專利名稱：無源射頻器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)射頻器件，特別有關(guān)一種無源射頻器件。
背景技術(shù)：
GSM、 CDMA、 WCDMA、 TD-SCDMA、 Wimax、 LTE等各制式通訊基站設(shè)備中都需要用到環(huán) 行器(Circulation)、隔離器(Isolation)、雙工器、合路器、繼電器等無源射頻器件，以用 于控制信號的單向傳輸、保護功放電路等。 目前業(yè)界使用的10W以上的大功率無源射頻器件依安裝方式主要分為兩種螺接 式(Drop-in)和表貼式。這些無源射頻器件均采用金屬腔體進行封裝，以實現(xiàn)必要的電磁 通路。 其中一種封裝結(jié)構(gòu)是由冷軋鋼形成一體式的金屬外殼。這種整體式的封裝結(jié)構(gòu)， 由于外殼可實現(xiàn)整體接地，射頻性能優(yōu)越；但因外殼材料為冷軋鋼，硬度很高，難以沖壓形 成，需整體采用車床機加工制成，加工效率低，制造成本高，嚴重阻礙了無源射頻器件的成 本降低。 為降低成本，出現(xiàn)了另一種分體式的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬外殼和設(shè)于外殼兩端的 底座(Bas印late)和封裝蓋，其中金屬外殼選用厚度較薄的鐵片通過沖壓形成，底座采用 銅或鋁合金等制成，封裝蓋(Upper Case)采用螺紋旋入的方式結(jié)合在外殼內(nèi)。這種分體 式的封裝結(jié)構(gòu)雖然金屬外殼可以采用沖壓方式整體形成，不必進行機加工，在一定程度上 提高了加工效率也降低了制造成本；但金屬外殼供封裝蓋旋入的螺紋部分仍然需要車床加 工，并且金屬外殼與底座還需要進行一道焊接工序，加工效率和成本優(yōu)勢仍不明顯。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施方式提供一種無源射頻器件，能提高通訊設(shè)備中無源射頻器件的可靠 性同時降低成本。 本發(fā)明實施方式提供的一種無源射頻器件，包括金屬底座、連接在金屬底座上的 外殼及壓置于外殼的封裝蓋，由所述金屬底座、外殼及封裝蓋形成容納腔，所述外殼由非金 屬材料制成，在所述容納腔內(nèi)設(shè)有金屬導(dǎo)磁片，所述金屬導(dǎo)磁片與所述金屬底座形成磁體 通路。 根據(jù)上述方案，本發(fā)明實施方式由容納腔內(nèi)的金屬導(dǎo)磁片與金屬底座形成磁體通 路，實現(xiàn)無源射頻器件的基本功能，具有高可靠性；同時使外殼由非金屬材料制成，能實現(xiàn) 模具化批量生產(chǎn)，設(shè)計和加工非常容易實現(xiàn)，能有效提高加工效率，降低成本。


圖1為本發(fā)明實施方式的分解示意圖。 圖2為本發(fā)明實施方式的一種環(huán)側(cè)磁片的示意圖。 圖3為圖1中外殼與金屬底座連接的一個實施例的剖視示意圖。
圖4為圖1中外殼與金屬底座連接的又一個實施例的局部剖視放大圖。
具體實施例方式
本發(fā)明實施方式提供一種無源射頻器件例如環(huán)行器、隔離器、雙工器、合路器或繼 電器等等，但不局限于這些種類，本發(fā)明實施方式適用于10W以上的大功率無源射頻器件 的封裝，但小功率無源射頻器件也可采用。 如圖1所示，本發(fā)明實施方式提供的無源射頻器件，包括金屬底座1、連接在金屬 底座1上的外殼2及壓置于外殼2的封裝蓋3，封裝蓋3可壓置于外殼2內(nèi)，也可壓置于外 殼2頂部，由金屬底座1、外殼2及封裝蓋3形成容納腔4，在容納腔4內(nèi)設(shè)置無源射頻器件 的中心導(dǎo)件、旋磁介質(zhì)等內(nèi)部元件從而對其進行封裝(圖中未示出)，金屬底座1仍采用銅、 鋁合金或者碳鋼制成(類似塑封功放)并具有較好的散熱特性，其中外殼l由非金屬材料 制成，例如非金屬聚合物中的高分子聚合物，在容納腔4內(nèi)設(shè)有數(shù)個金屬導(dǎo)磁片5，使數(shù)個 金屬導(dǎo)磁片5與金屬底座1來形成磁體通路。優(yōu)選封裝蓋3也由非金屬材料例如非金屬聚 合物中的高分子聚合物制成。 根據(jù)上述方案，本發(fā)明實施方式由容納腔內(nèi)的金屬導(dǎo)磁片與金屬底座形成磁體通 路，實現(xiàn)無源射頻器件的基本功能，具有高可靠性；同時外殼2及封裝蓋3由非金屬材料制 成，可實現(xiàn)模具化批量生產(chǎn)，設(shè)計和加工非常容易實現(xiàn)，能有效提高加工效率，降低成本。
如前所述，本發(fā)明實施方式中的非金屬材料優(yōu)選非金屬聚合物中的高分子聚合物 例如有機塑料、橡膠或纖維，高分子聚合物通常具有較高的機械強度和耐高溫性能，優(yōu)選能 夠耐受100攝氏度以上的工作溫度，具有模具化批量生產(chǎn)的特性。其中有機塑料優(yōu)選例如 尼龍(polyphtalamid-PA6)、聚苯乙烯等，纖維例如優(yōu)選玻璃纖維(fiber glass)、碳纖維等 等，橡膠可以選用耐高溫具有高強度的輪胎用橡膠。在本發(fā)明實施方式中，非金屬材料還可 以選用其它非金屬聚合物例如彈道材料，具有足夠的強度和耐熱性能。當然以上例舉并不 是窮盡的，其它未提及的能夠滿足工程強度要求和耐高溫要求的非金屬材料均可采用，不 作限制。 在本發(fā)明實施方式中封裝蓋3壓緊外殼2內(nèi)部元件的方式可選用旋入式壓緊，封 裝蓋3的上端面31設(shè)有數(shù)個例如三個沿封裝蓋31圓周方向均勻分布的壓緊凸部311，每 個壓緊凸部311沿圓周方向高度漸變，在封裝蓋3的側(cè)面32設(shè)有數(shù)個(例如三個)嵌入凹 槽321，數(shù)個壓緊凸部311與數(shù)個嵌入凹槽321交叉分布，在外殼2的內(nèi)壁面22的上部設(shè)有 與封裝蓋3的嵌入凹槽321相對應(yīng)的擋止凸部221，封裝蓋3的壓緊凸部311的上端面312 抵持在擋止凸部221的下端面222從而將容納腔4內(nèi)的元件壓緊，外殼2在異于擋止凸部 221的位置還設(shè)有數(shù)個(例如三個)外部引腳開槽23，外部引腳開槽23貫通外殼2的上下 高度。在壓緊時，將封裝蓋3的嵌入凹槽321對準外殼2的擋止凸部221滑入容納腔4內(nèi)， 隨后旋轉(zhuǎn)封裝蓋3，壓緊凸部311的上端面312即可與擋止凸部221的下端面222相接合， 視壓緊的緊度要求，將封裝蓋3定位在壓緊凸部311的預(yù)定高度位置。在本實施方式中的 此種旋入式壓緊結(jié)構(gòu)，壓緊可靠，不必形成螺紋結(jié)構(gòu)，模具化成型方便，能避免螺紋結(jié)構(gòu)螺 牙尺寸相對較小而導(dǎo)致易脫扣的連接不可靠的問題，但在另一個實施例中，并不排除傳統(tǒng) 螺紋壓緊的結(jié)構(gòu)，仍可采用，相對于現(xiàn)有金屬外殼需機加工螺紋部分，本發(fā)明實施方式的封 裝蓋3和外殼2因由高分子聚合物制成，因此其螺紋結(jié)構(gòu)可以一體模造成型，加工效率不受
4影響，成本低。 在本發(fā)明實施方式中金屬導(dǎo)磁片5包括上磁片51和環(huán)側(cè)磁片52，上磁片51和環(huán) 側(cè)磁片52的厚度大于lmm，厚度上限以不過多占據(jù)容納腔4為宜，環(huán)側(cè)磁片52位于金屬底 座1上且沿外殼2的圓周向方向貼置在外殼2的內(nèi)壁面22上的擋止凸部221的下方，上磁 片51位于環(huán)側(cè)磁片52的上方，環(huán)側(cè)磁片52為包括數(shù)個(例如三個)環(huán)片的分體形式，數(shù) 個環(huán)片依序貼置在外殼2的內(nèi)壁面22而圍成環(huán)形，在環(huán)側(cè)磁片52上設(shè)有數(shù)個內(nèi)部引腳開 槽522，在該分體形式的環(huán)側(cè)磁片實施例中是由相鄰環(huán)片之間的間隔構(gòu)成所述內(nèi)部引腳開 槽522，環(huán)側(cè)磁片52的內(nèi)部引腳開槽522與外殼2的外部引腳開槽23相對應(yīng)，以用于從此 處將引腳引出。如圖2所示的另一個實施例中，環(huán)側(cè)磁片52也可以為整體環(huán)形，安裝更加 方便，在環(huán)側(cè)磁片52的上部設(shè)置內(nèi)部引腳開槽522，內(nèi)部引腳開槽522并未貫通環(huán)側(cè)磁片的 整體高度，以保證環(huán)側(cè)磁片52的連續(xù)性。 在本發(fā)明實施方式中，如圖3所示，外殼2和金屬底座1的連接方式有多種，在一 個實施例中，是在金屬底座1上對應(yīng)外殼2下端面21的接合面11上設(shè)有數(shù)個卡座12，卡 座12優(yōu)選形成具有倒鉤的形式，在模具化成型外殼2時，使熔融的高分子聚合物直接包覆 各卡座12，同時在外殼2的下端面21和金屬底座1的接合面11之間可由粘結(jié)劑相接合， 以強化二者結(jié)合的牢固度，從而在模具化成型外殼2的同時，就可在外殼2成型固化后使卡 座12—體固化埋置在外殼2的壁部內(nèi)，從而將外殼2牢固地連接在金屬底座1上，不必進 行現(xiàn)有技術(shù)中金屬外殼與金屬底座額外的焊接工序，提高加工效率。在另一個實施例中，由 于高分子聚合物具有高黏度的特性，外殼2的下端面21也可以直接通過熔融后固化的方式 結(jié)合在金屬底座1的接合面11上，類似于由外殼2下端面21的材料作為焊料進行非金屬 摩擦焊接，也能夠滿足結(jié)合強度，優(yōu)選在金屬底座1的接合面11上形成粗糙摩擦部，以利于 加強二者的結(jié)合牢固度，不再提供圖式。在另一個實施例中，如圖4所示，也可以在金屬底 座1上形成多個通孔lll，而在外殼2的下端面21上形成多個與通孔111對應(yīng)的具有倒鉤 的彈性卡扣211，通過彈性卡扣211彈性變形后穿過金屬底座1上的通孔111也可以由倒鉤 將二者牢固在結(jié)合在一起。上述外殼2與金屬底座1的三種結(jié)合方式，并沒有窮舉，其它能 將二者結(jié)合起來的方式均可采用。 以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，當然不能以此限定本發(fā)明實施的范圍，凡 依本發(fā)明的內(nèi)容所作的等同變化與修飾，即任意他人將外殼和封裝蓋采用非金屬材料制 成、而通過數(shù)個導(dǎo)磁片與底座來形成磁體通路，均應(yīng)屬于本發(fā)明實施例范圍。
權(quán)利要求
一種無源射頻器件，包括金屬底座、連接在金屬底座上的外殼及壓置于外殼的封裝蓋，由所述金屬底座、外殼及封裝蓋形成容納腔，其特征是所述外殼由非金屬材料制成，在所述容納腔內(nèi)設(shè)有金屬導(dǎo)磁片，所述金屬導(dǎo)磁片與所述金屬底座形成磁體通路。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無源射頻器件，其特征是所述封裝蓋由非金屬材料制成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的無源射頻器件，其特征是所述非金屬材料為高分子聚 合物。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的無源射頻器件，其特征是所述高分子聚合物為耐受100攝 氏度以上溫度的有機塑料、橡膠或纖維。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的無源射頻器件，其特征是在所述金屬底座與所述外殼 相連接的接合面上設(shè)有卡座，所述卡座一體固化埋置在所述外殼內(nèi)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的無源射頻器件，其特征是所述外殼的下端面熔融固化 在所述金屬底座的接合面上；或者在所述外殼與金屬底座的接合面之間由粘結(jié)劑相接合。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的無源射頻器件，其特征是所述封裝蓋的上端面設(shè)有數(shù) 個沿所述封裝蓋圓周方向均勻分布的壓緊凸部，每個壓緊凸部沿圓周方向高度漸變，在所 述封裝蓋的側(cè)面設(shè)有數(shù)個嵌入凹槽，所述壓緊凸部與所述嵌入凹槽交叉分布，在所述外殼 的內(nèi)壁面的上部設(shè)有與所述封裝蓋的嵌入凹槽相對應(yīng)的擋止 凸部，壓緊凸部的上端面與擋 止凸部的下端面相接合，所述外殼在異于擋止凸部的位置設(shè)有數(shù)個外部引腳開槽。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的無源射頻器件，其特征是所述金屬導(dǎo)磁片包括上磁片和環(huán) 側(cè)磁片，所述環(huán)側(cè)磁片位于所述金屬底座上且沿所述外殼的圓周向方向貼置在所述外殼的 內(nèi)壁面上的擋止凸部的下方，所述上磁片位于所述環(huán)側(cè)磁片的上方，所述環(huán)側(cè)磁片設(shè)有數(shù) 個內(nèi)部引腳開槽，所述環(huán)側(cè)磁片的內(nèi)部引腳開槽與所述外殼的外部引腳開槽相對應(yīng)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的無源射頻器件，其特征是所述環(huán)側(cè)磁片為整體環(huán)形，在所述 環(huán)側(cè)磁片的上部設(shè)置所述內(nèi)部引腳開槽；或者所述環(huán)側(cè)磁片為包括數(shù)個環(huán)片的分體結(jié)構(gòu)， 數(shù)個環(huán)片依序貼置在所述外殼的內(nèi)壁面，由相鄰環(huán)片之間的間隔構(gòu)成所述內(nèi)部引腳開槽。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的無源射頻器件，其特征是所述無源射頻器件為環(huán)行 器、隔離器、雙工器、合路器或繼電器。
全文摘要
一種無源射頻器件，包括金屬底座、連接在金屬底座上的外殼及壓置于外殼的封裝蓋，由所述金屬底座、外殼及封裝蓋形成容納腔，所述外殼由非金屬材料制成，在所述容納腔內(nèi)設(shè)有金屬導(dǎo)磁片，所述金屬導(dǎo)磁片與所述金屬底座形成磁體通路。本發(fā)明實施方式由容納腔內(nèi)的金屬導(dǎo)磁片與金屬底座形成磁體通路，實現(xiàn)無源射頻器件的基本功能，具有高可靠性；外殼由非金屬材料制成，可實現(xiàn)模具化批量生產(chǎn)，設(shè)計和加工非常容易實現(xiàn)，能有效提高加工效率，降低成本。
文檔編號H01P1/00GK101702455SQ20091022555
公開日2010年5月5日 申請日期2009年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月30日
發(fā)明者龐照勇, 李曉林, 蔚翔, 謝倫琛, 賴德強 申請人:華為技術(shù)有限公司