專利名稱：高效率發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管，尤指一種適用于提高出光效率的發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管光學(xué)效率分為內(nèi)部量子效率與外部光萃取效率，內(nèi)部量子效率是半導(dǎo) 體芯片電光轉(zhuǎn)換的效能，現(xiàn)今一般量子轉(zhuǎn)換效率很高，此一效能主要取決于發(fā)光二極管芯 片廠技術(shù)能力。而外部光萃取效率，一般而言皆較低落，是現(xiàn)今發(fā)光二極管整體發(fā)光效率無 法提升的主要原因。光萃取效率低落，其主要原因是不同介質(zhì)所造成的全反射現(xiàn)象，使得光無法有效 導(dǎo)出、而局限于LED內(nèi)部。根據(jù)斯奈爾(Snell)定律，光入射到不同介質(zhì)的界面會(huì)發(fā)生反 射和折射的現(xiàn)象，入射光和折射光位于同一個(gè)平面上，并且與界面法線的夾角滿足如下關(guān) 系
權(quán)利要求
一種高效率發(fā)光二極管，其特征在于包括一基板；一外延層結(jié)構(gòu)，形成于該基板上，外延層結(jié)構(gòu)內(nèi)包含有一活化層，并具有一第一位置、及第二位置；一第一電極，其配置于該外延層結(jié)構(gòu)的第一位置；一第二電極，其配置于該外延層結(jié)構(gòu)的第二位置；以及一聚酰亞胺層，包覆住該外延層結(jié)構(gòu)及該基板，致使該外延層結(jié)構(gòu)所發(fā)出的光通過該聚酰亞胺層而發(fā)散出去。
2.如權(quán)利要求1所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該外延層結(jié)構(gòu)包含一η型半導(dǎo) 體層及一 P型半導(dǎo)體層，該活化層位于該η型半導(dǎo)體層及P型半導(dǎo)體層之間，該第一、第二 電極分別連接至該η型半導(dǎo)體層、及該ρ型半導(dǎo)體層。
3.如權(quán)利要求2所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該第一電極為一陰極。
4.如權(quán)利要求2所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該第二電極為一陽極。
5.如權(quán)利要求1所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，還包含一透明封膠，以將該外 延層結(jié)構(gòu)、基板、第一電極、第二電極、及聚酰亞胺層包覆于其內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該聚酰亞胺層是由聚酰亞胺 分子所構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該聚酰亞胺層還包含有Ti02、 ZnO、Nb2O5, Ta2O5, Zr2O2, Si、GaP 的微粒。
8.如權(quán)利要求1所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該聚酰亞胺層的表面為微結(jié) 構(gòu)、或表面粗化結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該外延層內(nèi)的活化層為一多重量子井。
10.一種高效率發(fā)光二極管，其特征在于包括一導(dǎo)電基板；一外延層結(jié)構(gòu)，形成于該導(dǎo)電基板上；一第一電極，其配置于該外延層結(jié)構(gòu)上；一第二電極，其配置于該導(dǎo)電基板上；以及一聚酰亞胺層，包覆住該外延層結(jié)構(gòu)及該導(dǎo)電基板，致使該外延層結(jié)構(gòu)所發(fā)出的光源 通過該聚酰亞胺層而發(fā)散出去。
11.如權(quán)利要求10所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該外延層結(jié)構(gòu)內(nèi)包含一η型 半導(dǎo)體層、一 P型半導(dǎo)體層、及一位于該η型半導(dǎo)體層及P型半導(dǎo)體層之間的活化層。
12.如權(quán)利要求11所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該外延層內(nèi)的活化層為一 多重量子井。
13.如權(quán)利要求10所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，還包含一透明封膠，以將該 外延層結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電基板、第一電極、第二電極、及聚酰亞胺層包覆于其內(nèi)。
14.如權(quán)利要求10所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該聚酰亞胺層由聚酰亞胺 分子所構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求10所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該聚酰亞胺層還包含有TiO2, ZnO、Nb2O5, Ta2O5, Zr2O2, Si、GaP 的微粒。
16.如權(quán)利要求10所述的高效率發(fā)光二極管，其特征在于，該聚酰亞胺層的表面為微 結(jié)構(gòu)、或表面粗化結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高效率發(fā)光二極管，包括基板、外延層結(jié)構(gòu)、正負(fù)電極、透明封膠、以及聚酰亞胺層。聚酰亞胺層覆蓋住外延層結(jié)構(gòu)、基板的表面，并再經(jīng)由透明封膠將聚酰亞胺層、基板、外延層結(jié)構(gòu)、正負(fù)電極包覆于其內(nèi)。本發(fā)明的聚酰亞胺層具有高于現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝材料的折射率，可降低光源經(jīng)由外延層結(jié)構(gòu)、基板至透明封膠接面的全反射現(xiàn)象，從而降低內(nèi)部全反射所造成的光輻射通量損失，以提高出光率。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101989639SQ20091016602
公開日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2009年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月7日
發(fā)明者藍(lán)培軒, 藍(lán)鈺邴, 陳瑞鴻 申請(qǐng)人:福華電子股份有限公司