專利名稱：用于電漿蝕刻制程的氣體擴(kuò)散板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種用于電漿蝕刻制程的裝置，特別是關(guān)于一種用于電漿蝕刻制程 的氣體擴(kuò)散板。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示器具有低耗電以及輕、薄等優(yōu)點(diǎn)，目前已逐漸取代傳統(tǒng)的陰極射線 管顯示器。而在另一方面，由于科技的進(jìn)步以及社會(huì)的需要，液晶顯示器的尺寸也越來越 大。為了制作大尺寸的液晶顯示器，吾人必須使用更大尺寸的玻璃基板。另外，為了降低生 產(chǎn)成本，液晶顯示器面板的制造商也會(huì)在制程中使用大尺寸的玻璃基板，最后再將其切割 成較小的基板。然而，在利用大尺寸的玻璃基板制作液晶顯示器時(shí)，常會(huì)遇到當(dāng)初利用小尺寸的 玻璃基板制作液晶顯示器所未遇到的問題。參考圖1，一種現(xiàn)有實(shí)行電漿蝕刻制程的裝置 100包含有一氣體擴(kuò)散板110及一電極120，氣體擴(kuò)散板110與電極120則位于一反應(yīng)室 130 內(nèi)。在實(shí)行電漿蝕刻制程時(shí)，是將預(yù)先布設(shè)有一層薄膜的玻璃基板140置于電極120 上，再由氣體擴(kuò)散板110將蝕刻氣體150通入反應(yīng)室130，以對(duì)玻璃基板140上的薄膜進(jìn)行 蝕刻，形成所要的元件。另外，參考圖2，為了要讓蝕刻氣體150均勻地通入反應(yīng)室130，氣 體擴(kuò)散板110上設(shè)有數(shù)個(gè)均勻分布的開口 112。上述蝕刻氣體150對(duì)薄膜進(jìn)行蝕刻后，會(huì)從玻璃基板140的四周流出，并由泵160 抽離反應(yīng)室130。因此，玻璃基板140四周表面上的蝕刻氣體150的流量會(huì)較玻璃基板140 上中央?yún)^(qū)域的流量來得大，如此會(huì)造成玻璃基板140四周表面上的薄膜的蝕刻率較中央?yún)^(qū) 域的蝕刻率為高，使得蝕刻均勻性降低。而當(dāng)玻璃基板140的尺寸越大時(shí)，此一現(xiàn)象會(huì)變得 更為明顯。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種用于電漿蝕刻制程的氣體擴(kuò)散板，能夠提高蝕刻的均勻性。本發(fā)明提供一種用于電漿蝕刻制程的氣體擴(kuò)散板，用以對(duì)一基板進(jìn)行蝕刻，其特 征在于該氣體擴(kuò)散板具有數(shù)個(gè)邊界與一中心，在該氣體擴(kuò)散板上鄰近該等邊界處，各界 定有一邊界區(qū)域，該等邊界區(qū)域的寬度由該等邊界朝向該中心逐漸縮小，其中該氣體擴(kuò)散 板上設(shè)置有數(shù)個(gè)開口，是用以將蝕刻氣體通入一反應(yīng)室內(nèi)，該等開口基本上僅設(shè)置在除了 該等邊界區(qū)域以外的氣體擴(kuò)散板上。本發(fā)明提供一種用于電漿蝕刻制程的氣體擴(kuò)散板，用以對(duì)一基板進(jìn)行蝕刻，其特 征在于該氣體擴(kuò)散板具有數(shù)個(gè)邊界與一中心，在該氣體擴(kuò)散板上鄰近該等邊界處，各界 定有一邊界區(qū)域，該等邊界區(qū)域的寬度由該等邊界朝向該中心逐漸縮小，在圍繞該中心且在該等邊界區(qū)域之間處，界定有一環(huán)形區(qū)域，其中該氣體擴(kuò)散板上設(shè)置有數(shù)個(gè)開口，是用以 將蝕刻氣體通入一反應(yīng)室內(nèi)，該等開口基本上僅設(shè)置在除了該等邊界區(qū)域與環(huán)形區(qū)域以外 的氣體擴(kuò)散板上。于第一實(shí)施例中，本發(fā)明的氣體擴(kuò)散板界定有一矩形區(qū)域，其具有四個(gè)邊界與一 中心。在矩形區(qū)域內(nèi)鄰近邊界處，各界定有一邊界區(qū)域，該等邊界區(qū)域的寬度由邊界朝中心 逐漸縮小。而氣體擴(kuò)散板上除了邊界區(qū)域的矩形區(qū)域內(nèi)，設(shè)置有數(shù)個(gè)均勻分布的開口。于第二實(shí)施例中，在圍繞中心且在邊界區(qū)域之間的矩形區(qū)域內(nèi)，進(jìn)一步界定有一 環(huán)形區(qū)域，氣體擴(kuò)散板在該環(huán)形區(qū)域內(nèi)亦未設(shè)置有開口。為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯，下文將配合所附圖示， 作詳細(xì)說明如下。




圖1 為現(xiàn)有實(shí)行電漿蝕刻制程的裝置。 圖2 為用于圖1的裝置的氣體擴(kuò)散板。 圖3 為本發(fā)明的實(shí)行電漿蝕刻制程的裝置。 圖4:為本發(fā)明的氣體擴(kuò)散板。 圖5 為本發(fā)明的氣體擴(kuò)散板的另一態(tài)樣。
100蝕刻裝置 112 開口 130反應(yīng)室 150蝕刻氣體 300蝕刻裝置 330反應(yīng)室 350蝕刻氣體 400氣體擴(kuò)散板 412中心 420邊界區(qū)域 440環(huán)形區(qū)域
110氣體擴(kuò)散板 120電極 140基板 160泵 320電極 340基板 360泵
410矩形區(qū)域 414邊界 430 開口
具體實(shí)施方式參考圖3，本發(fā)明的實(shí)行電漿蝕刻制程的裝置300包含有一氣體擴(kuò)散板400及一 電極320，其中氣體擴(kuò)散板400的尺寸為1300mm*1200mm，且其與電極320均位于一反應(yīng)室 330 內(nèi)。參考圖4，本發(fā)明的氣體擴(kuò)散板400界定有一矩形區(qū)域410，其具有四個(gè)邊界414 與一中心412。在矩形區(qū)域410內(nèi)鄰近邊界414處，各界定有一邊界區(qū)域420，該等邊界區(qū) 域420的寬度由邊界414朝中心412逐漸縮小，亦即邊界區(qū)域420大體上呈拋物線形。而 氣體擴(kuò)散板400上除了邊界區(qū)域420以外的矩形區(qū)域410內(nèi)，設(shè)置有數(shù)個(gè)均勻分布的開口 430。在實(shí)行電漿蝕刻制程時(shí)，是將預(yù)先布設(shè)有一層薄膜，例如是氧化硅或氮化硅薄膜的玻璃基板340置于電極320上，再從氣體擴(kuò)散板400的開口 430通入蝕刻氣體350，例如 是六氟化硫(SF6)氣體或氯氣(Cl2),以對(duì)玻璃基板340上的薄膜進(jìn)行蝕刻，形成所要的元 件。上述蝕刻氣體350對(duì)薄膜進(jìn)行蝕刻后，會(huì)從玻璃基板340的四周流出，并由泵360 抽離反應(yīng)室330。由于氣體擴(kuò)散板400是面對(duì)玻璃基板340，且其鄰近邊界414處的邊界區(qū) 域420未設(shè)置有開口 430。因此，玻璃基板340四周表面上的蝕刻氣體350的流量并不會(huì)較 玻璃基板340上其他區(qū)域的流量來得大，因此玻璃基板340四周表面上的薄膜的蝕刻率并 不會(huì)較中央?yún)^(qū)域的蝕刻率為高，蝕刻均勻性得以提高。除此之外，由于實(shí)際應(yīng)用上的考量，反應(yīng)室330的壁通常不會(huì)距離玻璃基板340太 遠(yuǎn)，亦即反應(yīng)室330與玻璃基板340之間的間隙并不會(huì)太大。當(dāng)玻璃基板340的尺寸越來 越大時(shí)，亦即所需要的蝕刻氣體350的流量增大時(shí)，蝕刻氣體350并無法即時(shí)地從玻璃基板 340四周宣泄出，造成蝕刻氣體350朝向玻璃基板340的中心412流動(dòng)，因而使得圍繞玻璃 基板中心412的表面上的薄膜的蝕刻率過大。請(qǐng)參考圖5，為解決上述問題，在圍繞中心412且在邊界區(qū)域420之間的矩形區(qū) 域410內(nèi)，另界定有一環(huán)形區(qū)域440，氣體擴(kuò)散板400在該環(huán)形區(qū)域440內(nèi)亦未設(shè)置有開口 430，亦即開口 430僅設(shè)置在除了邊界區(qū)域420以及環(huán)形區(qū)域440以外的矩形區(qū)域410內(nèi)。 如此，可有效降低蝕刻氣體350在玻璃基板340中心的區(qū)域的流量，從而使得其上的薄膜蝕 刻率不會(huì)過高，因此提高蝕刻的均勻性。雖然本發(fā)明已以前述實(shí)施例揭示，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本發(fā)明所屬技 術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與修改。因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種用于電漿蝕刻制程的氣體擴(kuò)散板，用以對(duì)一基板進(jìn)行蝕刻，其特征在于該氣體擴(kuò)散板具有數(shù)個(gè)邊界與一中心，在該氣體擴(kuò)散板上鄰近該等邊界處，各界定有一邊界區(qū)域，該等邊界區(qū)域的寬度由該等邊界朝向該中心逐漸縮小，其中該氣體擴(kuò)散板上設(shè)置有數(shù)個(gè)開口，是用以將蝕刻氣體通入一反應(yīng)室內(nèi)，該等開口基本上僅設(shè)置在除了該等邊界區(qū)域以外的氣體擴(kuò)散板上。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該等邊界區(qū)域的形狀為拋物線形。
3.如權(quán)利要求1所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該蝕刻氣體為六氟化硫氣體或氯氣。
4.如權(quán)利要求1所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該氣體擴(kuò)散板的尺寸約為 1300mm*1200mm。
5.如權(quán)利要求1所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該氣體擴(kuò)散板具有四個(gè)邊界。
6.如權(quán)利要求1所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該基板為玻璃基板。
7.如權(quán)利要求3所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該基板上形成有一氧化硅或氮化硅 薄膜，該蝕刻氣體是對(duì)該薄膜進(jìn)行蝕刻。
8.一種用于電漿蝕刻制程的氣體擴(kuò)散板，用以對(duì)一基板進(jìn)行蝕刻，其特征在于該氣體擴(kuò)散板具有數(shù)個(gè)邊界與一中心，在該氣體擴(kuò)散板上鄰近該等邊界處，各界定有 一邊界區(qū)域，該等邊界區(qū)域的寬度由該等邊界朝向該中心逐漸縮小，在圍繞該中心且在該 等邊界區(qū)域之間處，界定有一環(huán)形區(qū)域，其中該氣體擴(kuò)散板上設(shè)置有數(shù)個(gè)開口，是用以將蝕 刻氣體通入一反應(yīng)室內(nèi)，該等開口基本上僅設(shè)置在除了該等邊界區(qū)域與環(huán)形區(qū)域以外的氣 體擴(kuò)散板上。
9.如權(quán)利要求8所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該等邊界區(qū)域的形狀為拋物線形。
10.如權(quán)利要求8所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該蝕刻氣體為六氟化硫氣體或氯氣。
11.如權(quán)利要求8所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該氣體擴(kuò)散板的尺寸約為 1300mm*1200mm。
12.如權(quán)利要求8所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該氣體擴(kuò)散板具有四個(gè)邊界。
13.如權(quán)利要求8所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該基板為玻璃基板。
14.如權(quán)利要求10所述的氣體擴(kuò)散板，其特征在于該基板上形成有一氧化硅或氮化 硅薄膜，該蝕刻氣體是對(duì)該薄膜進(jìn)行蝕刻。
全文摘要
一種用于電漿蝕刻制程的氣體擴(kuò)散板，用以對(duì)一基板進(jìn)行蝕刻。該氣體擴(kuò)散板具有數(shù)個(gè)邊界與一中心，在氣體擴(kuò)散板上鄰近邊界處，各界定有一邊界區(qū)域，該等邊界區(qū)域的寬度由邊界朝向中心逐漸縮小，其中氣體擴(kuò)散板上設(shè)置有數(shù)個(gè)開口，是用以將蝕刻氣體通入反應(yīng)室，該等開口基本上僅設(shè)置在除了邊界區(qū)域以外的氣體擴(kuò)散板上。本發(fā)明能夠提高蝕刻的均勻性。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101989536SQ200910165099
公開日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月30日
發(fā)明者王振斌 申請(qǐng)人:瀚宇彩晶股份有限公司