的鎂橄欖石和氧化鋁中的至少一種物質(zhì)組成，當(dāng)同時包括鎂橄欖石和氧化鋁兩種物質(zhì)時，鎂橄欖石和氧化鋁的重量百分含量均為1～55wt％。
所述硼硅玻璃中按重量百分含量二氧化硅SiO2為65～80wt％，氧化硼B(yǎng)2O3為10％～16wt％，氧化鋁Al2O3為1～9wt％、堿金屬化合物氧化鉀K2O為1～5wt％、氧化鈉Na2O為1～5wt％和堿土金屬氧化物氧化鈣CaO為0～10wt％，同時，氧化鋁、氧化鉀、氧化鈉、氧化鈣的總含量為在5～20wt％。
其制備過程為1)首先熔制硼硅玻璃，按重量百分量稱量原料二氧化硅SiO2為65～80wt％，氧化硼B(yǎng)2O3為10％～16wt％，氧化鋁Al2O3為1～9wt％、堿金屬化合物氧化鉀K2O為1～5wt％、氧化鈉Na2O為1～5wt％和堿土金屬氧化物氧化鈣CaO為0～10wt％，同時，氧化鋁、氧化鉀、氧化鈉、氧化鈣的總含量為在5～20wt％后，混合均勻，球磨2～8小時，干燥，溫度為50～70℃，在坩堝內(nèi)于1250℃～1400℃下保溫1.5～4.5小時，使其完全熔融；2)將熔融物淬入蒸餾水中得到透明的玻璃體，粉碎，將粉碎之后的試樣過篩100目；3)所得玻璃體經(jīng)濕法球磨，得到平均粒徑為0.2～2um的玻璃粉末，在溫度為80℃～100℃烘干，制得硼硅玻璃；4)然后按以下a-c步驟之一，均可制得高頻片式電感材料a.將制得的硼硅玻璃重量百分含量為45～75wt％和鎂橄欖石重量百分含量為25～55wt％，球磨混合，球磨2～4小時后烘干，溫度為80℃～100℃，即得高頻片式電感材料；b.硼硅玻璃重量百分含量為45～75wt％和氧化鋁重量百分含量為25～55wt％，球磨混合，球磨2～4小時后烘干，溫度為80℃～100℃，即得高頻片式電感材料；c.硼硅玻璃重量百分含量為45～75wt％、氧化鋁重量百分含量為1～55wt％和鎂橄欖石重量百分含量為1～55wt％球磨混合，鎂橄欖石和氧化鋁的總含量在25～55wt％之間，球磨2～4小時后烘干，溫度為80℃～100℃，即得高頻片式電感材料。各重量百分比為硼硅玻璃45～75wt％和鎂橄欖石25～55wt％、硼硅玻璃45～75wt％和氧化鋁25～55wt％、硼硅玻璃45～75wt％和氧化鋁1～55wt％和鎂橄欖石1～55wt％，同時，在三種混合時，鎂橄欖石和氧化鋁的總含量在25～55wt％之間。
本發(fā)明高頻片式電感材料的特點
(1)該玻璃材料在(900～1000℃)致密燒結(jié)，燒結(jié)體的微觀結(jié)構(gòu)有大量0.2～2um的陶瓷晶粒、少量玻璃相和氣孔組成。
(2)本發(fā)明所制備的玻璃/陶瓷復(fù)合材料具有低的介電常數(shù)(ε＝4.0～6.8，1MHz)和介電損耗(tgσ＝0.001～0.0025，1MHz)，與內(nèi)電極相匹配的熱膨脹系數(shù)((5.0～9.7)×10～6/℃)。
(3)本發(fā)明通過在配方中添加CaO等助劑，可以降低玻璃的熔制溫度，玻璃料更加澄清、透明和均化。
(4)通過控制配方中的主要成分硼硅比，可以提高玻璃的低溫粘度和軟化點，使得復(fù)合材料成型后不易變形，同時，通過調(diào)控硼硅比的比值，來調(diào)節(jié)復(fù)合材料的燒結(jié)溫度，從而可以得到與不同燒結(jié)溫度的電極材料相匹配的材料。
(5)本發(fā)明制備的玻璃/陶瓷復(fù)合材料能夠很好地和低電阻率的銀電極共燒。
(6)本發(fā)明將單一的玻璃粉體在摻雜無機骨料后，解決高頻電感在燒結(jié)過程中的變形問題，提高熱膨脹系數(shù)，降低成本，提高成品合格率，這對實際生產(chǎn)很有意義。


圖1為經(jīng)過拋光后腐蝕的高頻片式電感材料式樣；圖2為高頻片式電感材料和銀共燒界面的光學(xué)顯微結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式實施例一一種高頻片式電感材料，包括玻璃相和陶瓷相，玻璃相為硼硅玻璃，陶瓷相是鎂橄欖石和氧化鋁。其中硼硅玻璃的重量百分比是SiO2(74％)，B2O3(15％)，Na2O(3.7％)，K2O(3.7％)，Al2O3(1.8％)，CaO(1.8％)。硼硅玻璃、鎂橄欖石(按常規(guī)工藝人工合成)和氧化鋁按照表1所示配方配料。
按重量百分比稱量。經(jīng)球磨3小時混料均勻后，在60℃烘干，裝入高鋁坩鍋，熔制玻璃(1250℃，保溫4小時)，將熔融的玻璃淬入蒸餾水中，得到透明的玻璃。將得到透明的玻璃體，100℃烘干、粉碎后，試樣過篩(100目)，所得玻璃粉末經(jīng)濕法球磨(用瑪瑙磨球)，后在70℃烘干，得到平均粒徑為0.2～2um的玻璃粉末，得到硼硅玻璃；按表1的配方，將硼硅玻璃與鎂橄欖石、氧化鋁混合，球磨2小時后在70℃烘干，即得到本發(fā)明的高頻片式電感材料。經(jīng)造粒(玻璃材料粉末與5％聚乙烯醇的比例為60/40)在50℃干燥后，在3～4MPa壓力下干壓成型，干壓片在箱式爐中燒結(jié)。由HP4284ALCR多頻率測試儀測定介電常數(shù)，測試頻率為1MHz；由測定熱膨脹系數(shù)。各組的燒結(jié)溫度、介電常數(shù)和熱膨脹系數(shù)匯總在表1。
由表1可見，當(dāng)SiO2含量為74％，B2O3含量為15％，硼硅玻璃含量為65～75wt％時，所得陶瓷材料的燒結(jié)溫度≤900℃，介電常數(shù)在4.2～5.1，熱膨脹系數(shù)在(5.5～7.5)×10～6/℃，既具有較低的介電常數(shù)，又具有較高的熱膨脹系數(shù)，材料成形后不變形。
表1 實施例1的配方和結(jié)果

<p>2、疾病癥狀編碼輸入查詢表表2-1

所得材料的燒結(jié)溫度700℃，介電常數(shù)為4.5，熱膨脹系數(shù)為6.75×10～6/℃，具有較低的介電常數(shù)和較高的熱膨脹系數(shù)，材料成形后不變形。
實施例四高頻片式電感材料，包括玻璃相和陶瓷相，玻璃相為硼硅玻璃，陶瓷相是鎂橄欖石和氧化鋁。其中硼硅玻璃組成為SiO2(69％)，B2O3(13.8％)，Na2O(3.4％)，K2O(3.4％)，Al2O3(8.6％)，CaO(1.7％)。硼硅玻璃、鎂橄欖石和氧化鋁(水熱法合成)按照表2所示配方配料。測試方法同實施例一，陶瓷材料的燒結(jié)溫度、介電常數(shù)和熱膨脹系數(shù)匯總在表2。
按重量百分比稱量。經(jīng)球磨5小時混料均勻后，在50℃烘干，裝入高鋁坩鍋，熔制玻璃(1350℃，保溫3小時)，將熔融的玻璃淬入蒸餾水中，得到透明的玻璃。將得到透明的玻璃體，110℃烘干、粉碎后，試樣過篩(100目)，所得玻璃粉末經(jīng)濕法球磨(用瑪瑙磨球)，后75℃烘干，得到平均粒徑為0.2～2um的玻璃粉末，即制得硼硅玻璃；按表2的配方，將硼硅玻璃與鎂橄欖石、氧化鋁混合，球磨3小時后65℃烘干，即得到本發(fā)明的高頻片式電感材料。經(jīng)造粒(玻璃材料粉末與5％聚乙烯醇的比例為60/40)55℃干燥后，在3～4MPa壓力下干壓成型，干壓片在箱式爐中燒結(jié)。由HP4284ALCR多頻率測試儀測定介電常數(shù)，測試頻率為1MHz；由測定熱膨脹系數(shù)。各組的燒結(jié)溫度、介電常數(shù)和熱膨脹系數(shù)匯總在表2。
由表2可見，按成份含量制作的硼硅玻璃，且硼硅玻璃的含量為65％～75％時，所得陶瓷材料的燒結(jié)溫度≤900℃，介電常數(shù)在3.8～4.975，熱膨脹系數(shù)在(5.3～7.15)×10～6/℃，既具有較低的介電常數(shù)，又具有較高的熱膨脹系數(shù)，材料成形后不變形。
表2 實施例2的配方和結(jié)果

實施例五高頻片式電感材料，包括玻璃相和陶瓷相，玻璃相為硼硅玻璃，陶瓷相是鎂橄欖石和氧化鋁。其中硼硅玻璃的重量百分比是SiO2(69％)，B2O3(13.8％)，Na2O(3.4％)，K2O(3.4％)，Al2O3(8.6％)，CaO(1.7％)。按照硼硅玻璃(75wt％)、氧化鋁(25wt％)配料。
制備過程中按重量百分含量稱量硼硅玻璃SiO2(69％)，B2O3(13.8％)，Na2O(3.4％)，K2O(3.4％)，Al2O3(8.6％)，CaO(1.7％)混合均勻，球磨。按照硼硅玻璃(75wt％)、氧化鋁(25wt％)混合配料。其它制備方法同實施例四。
所得材料的燒結(jié)溫度800℃，介電常數(shù)為4.625，熱膨脹系數(shù)為5.375×10～6/℃，具有較低的介電常數(shù)和較高的熱膨脹系數(shù)，材料成形后不變形。
實施例六高頻片式電感材料，包括玻璃相和陶瓷相，玻璃相為硼硅玻璃，陶瓷相是鎂橄欖石和氧化鋁。其中硼硅玻璃的重量百分比是SiO2(69％)，B2O3(13.8％)，Na2O(3.4％)，K2O(3.4％)，Al2O3(8.6％)，CaO(1.7％)。按照硼硅玻璃(45wt％)、氧化鋁(55wt％)配料。
制備過程同實施例四。
所得材料的燒結(jié)溫度1200℃，介電常數(shù)為5.875，熱膨脹系數(shù)為7.625×10～6/℃，具有較低的介電常數(shù)和較高的熱膨脹系數(shù)，材料成形后不變形。
實施例七高頻片式電感材料，包括玻璃相和陶瓷相，玻璃相為硼硅玻璃，陶瓷相是鎂橄欖石和氧化鋁。其中硼硅玻璃組成按重量百分比為SiO2(71.4％)，B2O3(14.3％)，Na2O(3.6％)，K2O(3.6％)，Al2O3(1.8％)，CaO(5.4％)。硼硅玻璃、鎂橄欖石和氧化鋁按照表3所示配方配料。測試方法同實施例一，陶瓷材料的燒結(jié)溫度、介電常數(shù)和熱膨脹系數(shù)匯總在表3。
按重量百分比稱量，經(jīng)球磨6小時混料均勻后，在75℃烘干，裝入坩鍋，熔制玻璃(1300℃，保溫1.5小時)，將熔融的玻璃淬入蒸餾水中，得到透明的玻璃。將得到透明的玻璃體，120℃烘干、粉碎后，試樣過篩(100目)，所得玻璃粉末經(jīng)濕法球磨(用瑪瑙磨球)，后70℃烘干，得到平均粒徑為0.2～1um的玻璃粉末，即制得硼硅玻璃；按表3的配方，將硼硅玻璃與鎂橄欖石、氧化鋁混合，球磨3.5小時后80℃烘干，即得到本發(fā)明的高頻片式電感材料。經(jīng)造粒(玻璃材料粉末與5％聚乙烯醇的比例為60/40)45℃干燥后，在4～5MPa壓力下干壓成型，干壓片在箱式爐中燒結(jié)。由HP4284ALCR多頻率測試儀測定介電常數(shù)，測試頻率為1MHz；由測定熱膨脹系數(shù)。各組的燒結(jié)溫度、介電常數(shù)和熱膨脹系數(shù)匯總在表3。
由表3可見，22號～25號配方所得陶瓷材料的燒結(jié)溫度≤900℃，介電常數(shù)在3.8～4.8，熱膨脹系數(shù)在(5.0～6.0)×10～6/℃，既具有較低的介電常數(shù)，又具有較高的熱膨脹系數(shù)。
表3 實施例3的配方和結(jié)果

實施例八高頻片式電感材料，包括玻璃相和陶瓷相，玻璃相為硼硅玻璃，陶瓷相是鎂橄欖石和氧化鋁。其中硼硅玻璃的重量百分比是SiO2(71.4％)，B2O3(14.3％)，Na2O(3.6％)，K2O(3.6％)，Al2O3(1.8％)，CaO(5.4％)。按照硼硅玻璃(55wt％)和氧化鋁(5wt％)和鎂橄欖石(40wt％)配料。
制備過程同實施例七。
所得材料的燒結(jié)溫度1000℃，介電常數(shù)為4.56，熱膨脹系數(shù)為7.4×10～6/℃，具有較低的介電常數(shù)和較高的熱膨脹系數(shù)，材料成形后不變形。
實施例九高頻片式電感材料，包括玻璃相和陶瓷相，玻璃相為硼硅玻璃，陶瓷相是鎂橄欖石和氧化鋁。其中硼硅玻璃的重量百分比是SiO2(71.4％)，B2O3(14.3％)，Na2O(3.6％)，K2O(3.6％)，Al2O3(1.8％)，CaO(5.4％)。按照硼硅玻璃62wt％和氧化鋁28wt％和鎂橄欖石10wt％配料。
制備過程同實施例七。
所得材料的燒結(jié)溫度900℃，介電常數(shù)為4.788，熱膨脹系數(shù)為5.925×10～6/℃，具有較低的介電常數(shù)和較高的熱膨脹系數(shù)，材料成形后不變形。
實施例十高頻片式電感材料，包括玻璃相和陶瓷相，玻璃相為硼硅玻璃，陶瓷相是鎂橄欖石和氧化鋁。其中硼硅玻璃組成按重量百分比為SiO2(78.4％)，B2O3(15.7％)，Na2O(1.96％)，K2O(1.96％)，Al2O3(3.92％)。硼硅玻璃、鎂橄欖石(按常規(guī)工藝人工合成)和氧化鋁(水熱法合成)按照表4所示配方配料。
測試方法同實施例一，陶瓷材料的燒結(jié)溫度、介電常數(shù)和熱膨脹系數(shù)匯總在表4。
按重量百分比稱量。經(jīng)球磨8小時混料均勻后，在65℃烘干，裝入高鋁坩鍋，熔制玻璃(1400℃，保溫2小時)，將熔融的玻璃淬入蒸餾水中，得到透明的玻璃。將得到透明的玻璃體，100℃烘干、粉碎后，試樣過篩(100目)，所得玻璃粉末經(jīng)濕法球磨(用瑪瑙磨球)，后65℃烘干，得到平均粒徑為0.2～1.5um的玻璃粉末，即制得硼硅玻璃；按表4的配方，將硼硅玻璃與鎂橄欖石、氧化鋁混合，球磨4小時后90℃烘干，即得到本發(fā)明的高頻片式電感材料。經(jīng)造粒(玻璃材料粉末與5％聚乙烯醇的比例為60/40)干燥后，在4～5MPa壓力下干壓成型，干壓片在箱式爐中燒結(jié)。由HP4284ALCR多頻率測試儀測定介電常數(shù)，測試頻率為1MHz；由測定熱膨脹系數(shù)。各組的燒結(jié)溫度、介電常數(shù)和熱膨脹系數(shù)匯總在表4。
由表4可見，27號～29號配方所得陶瓷材料的燒結(jié)溫度≤900℃，介電常數(shù)在4.2～4.7，熱膨脹系數(shù)在(6.1～7.6)×10～6/℃，既具有較低的介電常數(shù)，又具有較高的熱膨脹系數(shù)表4 實施例4的配方和結(jié)果

實施例十一高頻片式電感材料，包括玻璃相和陶瓷相，玻璃相為硼硅玻璃，陶瓷相是鎂橄欖石和氧化鋁。其中硼硅玻璃的重量百分比是SiO2(78.4％)，B2O3(15.7％)，Na2O(1.96％)，K2O(1.96％)，Al2O3(3.92％)。按照硼硅玻璃54wt％、氧化鋁30wt％和鎂橄欖石16wt％配料。
制備過程同實施例十。
所得材料的燒結(jié)溫度1100℃，介電常數(shù)為5.304，熱膨脹系數(shù)為7.29×10～6/℃，具有較低的介電常數(shù)和較高的熱膨脹系數(shù)，材料成形后不變形。
實施例十二高頻片式電感材料，包括玻璃相和陶瓷相，玻璃相為硼硅玻璃，陶瓷相是鎂橄欖石和氧化鋁。其中硼硅玻璃的重量百分比是SiO2(78.4％)，B2O3(15.7％)，Na2O(1.96％)，K2O(1.96％)，Al2O3(3.92％)。按照硼硅玻璃67wt％、氧化鋁3wt％和鎂橄欖石30wt％混合配料。
制備過程同實施例十。
所得材料的燒結(jié)溫度900℃，介電常數(shù)為4.412，熱膨脹系數(shù)為7.525×10～6/℃，具有較低的介電常數(shù)和較高的熱膨脹系數(shù)，材料成形后不變形。
權(quán)利要求
1.一種高頻片式電感材料，其特征在于，由重量百分含量45～75wt％的硼硅玻璃和總含量在25～55wt％之間的鎂橄欖石和氧化鋁中的至少一種物質(zhì)組成，當(dāng)同時包括鎂橄欖石和氧化鋁兩種物質(zhì)時，鎂橄欖石和氧化鋁的重量百分含量均為1～55wt％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻片式電感材料，其特征在于，所述硼硅玻璃中按重量百分含量二氧化硅SiO2為65～80wt％，氧化硼B(yǎng)2O3為10％～16wt％，氧化鋁Al2O3為1～9wt％、堿金屬化合物氧化鉀K2O為1～5wt％、氧化鈉Na2O為1～5wt％和堿土金屬氧化物氧化鈣CaO為0～10wt％，同時，氧化鋁、氧化鉀、氧化鈉、氧化鈣的總含量為在5～20wt％。
3.一種高頻片式電感材料的制備方法，其特征在于，其制備過程為1)首先熔制硼硅玻璃，按重量百分量稱量原料二氧化硅SiO2為65～80wt％，氧化硼B(yǎng)2O3為10％～16wt％，氧化鋁Al2O3為1～9wt％、堿金屬化合物氧化鉀K2O為1～5wt％、氧化鈉Na2O為1～5wt％和堿土金屬氧化物氧化鈣CaO為0～10wt％，同時，氧化鋁、氧化鉀、氧化鈉、氧化鈣的總含量為在5～20wt％后，混合均勻，球磨2～8小時，干燥，溫度為50～70℃，在坩堝內(nèi)于1250℃～1400℃下保溫1.5～4.5小時，使其完全熔融；2)將熔融物淬入蒸餾水中得到透明的玻璃體，粉碎，將粉碎之后的試樣過篩100目；3)所得玻璃體經(jīng)濕法球磨，得到平均粒徑為0.2～2um的玻璃粉末，在溫度為80℃～100℃烘干，制得硼硅玻璃；4)然后按以下a-c步驟之一，均可制得高頻片式電感材料a.將制得的硼硅玻璃重量百分含量為45～75wt％和鎂橄欖石重量百分含量為25～55wt％，球磨混合，球磨2～4小時后烘干，溫度為80℃～100℃，即得高頻片式電感材料；b.硼硅玻璃重量百分含量為45～75wt％和氧化鋁重量百分含量為25～55wt％，球磨混合，球磨2～4小時后烘干，溫度為80℃～100℃，即得高頻片式電感材料；c.硼硅玻璃重量百分含量為45～75wt％、氧化鋁重量百分含量為1～55wt％和鎂橄欖石重量百分含量為1～55wt％球磨混合，鎂橄欖石和氧化鋁的總含量在25～55wt％之間，球磨2～4小時后烘干，溫度為80℃～100℃，即得高頻片式電感材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高頻片式電感材料及制備方法，由重量百分含量45～75wt％的硼硅玻璃和總含量在25～55wt％之間的鎂橄欖石和氧化鋁中的至少一種物質(zhì)組成，當(dāng)同時包括鎂橄欖石和氧化鋁兩種物質(zhì)時，鎂橄欖石和氧化鋁的重量百分含量均為1～55wt％。氧化鋁采用常規(guī)水熱法合成(顆粒尺寸范圍在0.5～1.5um之間)，鎂橄欖石采用人工合成。粉料經(jīng)球磨、造粒、成型和燒結(jié)過程，其中，在造粒過程中要求平均粒徑≤2um。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可使低燒的電感材料提高熱膨脹系數(shù)，降低介電常數(shù)和生產(chǎn)成本，縮小元件尺寸，解決了片式電感變形的問題。其配方、工藝簡單，性能穩(wěn)定，適于工業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號H01B3/02GK1645528SQ20041007336
公開日2005年7月27日 申請日期2004年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月8日
發(fā)明者陳維, 郭海, 趙麗華, 曾向東, 戴春雷 申請人:西安交通大學(xué), 深圳順絡(luò)電子有限公司