具有設(shè)置在封裝體內(nèi)的無(wú)源微電子器件的微電子封裝件的制作方法
【專利摘要】一種微電子封裝件，包括設(shè)置在封裝體內(nèi)的無(wú)源微電子器件，其中，封裝體是微電子封裝件的部分，封裝體為微電子封裝件提供支撐和/或剛性。在倒裝芯片類型的微電子封裝件中，封裝體可以包括微電子基板，有源微電子器件電附接至微電子基板。在嵌入式器件類型的微電子封裝件中，封裝體可以包括其中嵌入有源微電子器件的材料。
【專利說(shuō)明】
具有設(shè)置在封裝體內(nèi)的無(wú)源微電子器件的微電子封裝件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例總體上涉及微電子封裝件制造的領(lǐng)域，并且具體而言，涉及包括表面安裝器件和/或設(shè)置在封裝體內(nèi)的集成無(wú)源器件的微電子封裝件。
【背景技術(shù)】
[0002]微電子產(chǎn)業(yè)繼續(xù)努力生產(chǎn)用在各種電子產(chǎn)品(包括但不限于計(jì)算機(jī)服務(wù)器產(chǎn)品和諸如便攜式計(jì)算機(jī)、電子平板設(shè)備、蜂窩電話、數(shù)字相機(jī)等等之類的便攜式產(chǎn)品)中的越來(lái)越快和越來(lái)越小的微電子封裝件。隨著實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，微電子封裝件的制造變得更加具有挑戰(zhàn)性。一個(gè)這種挑戰(zhàn)性領(lǐng)域與減小微電子封裝件的高度/厚度有關(guān)。盡管有源微電子器件(諸如微電子管芯)的厚度已經(jīng)減小，但是用在微電子封裝件中的無(wú)源微電子器件(諸如集成無(wú)源器件和表面安裝器件)難以在尺寸上減小。這種困難起因于通常這些無(wú)源微電子器件需要特定量(例如，體積)的部件材料以便實(shí)現(xiàn)期望的功能(例如，電容值、電感值等)的事實(shí)。由此，制造更薄的無(wú)源微電子器件將需要減小部件材料的體積(其將阻礙性能)或使用非常規(guī)的部件材料(其可以減小將需要的部件材料的體積，但可能過(guò)高地增加無(wú)源微電子器件的成本)。
【附圖說(shuō)明】
[0003]在說(shuō)明書(shū)的結(jié)束部分中特別地指出并且明確地要求保護(hù)本公開(kāi)內(nèi)容的主題。根據(jù)下面的描述和所附權(quán)利要求并且結(jié)合附圖考慮，本公開(kāi)內(nèi)容的前述特征和其它特征將變得更加充分地顯而易見(jiàn)。應(yīng)當(dāng)理解的是，附圖僅僅描繪了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的幾個(gè)實(shí)施例，并且因此不被認(rèn)為限制其范圍。本公開(kāi)內(nèi)容將通過(guò)使用附圖被描述為具有附加的特征和細(xì)節(jié)，以使得本公開(kāi)內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)可以更容易確定，在附圖中:
[0004]圖1A-1F示出了根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例的制造倒裝芯片類型的微電子封裝件的工藝的橫截面視圖。
[0005]圖2A-2F示出了根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的另一個(gè)實(shí)施例的制造嵌入式技術(shù)類型的微電子封裝件的工藝的橫截面視圖。
[0006]圖3A-3F示出了根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的又一個(gè)實(shí)施例的制造嵌入式技術(shù)類型的微電子封裝件的工藝的橫截面視圖。
[0007]圖4是根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例的制造微電子結(jié)構(gòu)的工藝的流程圖。
[0008]圖5示出了根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的一個(gè)實(shí)施方式的計(jì)算設(shè)備。
【具體實(shí)施方式】
[0009]在下面的【具體實(shí)施方式】中，對(duì)附圖進(jìn)行了參考，附圖通過(guò)例示的方式示出了其中可以實(shí)施所要求保護(hù)的主題的具體實(shí)施例。足夠詳細(xì)地描述了這些實(shí)施例，以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┲黝}。應(yīng)當(dāng)理解的是，各個(gè)實(shí)施例(盡管不同)不必相互排斥。例如，在不脫離所要求保護(hù)的主題的精神和范圍的情況下，本文結(jié)合一個(gè)實(shí)施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以在其它實(shí)施例內(nèi)實(shí)施。此說(shuō)明書(shū)內(nèi)對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”的提及意指結(jié)合實(shí)施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在包含在本書(shū)明書(shū)內(nèi)的至少一個(gè)實(shí)施方式中。因此，使用短語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”或“在實(shí)施例中”不必指代相同實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)理解的是，每一個(gè)所公開(kāi)的實(shí)施例內(nèi)單獨(dú)元件的位置或布置可以在不脫離所要求保護(hù)的主題的精神和范圍的情況下得以修改。下面的【具體實(shí)施方式】因此不認(rèn)為是限制意義，并且主題的范圍僅僅由適當(dāng)解釋的所附權(quán)利要求連同所附權(quán)利要求所賦予的等同形式的全部范圍來(lái)限定。在附圖中，類似的附圖標(biāo)記指代遍及幾個(gè)視圖的相同或類似的元件或功能，并且其中所描繪的這些元件不必彼此按比例縮放，而是單獨(dú)的元件可以放大或縮小以便在本說(shuō)明書(shū)的背景下更容易地理解元件。
[0010]如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“在……上方”、“至”、“在……之間”和“在……上”可以指代一層相對(duì)于其它層的相對(duì)位置。一層“在”另一層“上方”或“在”另一層“上”或鍵合“至”另一層可以直接與另一層接觸或可以具有一個(gè)或多個(gè)中間層。層“之間”的一層可以直接與這些層接觸或可以具有一個(gè)或多個(gè)中間層。
[0011]本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例包括具有設(shè)置在封裝體內(nèi)的無(wú)源微電子器件的微電子封裝件，其中，封裝體是微電子封裝件的一部分，其為微電子封裝件提供支撐和/或剛性。在倒裝芯片類型的微電子封裝件中，封裝體可以包括微電子基板，有源微電子器件電附接至該微電子基板。在嵌入式器件類型的微電子封裝件中，封裝體可以包括其中嵌入了有源微電子器件的材料。
[0012]圖1A-1F示出了本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例，其中無(wú)源器件設(shè)置在倒裝芯片類型的微電子封裝件的封裝體內(nèi)。如在圖1A中示出的，可以形成封裝體110。封裝體110可以是具有第一表面112和相對(duì)的第二表面114的微電子基板，諸如母板、內(nèi)插器(interposer)等。封裝體110可以具有形成在封裝體的第一表面112中或第一表面112上的多個(gè)焊盤(pán)116、以及形成在封裝體的第二表面114中或第二表面112上的多個(gè)焊盤(pán)118。封裝體110可以包括具有由形成在電介質(zhì)層中的至少一個(gè)電介質(zhì)層上(示出為形成在第二電介質(zhì)層1222上)的導(dǎo)電跡線124構(gòu)成的多個(gè)導(dǎo)電路徑130的多個(gè)電介質(zhì)層(示出為第一電介質(zhì)層122工和第二電介質(zhì)層1222)，其中，連接形成在諸如導(dǎo)電跡線124、封裝體的第一表面焊盤(pán)116、以及封裝體的第二表面焊盤(pán)118之類的結(jié)構(gòu)之間，其中導(dǎo)電過(guò)孔126形成為穿過(guò)各個(gè)電介質(zhì)層(示出為第一電介質(zhì)層1224P第二電介質(zhì)層1222)。應(yīng)當(dāng)理解的是，導(dǎo)電路徑130可以包括封裝體的第一表面焊盤(pán)116和封裝體的第二表面焊盤(pán)118。
[0013]封裝體電介質(zhì)層(不出為第一電介質(zhì)層122ι和第二電介質(zhì)層1222)可以包括任何適當(dāng)?shù)碾娊橘|(zhì)材料，包括但不限于液晶聚合物、環(huán)氧樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂、聚苯并惡P坐、聚酰亞胺材料、二氧化娃填充的環(huán)氧樹(shù)脂(諸如可從日本的Ajinomoto Fine-TechnoC0., Inc., l-2Suzuki_cho ,Kawasak1-ku ,Kawasak1-shi , 210-0801 獲得的材料，(例如，Ajinomoto ABFGX 13和Ajinomoto GX92))等等。導(dǎo)電路徑130可以由任何適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料構(gòu)成，包括但不限于銅、銀、金、鎳、鈦、鎢及其合金。用于形成封裝體110的工藝對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是公知的，并且為了簡(jiǎn)潔和簡(jiǎn)明將不在本文中進(jìn)行描述或示出。應(yīng)當(dāng)理解的是，封裝體110可以由任何數(shù)量的電介質(zhì)層構(gòu)成，可以包含剛性芯(未示出)，并可以包含形成在其中的有源和/或無(wú)源微電子器件(未示出)。還應(yīng)當(dāng)理解的是，導(dǎo)電路徑130可以在封裝體110內(nèi)形成任何期望的電路線和/或利用附加的外部部件(未示出)來(lái)形成任何期望的電路線。還應(yīng)當(dāng)理解的是，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，可以在封裝體的第一表面122和/或封裝體的第二表面124上利用阻焊層(未示出)。
[0014]如在圖1B中示出的，可以在封裝體110中形成腔132。如所示出的，封裝體的腔132可以形成為穿過(guò)封裝體110，從封裝體的第一表面112延伸至封裝體的第二表面114并且在它們之間形成腔側(cè)壁134。封裝體的腔132可以通過(guò)本領(lǐng)域中公知的任何技術(shù)來(lái)形成，包括但不限于沖壓、碾磨、鉆孔、夾持(pinching)、蝕刻等。
[0015]如在圖1C中示出的，在通常被稱為倒裝芯片或可控塌陷芯片連接(“C4”)的配置中，有源微電子器件140可以利用多個(gè)互連件150(諸如可回流的焊接凸點(diǎn)或焊球)附接至對(duì)應(yīng)的封裝體的第一表面焊盤(pán)116?；ミB件150可以在封裝體的第一表面焊盤(pán)116與有源微電子器件140的有源表面144上的鏡像焊盤(pán)142之間延伸以便在它們之間形成電連接。應(yīng)當(dāng)理解的是，有源微電子器件的焊盤(pán)142可以與有源微電子器件140內(nèi)的集成電路(未示出)進(jìn)行電通信。有源微電子器件140可以是任何適當(dāng)?shù)奈㈦娮悠骷?，包括但不限于微處理器、芯片組、圖形器件、無(wú)線器件、存儲(chǔ)器件、專用集成電路器件等等。還應(yīng)當(dāng)理解的是，底部填充材料(未示出)可以設(shè)置在有源微電子器件與封裝體110之間，并且如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，可以在封裝體的第一表面112和/或封裝體的第二表面114上利用阻焊層(未示出)。
[0016]如在圖1D中示出的，封裝體110可以被放置在具有至少一個(gè)封裝體突出部162和至少一個(gè)無(wú)源微電子器件突出部164的載體160上，其中，無(wú)源微電子器件170可以被放置在封裝體的腔132中(見(jiàn)圖1C)以接觸載體的無(wú)源微電子器件突出部164。載體的封裝體突出部162和載體的無(wú)源微電子器件突出部164可以分別具有不同的高度Hl和H2以便將無(wú)源微電子器件170放置在封裝體的腔132內(nèi)的適當(dāng)位置中(見(jiàn)圖1C)。如圖1D中進(jìn)一步示出的，可以在腔側(cè)壁134與無(wú)源微電子器件170之間施加粘合材料166以將無(wú)源微電子器件170固定在適當(dāng)位置。為了該【具體實(shí)施方式】的目的，無(wú)源微電子器件170被限定為表面安裝器件或集成無(wú)源器件，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，其包括在功能性無(wú)源部件176的相對(duì)側(cè)上的至少兩個(gè)電端子172、174。無(wú)源微電子器件170可以包括任何適當(dāng)?shù)钠骷?，包括但不限于電阻器、電容器、電感器、阻抗匹配電路、諧波濾波器、耦合器、平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器(balun)等等。
[0017]如在圖1E中示出的，可以移除載體160(見(jiàn)圖1D)，并且可以在適當(dāng)?shù)姆庋b體的第二表面焊盤(pán)118上形成外部互連件180(示出為可回流焊球)，并且可以在每個(gè)無(wú)源微電子器件的電端子172、174與其對(duì)應(yīng)的封裝體的第二表面焊盤(pán)118之間制造導(dǎo)電材料連接件182。諸如通過(guò)焊膏印刷技術(shù)(其后對(duì)焊膏進(jìn)行回流)可以同時(shí)形成外部互連件180和導(dǎo)電材料連接件182。然而，導(dǎo)電材料連接件182可以諸如通過(guò)焊膏分配技術(shù)、噴墨技術(shù)等(其后對(duì)焊膏進(jìn)行回流)來(lái)在單獨(dú)步驟中制造。如在圖1E中進(jìn)一步示出的，可以諸如通過(guò)塑模技術(shù)在封裝體的第一表面112和有源微電子器件140上方形成密封材料188以形成微電子封裝件100。
[0018]在另一個(gè)實(shí)施例中，如在圖1F中示出的，封裝體的腔132可以從封裝體的第一表面112部分地延伸至封裝體110中，其形成腔底部表面136并暴露多個(gè)導(dǎo)電跡線124。無(wú)源微電子器件170可以被放置在封裝體的腔132中，其中可以在每個(gè)無(wú)源微電子器件的電端子172、174與其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電跡線124之間制造導(dǎo)電材料連接件182。根據(jù)以上關(guān)于圖1A-1E的描述和公知的技術(shù)，在圖1F中示出的用于微電子封裝件100的處理步驟將是顯而易見(jiàn)的。
[0019]圖2A-2F示出了其中有源微電子器件140和無(wú)源微電子器件170被設(shè)置在封裝體110內(nèi)的本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例。如在圖2A中示出的，有源微電子器件140可以嵌入在封裝體110中，以使得有源微電子器件的有源表面144與封裝體的第二表面114基本上成平面。圖2A中示出的結(jié)構(gòu)可以用各種技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，包括但不限于層壓和塑模(其可以是公知為嵌入式管芯封裝處理和扇出型晶圓級(jí)封裝處理的部分)。封裝體110可以由任何適當(dāng)?shù)拿芊獠牧?包括但不限于聚合物材料)構(gòu)成。
[0020]如在圖2B中示出的，可以在有源微電子器件的有源表面144和封裝體的第二表面114上形成再分布層200。再分布層200可以包括多個(gè)電介質(zhì)層(不出為第一電介質(zhì)層202和第二電介質(zhì)204)和多個(gè)導(dǎo)電路徑206。第一電介質(zhì)層202可以形成在有源微電子器件的有源表面144和封裝體的第二表面114上。多個(gè)導(dǎo)電路徑206可以形成在第一電介質(zhì)層202上，其中，多個(gè)導(dǎo)電路徑206中的至少一部分延伸穿過(guò)第一電介質(zhì)層202以接觸對(duì)應(yīng)的有源微電子器件的焊盤(pán)142。第二電介質(zhì)層204(諸如阻焊層)可以形成在第一電介質(zhì)層202和多個(gè)導(dǎo)電路徑206上。外部互連件180(示出為可回流焊球)可以形成在開(kāi)口內(nèi)并穿過(guò)第二電介質(zhì)層204以接觸對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電路徑206。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)封裝體110足夠介電時(shí)，第一電介質(zhì)層202是可選的，其中。
[0021 ]如在圖2C中示出的，封裝體的腔132可以形成為穿過(guò)封裝體110，從封裝體的第一表面112延伸至封裝體的第二表面114，并可以部分地延伸到再分布層200中并暴露適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電路徑206。封裝體的腔132可以由任何本領(lǐng)域中公知的技術(shù)來(lái)形成，這些技術(shù)包括但不限于沖壓、碾磨、鉆孔、夾持、蝕刻等、或者它們的組合。
[0022]如在圖2D中示出的，無(wú)源微電子器件170可以被放置在封裝體的腔132(見(jiàn)圖2C)中，其中導(dǎo)電材料連接件182位于每個(gè)無(wú)源微電子器件的電端子172、174與其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電路徑206之間。
[0023]在另一個(gè)實(shí)施例中，如在圖2E中示出的，封裝體的腔132還可以延伸穿過(guò)再分布層200，并且無(wú)源微電子器件170可以被放置為延伸穿過(guò)封裝體的腔132和再分布層200，其中導(dǎo)電材料連接件182位于每個(gè)無(wú)源微電子器件的電端子172、174與其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電路徑206之間。粘合材料166可以被施加在腔側(cè)壁134與無(wú)源微電子器件170之間以將無(wú)源微電子器件170固定在適當(dāng)位置。
[0024]在又一個(gè)實(shí)施例中，如在圖2F中示出的，封裝體的腔132可以被形成為穿過(guò)再分布層200并且從封裝體的第二表面114部分地延伸到封裝體110中。粘合材料166可以施加在腔側(cè)壁134與無(wú)源微電子器件170之間以將無(wú)源微電子器件170固定在適當(dāng)位置，并且可以在每個(gè)無(wú)源微電子器件的電端子172、174與其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電路徑206之間形成導(dǎo)電材料連接件182。
[0025]圖3A-3F示出了其中有源微電子器件140被設(shè)置在封裝體110(其包括電介質(zhì)密封劑330和支撐板310)內(nèi)的本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例。如在圖3A中示出的，支撐板310可以被形成為具有第一表面312和相對(duì)的第二表面314，其中，支撐板310可以可選地包括形成在支撐板的第二表面314上的電介質(zhì)材料層316。可以利用附接粘合劑322將有源微電子器件140的背面146附接至支撐板310(示出為具有接觸支撐板的電介質(zhì)材料層316的附接粘合劑322)。如在圖3A中進(jìn)一步示出的，電介質(zhì)密封劑330可以被形成為鄰近支撐板310并嵌入包括有源微電子器件的有源表面144的有源微電子器件140，其中，電介質(zhì)密封劑的第一表面332可以被限定為鄰近支撐板310，并且電介質(zhì)密封劑的第二表面334可以被限定為與密封劑的第一表面332相對(duì)。如在圖3A中進(jìn)一步示出的，開(kāi)口 336可以被形成為從電介質(zhì)密封劑的第二表面334延伸至對(duì)應(yīng)的有源微電子器件的焊盤(pán)142。開(kāi)口 336可以通過(guò)任何現(xiàn)有技術(shù)中公知的技術(shù)來(lái)形成，這些技術(shù)包括但不限于激光鉆孔、光刻、和離子轟擊。
[0026]支撐板310可以包括任何適當(dāng)?shù)膭傂圆牧?，包括但不限于金屬、聚合物、陶瓷等等、以及它們的組合和具有不同材料類別的組合。電介質(zhì)密封劑330可以由任何適當(dāng)?shù)碾娊橘|(zhì)材料(包括但不限于聚合物材料)制成，并且可以由任何公知的技術(shù)(包括但不限于旋涂、層壓、印刷、塑模等)來(lái)形成。
[0027]如在圖3B中示出的，再分布層340可以形成在電介質(zhì)密封劑的第二表面334上。再分布層340可以包括形成在電介質(zhì)密封劑的第二表面334上的多個(gè)導(dǎo)電路徑342，其中，多個(gè)導(dǎo)電路徑342中的至少一部分延伸到電介質(zhì)密封劑的開(kāi)口 336(見(jiàn)圖3A)中。再分布層340還可以包括電介質(zhì)層344，諸如阻焊層，其可以形成在電介質(zhì)密封劑的第二表面334和多個(gè)導(dǎo)電路徑342上。
[0028]如在圖3C中示出的，封裝體的腔132可以被形成為穿過(guò)再分布層340、穿過(guò)電介質(zhì)密封劑330，并部分地延伸到支撐板310中。如在圖3D中示出的，可以施加粘合材料166以將無(wú)源微電子器件170固定在適當(dāng)位置。外部互連件180(示出為可回流焊球)可以形成在開(kāi)口內(nèi)并穿過(guò)電介質(zhì)層344以接觸對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線路線342，并且可以在每個(gè)無(wú)源微電子器件的電端子172、174與其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電路徑342之間制造導(dǎo)線材料連接件182。諸如通過(guò)焊膏印刷技術(shù)(其后對(duì)焊膏進(jìn)行回流)可以同時(shí)形成外部互連件180和導(dǎo)電材料連接件182。然而，導(dǎo)電材料連接件182可以諸如通過(guò)焊膏印刷或分配技術(shù)、噴墨技術(shù)等(其后對(duì)焊膏進(jìn)行回流)而在單獨(dú)的步驟中制造。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解的是，如在圖3E中示出的，可以在支撐板310中預(yù)先形成凹槽346，以使得電介質(zhì)密封劑330在被沉積時(shí)在其中延伸。因此，如在圖3F中示出的，在封裝體的腔132的形成中僅需要去除一種材料(即，電介質(zhì)密封劑330)。
[0030]還應(yīng)當(dāng)理解的是，密封體的腔132可以整個(gè)延伸穿過(guò)支撐板310和電介質(zhì)密封劑330，諸如關(guān)于本【具體實(shí)施方式】的其它實(shí)施例來(lái)展示的。
[0031]應(yīng)當(dāng)理解的是，與將無(wú)源微電子器件170完全嵌入封裝體110中相比，本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例可以具有優(yōu)點(diǎn)，這是因?yàn)闊o(wú)源微電子器件170可以延伸超過(guò)封裝體的第一表面112和/或封裝體的第二表面114，由此允許形成相對(duì)于具有完全嵌入的無(wú)源微電子器件的封裝體的厚度而言較薄的封裝體。
[0032]圖4是根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例的制造微電子結(jié)構(gòu)的工藝200的流程圖。如在框202中闡述的，可以形成有源微電子器件基板。如在框204中闡述的，可以形成封裝體。如在框206中闡述的，封裝體可以與有源微電子器件相接觸。如在框208中闡述的，導(dǎo)電路徑可以形成在封裝體中或封裝體上。如在框210中闡述的，腔可以形成在封裝體中。如在框212中闡述的，無(wú)源微電子器件可以設(shè)置在腔內(nèi)。如在框214中闡述的，可以利用導(dǎo)電路徑電連接有源微電子器件和無(wú)源微電子器件。
[0033]圖5示出了根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的一種實(shí)施方式的計(jì)算設(shè)備300。計(jì)算設(shè)備300容納板302。板302可以包括若干部件，包括但不限于處理器304和至少一個(gè)通信芯片306A和306B。處理器304可以物理地和/或電地耦合至板302。在某些實(shí)施方式中，至少一個(gè)通信芯片306A、306B還物理地和電氣地耦合至板302。在另外的實(shí)施方式中，通信芯片306A、306B是處理器304的部分。
[0034]取決于其應(yīng)用，計(jì)算設(shè)備300可以包括其它部件，這些部件可以物理地和電氣地耦合至板302，也可以不存在這樣的耦合。這些其它部件包括但不限于易失性存儲(chǔ)器(例如，DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(例如，R0M)、閃存、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、密碼協(xié)處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、指南針、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、相機(jī)、和大容量?jī)?chǔ)存設(shè)備(諸如，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、壓縮盤(pán)(CD)、數(shù)字通用盤(pán)(DVD)等等)。
[0035]通信芯片306A、306B實(shí)現(xiàn)了無(wú)線通信，以便將數(shù)據(jù)傳送到計(jì)算設(shè)備300以及從計(jì)算設(shè)備300傳送數(shù)據(jù)。術(shù)語(yǔ)“無(wú)線”及其派生詞可以用于描述可以通過(guò)使用穿過(guò)非固態(tài)介質(zhì)的經(jīng)調(diào)制的電磁輻射來(lái)傳輸數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語(yǔ)并非暗示相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何導(dǎo)線，盡管在某些實(shí)施例中它們可能不含有。通信芯片306可以實(shí)施若干無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議的任一種無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議，這些標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議包括但不限于W1-Fi(IEEE 802.ll系列)、WiMAX(IEEE 802.16系列)、IEEE 802.20、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)、Ev_D0、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍(lán)牙、它們的衍生物、以及被命名為3G、4G、5G及之后的任何其它無(wú)線協(xié)議。計(jì)算設(shè)備300可以包括多個(gè)通信芯片306A、306B。例如，第一通信芯片306A可以專用于較短距離的無(wú)線通信(諸如W1-Fi和藍(lán)牙)，而第二通信芯片306B可以專用于較長(zhǎng)距離的無(wú)線通信(諸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等)。
[0036]計(jì)算設(shè)備300的處理器304可以包括具有封裝在其中的多個(gè)微電子器件(有源和無(wú)源兩者)的微電子封裝件。在本說(shuō)明書(shū)的某些實(shí)施方式中，處理器304的無(wú)源微電子器件可以被設(shè)置在封裝體內(nèi)，如以上所描述的。術(shù)語(yǔ)“處理器”可以指代對(duì)來(lái)自寄存器和/或存儲(chǔ)器的電子數(shù)據(jù)進(jìn)行處理以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可以被存儲(chǔ)在寄存器和/或存儲(chǔ)器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何器件或器件中的一部分。
[0037]通信芯片306A、306B可以包括具有封裝在其中的多個(gè)微電子器件(有源和無(wú)源兩者)的微電子封裝件。根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的另一個(gè)實(shí)施方式，通信芯片306A、306B的無(wú)源微電子器件可以被設(shè)置在封裝體內(nèi)，如以上所描述的。
[0038]在各個(gè)實(shí)施方式中，計(jì)算設(shè)備300可以是膝上型計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、超級(jí)本、智能電話、平板設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、超級(jí)移動(dòng)PC、移動(dòng)電話、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂(lè)控制單元、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音樂(lè)播放器、或數(shù)字視頻錄像機(jī)。在其它實(shí)施方式中，計(jì)算設(shè)備300可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子設(shè)備。
[0039]應(yīng)當(dāng)理解的是，本說(shuō)明書(shū)的主題不必限于在圖1A-圖5中示出的具體應(yīng)用。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，主題可以應(yīng)用于其它微電子器件和組件應(yīng)用、以及任何適當(dāng)?shù)碾娮討?yīng)用。
[0040]下面的示例涉及另外的實(shí)施例。示例中的細(xì)節(jié)可以在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中的任何地方使用。
[0041 ]在不例I中，一種微電子封裝件可以包括:有源微電子器件，所述有源微電子器件與封裝體接觸；以及無(wú)源微電子器件，所述無(wú)源微電子器件被設(shè)置在形成于所述封裝體中的腔內(nèi)；其中，所述有源微電子器件和所述無(wú)源微電子器件通過(guò)形成在所述封裝體中或所述封裝體上的導(dǎo)電路徑來(lái)電連接。
[0042]在示例2中，示例I的主題可以可選地包括:所述腔從所述封裝體的第一表面至所述封裝體的第二表面延伸穿過(guò)所述封裝體。
[0043]在示例3中，示例I或示例2的主題可以可選地包括:所述有源微電子器件包括倒裝芯片微電子器件，并且所述封裝體包括微電子基板，其中，所述倒裝芯片微電子器件通過(guò)在所述倒裝芯片微電子器件與所述微電子基板之間延伸的多個(gè)互連件與所述微電子基板接觸。
[0044]在示例4中，示例I或示例2的主題可以可選地包括:所述有源微電子器件嵌入在所述封裝體中，并且其中，所述有源微電子器件的有源表面與所述封裝體的第二表面實(shí)質(zhì)上成平面。
[0045]在示例5中，示例4的主題可以可選地包括:所述導(dǎo)電路徑形成在再分布層中，所述再分布層形成在所述有源微電子器件的有源表面和所述封裝體的第二表面上。
[0046]在示例6中，示例I的主題可以可選地包括:所述封裝體包括支撐板和電介質(zhì)密封劑，其中，所述有源微電子器件的背面粘附至所述支撐板，并且其中，所述有源微電子器件嵌入在所述電介質(zhì)密封劑中，其中所述電介質(zhì)密封劑的一部分在所述有源微電子器件的有源表面上方延伸。
[0047]在示例7中，示例6的主題可以可選地包括:所述導(dǎo)電路徑形成在再分布層中，所述再分布層形成在所述封裝體的第二表面上。
[0048]在示例8中，示例7的主題可以可選地包括:所述腔延伸穿過(guò)所述再分布層、穿過(guò)所述電介質(zhì)密封劑，并且部分地延伸到所述支撐板中。
[0049]在示例9中，一種用于制造微電子封裝件的方法可以包括:形成有源微電子器件；形成封裝體;使所述封裝體與所述有源微電子器件接觸;在所述封裝體中或所述封裝體上形成導(dǎo)電路徑;在所述封裝體中形成腔;在所述腔內(nèi)設(shè)置無(wú)源微電子器件；以及利用所述導(dǎo)電路徑電連接所述有源微電子器件與所述無(wú)源微電子器件。
[0050]在示例10中，示例9的主題可以可選地包括:在所述封裝體中形成所述腔包括:形成所述腔以便從所述封裝體的第一表面至所述封裝體的第二表面延伸穿過(guò)所述封裝體。
[0051]在示例11中，示例9或示例10的主題可以可選地包括:形成所述微電子器件包括形成倒裝芯片微電子器件，其中，形成所述封裝體包括形成微電子基板，并且其中，所述微電子器件通過(guò)在所述倒裝芯片微電子器件與所述微電子基板之間延伸的多個(gè)互連件與所述微電子基板接觸。
[0052]在示例12中，示例9或示例10的主題可以可選地包括:形成所述封裝體以及使所述封裝體與所述有源微電子器件接觸包括:將所述微電子器件嵌入在所述封裝體中，以使得所述微電子器件的有源表面與所述封裝體的第二表面實(shí)質(zhì)上成平面。
[0053]在示例13中，示例12的主題可以可選地包括:在所述封裝體中或所述封裝體上形成導(dǎo)電路徑包括:在形成于所述微電子器件的有源表面和所述封裝體的第二表面上的再分布層中形成所述導(dǎo)電路徑。
[0054]在示例14中，示例9的主題可以可選地包括:形成所述封裝體包括形成支撐板和形成電介質(zhì)密封劑，其中，所述有源微電子器件的背面粘附至所述支撐板，并且其中，所述有源微電子器件嵌入在所述電介質(zhì)密封劑中，其中所述電介質(zhì)密封劑的一部分在所述有源微電子器件的有源表面上方延伸。
[0055]在示例15中，示例14的主題可以可選地包括:在所述封裝體中或所述封裝體上形成導(dǎo)電路徑包括:在形成于所述封裝體的第二表面上的再分布層中形成導(dǎo)電路徑。
[0056]在示例16中，示例15的主題可以可選地包括:在所述封裝體中形成所述腔包括:形成所述腔以延伸穿過(guò)所述再分布層、穿過(guò)所述電介質(zhì)密封劑，并且部分地延伸到所述支撐板中。
[0057]在示例17中，一種計(jì)算設(shè)備可以包括:板；以及微電子封裝件，所述微電子封裝件附接至所述板，其中，所述微電子封裝件包括:有源微電子器件，所述有源微電子器件與封裝體接觸；以及無(wú)源微電子器件，所述無(wú)源微電子器件被設(shè)置在形成于所述封裝體中的腔內(nèi)；其中，所述有源微電子器件和所述無(wú)源微電子器件通過(guò)形成在所述封裝體中或所述封裝體上的導(dǎo)電路徑來(lái)電連接。
[0058]在示例18中，示例17的主題可以可選地包括:所述腔從所述封裝體的第一表面至所述封裝體的第二表面延伸穿過(guò)所述封裝體。
[0059]在示例19中，示例17或示例18的主題可以可選地包括:所述有源微電子器件包括倒裝芯片微電子器件，并且所述封裝體包括微電子基板，其中，所述倒裝芯片微電子器件通過(guò)在所述倒裝芯片微電子器件與所述微電子基板之間延伸的多個(gè)互連件與所述微電子基板接觸。
[0060]在示例20中，示例17或示例18的主題可以可選地包括:所述有源微電子器件嵌入在所述封裝體中，并且其中，所述有源微電子器件的有源表面與所述封裝體的第二表面實(shí)質(zhì)上成平面。
[0061]在示例21中，示例20的主題可以可選地包括:所述導(dǎo)電路徑形成在再分布層中，所述再分布層形成在所述有源微電子器件的有源表面和所述封裝體的第二表面上。
[0062]在示例22中，示例17的主題可以可選地包括:所述封裝體包括支撐板和電介質(zhì)密封劑，其中，所述有源微電子器件的背面粘附至所述支撐板，并且其中，所述有源微電子器件嵌入在所述電介質(zhì)密封劑中，其中所述電介質(zhì)密封劑的一部分在所述有源微電子器件的有源表面上方延伸。
[0063]在示例23中，示例22的主題可以可選地包括:所述導(dǎo)電路徑形成在再分布層中，所述再分布層形成在所述封裝體的第二表面上。
[0064]在示例24中，示例23的主題可以可選地包括:所述腔延伸穿過(guò)所述再分布層、穿過(guò)所述電介質(zhì)密封劑，并且部分地延伸到所述支撐板中。
[0065]因此已經(jīng)詳細(xì)描述了本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解的是，由所附權(quán)利要求限定的本說(shuō)明書(shū)將并不由以上說(shuō)明書(shū)中闡述的特定細(xì)節(jié)來(lái)限制，因?yàn)樵诓幻撾x其精神或范圍的情況下，許多其顯而易見(jiàn)的變型也是可能的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微電子封裝件，包括: 有源微電子器件，所述有源微電子器件與封裝體接觸；以及 無(wú)源微電子器件，所述無(wú)源微電子器件被設(shè)置在形成于所述封裝體中的腔內(nèi)； 其中，所述有源微電子器件和所述無(wú)源微電子器件通過(guò)形成在所述封裝體中或所述封裝體上的導(dǎo)電路徑來(lái)電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子封裝件，其中，所述腔從所述封裝體的第一表面至所述封裝體的第二表面延伸穿過(guò)所述封裝體。3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的微電子封裝件，其中，所述有源微電子器件包括倒裝芯片微電子器件，并且所述封裝體包括微電子基板，其中，所述倒裝芯片微電子器件通過(guò)在所述倒裝芯片微電子器件與所述微電子基板之間延伸的多個(gè)互連件與所述微電子基板接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的微電子封裝件，其中，所述有源微電子器件嵌入在所述封裝體中，并且其中，所述有源微電子器件的有源表面與所述封裝體的第二表面實(shí)質(zhì)上成平面。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微電子封裝件，其中，所述導(dǎo)電路徑形成在再分布層中，所述再分布層形成在所述有源微電子器件的有源表面和所述封裝體的第二表面上。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子封裝件，其中，所述封裝體包括支撐板和電介質(zhì)密封劑，其中，所述有源微電子器件的背面粘附至所述支撐板，并且其中，所述有源微電子器件嵌入在所述電介質(zhì)密封劑中，其中所述電介質(zhì)密封劑的一部分在所述有源微電子器件的有源表面上方延伸。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微電子封裝件，其中，所述導(dǎo)電路徑形成在再分布層中，所述再分布層形成在所述封裝體的第二表面上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微電子封裝件，其中，所述腔延伸穿過(guò)所述再分布層、穿過(guò)所述電介質(zhì)密封劑，并且部分地延伸到所述支撐板中。9.一種用于制造微電子封裝件的方法，包括: 形成有源微電子器件； 形成封裝體； 使所述封裝體與所述有源微電子器件接觸； 在所述封裝體中或所述封裝體上形成導(dǎo)電路徑； 在所述封裝體中形成腔； 在所述腔內(nèi)設(shè)置無(wú)源微電子器件；以及 利用所述導(dǎo)電路徑電連接所述有源微電子器件與所述無(wú)源微電子器件。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述封裝體中形成所述腔包括:形成所述腔以便從所述封裝體的第一表面至所述封裝體的第二表面延伸穿過(guò)所述封裝體。11.根據(jù)權(quán)利要求9或權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述微電子器件包括形成倒裝芯片微電子器件，其中，形成所述封裝體包括形成微電子基板，并且其中，所述微電子器件通過(guò)在所述倒裝芯片微電子器件與所述微電子基板之間延伸的多個(gè)互連件與所述微電子基板接觸。12.根據(jù)權(quán)利要求9或權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述封裝體以及使所述封裝體與所述有源微電子器件接觸包括:將所述微電子器件嵌入在所述封裝體中，以使得所述微電子器件的有源表面與所述封裝體的第二表面實(shí)質(zhì)上成平面。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所述封裝體中或所述封裝體上形成導(dǎo)電路徑包括:在形成于所述微電子器件的有源表面和所述封裝體的第二表面上的再分布層中形成所述導(dǎo)電路徑。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述封裝體包括形成支撐板和形成電介質(zhì)密封劑，其中，所述有源微電子器件的背面粘附至所述支撐板，并且其中，所述有源微電子器件嵌入在所述電介質(zhì)密封劑中，其中所述電介質(zhì)密封劑的一部分在所述有源微電子器件的有源表面上方延伸。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在所述封裝體中或所述封裝體上形成導(dǎo)電路徑包括:在形成于所述封裝體的第二表面上的再分布層中形成導(dǎo)電路徑。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，在所述封裝體中形成所述腔包括:形成所述腔以延伸穿過(guò)所述再分布層，穿過(guò)所述電介質(zhì)密封劑，并且部分地延伸到所述支撐板中。17.—種計(jì)算設(shè)備，包括: 板；以及 微電子封裝件，所述微電子封裝件附接至所述板，其中，所述微電子封裝件包括: 有源微電子器件，所述有源微電子器件與封裝體接觸；以及 無(wú)源微電子器件，所述無(wú)源微電子器件被設(shè)置在形成于所述封裝體中的腔內(nèi)； 其中，所述有源微電子器件和所述無(wú)源微電子器件通過(guò)形成在所述封裝體中或所述封裝體上的導(dǎo)電路徑來(lái)電連接。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述腔從所述封裝體的第一表面至所述封裝體的第二表面延伸穿過(guò)所述封裝體。19.根據(jù)權(quán)利要求17或權(quán)利要求18所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述有源微電子器件包括倒裝芯片微電子器件，并且所述封裝體包括微電子基板，其中，所述倒裝芯片微電子器件通過(guò)在所述倒裝芯片微電子器件與所述微電子基板之間延伸的多個(gè)互連件與所述微電子基板接觸。20.根據(jù)權(quán)利要求17或權(quán)利要求18所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述有源微電子器件嵌入在所述封裝體中，并且其中，所述有源微電子器件的有源表面與所述封裝體的第二表面實(shí)質(zhì)上成平面。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述導(dǎo)電路徑形成在再分布層中，所述再分布層形成在所述有源微電子器件的有源表面和所述封裝體的第二表面上。22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述封裝體包括支撐板和電介質(zhì)密封劑，其中，所述有源微電子器件的背面粘附至所述支撐板，并且其中，所述有源微電子器件嵌入在所述電介質(zhì)密封劑中，其中所述電介質(zhì)密封劑的一部分在所述有源微電子器件的有源表面上方延伸。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述導(dǎo)電路徑形成在再分布層中，所述再分布層形成在所述封裝體的第二表面上。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述腔延伸穿過(guò)所述再分布層、穿過(guò)所述電介質(zhì)密封劑，并且部分地延伸到所述支撐板中。
【文檔編號(hào)】H01L23/12GK105981159SQ201480075442
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2014年3月12日
【發(fā)明人】T·邁爾, G·奧夫納, A·沃爾特, G·塞德曼, S·阿爾貝斯, C·蓋斯勒
【申請(qǐng)人】英特爾公司