專利名稱：包含卡賓-過(guò)渡金屬配合物發(fā)射體和至少一種選自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋 ...的制作方法
包含卡賓-過(guò)渡金屬配合物發(fā)射體和至少一種選自二甲硅 烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻 吩、二甲硅烷基二苯并磷雜環(huán)戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻 吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S- 二氧化物的化 合物的有機(jī)發(fā)光二極管本發(fā)明涉及一種包含陽(yáng)極An和陰極Ka和配置在An和陰極Ka之間且包含至少一 種卡賓配合物的發(fā)光層E和合適的話至少一個(gè)其他層的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述發(fā)光層 E和/或至少一個(gè)其他層包含至少一種選自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲 硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷雜環(huán)戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和 二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本發(fā)明還涉及一種包含至少一種上述化 合物和至少一種卡賓配合物的發(fā)光層，上述化合物作為基質(zhì)材料、空穴/激子阻擋材料、電 子/激子阻擋材料、空穴注入材料、電子注入材料、空穴導(dǎo)體材料和/或電子導(dǎo)體材料的用 途，以及涉及一種選自包含至少一種本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管的固定可視顯示單元、移動(dòng)的 可視顯示單元和照明單元的器件；本發(fā)明還涉及所選的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯 并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷雜環(huán)戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩 S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制備方法。有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)利用了材料在受到電流激發(fā)時(shí)的發(fā)光性能。作為陰極射 線管和液晶顯示器的替代品以生產(chǎn)平面可視顯示單元，0LED尤其受到關(guān)注。包含0LED的 器件由于非常緊密的構(gòu)造和固有的低能耗，它們特別適于移動(dòng)應(yīng)用，例如用于移動(dòng)電話、筆 記本電腦等，以及用于照明。0LED工作方式的基本原理和合適的0LED構(gòu)造(層)對(duì)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知 且例如描述于W0 2005/113704中，在此引用該文獻(xiàn)。除了熒光材料(熒光發(fā)射體)外，所 用發(fā)光材料(發(fā)射體)還可以為磷光材料(磷光發(fā)射體)。磷光發(fā)射體通常為有機(jī)金屬 配合物，其與顯示單線態(tài)發(fā)射的熒光發(fā)射體相比而顯示三線態(tài)發(fā)射(三線態(tài)發(fā)射體)((M. A.Baldow等，Appl. Phys. Lett. 1999，75，4-6)。因?yàn)榱孔恿W(xué)原因，當(dāng)使用三線態(tài)發(fā)射體 (磷光發(fā)射體)時(shí)，至多四倍量子效率、能量效率和功率系數(shù)是可能的。為了實(shí)現(xiàn)有機(jī)金屬 三線態(tài)發(fā)射體(磷光發(fā)射體)在實(shí)踐中的使用優(yōu)點(diǎn)，必需提供操作壽命長(zhǎng)、效率好、對(duì)熱應(yīng) 力穩(wěn)定性高及使用電壓和操作電壓低的器件組件。這類器件組件例如可包含其中實(shí)際發(fā)光體以分布形式存在的特定的基質(zhì)材料中。 此外，組件可包含阻擋材料，其中空穴阻擋劑、激子阻擋劑和/或電子阻擋劑可存在于器件 組件中。額外或作為替換，器件組件可進(jìn)一步包含空穴注入材料和/或電子注入材料和/或 空穴導(dǎo)體材料和/或電子導(dǎo)體材料。上述用于與實(shí)際發(fā)光體組合的材料的選擇對(duì)包括0LED 的效率和壽命的參數(shù)具有顯著影響?，F(xiàn)有技術(shù)提出了許多用于0LED不同層的不同材料。US 2005/0238919A1涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管，其涉及至少一種含有兩個(gè)或更多 個(gè)硅原子的芳基化合物。列舉在US 2005/0238919A1中的材料優(yōu)選用作發(fā)光層中的基質(zhì)材料。根據(jù)us 2005/0238919A1，所用發(fā)射體材料優(yōu)選為磷光發(fā)射體。它們優(yōu)選為鄰位金屬化 的過(guò)渡金屬配合物。對(duì)于所用發(fā)射體材料的更具體細(xì)節(jié)僅以實(shí)施例在US 2005/0238919A1 中給出。除了包含硅原子的芳基化合物外還包含至少一種卡賓配合物作為發(fā)射體材料的有 機(jī)發(fā)光二極管未公開(kāi)在US 2005/0238919A1中。此外，US2005/0238919A1列舉了大量不同 取代的含硅化合物，但是僅有具有下式的式(1-1)和(1-2)的含硅化合物用于本申請(qǐng)的實(shí) 施例中
Tsai 等人，Adv. Mater.，2006，第 18 卷，第 9 期，第 1216-1220 頁(yè)公開(kāi) 了包含 9_(4-叔丁基苯基)-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑作為基質(zhì)材料的有機(jī)發(fā)藍(lán)光二極管。 根據(jù)Tsai等人使用的發(fā)射體材料并不是卡賓配合物。Yang等人，Angew. Chem. 2007，119，2470-2473涉及適用于磷光0LED的發(fā)藍(lán)光的混 合型(heterol印tic)銥(III)配合物。在Yang等人的實(shí)施例中，所用空穴輸送材料和激 子阻擋材料為9-(4-叔丁基苯基)-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑。在Yang等人中并沒(méi) 有公開(kāi)使用卡賓配合物作為發(fā)射體材料。JP 2004253298A涉及其中取代的三苯基硅烷用作基質(zhì)材料的有機(jī)發(fā)白光二極管。當(dāng)使用下述式(I)卡賓配合物時(shí)，不必使用具有高三線態(tài)(高的三線態(tài)能量)以 確?？ㄙe配合物發(fā)光的補(bǔ)充材料(基質(zhì)材料等)。然而，與式(I)卡賓配合物結(jié)合的具有高 三線態(tài)能量的常用已知補(bǔ)充材料導(dǎo)致不具有良好效率和壽命的0LED。因此，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的目的為提供具有下述通式(I)的特定卡賓配合 物作為發(fā)光體的用于0LED的新器件組件。適合新器件組件的材料應(yīng)該易于獲得，且與發(fā)射體組合為OLED帶來(lái)良好的效率和良好的壽命。該目的通過(guò)提供包含陽(yáng)極An和陰極Ka和配置在An和陰極Ka之間且包含至少一 種通式I的卡賓配合物的發(fā)光層E以及合適的話至少一個(gè)其他層的有機(jī)發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn) 其中符號(hào)各自如下所定義M1為選自元素周期表(CAS版)第IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB族，鑭系元素 和第IIIA族金屬的金屬原子，對(duì)于特定金屬原子呈任何可能的氧化態(tài)；優(yōu)選選自元素周期 表(CAS版)第IIB、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIII族，Cu和Eu金屬的金屬原子，更優(yōu)選選 自第IB、VIB、VIIB、VIII和Eu金屬的金屬原子，甚至更優(yōu)選選自Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Ru、 Os、Co、Rh、Ir、Fe、Nb、Pd、Pt、Cu、Ag、Au 和 Eu，甚至更優(yōu)選 Os、Rh、Ir、Ru、Pd 和 Pt，非常特 別優(yōu)選Ru、Rh、Ir和Pt，更特別優(yōu)選Ir和Pt ；卡賓為可以是不帶電荷或單陰離子和單_、二-或三齒的卡賓配體；卡賓配體也可 以是二 _或三卡賓配體；L為可以是單齒或二齒的單陰離子或雙陰離子配體，優(yōu)選單陰離子配體；K為不帶電荷的單齒或二齒配體；η為卡賓配體數(shù)目，其中η至少為1且式I配合物中的卡賓配體在η > 1時(shí)可以相 同或不同；m為配體L的數(shù)目，其中m可以為0或≥1且配體L在m > 1時(shí)可以相同或不同；ο為配體K的數(shù)目，其中ο可以為0或≥1且配體1(在0> 1時(shí)可以相同或不同；ρ為配合物的電荷0、1、2、3或4，優(yōu)選0、1或2，更優(yōu)選0 ；W為單陰離子抗衡離子；優(yōu)選鹵素離子，擬鹵離子、BF4_、PF6_、AsF6_、SbF6-或OAc-，更優(yōu)選Cr、Br—、Γ、Cf或OAc-，最優(yōu)選Br—或Γ ；其中n+m+o之和和 電荷P取決于所用金屬原子的氧化態(tài)和配位數(shù)，配合物的電荷，以及卡賓、L和K配體的齒 數(shù)(denticity)，以及卡賓和L配體的電荷，條件是η至少為1 ；其中有機(jī)發(fā)光二極管包含至少一種通式II的化合物，其存在于發(fā)光層E和/或至
少一個(gè)其他層中 其中X 為 NR1、S、CKI3R^SO2 或 SO;R1為取代或未取代的C1-C2tl烷基、取代或未取代的C6-C3tl芳基，或取代或未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基；r2、r3、r4、r5、r6、r7各自獨(dú)立地為取代或未取代的烷基，或取代或未取代的 c6-c3(l芳基，或通式(c)的結(jié)構(gòu) r% rb各自獨(dú)立地為取代或未取代的q-cm烷基，取代或未取代的c6-c3(1芳基， 或取代或未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基或選自如下的具有給體或受體作用的取 代基a-cw烷氧基、c6-c3q芳氧基、crc^烷硫基、c6-c3q芳硫基、sir14r15r16、鹵素基團(tuán)、鹵 代cfq烷基、羰基(_c0(r14))、羰硫基(_c = 0(sr14))、羰氧基(_c = 0(0r14))、氧羰基 (-0c = 0(r14))、硫羰基(-sc = 0(r14))、氨基(_nr14r15)、0h、擬鹵素基團(tuán)、酰胺基(-c = 0(nr14))、-nr14c = 0(r15)、膦酸根(-p(o) (0r14)2)、磷酸根(-op(o) (0r14)2)、膦(_pr14r15)、 氧化膦(_p(0)r142)、硫酸根(_0s(0)20r14)、亞砜(-s(o)r14)、磺酸根(_s(0)20r14)、磺?；?(-s(0)2r14)、磺酰胺(-s(o)2nr14r15)、no2、有機(jī)硼酸酯(-ob(or14)2)、亞氨基(-c = nr14r15)、 硼烷基團(tuán)、錫烷基團(tuán)、胼基、腙基、肟基、亞硝基、重氮基、乙烯基、亞砜亞胺、鋁烷、鍺烷、環(huán)硼 氧烷(boroxime)和環(huán)硼氮烷；r14、r15、r16各自獨(dú)立地為取代或未取代的ci-q烷基，或取代或未取代的c6-c3(l芳 基；q、i 各自獨(dú)立地為0、1、2或3;其中，在(1或1~為0的情況下，芳基的所有可取代位
置由氫取代，其中在式(c)基團(tuán)中基團(tuán)和指數(shù)x" ‘、r5" ‘、r6" ‘、r7" ‘、ra“ ‘、rb〃 ‘、 q〃 ‘和r〃 ‘各自獨(dú)立地如對(duì)通式(11)的化合物的基團(tuán)和指數(shù)乂、妒、1 6、1 7、1^、鏟、(1和1~ 所定義。通式(ii)的化合物易于獲得，且在0led中使用時(shí)，在發(fā)光層e中用作基質(zhì)材料和 當(dāng)其用在0led的至少一個(gè)其他層(其包含與通式(i)的實(shí)際發(fā)射體結(jié)合用作發(fā)光體的至 少一種式(i)的卡賓配合物)時(shí)，具有良好的效率，并適合于提供具有長(zhǎng)壽命的0led。取決于其取代模式，式(ii)化合物可在發(fā)光層e中用作基質(zhì)，用作空穴/激子 阻擋劑，用作電子/激子阻擋劑，用作空穴注入材料，用作電子注入材料，用作空穴導(dǎo)體 和/或用作電子導(dǎo)體。0led的相應(yīng)層是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的且例如列舉在TO 2005/113704 或 TO 2005/019373 中。本發(fā)明0led的結(jié)構(gòu)本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管(0led)具有如下結(jié)構(gòu)陽(yáng)極(an)和陰極(ka)和配置在陽(yáng)極(an)和陰極(ka)之間且包含至少一種通式 (I)的卡賓配合物的發(fā)光層E，以及合適的話至少一個(gè)其他層。本發(fā)明0led的合適其他層為對(duì)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知且常存在于0led中的
層。本發(fā)明0led優(yōu)選包含至少一個(gè)選自下列的其他層至少一個(gè)電子/激子阻擋層，至少
一個(gè)空穴/激子阻擋層，至少一個(gè)空穴注入層，至少一個(gè)空穴導(dǎo)體層，至少一個(gè)電子注入層和至少一個(gè)電子導(dǎo)體層。另外可行的是將多種上述功能(電子/激子阻擋劑，空穴/激子阻擋劑，空穴注 入，空穴傳導(dǎo)、電子注入、電子傳導(dǎo))組合在一個(gè)層中且例如由單種存在于該層中的材料承 擔(dān)這些功能。在一個(gè)實(shí)施方案中，用于空穴導(dǎo)體層的材料例如可同時(shí)阻擋激子和/或電子。此外，0LED的上述各個(gè)層又可由2或更多層形成?？昭▽?dǎo)體層例如可由空穴由電 極注入其中的層，以及輸送空穴離開(kāi)空穴注入層，進(jìn)入發(fā)光層的層形成。電子導(dǎo)體層同樣可 由多個(gè)層組成，例如其中電子通過(guò)電極注入的層，以及從電子注入層接受電子并將其輸送 入發(fā)光層的層。所述層各自根據(jù)諸如能級(jí)、耐熱性和電荷載體的遷移性以及所述各層與有 機(jī)層或金屬電極之間的能量差而選擇。本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員能夠選擇0LED的結(jié)構(gòu)，以使它 與根據(jù)本發(fā)明使用的作為發(fā)射體物質(zhì)的有機(jī)化合物最優(yōu)匹配。為了獲得特別有效的0LED，例如當(dāng)上述層存在于本發(fā)明0LED中時(shí)，空穴導(dǎo)體層的 HOMO(最高占據(jù)分子軌道)應(yīng)該與陽(yáng)極的功涵匹配，并且電子導(dǎo)體層的LUM0(最低未占分子 軌道)應(yīng)該與陰極的功涵匹配。在優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明0LED例如可包含如下層1.陽(yáng)極2.空穴導(dǎo)體層3.發(fā)光層4.空穴/激子阻擋層5.電子導(dǎo)體層6.陰極不同于上述構(gòu)造的層序列也是可行的，且是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的。例如 0LED可不具有所有上述層；例如，包含層(1)(陽(yáng)極)、(3)(發(fā)光層)和(6)(陰極)的0LED 同樣是適合的，在該情況下層(2)(空穴導(dǎo)體層)和(4)(空穴/激子阻擋層)和(5)(電子 導(dǎo)體層)的功能由相鄰層承擔(dān)。具有層1)、⑵、⑶和(6)或?qū)英拧?3)、⑷、(5)和(6) 的0LED同樣是合適的。此外，0LED可在陽(yáng)極⑴和空穴導(dǎo)體層⑵之間具有電子/激子 阻擋層。陽(yáng)極(1)是提供正電荷載體的電極。它例如可以由包含金屬、不同金屬的混合物、 金屬合金、金屬氧化物或不同金屬氧化物的混合物的材料構(gòu)成。或者，陽(yáng)極可以是導(dǎo)電聚合 物。合適的金屬包括元素周期表中第lb、IVa、Va和Via族的金屬以及第Villa族的過(guò)渡 金屬。如果陽(yáng)極透明，則通常使用元素周期表(舊IUPAC規(guī)則)中第lib、Illb和IVb族 的混合金屬氧化物，例如銦-錫氧化物(IT0)。陽(yáng)極(1)同樣可以包含有機(jī)材料，例如聚苯 胺，例如如Nature (自然)，第357卷，第477-479頁(yè)(1992年6月11曰)所述。陽(yáng)極或陰 極中的至少一個(gè)應(yīng)該至少部分是透明的，以允許所產(chǎn)生的光發(fā)射出來(lái)。用于陽(yáng)極(1)的材 料優(yōu)選為IT0。用于本發(fā)明0LED的層(2)的合適空穴導(dǎo)體材料公開(kāi)在例如Kirk-Othmer， Encyclopedia of Chemical Technology (化學(xué)技術(shù)百科全書)，第4版，第 18卷，第837-860 頁(yè)，1996中?？昭ㄝ斔头肿雍途酆衔锞梢杂米骺昭ㄝ斔筒牧稀＝?jīng)常使用的空穴輸送分子選 自三例-(1-萘基)4-(苯基氨基)]三苯基胺(l-NaphDATA)、4，4，-雙[N_ (1-萘基)-N-苯 基氨基]聯(lián)苯(0-呢0)力力，-二苯基州力，-雙(3-甲基苯基)-[1，1’-聯(lián)苯]-4，4’_ 二
14胺(TPD)、1，1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N，_雙(4-甲基苯基)-N， N，-雙(4-乙基苯基)[1，1，-(3，3，-二甲基)聯(lián)苯]_4，4，-二胺]伍1卩0)、四(3-甲基苯 基)-N, N, N，N，-2，5-苯二胺(PDA)、a -苯基-4_N，N- 二苯基氨基苯乙烯(TPS)、對(duì)-(二 乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯基胺(TPA)、雙[4-(N，N-二乙基氨基)_2_甲基苯 基]_(4_甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[對(duì)-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[對(duì)-(二 乙基氨基)苯基]吡唑啉(Pra或DEASP)、1，2-反式-雙(9H-咔唑-9-基)環(huán)丁烷(DCZB)、 N，N，N，N，-四(4-甲基苯基)-(1，1，-聯(lián)苯)-4，4，-二胺(TTB)、4，4，，4”-三(N，N-二 苯基氨基)三苯基胺(TDTA)和卟啉化合物以及酞菁，如銅酞菁。常使用的空穴輸送聚合物 選自聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷和聚苯胺。同樣還可通過(guò)將空穴輸送分子摻雜入 聚合物如聚苯乙烯和聚碳酸酯來(lái)獲得空穴輸送聚合物。合適的空穴輸送分子是上面已經(jīng)提 及的分子。此外，在優(yōu)選實(shí)施方案中，上述用作發(fā)射體材料的式(I)卡賓配合物可用作空穴 導(dǎo)體材料，在該情況下所述至少一種空穴導(dǎo)體材料的帶隙通常大于所用發(fā)射體材料的帶 隙。對(duì)本申請(qǐng)而言，帶隙應(yīng)理解為指三線態(tài)能量。發(fā)光層(3)包含至少一種式(I)的卡賓配合物作為發(fā)射體材料。其可單獨(dú)或與至 少一種基質(zhì)材料一起存在于發(fā)光層中。合適的基質(zhì)材料例如為吩噻嗪S，s-二氧化物衍生 物或包含經(jīng)由含羰基基團(tuán)連接的芳族或雜芳族環(huán)的化合物，這例如公開(kāi)于W02006/100298。 在一個(gè)實(shí)施方案中，將另一式(I)的卡賓配合物用作基質(zhì)材料，在該情況下用作基質(zhì)材料 卡賓配合物的帶隙通常大于發(fā)射體材料的帶隙。在另一實(shí)施方案中，將式(II)化合物用作 基質(zhì)材料，在該情況下合適用作基質(zhì)材料的優(yōu)選的式(II)化合物如下所述。空穴/激子阻擋層(4)通?？砂糜?LED中的空穴阻擋材料，如2，9_ 二甲 基-4,7- 二苯基-1，10-菲咯啉(bathocuproin, (BCP))、二 (2-甲基-8-喹啉根合)_4_ 苯 基苯代)鋁(III) (BAlq)、吩噻嗪S，S- 二氧化物衍生物和1，3，5-三(N_苯基_2_芐基咪 唑)-苯(TPBI)，其中TPBI也適合作為電子導(dǎo)體材料。此外，空穴/激子阻擋層可包含通式(II)的化合物，在該情況下優(yōu)選適用作空穴 阻擋/激子阻擋材料的式(II)化合物如下所述。在優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及一種包含層(1)陽(yáng)極、(2)空穴導(dǎo)體層、(3)發(fā)光 層、(4)空穴/激子阻擋層、(5)電子導(dǎo)體層和(6)陰極，以及合適的話其他層的本發(fā)明 0LED，其中發(fā)光層(3)包含至少一種式(I)的卡賓配合物和至少一種式(I)卡賓配合物和 空穴/激子阻擋層包含至少一種式(II)化合物。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及一種包含層(1)陽(yáng)極、(2)空穴導(dǎo)體層、(3)發(fā) 光層、(4)空穴/激子阻擋層、(5)電子導(dǎo)體層和(6)陰極，以及合適的話其他層的本發(fā)明 0LED，其中發(fā)光層(3)包含至少一種式(I)的卡賓配合物和空穴/激子阻擋層包含至少一 種式(II)化合物。在另一實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及一種包含層(1)陽(yáng)極、(2)空穴導(dǎo)體層和/或(2’) 電子/激子阻擋層(0LED可包含層⑵和(2’ )兩者，或?qū)英苹驅(qū)?2’)之一)、(3)發(fā) 光層、(4)空穴/激子阻擋層、(5)電子導(dǎo)體層和(6)陰極，以及合適的話其他層的本發(fā)明 0LED，其中電子/激子阻擋層和/或空穴導(dǎo)體層和合適的話發(fā)光層(3)包含至少一種式 (II)化合物。
適用于本發(fā)明0LED的層(5)的電子導(dǎo)體材料包括與下列物質(zhì)螯合的金屬 oxinoid化合物，例如2，2，，2”-(1，3，5_亞苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)、 三(8-羥基喹啉根合)鋁(Alq3)，基于菲咯啉的化合物，例如2，9_ 二甲基-4，7_ 二苯 基-1，10-菲咯啉(DDPA = BCP)或4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DPA)以及唑類化合物， 例如2-(4_聯(lián)苯基)-5-(4_叔丁基苯基)-1，3，4_噁二唑(PBD)和3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯 基-5_(4-叔丁基苯基)-1，2，4_三唑(TAZ)。層(5)可以有助于電子傳輸或用作緩沖層或 阻擋層，以避免0LED各層的界面處的激子的淬滅。層(5)優(yōu)選改進(jìn)電子的遷移性和降低激 子的淬滅。在優(yōu)選實(shí)施方案中，將TPBI用作電子導(dǎo)體材料。在上述作為空穴導(dǎo)體材料和電子導(dǎo)體材料的材料中，一些可以發(fā)揮多種功能。例 如，一些具有低HOMO的電子導(dǎo)電材料同時(shí)作為空穴阻擋材料。它們例如可用在空穴/激子
阻擋層(4)中。然而，作為空穴/激子阻擋劑的功能同樣也可由層(5)承擔(dān)，這樣可省略層 ⑷。電荷輸送層也可以電子摻雜，以改進(jìn)所用材料的輸送性能，以首先使層厚度更大 (避免針孔/短路)，其次將器件的操作電壓降至最低。例如，空穴導(dǎo)體材料可以摻雜電子受 體；酞菁或芳基胺如TPD或TDTA例如可以摻雜四氟四氰基喹啉二甲烷(F4-TCNQ)。電子導(dǎo) 體材料例如可以摻雜堿金屬，例如Alq3可以摻雜鋰。電子摻雜對(duì)于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員而 言是已知的，并且例如公開(kāi)于W. Gao，A. Kahn, J. Appl. Phys.，第94卷，第1期，2003年7月 1 日(p 摻雜的有機(jī)層)；A. G. Werner, F. Li, K. Harada, M. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett.，第 82 卷，第 25 期，2003 年 6 月 23 日和 Pfeiffer 等人，Organic Electronics 2003，4，89-103 中。陰極(6)是用于引入電子或負(fù)電荷載體的電極。用于陰極的合適材料選自元素周 期表(舊IUPAC規(guī)則)第la族的堿金屬，例如Li、Cs，第Ila族的堿土金屬如鈣、鋇或鎂， 第lib族金屬，包括鑭系金屬和錒系金屬如釤。此外，還可以使用諸如鋁或銦的金屬以及所 有所述金屬的組合。另外，含鋰的有機(jī)金屬化合物或LiF可應(yīng)用于有機(jī)層和陰極之間，以降 低操作電壓。本發(fā)明的0LED可額外包含本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的其他層。例如，有助于正電 荷的輸送和/或使各層的帶隙相互匹配的層可以應(yīng)用于層(2)和發(fā)光層(3)之間?；蛘?， 該額外層可用作保護(hù)層。以類似方式，在發(fā)光層(3)和層(4)之間可以存在額外的層，以有 助于負(fù)電荷的傳輸和/或使各層的帶隙相互匹配?；蛘?，該層可用作保護(hù)層。在優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明0LED除了層(1)_(6)之外還包含下列其他層中的至少 一層-陽(yáng)極⑴和空穴輸送層⑵之間的空穴注入層；-空穴輸送層⑵和發(fā)光層(3)之間的電子阻擋層；-電子輸送層(5)和陰極(6)之間的電子注入層。本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員熟悉如何選擇合適的材料(例如基于電化學(xué)研究)。用于各 層的合適材料對(duì)于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員而言是已知的，并且例如公開(kāi)于W0 00/70655中。此外，用于本發(fā)明0LED中的一些層可以進(jìn)行表面處理，以增加電荷載體輸送的效 率。用于所述層的每一層的材料的選擇優(yōu)選以為了獲得具有高效率和壽命的0LED而確定。本發(fā)明0LED可以通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法來(lái)生產(chǎn)。通常而言，本發(fā)明OLED通過(guò)將各層依次氣相沉積在合適的襯底上而制備。合適的襯底例如為玻璃、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體或聚合物薄膜。對(duì)于氣相沉積，可以使用常規(guī)技術(shù)如熱蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣 相沉積(PVD)和其他技術(shù)。在另一方法中，OLED的有機(jī)層可以使用本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已 知的涂覆技術(shù)由在合適溶劑中的溶液或分散體涂覆。通常而言，不同層具有下列厚度陽(yáng)極⑴50-500nm，優(yōu)選100-200nm;空導(dǎo)體 層(2) 5-100nm,優(yōu)選20_80nm，發(fā)光層(3) I-IOOnm,優(yōu)選10_80nm ；空穴/激子阻擋層 (4) 2-100nm,優(yōu)選 5_50nm ；電子輸送層(5) 5-100nm,優(yōu)選 20_80nm ；陰極(6) 20-1000nm,優(yōu) 選30-500nm。本發(fā)明OLED中的空穴和電子的復(fù)合區(qū)的相對(duì)于陰極的位置和因此的OLED的 發(fā)射光譜尤其可受到各層的相對(duì)厚度的影響。這意味著電子輸送層的厚度的選擇優(yōu)選應(yīng)使 復(fù)合區(qū)的位置與二極管的光學(xué)共振性能并因此與發(fā)射體的發(fā)射波長(zhǎng)相匹配。OLED中各層的 層厚的比例取決于所用材料。使用的任何額外層的層厚對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是已知 的。電子導(dǎo)體層和/或空穴導(dǎo)體層可具有比當(dāng)它們電子摻雜時(shí)規(guī)定的層厚大的厚度。根據(jù)本發(fā)明，任選存在于本發(fā)明OLED中的發(fā)光層E和/或至少一個(gè)其他層包含至 少一種通式(II)的化合物。當(dāng)所述至少一種通式(II)的化合物作為基質(zhì)材料與至少一種 通式(I)的卡賓配合物存在于發(fā)光層E中時(shí)，所述至少一種通式(II)的化合物在每種情況 下可單獨(dú)或與至少一種適合相應(yīng)層的其他上述材料一起用于本發(fā)明OLED的所述至少一個(gè) 其他層中。取代或未取代的C1-C2tl烷基應(yīng)理解為指具有1-20個(gè)碳原子的烷基。優(yōu)選C1-Cltl烷 基，特別優(yōu)選C1-C6烷基。烷基可為直鏈或支化或環(huán)狀的，其中在環(huán)狀烷基的情況下烷基具 有至少3個(gè)碳原子。此外，烷基可被一個(gè)或多個(gè)選自如下的取代基取代=C1-C2tl烷氧基，鹵 素，優(yōu)選F，以及C6-C3tl芳基，其又可以是取代或未取代的。合適的芳基取代基和合適的烷氧 基和鹵素取代基如下所述。合適的烷基的實(shí)例為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基和 辛基，以及由C6-C3tl芳基、C1-C2tl烷氧基和/或鹵素，特別是F，取代的所述烷基的衍生物，例 如CF3。還包括所述基團(tuán)的正異構(gòu)體，以及支化異構(gòu)體如異丙基、異丁基、異戊基、仲丁基、叔 丁基、新戊基、3，3- 二甲基丁基、3-乙基己基等。優(yōu)選烷基為甲基、乙基、叔丁基和CF3。同樣可未取代或由上文對(duì)烷基所述的基團(tuán)取代的合適的環(huán)狀烷基的實(shí)例為環(huán)丙 基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、環(huán)壬基和環(huán)癸基。合適的話環(huán)體系也可為多環(huán) 體系如十氫化萘基、降冰片烷基、莰烷基或金剛烷基。合適的C1-C2tl烷氧基和C1-C2tl烷硫基相應(yīng)衍生于上述C1-C2tl烷基。此處，實(shí)例包括 OCH3λ OC2H5Λ OC3H7Λ OC4H9 禾口 OC8H17,以及 SCH3Λ SC2H5Λ SC3H7λ SC4H9 禾口 SC8H17。C3H7、C4H9 禾口 C8H17 應(yīng)理解為指正異構(gòu)體和支化異構(gòu)體二者如異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基和2-乙基己基。 特別優(yōu)選的烷氧基或烷硫基為甲氧基、乙氧基、正辛氧基、2-乙基己氧基和SCH3。對(duì)本申請(qǐng)而言，合適的鹵素基團(tuán)或鹵素取代基為氟、氯、溴和碘，優(yōu)選氟、氯和溴， 更優(yōu)選氟和氯，最優(yōu)選氟。對(duì)本申請(qǐng)而言，合適的擬鹵素基團(tuán)為CN、SCN、0CN、NjP SeCN，其中優(yōu)選CN和SCN。 非常特別優(yōu)選CN。在本發(fā)明中，C6-C30芳基指衍生自不含任何環(huán)雜原子的單環(huán)、雙環(huán)或三環(huán)芳烴的基 團(tuán)。當(dāng)體系不是單環(huán)體系時(shí)，術(shù)語(yǔ)芳基中的第二環(huán)也可以為飽和形式(全氫化形式)或部 分不飽和形式(例如二氫化形式或四氫化形式)，其條件是具體形式已知且穩(wěn)定。換言之，在本發(fā)明中術(shù)語(yǔ)芳基例如還包括其中兩個(gè)或所有三個(gè)基團(tuán)均為芳族的雙環(huán)或三環(huán)基團(tuán)，以 及其中僅有一個(gè)環(huán)為芳族的雙環(huán)或三環(huán)基團(tuán)，以及其中兩個(gè)環(huán)為芳族的三環(huán)基團(tuán)。芳基的 實(shí)例為苯基、萘基、2，3_ 二氫化茚基、1，2_ 二氫萘次甲基、1，4_ 二氫萘次甲基、茚基、蒽基、 菲基或1，2，3，4-四氫萘基。特別優(yōu)選C6-Cltl芳基，例如苯基或萘基，非常特別優(yōu)選C6芳基 如苯基。C6-C30芳基可以是未取代的或被一個(gè)或多個(gè)其他基團(tuán)取代。合適的其他基團(tuán)選自 C1-C20烷基、C6-C30芳基或具有給體或受體作用的取代基，其中具有給體或受體作用的合適 取代基如下所述。C6-C3tl芳基優(yōu)選未取代或被一個(gè)或多個(gè)C1-C2tl烷氧基、CN、CF3、F或氨基 (NR14R15,其中合適的R14和R15基團(tuán)如上所述)取代。C6-C3。芳基的其他優(yōu)選取代基取決于 通式(II)的化合物的最終用途且如下所述。合適的C6-C3tl芳氧基、C6-C3(1烷硫基相應(yīng)衍生于上述C6-C3tl芳基。特別優(yōu)選苯氧基 和苯硫基。具有5-30個(gè)環(huán)原子的未取代或取代的雜芳基應(yīng)理解為指部分衍生于上述芳基的 單環(huán)、雙環(huán)或三環(huán)雜芳族基團(tuán)，其中基礎(chǔ)芳基結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)碳原子被雜原子替代。優(yōu)選 雜原子為N、0和S。雜芳基更優(yōu)選具有5-13個(gè)環(huán)原子。特別優(yōu)選雜芳基的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)選自如 下體系如吡啶和五元雜芳族化合物如噻酚、吡咯、咪唑或呋喃。該基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)可任選與一個(gè) 或兩個(gè)六元芳基稠合。合適的稠合的雜芳基為咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、二苯并呋 喃基或二苯并噻吩基?；A(chǔ)結(jié)構(gòu)可在一個(gè)可被取代的位置，或者在多于一個(gè)或所有可被取 代的位置被取代，其中合適的取代基與在定義C6-C3tl芳基時(shí)描述的取代基相同。然而，雜芳 基優(yōu)選未被取代。合適的雜芳基例如為吡啶-2-基、吡啶-3-基、吡啶-4-基、噻酚-2-基、 噻酚-3-基、吡咯-2-基、吡咯-3-基、呋喃-2-基、呋喃-3-基和咪唑-2-基，以及相應(yīng)的 苯并稠合基團(tuán)，特別是咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。對(duì)本申請(qǐng)而言，具有給體或受體作用的基團(tuán)應(yīng)理解為指如下基團(tuán)C「C2Q 烷氧基、C6-C3tl 芳氧基、C1-C2tl 烷硫基、C6-C3tl 芳硫基、SiR14R15R16、鹵素基團(tuán)、 鹵代C1-C2tl烷基、羰基(-co(R14))、羰硫基(-C = 0(SR14))、羰氧基(-C = 0(0R14))、氧羰基 (-0C = 0(R14))、硫羰基(-SC = 0(R14))、氨基(_NR14R15)、0H、擬鹵素基團(tuán)、酰胺基(-C = 0(NR14))、-NR14C = 0(R15)、膦酸根(-P(O) (OR14)2)、磷酸根(-OP(O) (OR14)2)、膦(-PR14R15)、 氧化膦(-P(O)R142)、硫酸根(-OS(O)2OR14)、亞砜(S(O)R14)、磺酸根(-S (0)20R14)、磺?；?(-S(O)2R14)、磺酰胺(-S(O)2NR14R15)、NO2、有機(jī)硼酸酯(-OB(OR14)2)、亞氨基(-C = NR14R15)、 硼烷基團(tuán)、錫烷基團(tuán)、胼基、腙基、肟基、亞硝基、重氮基、乙烯基、亞砜亞胺、鋁烷、鍺烷、環(huán)硼 氧烷和環(huán)硼氮烷。優(yōu)選的具有給體或受體作用的取代基選自C1-C20烷氧基，優(yōu)選C1-C6烷氧基，更優(yōu)選乙氧基或甲氧基；C6-C3(1芳氧基，優(yōu)選 C6-C1。芳氧基，更優(yōu)選苯氧基；SiR14R15R16,其中R14Hn R16優(yōu)選各自獨(dú)立地為取代或未取代 的烷基或取代或未取代的苯基；基團(tuán)R14、R15或R16中至少一個(gè)更優(yōu)選為取代或未取代的苯 基；R14、R15和R16中至少一個(gè)最優(yōu)選為取代的苯基，其中合適的取代基如上所述；鹵素基團(tuán)， 優(yōu)選F、Cl、Br，更優(yōu)選F或Cl，最優(yōu)選F、鹵代C1-C2tl烷基，優(yōu)選鹵代C1-C6烷基，最優(yōu)選氟代 C1-C6烷基，如0&、01#、(冊(cè)2或(^5 ；氨基，優(yōu)選二甲基氨基、二乙基氨基或二苯基氨基；0H、 擬鹵素基團(tuán)，優(yōu)選CN、SCN或0CN，更優(yōu)選CN、-C (0) OC1-C4烷基，優(yōu)選-C (0) OMe,P (0) R2,優(yōu)選
18P (0) Ph2，或 S02R2，優(yōu)選 S02Ph。非常特別優(yōu)選的具有給體或受體作用的取代基選自甲氧基、苯氧基、鹵代Ci-C； 烷基，優(yōu)選CF3、CH2F、CHF2、C2F5、鹵素，優(yōu)選F、CN，其中合適的R14、R15和R16基團(tuán)已經(jīng)被提及 的 SiR14R15R16，二苯基氨基、-C (0) 0CrC4 烷基，優(yōu)選-C (0) OMe、P (0) Ph2、S02Ph。上述具有給體或受體作用的基團(tuán)并沒(méi)有排除其他上述基團(tuán)也可具有給體或受體 作用的可能性。例如，上述雜芳基同樣為具有給體或受體作用的基團(tuán)，而(^-(2(|烷基為具有 給體作用的基團(tuán)。在上述具有給體或受體作用的基團(tuán)中提及的基團(tuán)R14、R15和R16各自如上文所定 義，即R14、R15和R16各自獨(dú)立地為取代或未取代的CfQ烷基或取代或未取代的C6-C3(l芳基，其中合適且優(yōu)選的烷 基和芳基如上所述?；鶊F(tuán)R14、R15和R16更優(yōu)選為(^-(6烷基如甲基、乙基或異丙基，苯基。在 一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中_在SiR14R15R16情況下-R14、R15和R16優(yōu)選各自獨(dú)立地為取代或未取 代的烷基或取代或未取代的苯基；基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)更優(yōu)選為取代或未 取代的苯基；基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)最優(yōu)選為取代的苯基，其中合適取代基已在上文 描述。額外用于本申請(qǐng)的術(shù)語(yǔ)“給電子取代基”和“吸電子取代基”為具有給體作用(給 電子取代基)或具有受體作用(吸電子取代基)的取代基。因此，合適的給電子取代基和 吸電子取代基為如上所述的具有給體或受體作用的取代基。式(II)化合物式(II)化合物為其中基團(tuán)和指數(shù)各自如下所定義的二甲硅烷基化合物X為NR1、 S、0、PR1、S02 或 SO ；優(yōu)選 NR1、S 或 0 ；R1為取代或未取代的CfQ烷基、取代或未取代的C6-C3(1芳基、或取代或未取代 的具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基；優(yōu)選取代或未取代的CfCm烷基或取代或未取代的C6-C3Q 芳基，更優(yōu)選取代或未取代的C6-C1(l芳基或未取代的q-Cm烷基，最優(yōu)選取代或未取代的苯 基，其中合適的的取代基如上所述；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨(dú)立地為取代或未取代的烷基或取代或未取代的
C6-C30芳基或通式(c)的結(jié)構(gòu)；基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)優(yōu)選為取代或未取 代的c6-c3(l芳基，更優(yōu)選取代或未取代的c6-c1(l芳基，最優(yōu)選取代或未取代的苯基，其中合 適的取代基如上所述，和/或基團(tuán)R2、R3和R4中一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中一個(gè)為結(jié)構(gòu) (c)的基團(tuán)；Ra、Rb各自獨(dú)立地為取代或未取代的(^-(2(1烷基、取代或未取代的c6-c3(1芳基、取代 或未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基或具有給體或受體作用的取代基，其中合適且優(yōu) 選的具有給體或受體作用的取代基如上所述；R14、R15、R16各自獨(dú)立地為取代或未取代的Q-Cm烷基或取代或未取代的C6_C3Q芳 基，優(yōu)選取代或未取代的CrQ烷基或取代或未取代的C6-C1(l芳基，其中R14、R15和R16更優(yōu) 選各自獨(dú)立地為取代或未取代的烷基或取代或未取代的苯基；更優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、 R15和R16中至少一個(gè)為取代或未取代的苯基；最優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為 取代的苯基，其中合適的取代基如上所述；
q、r各自獨(dú)立地為0、1、2或3，優(yōu)選為0，其中當(dāng)(1或1~為0時(shí)，芳基的所有可取代
位置帶有氫原子。在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及一種本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管，其中X為NR1，其中R1 基團(tuán)如上所定義，其中式(II)化合物中基團(tuán)RLR7，中至少一個(gè)包含至少一個(gè)雜原 子。優(yōu)選的雜原子為N，Si，鹵素，特別是F或C1，0，S或P。所述雜原子可以基團(tuán)Ri-R7、!^ 或Rb中至少一個(gè)的取代基形式或以取代基一部分的形式存在或在基團(tuán)Ri-R7、Ra或Rb中至 少一個(gè)的基礎(chǔ)骨架中存在。合適的取代基或基礎(chǔ)骨架對(duì)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知并且在基 團(tuán)#-1 7、『或鏟的定義下描述。本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案涉及一種其中式(II)化合物中的基團(tuán)R2、R3和R4中 至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)為取代或未取代的c6-c3(l芳基的本發(fā)明有機(jī)發(fā) 光二極管。優(yōu)選的芳基及其取代基已在上文描述。本發(fā)明的另一實(shí)施方案涉及一種其中通式(II)的化合物為通式(Ila)的3，6_ 二
甲硅烷基取代的化合物的本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管 其中X 為 NR1、S、0、PR1、S02 或 SO ；優(yōu)選 NR1、S 或 0 ；更優(yōu)選 NR1 ；R1為取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6-C3(1芳基，或取代或未取代的 具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基；優(yōu)選取代或未取代的C6-C3(l芳基或取代或未取代的CfCm烷 基，更優(yōu)選取代或未取代的C6-C1(l芳基或未被取代的q-Cm烷基，最優(yōu)選取代或未取代的苯 基，其中合適的取代基如上所述；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨(dú)立地為取代或未取代的Ci-Cm烷基或取代或未取代的 C6-C30芳基或通式(C)的結(jié)構(gòu)；基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)優(yōu)選為取代或未取 代的c6-c3(l芳基，更優(yōu)選取代或未取代的c6-c1(l芳基，最優(yōu)選取代或未取代的苯基，其中合 適的取代基如上所述，和/或基團(tuán)R2、R3和R4中一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中一個(gè)為結(jié)構(gòu) (c)的基團(tuán)；R8、R9、R1Q、R11、R12、R13各自獨(dú)立地為氫或如對(duì)Ra和Rb所定義，即各自獨(dú)立地為取 代或未取代的CfCm烷基、取代或未取代的c6-c3(1芳基、取代或未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子 的雜芳基或具有給體或受體作用的取代基，其中合適的具有給體或受體作用的取代基如上 所述；優(yōu)選氫，取代或未取代的Ci-C；烷基、取代或未取代的C6-C1(l芳基或SiR14R15R16 ；更優(yōu)選 氫、甲基、乙基、苯基、CF3或SiR14R15R16，其中R14、R15和R16優(yōu)選各自獨(dú)立地為取代或未取代 的CfCm烷基或取代或未取代的苯基；更優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為取代或 未取代的苯基；最優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為取代的苯基，其中合適的取代基如上所述；且其他基團(tuán)和指數(shù)R14、R15、R16各自如上所定義。在特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，用于本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管中的式(II)化合物對(duì)基團(tuán)RLR7、Ra和Rb和基團(tuán)X具有如下定義X 為 NR1;R1為取代或未取代的C6-C3tl芳基或取代或未取代具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基，優(yōu) 選取代或未取代的C6-Cltl芳基，更優(yōu)選取代或未取代的苯基，其中合適的取代基如上所述；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨(dú)立地為取代或未取代的C1-C2tl烷基或取代或未取代的 C6-C3tl芳基，或通式(C)的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選各自獨(dú)立地為取代或未取代WC1-C6烷基或取代或未取 代的C6-Cltl芳基，更優(yōu)選取代或未取代的C1-C6烷基或取代或未取代的苯基；其中，在一個(gè)實(shí) 施方案中，基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)為取代或未取代 的C6-C3tl芳基，優(yōu)選取代或未取代的C6-Cltl芳基，更優(yōu)選取代或未取代的苯基，其中優(yōu)選的 取代基如上所述；R8、R9、R10, R11、R12、R13各自獨(dú)立地為氫或各自如對(duì)Ra和Rb所定義，即各自獨(dú)立地 為取代或未取代的C1-C2tl烷基、取代或未取代的C6-C3tl芳基、取代或未取代的具有5-30個(gè) 環(huán)原子的雜芳基或具有給體或受體作用的取代基，其中合適的具有給體或受體作用的取代 基如上所述；優(yōu)選氫，取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C6-Cltl芳基或SiR14R15R16 ； 更優(yōu)選氫、甲基、乙基、苯基、CF3或SiR14R1SR16 ；R14、R15、R16各自獨(dú)立地為取代或未取代的C1-C2tl烷基或取代或未取代的C6-C3tl芳 基，優(yōu)選取代或未取代的C1-C6烷基或取代或未取代的C6-Cltl芳基，其中R14、R15和R16更優(yōu) 選各自獨(dú)立地為取代或未取代的C1-C2tl烷基或取代或未取代的苯基；更優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、 R15和R16中至少一個(gè)為取代或未取代的苯基；最優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為 取代的苯基，其中合適的取代基如上所述。優(yōu)選的用于本發(fā)明OLED中的式(II)化合物如下所詳述i)優(yōu)選的式(II)化合物，其中X為NR1或I3R1 (優(yōu)選的咔唑衍生物(X = NR1)詳述 在下文中)。本發(fā)明同樣包括其中在下式中的N由P替換的那些化合物(X = PR1)ia)式(II)化合物，更優(yōu)選適合作為基質(zhì)和/或電子/激子阻擋劑 ic)式(II)化合物，更優(yōu)選適合作為基質(zhì) id)其他優(yōu)選的式(II)化合物，其更優(yōu)選適用作基質(zhì)和/或空穴/激子阻擋劑和
/或電子/激子阻擋劑)優(yōu)選的式(II)化合物，其中X為O、S、SO、SO2 iia)式(II)化合物，其更優(yōu)選適合作為基質(zhì)和/或電子/激子阻擋劑 在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及一種其中使用如下式(II)化合物的有機(jī)發(fā) 光二極管，其中基團(tuán)R1和/或基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一 個(gè)獨(dú)立地為下式的取代或未取代的C6芳基 其中P 為 0、1、2、3、4 或 5，優(yōu)選 0、1、2 或 3，更優(yōu)選 0、1 或 2 ；R17為氫，取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6-C3(1芳基、取代或未取代 的具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基，具有給體或受體作用的取代基，其中合適的具有給體或受 體作用的取代基如上所述，或通式a或b的基團(tuán) 其中X，為 N 或 P，和基團(tuán)和指數(shù)X"、R2，、R3，、R4，、R5，、R5，，、R6，、R6，，、R7，、R7，，、Ra，、Ra，，、Rb，、Rb，，、q，、
q"、r’和r 〃各自獨(dú)立地如對(duì)基團(tuán)和指數(shù)X、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R\ Rb、q和r所定義;或基團(tuán)R2、R3和R4之一和/或基團(tuán)R5、R6和R7之一為通式c的基團(tuán) 其中基團(tuán)和指數(shù)X" ‘、R5”，、R6”，、R7”，、Ra”，、Rb，，，、q〃 ‘禾Pr〃 ‘各自獨(dú)立地如
對(duì)基團(tuán)和指數(shù)X、R5、R6、R7、R\ R\ q和r所定義。優(yōu)選的基團(tuán)R17選自氫，取代或未取代的(「(；烷基，取代或未取代的C6-C1(l芳基， 取代或未取代的具有5-13個(gè)環(huán)原子的雜芳基，優(yōu)選咔唑基，選自下列的具有給體或受體作 用的取代基而-(2(1烷氧基，優(yōu)選Ci-C；烷氧基，更優(yōu)選乙氧基或甲氧基；C6-C3(1芳氧基，優(yōu)選 C6-C1(l芳氧基，更優(yōu)選苯氧基；SiR14R15R16 ；鹵素基團(tuán)，優(yōu)選F、Cl、Br，更優(yōu)選F或C1，最優(yōu)選F、 鹵代Q-Cm烷基，優(yōu)選鹵代CfQ烷基，最優(yōu)選氟代CfQ烷基，如CF3、CH2F、CHF2或C2F5 ；氨 基，優(yōu)選二甲基氨基、二乙基氨基或二苯基氨基，更優(yōu)選二苯基氨基；0H，擬鹵素基團(tuán)，優(yōu)選 CN、SCN 或 0CN，更優(yōu)選 CN ；C (0) 0C「C4 烷基，優(yōu)選-C (0) OMe、P (0) Ph2、S02Ph，其中 R14、R15 和 R16各自獨(dú)立地為取代或未取代的Ci-C；烷基或取代或未取代的C6-C1(l芳基，且在SiR14R15R16 的情況下，優(yōu)選各自獨(dú)立地為取代或未取代的烷基或取代或未取代的苯基；更優(yōu)選的是，基 團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為取代或未取代的苯基；最優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少 一個(gè)為取代的苯基，其中合適的取代基如上所述。更優(yōu)選的是，基團(tuán)R17各自獨(dú)立地選自甲 氧基、苯氧基、未取代的q-c;烷基，優(yōu)選甲基、鹵代q-c;烷基，優(yōu)選CF3、CHF2、CH2F、C2F5、CN， 鹵素，優(yōu)選F，-C (0) 0-C「C4烷基，優(yōu)選-C (0) 0Me,P (0) Ph2，以及取代或未取代的具有5_13個(gè) 環(huán)原子的雜芳基，優(yōu)選咔唑基。在本發(fā)明的另一實(shí)施方案中，在式(II)化合物中指數(shù)r和q各自為0，即芳基的所 有可取代位帶有氫原子。對(duì)所有其他基團(tuán)和指數(shù)而言，適用上述定義。根據(jù)本發(fā)明使用的式(II)化合物可用于本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管的不同層中，其 中在本發(fā)明0LED中合適且優(yōu)選的層序列如上所述。在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及其中式(II)化合物在發(fā)光層E中用作基質(zhì)的有機(jī) 發(fā)光二極管。在另一實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及其中式(II)化合物在電子阻擋層中用作電子/激 子阻擋劑和/或用在空穴注入層和/或用在空穴導(dǎo)體層中的本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管。式 (II)化合物同樣可額外存在于發(fā)光層E和/或一個(gè)或多個(gè)下述層中。在另一實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及其中式(II)化合物在空穴阻擋層中用作空穴/激 子阻擋劑和/或用在電子注入層和/或用在電子導(dǎo)體層中的本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管。式(II)化合物同樣可額外存在于發(fā)光層E和/或一個(gè)或多個(gè)上述層中。取決于其中使用式(II)化合物的層，式(II)化合物具有不同優(yōu)選的R^HR4、 妒、1 6、1 7、『和鏟基團(tuán)和不同的父基團(tuán)。除了其中式(II)化合物可用于本發(fā)明0LED中的 層的功能之外，式(II)化合物的Ri-R7、基團(tuán)和X基團(tuán)額外取決于用于本發(fā)明0LED 中特定層的電子性能(HOMO和LUM0的相對(duì)位置)。因此，可借助對(duì)式(II)化合物的合適取 代來(lái)調(diào)整HOMO和LUM0軌道位置以適應(yīng)在本發(fā)明0LED中使用的其他層并由此實(shí)現(xiàn)0LED的 高穩(wěn)定性以及由此實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)的操作壽命和良好的效率。關(guān)于0LED各層中HOMO與LUM0相對(duì)位置的原理對(duì)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員是已知的。 例如關(guān)于與發(fā)光層相關(guān)的電子阻擋層和空穴阻擋層的特性原理在下文詳述在能量上，電子阻擋層的LUM0高于發(fā)光層中所用材料(使用的發(fā)射體材料和任何 基質(zhì)材料)的LUM0。電子阻擋層與發(fā)光層中材料的LUM0能量差越大，電子阻擋層的電子和 /或激子阻擋特性越好。因此，適合作為電子和/或激子阻擋材料的式(II)化合物的合適 取代方式取決于包括發(fā)光層中所用材料的電子性能(尤其是LUM0位置)在內(nèi)的因素。在能量上，電子阻擋層的H0M0高于發(fā)光層中存在材料(存在的發(fā)射體材料和任何 基質(zhì)材料)的H0M0?？昭ㄗ钃鯇优c發(fā)光層中存在的材料的HOMO能量差越大，空穴阻擋層的 空穴和/或激子阻擋特性越好。因此，適合作為空穴和/或激子阻擋材料的式(II)化合物 的合適取代方式取決于包括發(fā)光層中存在材料的電子性能(尤其是H0M0位置)在內(nèi)的因 素。涉及本發(fā)明0LED中使用的不同層的H0M0與LUM0相對(duì)位置的相當(dāng)?shù)目紤]適用于 可在0LED中使用并對(duì)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的其他層。式(II)化合物的優(yōu)選合適基團(tuán)1^、1 2、1 3、1 4、1 5、1 6、1 7、1^和妒取決于其在本發(fā)明 0LED不同層中的用途而在下文描述。需指出的是除了如下所述的那些外，式(II)化合物的 優(yōu)選取代基原則上可適合用于不同層中，這取決于0LED其他層的電子性能，特別是發(fā)光層 的電子性能。特別適合用于發(fā)光層E中作為基質(zhì)材料及適合用于電子阻擋層、空穴注入層和/ 或空穴導(dǎo)體層中的通式(II)化合物本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管，其中將式(II)化合物用于電 子阻擋層、空穴注入層和/或空穴導(dǎo)體層和/或用于發(fā)光層E中作為基質(zhì)材料?？稍谏鲜鰧又兄辽僖粚邮褂玫膬?yōu)選的式(II)化合物具有至少一個(gè)基團(tuán)R1、! 2、! 3、 R4、R5、R6或R7，其為取代或未取代的烷基、具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基、取代或未取 代的C6-C3(l芳基、烷基取代的C6-C3(l芳基(其中“烷基取代的”是指Q-Cm烷基取代的C6-C3(l 芳基)、被至少一個(gè)具有給體作用的取代基取代的C6-C3(l芳基或被具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜 芳基取代的C6-C3(l芳基或具有給體作用的取代基或在R2、R3、R4、R5、R6或R7情況下為氫。合適的具有給體作用的取代基(給電子基團(tuán))優(yōu)選選自取代和未取代的(^_(6烷 基，優(yōu)選甲基，取代和未取代的C6-C1(l芳基，具有5-30個(gè)環(huán)原子的取代和未取代的富電子雜 芳基，優(yōu)選選自咔唑基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、噁唑基、噻吩基，優(yōu)選咔唑基、吡咯 基和噻吩基，更優(yōu)選咔唑基、(^-(2(1烷氧基，優(yōu)選(^-(；烷氧基，更優(yōu)選甲氧基和乙氧基，C6-C3Q 芳氧基，優(yōu)選C6-C1(1芳氧基，更優(yōu)選苯氧基，CrC20烷硫基，優(yōu)選Ci-C；烷硫基，更優(yōu)選-SCH3， c6-c30芳硫基，優(yōu)選C6-C1Q芳硫基，更優(yōu)選-SPh，F(xiàn)，SiR14R15R16，其中R14、R15和R16優(yōu)選為給體取代的苯基，氨基(_NR14R15)，優(yōu)選二苯基氨基，膦(_PR14R15)，胼基，0H，給體取代的乙烯基， 其中R14、R15和R16各自如上文定義并且優(yōu)選為給體取代的苯基。非常特別優(yōu)選的具有給體作用的取代基選自二苯基氨基、咔唑基、甲氧基、苯氧 基，其中尤其非常特別優(yōu)選甲氧基和咔唑基。在上述層中使用的至少一個(gè)基團(tuán)更優(yōu)選為被至少一個(gè)具有給體作用的取代基和/ 或至少一個(gè)具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基取代的下式(d)的C6芳基 P’為1、2、3、4或5，優(yōu)選1、2或3，更優(yōu)選1或2，和R18在每種情況下獨(dú)立地為取代或未取代的(「(；烷基，優(yōu)選甲基，取代或未取代 mc6-c1(1芳基，Q-Cm烷氧基，優(yōu)選烷氧基，更優(yōu)選甲氧基和乙氧基，c6-c3(1芳氧基，優(yōu) 選c6-c1(1芳氧基，更優(yōu)選苯氧基，crc20烷硫基，優(yōu)選CfCe烷硫基，更優(yōu)選-sch3，c6-c30芳硫 基，優(yōu)選C6-C1(l芳硫基，更優(yōu)選-SPh，SiR14R15R16，其中R14、R15和R16各自如上文定義并且優(yōu) 選各自為給體取代的苯基，氨基(_NR14R15)，優(yōu)選二苯基氨基，酰胺基(-NR14 (C = 0 (R15))，膦 (_PR14R15)，胼基，0H,給體取代的乙烯基，其中R14、R15和R16各自如上文定義并且優(yōu)選各自為 給體取代的苯基，或者R18為具有5-30個(gè)環(huán)原子的取代或未取代的富電子雜芳基，優(yōu)選選自咔唑基、吡咯 基、咪唑基、批唑基、三唑基、噁唑基、噻吩基，更優(yōu)選咔唑基、吡咯基和噻吩基。優(yōu)選的基團(tuán)R18選自甲氧基、乙氧基、苯氧基，其中尤其非常特別優(yōu)選甲氧基，以及 咔唑基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、噁唑基和噻吩基，其中非常特別優(yōu)選甲氧基、苯氧 基、咔唑基和NR14R15，其中R14和R15各自為苯基或甲苯基。在上述層中使用的式(II)化合物更優(yōu)選具有至少一個(gè)選自下列基團(tuán)的基團(tuán)R1、 鏟、鏟、1 4、1 5、1 6或礦

在優(yōu)選實(shí)施方案中，至少一個(gè)基團(tuán)R1為被至少一個(gè)具有給體作用的取代基和/或 至少一個(gè)具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基取代的式(d)的C6芳基；和基團(tuán)R2、R3、R4、R5、R6和 R7優(yōu)選各自為苯基、甲基或甲氧基_或苯氧基取代的苯基。式(II)化合物在發(fā)光層E中作為基質(zhì)材料和/或在空穴阻擋層、電子注入層和/ 或電子導(dǎo)體層中的用途本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管，其中至少一種式(II)化合物存在于至少一個(gè)選自發(fā)光層Ε、空穴阻擋層、電子注入層和電子導(dǎo)體層的層中。在上述層中使用的優(yōu)選的式(II)化合物具有至少一個(gè)基團(tuán)R1、R2、R3、R4、R5、R6或 R7，其為被至少一個(gè)具有受體作用的取代基(吸電子基團(tuán))取代的C1-C2tl烷基、被至少一個(gè) 具有受體作用的取代基取代的C6-C3tl芳基、被至少一個(gè)具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基取代的 C6-C30芳基或具有受體作用的取代基。合適的具有受體作用的取代基(吸電子基團(tuán))選自具有5-30個(gè)環(huán)原子的貧電子雜芳基、羰基(-CO(R14))、羰硫基(_C = 0(SR14))、羰氧基(_C = 0(0R14))、氧羰基 (-0C = 0(R14))、硫羰基(-SC = 0(R14))、0H、鹵素、鹵代C1-C2tl烷基、擬鹵素基團(tuán)、酰胺基 (-C = 0 (NR14))、膦酸根(-P (0) (OR14) 2)、磷酸根(-0P (0) (OR14) 2)、氧化膦(-P (0) R14R15)、 磺?；?-S (0) 2R14)、磺酸根(-S (0) 20R14)、硫酸根(-0S (0) 20R14)、亞砜(-S (0) R14)、磺酰 胺(_S(0)2NR14R15)、N02、有機(jī)硼酸酯(-OB(OR14)2)、亞氨基(-C = NR14R15)、腙基、肟基、亞 硝基、重氮基、亞砜亞胺、SiR14R15R16、硼烷基團(tuán)、錫烷基團(tuán)、受體取代的乙烯基、環(huán)硼氧烷 (boroxine)和環(huán)硼氮烷，其中R14、R15和R16各自為取代或未取代的C1-C2tl烷基，優(yōu)選取代或 未取代的C1-C6烷基或取代或未取代的C6-C3tl芳基，優(yōu)選取代或未取代的C6-Cltl芳基。優(yōu)選的具有受體作用的取代基選自鹵素，優(yōu)選F，鹵代烷基，優(yōu)選CF3、CH2F, CHF2, C2F5、C3F3H4，擬鹵素基團(tuán)，優(yōu)選CN，羰氧基(-C = 0 (OR14))，優(yōu)選-C = 0 (OCH3)，氧化膦，優(yōu)選 P (0) Ph2及磺?；瑑?yōu)選S (0) 2Ph2。在上述層中使用的至少一個(gè)基團(tuán)更優(yōu)選為下式(e)的取代的C6芳基 其中ρ”為1、2、3、4或5，優(yōu)選1、2或3，更優(yōu)選1或2;和R19 為羰基(-C0 (R14))、羰硫基(-C = 0 (SR14))、羰氧基(-C = 0 (0R14))、氧羰基 (-0C = 0(R14))、硫羰基(-SC = 0(R14))、0H、鹵素、鹵代C1-C2tl烷基、擬鹵素基團(tuán)、酰胺基 (-C = 0 (NR14))、膦酸根(-P (0) (OR14) 2)、磷酸根(-0P (0) (OR14) 2)、氧化膦(-P (0) R14R15)、 磺酰基(-S(O)2R14)、磺酸根(-S(O)2OR14)、硫酸根(-OS(O)2OR14)、亞砜(-S(0)R14)、磺酰胺 (-S(O)2NR14R15)、NO2、有機(jī)硼酸酯(-OB(OR14)2)、亞氨基(_C = NR14R15)、腙基、肟基、亞硝基、 重氮基、亞砜亞胺、SiR14R15R16、硼烷基團(tuán)、錫烷基團(tuán)、受體取代的乙烯基、環(huán)硼氧烷和環(huán)硼氮 烷，其中R14、R15和R16各自為取代或未取代的C1-C2tl烷基，優(yōu)選取代或未取代的C1-C6烷基， 或取代或未取代的C6-C3tl芳基，優(yōu)選取代或未取代的C6-Cltl芳基；優(yōu)選鹵素，優(yōu)選F，鹵代烷 基，優(yōu)選CF3、CH2F、CHF2、C2F5或C3F3H4，擬鹵素基團(tuán)，優(yōu)選CN，羰氧基(-C = 0 (0R14))，優(yōu)選-C =O (OCH3)，氧化膦，優(yōu)選P (0) Ph2及磺酰基，優(yōu)選S (0) 2Ph2 ；或者R19為具有5-30個(gè)環(huán)原子的取代或未取代的貧電子雜芳基，優(yōu)選選自吡啶、嘧啶和
三嗪基團(tuán)。在上述層中使用的式(II)化合物更優(yōu)選具有至少一個(gè)選自如下基團(tuán)的基團(tuán)R1、 R2、R3、R4、R5、R6 或 R7: 本發(fā)明的式(II)化合物在另一實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及如上所定義的通式(II)的化合物，其中在X為NR1 的情況下，式(II)化合物中基團(tuán)R1-R7,1^或鏟中至少一個(gè)包含至少一個(gè)雜原子。 該化合物優(yōu)選為如下通式II的化合物
其中X 為 NRkSiCKI3R^SO2 或 SO; R1為取代或未取代的C1-C2tl烷基、取代或未取代的C6-C3tl芳基，或取代或未取代的
具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨(dú)立地為取代或未取代的C1-C2tl烷基，或取代或未取代的 C6-C3tl芳基，或通式(c)的結(jié)構(gòu) Ra, Rb各自獨(dú)立地為取代或未取代的C1-C2tl烷基，取代或未取代的C6-C3tl芳基， 或取代或未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基或選自如下的具有給體或受體作用的取 代基=C1-C2tl烷氧基、C6-C3tl芳氧基、C1-C2tl烷硫基、C6-C3tl芳硫基、SiR14R15R16、鹵素基團(tuán)、鹵 代 C1-C2tl 烷基、羰基(_C0(R14))、羰硫基(-C = 0 (SR14))、羰氧基(-C = O (OR14))、氧羰基(-0C = 0(R14))、硫羰基(-SC = 0(R14))、氨基(_NR14R15)、OH、擬鹵素基團(tuán)、酰胺基(-C = 0(NR14))、-NR14C = 0(R15)、膦酸根(-P(O) (0R14)2)、磷酸根(-OP(O) (0R14)2)、膦(_PR14R15)、 氧化膦(_P(0)R142)、硫酸根(_0S(0)20R14)、亞砜(-S(O)R14)、磺酸根(_S(0)20R14)、磺?；?(-S(0)2R14)、磺酰胺(-S(O)2NR14R15)、NO2、有機(jī)硼酸酯(-ob(OR14)2)、亞氨基(-C = NR14R15)、 硼烷基團(tuán)、錫烷基團(tuán)、胼基、腙基、肟基、亞硝基、重氮基、乙烯基、亞砜亞胺、鋁烷、鍺烷、環(huán)硼 氧烷和環(huán)硼氮烷；R14、R15、R16各自獨(dú)立地為取代或未取代的Ci-Q烷基，或取代或未取代的C6-C3(l芳 基；q、r各自獨(dú)立地為0、1、2或3;其中，在(1或1~為0的情況下，芳基的所有可取代位
置由氫取代，其中在式(c)基團(tuán)中基團(tuán)和指數(shù)X" ‘、R5" ‘、R6" ‘、R7" ‘、Ra“ ‘、Rb〃 ‘、 q〃 ‘和r〃 ‘各自獨(dú)立地如對(duì)通式(11)的化合物的基團(tuán)和指數(shù)乂、妒、1 6、1 7、1^、鏟、(1和1~ 所定義；其中在X為NR1的情況下，在式(II)化合物中基團(tuán)RLR7，!^或Rb中至少一個(gè)包含至少 一個(gè)雜原子。在式(II)化合物中，優(yōu)選基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至 少一個(gè)為取代或未取代的C6-C3(l芳基。通式(II)的化合物更優(yōu)選為通式(Ila)的3，6-二甲硅烷基取代的化合物 其中X 為 NR1、S、0、PR1、S02 或 SO ；優(yōu)選 NR1、S 或 0 ；更優(yōu)選 NR1 ；R1為取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6-C3(1芳基，或取代或未取代的 具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基；優(yōu)選取代或未取代的C6-C3(l芳基或取代或未取代的CfCm烷 基，更優(yōu)選取代或未取代的C6-C1(l芳基或未被取代的q-Cm烷基，最優(yōu)選取代或未取代的苯 基；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨(dú)立地為取代或未取代的烷基或取代或未取代的
C6-C30芳基或通式(c)的結(jié)構(gòu)；基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)優(yōu)選為取代或未取 代的c6-c3(l芳基，更優(yōu)選取代或未取代的c6-c1(l芳基，最優(yōu)選取代或未取代的苯基，和/或基 團(tuán)R2、R3和R4中一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中一個(gè)為結(jié)構(gòu)(c)的基團(tuán)；R8、R9、R1Q、R11、R12、R13各自獨(dú)立地為氫或如對(duì)Ra和Rb所定義，即各自獨(dú)立地為取 代或未取代的Ci-Cm烷基、取代或未取代的c6-c2(1芳基、取代或未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基或具有給體或受體作用的取代基，其中合適的具有給體或受體作用的取代基如上 所述；優(yōu)選氫，取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C6-Cltl芳基或SiR14R15R16 ；更優(yōu)選 氫、甲基、乙基、苯基、CF3或SiR14R15R16,其中R14、R15和R16優(yōu)選各自獨(dú)立地為取代或未取代 的C1-C2tl烷基或取代或未取代的苯基；更優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為取代或 未取代的苯基；最優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為取代的苯基。在式(II)化合物中，基團(tuán)R1和/或基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6 和R7中至少一個(gè)優(yōu)選各自獨(dú)立地為下式的取代或未取代的C6芳基 其中P 為 0、1、2、3、4 或 5，優(yōu)選 0、1、2 或 3，更優(yōu)選 0、1 或 2 ；R17為氫，取代或未取代的C1-C2tl烷基、取代或未取代的C6-C3tl芳基、取代或未取代 的具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基，具有給體或受體作用的取代基，或通式a或b的基團(tuán) 其中X，為 N 或 P，和基團(tuán)和指數(shù)Χ"、R2，、R3，、R4，、R5，、R5，，、R6，、R6，，、R7，、R7，，、Ra'、Ra，，、Rb，、Rb”、q，、
q"、r’和r 〃各自獨(dú)立地如對(duì)基團(tuán)和指數(shù)X、R2、R3、R4、R5、R6、R7、Ra、Rb、q和r所定義；或基團(tuán)R2、R3和R4之一和/或基團(tuán)R5、R6和R7之一為通式c的基團(tuán) 其中基團(tuán)和指數(shù)X〃 ‘、R5”，、R6”，、R7”，、Ra”，、Rb，，，、q〃 ‘禾Pr"‘各自獨(dú)立地如對(duì)基團(tuán)和指數(shù)X、R5、R6、R7、R\ Rb、q和r所定義。特別優(yōu)選式(II)化合物對(duì)應(yīng)于優(yōu)選用于本發(fā)明OLED的上述式(II)化合物，其中 在X為NR1的情況下，式(II)化合物中基團(tuán)R1-R7, Ra或Rb中至少一個(gè)包含至少一個(gè)雜原子。制備本發(fā)明式(II)化合物和根據(jù)本發(fā)明使用的那些
式(II)化合物原則上可通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法制備；例如式(II) 的咔唑(X = NR1)可通過(guò)將二苯胺(或其適當(dāng)取代的衍生物)氧化閉環(huán)并且合適的話例 如在氮上隨后取代而熱或光化學(xué)制備。此外，式(II)的咔唑可通過(guò)氧化由適當(dāng)取代的四 氫咔唑獲得。典型的咔唑合成為Borsche-Drechsel環(huán)化(Borsche, Ann.，359，49 (1908)； Drechsel, J. prakt. Chem.，[2]，38，69，1888)。上述四氫咔唑可通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已 知的方法，例如通過(guò)將合適的話適當(dāng)取代的苯胼與合適的話適當(dāng)取代的環(huán)己酮縮合獲得相 應(yīng)亞胺而制備。在隨后步驟中，進(jìn)行酸催化重排和閉環(huán)反應(yīng)而獲得相應(yīng)的四氫咔唑。同樣 可以在一步中進(jìn)行亞胺的制備和重排以及閉環(huán)反應(yīng)。將如上所述的亞胺氧化成所需咔唑。式(II)化合物優(yōu)選由下式(III)的相應(yīng)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)制備 其中X為NR^SCKSOy S、0或PR1或NH或PH或PPh。合適的式(III)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)可 市購(gòu)(尤其在X為S02、S、0、NH或PPh的情況下)或通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法 制備(X = PH或SO)。在X為NH或PH的情況下，可將基團(tuán)R1在引入基團(tuán)Ra、Rb> SiR2R3R4和SiR5R6R7之 前或之后引入，條件是在式(II)化合物或適合于引入基團(tuán)Ra、Rb、SiR2R3R4和SiR5R6R7的前 體化合物中存在基團(tuán)Ra和Rb。因此，三種變型-在X = NR1和PR1情況下-是可能的。變型 a)ia)制備適合于引入基團(tuán)Ra、Rb、SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iia)引入基團(tuán) R1，iiia)引入存在的話基團(tuán)Ra、Rb以及基團(tuán)SiR2R3R4和SiR5R6R7。變型b)變型b)在基團(tuán)R1為取代或未取代的C1-C2tl烷基或C6-C3tl芳基或C1-C2tl烷基取代 的C6-C3tl芳基時(shí)而尤其優(yōu)選。ib)引入基團(tuán)R1，iib)制備適合于引入基團(tuán)Ra、Rb、SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iiib)引入存在的話基團(tuán)Ra、Rb以及基團(tuán)SiR2R3R4和SiR5R6R7。變型 c)ic)制備適合于引入基團(tuán)Ra、Rb、SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iic)引入存在的話基團(tuán)Ra、Rb以及基團(tuán)SiR2R3R4和SiR5R6R7,iiic)引入基團(tuán) R1。在式(III)中X為NR^SCKSOy S、0或PR1的情況下，省略“引入R1基團(tuán)”的步驟， 從而使得所述方法包括下列步驟(變型d)id)制備適合于引入基團(tuán)Ra、Rb、SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iid)引入存在的話基團(tuán)Ra、Rb以及基團(tuán)SiR2R3R4和SiR5R6R7。在另一實(shí)施方案中，本發(fā)明因此涉及一種制備本發(fā)明的式(II)化合物和根據(jù)本 發(fā)明使用的那些化合物的方法，其包括如下步驟
起始于式(III)的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu) 其中X為NR^SCKSO^S、。或PR1或NH或PH或PPh，當(dāng)基團(tuán)Ra和Rb存在于式(II) 化合物中時(shí)，基團(tuán)R1、Ra、R\ SiR2R3R4和SiR5R6R7通過(guò)如下變型a)、b)、c)或d)之一引入變型 a)ia)制備適合于引入基團(tuán)Ra、R\ SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iia)引入基團(tuán) R1，iiia)引入存在的話基團(tuán)Ra、Rb以及基團(tuán)SiR2R3R4和SiR5R6R7 ；或變型b)ib)引入基團(tuán)R1，iib)制備適合于引入基團(tuán)Ra、R\ SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iiib)引入存在的話基團(tuán)Ra、Rb以及基團(tuán)SiR2R3R4和SiR5R6R7 ；或變型 c)ic)制備適合于引入基團(tuán)Ra、R\ SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iic)引入存在的話基團(tuán)Ra、Rb以及基團(tuán)SiR2R3R4和SiR5R6R7，iiic)引入基團(tuán) R1;或變型 d)id)制備適合于引入基團(tuán)Ra、R\ SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iid)引入存在的話基團(tuán)Ra、Rb以及基團(tuán)SiR2R3R4和SiR5R6R7。式(II)化合物中所述的基團(tuán)qAiNR^njiRfR4和SiR5R6R7各自如上所定義。步驟ia)、ic)、ic)和 id)用于引入基團(tuán)Ra、Rb、SiR2R3R4和SiR5R6R7的合適前體化合物尤其為通式(IV)的相
應(yīng)的商代化合物，優(yōu)選溴代化合物 其中Hal為鹵素，優(yōu)選溴或碘，更優(yōu)選溴，n在每種情況下為0、1或2(其中在式 (IV)中兩個(gè)n的總和至少為1)，優(yōu)選在每種情況下為1，且在步驟ia)和ic)中X為NH或 PH，在步驟ib)中X為NR1或PR1，以及在步驟id)中父為殿1、50、502、5、0或冊(cè)1。鹵化可通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法進(jìn)行。優(yōu)選在式(III)的基礎(chǔ)骨架的 3和6位溴化或碘化。
特別優(yōu)選在低溫如0°C下在冰醋酸或氯仿中用Br2溴化。合適方法例如在X = NPh 時(shí)，描述于 M. Park, J. R. Buck, C. J. Rizzo, Tetrahedron, 1998，54，12707-12714 中并且在 X =S時(shí)，描述于W.Yang等，J. Mater. Chem. 2003，13，1351中。此外，一些式(IV)的溴化產(chǎn) 品可市購(gòu)(X = NH和S時(shí))。步驟iia)、ib)和 iiic)將基團(tuán)R1通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法引入。優(yōu)選將基團(tuán)通過(guò)使式(III)的基礎(chǔ)骨架或式(IV)的化合物與式Ri-Hal的烷基鹵 化物或芳基鹵化物或雜芳基鹵化物反應(yīng)而引入，其中R1已在上文定義及Hal為F、Cl、Br或 I，優(yōu)選Br、I或F。基團(tuán)R1的引入通常在堿存在下進(jìn)行。合適的堿是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的且優(yōu) 選選自如下堿金屬和堿土金屬氫氧化物如Na0H、K0H、Ca (OH) 2，堿金屬氫化物如NaH、KH，堿 金屬氨化物如NaNH2，堿金屬或堿土金屬碳酸鹽如K2C03或Cs2C03，以及堿金屬醇鹽如NaOMe、 NaOEt。還合適的是上述堿的混合物。特別優(yōu)選妝011、1(011、妝11或1(20)3。N-燒基化(例如公開(kāi)在 M. Tosa 等人，Heterocycl. Communications，第 7 卷， 第3期，2001，第277-282頁(yè))或N-芳基化或N-雜芳基化(例如N-芳基化公開(kāi)在 H. Gilman 和 D. A. Shirley, J. Am. Chem. Soc. 66(1944)888 ；D. Li 等人，Dyes 和 Pigments 49(2001) 181-186)優(yōu)選在溶劑中進(jìn)行。合適的溶劑例如為極性非質(zhì)子溶劑如二甲亞砜、二 甲基甲酰胺或醇。同樣可以使用過(guò)量的烷基鹵化物或(雜)芳基鹵化物作為溶劑。當(dāng)存在 相轉(zhuǎn)移催化劑如四正丁基硫酸氫銨時(shí)，反應(yīng)還可在非極性的非質(zhì)子溶劑如甲苯中進(jìn)行(例 如公開(kāi)在 I. Gozlan 等人，J. Heterocycl. Chem. 21 (1984) 613-614 中)。然而，N_(雜)芳基化例如還可通過(guò)銅催化式(III)或(IV)化合物與(雜)芳基 鹵化物，例如芳基碘化物偶聯(lián)而進(jìn)行(Ullmarm反應(yīng))。優(yōu)選將基團(tuán)R1通過(guò)在DMF中使式(III)或(IV)化合物與烷基氟化物、芳基氟化 物或雜芳基氟化物在NaH存在下反應(yīng)(親核取代)或通過(guò)與烷基溴化物或碘化物、芳基溴 化物或碘化物或雜芳基溴化物或碘化物在Cu/堿(Ullmarm，見(jiàn)上述)或Pd催化劑存在下反 應(yīng)而引入。式(III)或(IV)化合物與式Ri-Hal的烷基鹵化物或(雜)芳基鹵化物的摩爾比 例通常為1 1-1 15，優(yōu)選1 1-1 6，更優(yōu)選1 4。N-烷基化或N-(雜)芳基化通常在0-220。C，優(yōu)選20-200。C的溫度下進(jìn)行。反應(yīng) 時(shí)間通常為0. 5-48小時(shí)，優(yōu)選1-24小時(shí)。通常而言，N-烷基化或N-芳基化在標(biāo)準(zhǔn)壓力下 進(jìn)行。所得粗產(chǎn)物通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法后處理。步驟iia)、ib)和iiic)的優(yōu)選實(shí)施方案以使用R1 =取代的苯基(R =芳基上的 上述取代基；q = 0、1、2、3、4或5)的實(shí)例的通用形式在下文中詳述 Z=鹵素n = 0，l，2。步驟iiia)、iiib)、iic)和 iid)所需的式(II)的甲硅烷基化的化合物通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法通常 優(yōu)選通過(guò)鹵素/金屬交換，隨后甲硅烷基化由式(IV)鹵代前體化合物制備。優(yōu)選在第一步驟中，通過(guò)鹵素/金屬交換，通過(guò)使式(IV)的鹵化化合物與烷基鋰 化合物或Mg通常在-80 V至+80 V，優(yōu)選-78°C至0°C (對(duì)于烷基鋰化合物)或0_80 V (對(duì) 于Mg)，更優(yōu)選0-40°C (對(duì)于Mg)下反應(yīng)而進(jìn)行制備。特別優(yōu)選使用烷基鋰化合物，特別是 正丁基鋰或叔丁基鋰。反應(yīng)通常在溶劑中，優(yōu)選在THF(或醚，優(yōu)選乙醚)中進(jìn)行。直接在 隨后的第二步中，優(yōu)選通過(guò)與SiRmCl^1)或SiRm(OR’ ) (4_m)反應(yīng)進(jìn)行甲硅烷基化而得到所需 的式(II)化合物，其中m為1、2或3和R’ SC1-C6烷基。甲硅烷基化通常在溶劑中進(jìn)行。 優(yōu)選溶劑為THF或醚，優(yōu)選乙醚。甲硅烷基化通常在第一步中反應(yīng)后直接進(jìn)行，而不后處理 或分離第一步之后得到的產(chǎn)物。鹵素/金屬交換和隨后的甲硅烷基化通常對(duì)式(IV)化合 物中的所有待被甲硅烷基替換的η個(gè)鹵素原子重復(fù)足夠次數(shù)。Tsai等，Adv. Mater.，2006， 第18卷。第9期，第1216-1220頁(yè)。在鹵素/金屬交換和隨后的甲硅烷基化對(duì)其中X = NH或PH的式(IV)化合物(變 型c)，步驟iic))進(jìn)行的情況下，必須借助保護(hù)基團(tuán)保護(hù)NH或PH基團(tuán)并在甲硅烷基化之后 又脫保護(hù)。保護(hù)基團(tuán)通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法引入。通常在首先脫質(zhì)子之后引入 保護(hù)基團(tuán)。N-H和P-H的合適保護(hù)基團(tuán)對(duì)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員是已知的，并且特別適合于該 方法的是甲硅烷基保護(hù)基團(tuán)，特別是其中R=烷基或芳基，優(yōu)選甲基、乙基、苯基的SiR3。脫 質(zhì)子通常用堿，例如用NaH、正丁基鋰或叔丁基鋰進(jìn)行。脫質(zhì)子同樣通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法進(jìn)行。適合脫保護(hù)的試劑取決于
所用保護(hù)基團(tuán)。當(dāng)將SiR3用作保護(hù)基團(tuán)時(shí)，脫保護(hù)通常借助酸或TBAF(四丁基氟化銨)進(jìn)行。步驟iiia)、iiib)和iid)的優(yōu)選實(shí)施方案在下文中以通用形式顯示(X = NR1、 S0、S02、S、0 或 PR1) 1)鹵素/金屬交換2)甲硅烷基化、SiRm(Cl) 4_m 或 SiRm (OR' )4_m當(dāng)ρ = 1或2，步驟1和2又可重復(fù)一次，直到ρ = 0。在步驟iic) (X = NH或PH)中，鹵素/金屬交換，隨后甲硅烷基化通常通過(guò)引入保
護(hù)基團(tuán)而進(jìn)行。步驟iic)的優(yōu)選實(shí)施方案使用X = NH的實(shí)例顯示在下文中
(HaI)nA^s:/X5-^A(HaI)n 3)鹵素/金屬交換
η=α ,24) &Rm(CI)4.m或 &Rm(OR)4_m
_ I護(hù)基團(tuán) p=n-o
當(dāng)p = l或2，步驟3和4又可重復(fù)一次，直到p = 0
(脫保護(hù)
H ι.N.
用其偶聯(lián)(J(R)q
uZ Z=鹵素
通式(II)的化合物用于本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管的式(I)的卡賓配合物根據(jù)本發(fā)明，除了至少一種式(II)化合物外，有機(jī)發(fā)光二極管包含至少一種通式(I)的卡賓配合物 其中變量各自如下所定義M1 為選自元素周期表(CAS 版)第 IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIII 族，鑭 系元素和第IIIA族過(guò)渡金屬的金屬原子，對(duì)于特定金屬原子呈任何可能的氧化態(tài)；優(yōu)選的 金屬原子如上所述；卡賓為可以是不帶電荷或單陰離子和單_、二-或三齒的卡賓配體；卡賓配體也可 以是二 _或三卡賓配體；L為可以是單齒或二齒的單陰離子或雙陰離子配體，優(yōu)選單陰離子配體；K為不帶電荷的單齒或二齒配體；η為卡賓配體數(shù)目，其中η至少為1，優(yōu)選1_6，且式I配合物中的卡賓配體在η > 1時(shí)可以相同或不同；m為配體L的數(shù)目，其中m可以為0或彡1，優(yōu)選0_5且配體L在m > 1時(shí)可以相 同或不同；ο為配體K的數(shù)目，其中ο可以為0或彡1，優(yōu)選0-5且配體1(在0 > 1時(shí)可以相 同或不同；ρ為配合物的電荷0、1、2、3或4;Ψ為單陰離子抗衡離子。優(yōu)選使用的合適的式(I)的卡賓配合物描述于WO 2005/019373、W02005/l 13704、 WO 06/018292、WO 06/056418 和歐洲申請(qǐng) 06112198. 4、06112228. 9、06116100.6 和 06116093. 3中，其在本申請(qǐng)優(yōu)先權(quán)日還未出版。特別優(yōu)選WO 05/019373和WO 06/056148 中所述的卡賓配合物。此處明確參考所引用的WO和EP申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容，并且這些公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)該認(rèn)為是 引入了本申請(qǐng)的內(nèi)容中。尤其適用于本發(fā)明OLED中的式(I)的卡賓配合物包括尤其公開(kāi) 于WO 2005/019373A2中的具有如下結(jié)構(gòu)的卡賓配體(在下文中使用的變量定義取自申請(qǐng) WO 2005/019373A2申請(qǐng)中的那些；對(duì)于變量的更精確定義，明確參考該申請(qǐng))X(R12')t.其中*為配體與金屬中心的連接位置；z,z'是相同或不同的且各自為CH或N，R12，R12’是相同或不同的，并且各自為烷基、芳基、雜芳基或鏈烯基，優(yōu)選烷基或芳 基，或者在每種情況下2個(gè)R12或R12’基團(tuán)一起形成可以任選含有至少一個(gè)雜原子，優(yōu)選N 的稠合環(huán)；優(yōu)選在每種情況下2個(gè)R12或R12’基團(tuán)一起形成稠合的芳族C6環(huán)，其中一個(gè)或多 個(gè)其他芳族環(huán)可以任選以任何可想象的稠合方式與該優(yōu)選六元芳族環(huán)稠合，并且稠合基團(tuán) 又可以被取代；或者R12或R12’是具有給體或受體作用的基團(tuán)，其優(yōu)選選自鹵素基團(tuán)，優(yōu)選 F、Cl.Br,更優(yōu)選F ；烷氧基、芳氧基、羰基、酯基、胺基、酰胺基、CHF2基團(tuán)、CH2F基團(tuán)、CF3基 團(tuán)、CN基團(tuán)、硫醇基團(tuán)和SCN基團(tuán)；t和t’是相同或不同的，優(yōu)選相同且各自為0-3，并且當(dāng)t或t’ > 1時(shí)R12或R12’ 基團(tuán)可以相同或不同；t或t’優(yōu)選是0或1并且當(dāng)t或t’是1時(shí)R12或R12’基團(tuán)位于與相 鄰于卡賓碳原子的氮原子的連接點(diǎn)的鄰、間或?qū)ξ?；R4、R5、R6、R7、R8、R9和R11各自是氫、烷基、芳基、雜芳基、鏈烯基或具有給體或受體作用的取 代基，該取代基優(yōu)選選自鹵素基團(tuán)，優(yōu)選F、CI、Br,更優(yōu)選F，烷氧基，芳氧基，羰基，酯基，胺 基，酰胺基，CH2F基團(tuán)，CHF2基團(tuán)，CF3基團(tuán)，CN基團(tuán)，硫醇基團(tuán)和SCN基團(tuán)，優(yōu)選氫、烷基、雜 芳基或芳基；R10是烷基、芳基、雜芳基或鏈烯基，優(yōu)選烷基、雜芳基或芳基，或者在每種情況下2
個(gè)基團(tuán)R"1 —起形成可以任選含有至少一個(gè)雜原子，優(yōu)選N的稠合環(huán)；優(yōu)選在每種情況下2 個(gè)基團(tuán)一起形成稠合的芳族C6環(huán)，其中一個(gè)或多個(gè)其他芳族環(huán)可以任選以任何可想象 的稠合方式與該優(yōu)選六元芳族環(huán)稠合，并且稠合基團(tuán)又可以被取代；或者R"1是具有給體或 受體作用的基團(tuán)，其優(yōu)選選自鹵素基團(tuán)，優(yōu)選F、(1、81~，更優(yōu)選？；烷氧基、芳氧基、羰基、酯 基、胺基、酰胺基、CHF2基團(tuán)、CH2F基團(tuán)、CF3基團(tuán)、CN基團(tuán)、硫醇基團(tuán)和SCN基團(tuán)；v是0-4，優(yōu)選0、1或2，最優(yōu)選0，其中當(dāng)v是0時(shí)，任選被R"1取代的式c中芳基 上的4個(gè)碳原子帶有氫原子。尤其適合用于本發(fā)明0LED的式(I)卡賓配合物包括公開(kāi)于W02005/019373A2中
的具有如下結(jié)構(gòu)的Ir-卡賓配合物 其中變量各自如上所定義。其他合適的式(I)的卡賓配合物包括尤其公開(kāi)于WO 2006/056418A2中的結(jié)構(gòu) (在下文中使用的變量定義取自wo 2006/056418A2 ；對(duì)于變量的更精確定義，明確參考該 申請(qǐng)) 其中M 為 Ru(III)、Rh(III)、Ir(III)、Pd(II)或 Pt(II)，對(duì)于 Ru(III)、Rh(III) 和Ir (III)n取3，對(duì)于Pd(II)和Pt (II)n取2，并且Y2和Y3各自為氫、甲基、乙基、正丙基、 異丙基或叔丁基。M優(yōu)選為^(^^，其中?。?= ；^ Y3優(yōu)選為甲基、乙基、正丙基、異丙基或 叔丁基。其他合適的式(I)的卡賓配體尤其還有 其中M 為 Ru(III)、Rh(III)、Ir(III)、Pd(II)或 Pt (II)，對(duì)于 Ru(III)、Rh(III) 和Ir (III)n取3，對(duì)于Pd(II)和Pt (II)n取2，并且Y3為氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基或 叔丁基。M優(yōu)選為Ir(III)，其中η = 3。Y3優(yōu)選為甲基、乙基、正丙基、異丙基或叔丁基。其他合適的式(I)的卡賓配體尤其還有 其中 M 為 Ru(III)、Rh(III)，尤其是 Ir(III) 和 Ir(III)n 取 3，對(duì)于 Pd(II)和 Pt(II)n 取 2 其他合適的式(I)的卡賓配體尤其還有 其中M 為 Ru(III)、Rh(III)，尤其是 Ir(III)、Pd(II)或 Pt (II)，對(duì)于 Ru (III)、 Rh(III)和 Ir(III)n 取 3，對(duì)于 Pd(II)和 Pt(II)n 取 2。此外，具有不同卡賓配體和/或具有單陰離子或雙陰離子配體的配合物也是有用 的，其中單陰離子或雙陰離子配體可以是單齒或二齒的。參考下表，示意性地列舉了具有三價(jià)金屬中心和兩種不同卡賓配體L'和L"的 配合物ML' (L〃)2。
其中M例如為Ru(III)、Rh(III)或Ir(III)，尤其是Ir(III)，并且L'和L〃各自
例如為選自如下配體L1-L7的配體 其中Y2為氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基或叔丁基，Y3為甲基、乙基、正丙基、異丙 基或叔丁基。具有不同卡賓配體(L' = L4,當(dāng)Y2 =氫和Y3 =甲基；L〃 = L2,當(dāng)Y2 =氫和Y3 = 甲基)的這些配合物的代表性實(shí)例之一為 應(yīng)理解的是，在具有三價(jià)金屬中心(例如在Ru(III)、Rh(III)或Ir(III)的情況 下)的卡賓配合物中，在式(I)卡賓配合物中所有三個(gè)卡賓配體也可以是相互不同的。三價(jià)金屬中心M與作為“旁位(spectator)配體”的配體L (此處為單陰離子的二 齒配體)的配合物的實(shí)例為L(zhǎng)ML' L〃、LM(L' )2*L2ML'，其中M例如為Ru (III)、Rh (III) 或Ir(III)，尤其是Ir(III)，L'和L〃各自如上所定義。對(duì)于配合物L(fēng)ML' L"中L'和 L"的組合在下文給出 有用的配體L尤其為乙酰丙酮化物及其衍生物、吡啶甲酸化物、席夫堿、氨基酸 和WO 02/15645Α1中提及的二齒單陰離子配體；尤其重要的是乙酰丙酮化物和吡啶甲酸化 物。配合物的情況下，配體L同樣可以相同或不同。
具有不同卡賓配體(L' = L4,當(dāng)Y2 =氫和Y3 =甲基；L〃 = L2,當(dāng)Y2 =氫和Y3 = 甲基)的這些配合物的代表性實(shí)例之一為 其中在如下符號(hào)中的ζ1和ζ2表示配體L的兩“齒” Y3為氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基或叔丁基，尤其是甲基、乙基、正丙基或異丙基。其他合適的的式(I)的卡賓配體為 其中R為氫、烷基或芳基，優(yōu)選甲基、乙基、正丙基、異丙基、叔丁基或苯基，
以及 其中M 為 Ru(III)、Rh(III)、Ir(III)、Pd(II)或 Pt (II)，在 M 為 Ru (III)、Rh (III) 和Ir(III)的情況下η取3的值，在M為Pd(II)和Pt (II)的情況下η取2的值，并且Y2和 Y3各自為氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基或叔丁基。M優(yōu)選為Ir(III)，其中η = 3。Y3優(yōu)選 為甲基、乙基、正丙基、異丙基或叔丁基。此外，如下式(I)具體卡賓配合物適用于本發(fā)明OLED
層結(jié)合。降低操作電壓或增加量子效率的成型襯底和新型空穴傳輸材料也可以用于本發(fā)明 OLED中。此外，額外層也可以存在于OLED中，以調(diào)節(jié)不同層的能級(jí)且助于電致發(fā)光。本發(fā)明OLED可以用于其中電致發(fā)光是有用的所有器件中。合適的器件優(yōu)選選自 固定和移動(dòng)的可視顯示單元和照明單元。固定的可視顯示單元例如為計(jì)算機(jī)、電視的可視 顯示單元，打印機(jī)、廚房用具、廣告板、照明和信息板中的可視顯示單元。移動(dòng)可視顯示單元 例如為移動(dòng)電話、手提電腦、數(shù)碼相機(jī)、車輛以及公共汽車和火車上的目標(biāo)顯示器中的可視 顯示單元。此外，式(II)化合物可與式⑴卡賓配合物一起用于具有反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的OLED中。在 這些反轉(zhuǎn)OLED中，優(yōu)選根據(jù)本發(fā)明使用的式(II)化合物作為基質(zhì)材料與至少一種式(I) 卡賓配合物一起用于OLED的發(fā)光層中和/或用于至少一個(gè)其他層中。反轉(zhuǎn)OLED的結(jié)構(gòu)和 其中常使用的材料對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是已知的。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種包含至少一種本發(fā)明式(II)化合物和至少一種本發(fā)明通式(I)的卡賓配合物的發(fā)光層。優(yōu)選的式(II)化合物和式(I)的卡賓配合物如上所述。通常而言，所述至少一種式(II)化合物在本發(fā)明OLED發(fā)光層中的比例為10-99 重量％，優(yōu)選50-99重量％，更優(yōu)選70-97重量％。作為發(fā)射體材料的所述至少一種通式
(I)的卡賓配合物在發(fā)光層中的比例通常為1-90重量％，優(yōu)選1-50重量％，更優(yōu)選3-30 重量％，其中所述至少一種式(II)化合物和用作發(fā)射體材料的所述至少一種通式(I)的卡 賓配合物的比例總計(jì)100重量％。然而，除了所述至少一種通式(II)的化合物和所述至少 一種通式(I)的卡賓配合物外，發(fā)光層也可包含其他物質(zhì)，如其他的稀釋劑材料、不同于式
(II)化合物的其他的基質(zhì)材料，其中其他稀釋劑材料例如如下所述。本發(fā)明進(jìn)一步提供了本申請(qǐng)的通式II化合物在有機(jī)發(fā)光二極管中作為基質(zhì)材 料、空穴/激子阻擋材料和/或電子/激子阻擋材料和/或空穴注入材料和/或電子注入 材料和/或空穴導(dǎo)體材料和/或電子導(dǎo)體材料的用途，其中該有機(jī)發(fā)光二極管包含至少一 種本發(fā)明的通式I的卡賓配合物。優(yōu)選將式(II)化合物作為基質(zhì)材料和/或空穴/激子 阻擋材料用于本發(fā)明OLED中。優(yōu)選的式(II)化合物，優(yōu)選的式(I)的卡賓配合物和優(yōu)選的實(shí)施方案如上所述， 其中所述優(yōu)選的實(shí)施方案涉及具有特定取代基的式(II)化合物在本發(fā)明OLED的特定層中 的用途。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種選自如下的包含至少一種本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管或至少 一種本發(fā)明發(fā)光層的器件固定可視顯示單元如計(jì)算機(jī)、電視的可視顯示單元，打印機(jī)、廚 房用具和廣告板、照明、信息板中的可視顯示單元，移動(dòng)可視顯示單元如移動(dòng)電話、便攜式 電腦、數(shù)字照相機(jī)、車輛以及公共汽車和火車中的目的地顯示中的可視顯示單元，以及照明 單元。如下實(shí)施例為本發(fā)明提供額外說(shuō)明。A.制備通式(II)的化合物實(shí)施例1 溴化N-取代的咔唑?qū)嵤├齀a 合成9-(3，5-二(三氟甲基)苯基)_3，6_ 二溴咔唑 使9-(3，5-二(三氟甲基)苯基)-9H_咔唑(2. 7g，Ieq)在冰醋酸(210ml)中的 溶液與溴(2. 3g，2. Oeq)在冰醋酸(7ml)中的溶液緩慢混合。攪拌1小時(shí)后，使混合物與冰 水(1000ml)混合并攪拌1小時(shí)。濾出沉淀物并用水洗滌。使殘余物在乙酸乙酯中再結(jié)晶。 產(chǎn)率 55%。1H NMR(THF-d8,400MHz) δ = 7· 3 (d，2Η)，7· 6 (d，2Η)，8· 2 (s，1Η)，8· 3 (s，2Η)， 8. 4(s，2H)。實(shí)施例lb 合成9-(3-氰基苯基)-3，6-二溴咔唑 使9-(3-氰基苯基)_9!1-咔唑(3. 5g，leq)在冰醋酸(150ml)中的溶液與溴(4. Ig, 2. Oeq)在冰醋酸(5ml)中的溶液緩慢混合。攪拌3小時(shí)后，使混合物與冰水(500ml)混合并 攪拌1小時(shí)。濾出沉淀物并用水洗滌。使殘余物在乙醇中再結(jié)晶。產(chǎn)率69%。1H NMR(⑶Cl3, 400MHz) δ = 7. 2(d, 2H)，7. 5 (d, 2H)，7. 75 (m, 3H)，7. 8 (s，1H)，8. 2 (s，2H)。實(shí)施例2:咔唑的N-芳基化(通式III中X為N-H)通用程序 將咔唑(leq)、苯基鹵化物Α、碳酸鉀和銅粉加熱至160-200°C并在該溫度下攪拌 過(guò)夜。冷卻至室溫后，將混合物用丙酮或二氯甲烷萃取。濾出沉淀物并用柱色譜提純(硅 膠，二氯甲烷/環(huán)己烷)。下表總結(jié)了各種根據(jù)通用方法進(jìn)行的咔唑的N-芳基化的數(shù)據(jù) 實(shí)施例3 溴化咔唑衍生物的N-芳基化(在通式III中X為N-H) 通用程序?qū)⑦沁?Ieq)、苯基碘B、碳酸鉀和銅粉加熱至130_160°C并在該溫度下攪拌48小 時(shí)。冷卻至室溫后，用二氯甲烷萃取。由EtOH再結(jié)晶，產(chǎn)生所需產(chǎn)物。下表總結(jié)了各種根據(jù)通用方法進(jìn)行的溴化咔唑衍生物的N-芳基化的數(shù)據(jù)
當(dāng)量當(dāng)量Mol% T(°C)產(chǎn)率~丨分析 B K2CO3 Cu 實(shí)施例4 用甲硅烷基化合物使溴化N-芳基化的咔唑衍生物和溴化的二苯并噻吩衍生物偶 聯(lián)實(shí)施例4a 合成2，8_ 二(三苯基甲硅烷基)二苯并噻吩
使2，8- 二溴二苯并噻吩(3. Og, leq)在干燥的THF(165ml)中的溶液在_78°C下 在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，13. 7ml, 2. 5eq)緩慢混合，在_78°C下攪拌1小時(shí)。 在-78°C下加入氯代三苯基硅烷(6.5g，2.5eq)在干燥的THF(14ml)中的溶液后，將混合 物加熱至室溫并攪拌過(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉淀產(chǎn)物并用 THF、水和甲基叔丁基醚徹底洗滌。將合并的THF濾液濃縮至干燥并用少量乙酸乙酯攪拌。 濾出沉淀物并用柱色譜提純(硅膠，乙酸乙酯/環(huán)己烷)。產(chǎn)率46%。1H NMR(⑶-2C12， 400MHz) δ = 7. 35-7. 41 (m, 12H)，7. 44-7. 49 (m, 6H)，7. 55-7. 59 (m, 12H)，7. 65 (d，J = 8. 0， 2H)，7. 92 (d，J = 8. 0，2H)，8. 16 (s, 2H)。實(shí)施例4b 合成9-苯基-3，6- 二(三苯基甲硅烷基)咔唑 將9-苯基-3，6- 二溴-9H-咔唑(6. Og, leq)在干燥的THF (500ml)中的溶液 在-78°C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，28. 2ml, 3. Oeq)緩慢混合，在_78°C下攪 拌1小時(shí)。在-78°C下加入氯代三苯基硅烷(13. 5g，3. Oeq)在干燥的THF(IOOml)中的溶 液后，將混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢柽^(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉 淀產(chǎn)物并用CH2Cl2徹底洗滌。產(chǎn)物由合并的CH2Cl2濾液沉淀出。產(chǎn)率40%。如果產(chǎn)物未 沉淀出，則將合并的CH2Cl2濾液濃縮至干燥。用乙酸乙酯再結(jié)晶，得到產(chǎn)物。1HNMR(⑶-Cl3, 400MHz) δ = 7. 35 (m, 12H)，7. 45 (m, 9H)，7. 52-7. 6 (m, 18H)，8. 2 (s，2H)。實(shí)施例4c 合成9-(3，4，5-三甲氧基苯基)-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑 使9-(3，4，5-三甲氧基苯基)_3，6_ 二溴_9H_咔唑(1. 5g，leq)在干燥的 THF(IOOml)中的溶液在_78°C下在氬氣中與正丁基鋰(1. 6M，在己烷中，5. 6ml，3. Oeq)緩 慢混合，在_78°C下攪拌1小時(shí)。在_78°C下加入氯代三苯基硅烷(2. 7g，3. Oeq)在干燥的 THF (40ml)中的溶液后，將混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢柽^(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和的氯化銨 溶液水解。濾出沉淀產(chǎn)物并用二氯甲烷徹底洗滌。將合并的CH2Cl2濾液濃縮至干燥。將固 體在甲醇中攪拌并濾出。產(chǎn)率63%。1H NMR(CDCl3,400MHz) δ = 3. 8 (s，6Η)，3. 9 (s，3Η)， 6. 75 (s，2H)，7. 3 (m, 12H)，7. 4 (m, 8H)，7. 6 (m, 14H)，8. 2 (s，2H)。實(shí)施例4d:合成3，6-二 [(3，5-二(三氟甲基)苯基)二甲基甲硅烷基]-9-苯
基-咔唑 使9-苯基-3，6- 二溴-9H-咔唑(1. 3g，leq)在干燥的THF (50ml)中的溶液 在-78°C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，5. Iml, 2. 5eq)緩慢混合，在_78°C下攪拌 1小時(shí)。在-781下加入3，5-二(三氟甲基)苯基二甲基氯代硅烷(2. 5g，2. 5eq)在干燥的 THF(20ml)中的溶液后，將混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢柽^(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和的氯化銨 溶液水解。濾出沉淀產(chǎn)物并用CH2Cl2徹底洗滌。將合并的二氯甲烷濾液用水萃取并濃縮至 干燥。將殘余物通過(guò)柱色譜(硅膠，二氯甲烷/環(huán)己烷)提純。產(chǎn)率60%。1H NMR(⑶Cl3, 400MHz) δ = 0. 7 (s，12Η)，7. 4-7. 7 (m, 9H)，7. 8 (s，2H)，8. O (s,4H)，8. 3 (s，2H)。實(shí)施例如合成3，6_二 [(4-甲氧基苯基)二甲基甲硅烷基]-9-苯基咔唑 使9-苯基-3，6- 二溴-9H-咔唑(1. 6g，leq)在干燥的THF (20ml)中的溶液 在-78°C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，6. Iml, 2. 5eq)緩慢混合，在_78°C下攪拌 1小時(shí)。在-78°C下加入4-甲氧基苯基-二甲基氯代硅烷(2. 4g，3. leq)在干燥的THF(IOml) 中的溶液后，將混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢柽^(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾 出沉淀產(chǎn)物并用CH2Cl2徹底洗滌。將合并的二氯甲烷濾液用水萃取并濃縮至干燥。將殘余 物通過(guò)柱色譜(硅膠，己烷/乙酸乙酯)提純。產(chǎn)率40%。MALDI-MS :m/z = 571。HPLC 99%純度。實(shí)施例4f 合成9-(3_甲氧基苯基)-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑 使9-(3-甲氧基苯基)-3，6_ 二溴-9H-咔唑(2. 5g, leq)在干燥的THF (100ml)中 的溶液在-78°C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，5. 6ml, 2. 5eq)緩慢混合，在_78°C 下攪拌1小時(shí)。在_78°C下加入氯代三苯基硅烷(4. 3g，2. 5eq)在干燥的THF(40ml)中的溶 液后，將混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢柽^(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉 淀產(chǎn)物并用二氯甲烷徹底洗滌。將合并的二氯甲烷濾液用水萃取并濃縮至干燥。將殘余物 通過(guò)柱色譜(硅膠，環(huán)己烷/ 二氯甲烷)提純。產(chǎn)率41%。1H NMR(⑶Cl3,400MHz) δ = 3. 9 (s，3Η)，7. 05 (d, 2H)，7. 15 (m, 14H)，7. 20 (m, 8H)，7. 55 (d, 2H)，7. 60 (d, 12H)，8. 2 (s，2H)。實(shí)施例4g 合成2. 8- 二(三苯基甲硅烷基)二苯并呋喃 反應(yīng)稈序
使6. 02g (18. 47毫摩爾)2，8-二溴二苯并呋喃懸浮在120ml THF中并在_78°C下 小心地與22. 9ml (36. 64毫摩爾)正丁基鋰(1. 6M，在己烷中)混合。隨后，將混合物在_78°C 下攪拌3小時(shí)。使反應(yīng)混合物與10. 91g(37. 00毫摩爾)氯代三苯基硅烷在120ml THF中 的溶液混合，將其溫?zé)嶂潦覝夭⒃谑覝叵聰嚢?6小時(shí)。小心地用IOml甲醇終止混合物，然 后將其濃縮至干燥。首先將殘余物在甲醇中消化，然后在水中，隨后再在甲醇中消化將其濾 出并干燥。將粗產(chǎn)物溶解在二氯甲烷中，通過(guò)硅膠過(guò)濾并通過(guò)用環(huán)己烷覆蓋而結(jié)晶。濾出 晶體并干燥。獲得9.28g(73%)白色粉末。1H NMR (CDXL, 500MHz) δ = 7. 35-7. 38 (m, 12H, CHAr)，7. 41-7. 44 (m, 6H, CHAr)， 7. 56-7. 57 (m, 12H, CHAr)，7. 58-7. 63 (m, 4H, CHAr)，8. 09 (s, 2H, CHAr)。nC NMR(CDXL, 125MHz) δ = 111. 5(2C, CHAr), 124. 0(2C, Cquart), 128. 1 (12C, CHAr) , 128. 3 (2C, Cquart), 129. 2 (2C, CHAr), 129. 8 (6C, CHAr), 134. 4 (6C, Cquart), 135. 6 (2C, CHAr)，136. 5 (12C, CHAr)，157. 5 (2C, Cquart)。質(zhì)量(EI):m/e = 684 (M+)實(shí)施例4h 合成3-溴-9-苯基-6-三苯基甲硅烷基咔唑 反應(yīng)稈序使9-(3-甲氧基苯基)-3，6_ 二溴-9Η-咔唑(2. 6g，Ieq)在干燥的THF (700ml)中 的溶液在_78°C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，41ml，Ieq)緩慢混合，在_78°C下 攪拌2小時(shí)。在_78°C下加入氯代三苯基硅烷(30g，1. 5eq)在干燥的THF (150ml)中的溶液 后，將混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢柽^(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉淀 產(chǎn)物并用二氯甲烷徹底洗滌。將合并的二氯甲烷濾液用水萃取并濃縮至干燥。將殘余物用 丙酮攪拌并濾出。產(chǎn)率74%。1H NMR (CDCL 400MHz)δ = 8. 15 (s，1Η)，8. 28 (s, 1H)，7. 3-7. 7 (m, 24H)。實(shí)施例4i 合成3，6-二(甲基二苯基甲硅烷基)-9-苯基咔唑 反應(yīng)稈序使9-苯基-3，6- 二溴-9H-咔唑(3. lg, Ieq)在干燥的THF (150ml)中的溶液 在-78°C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，12. 2ml, 2. 5eq)緩慢混合，在_78°C下攪 拌1小時(shí)。在_78°C下加入二苯基甲基氯代硅烷(5. 6g，3. Oeq)在干燥的THF(IOml)中的 溶液后，將混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢柽^(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出 沉淀產(chǎn)物并用CH2Cl2徹底洗滌。柱色譜法(Si02，15 1環(huán)己烷/CH2Cl2)得到產(chǎn)物。產(chǎn)率 60%。1H NMR (CDCL 400MHz)δ = 0. 9(s，6H)，7. 3-7. 4(m，14Η)，7. 4-7. 5(m，3H)，7. 5-7. 6(m，12Η)，8. 25(s， 2H)。實(shí)施例4j 合成3，6_ 二(二甲基五氟苯基甲硅烷基)-9_苯基咔唑 反應(yīng)稈序使9-苯基-3，6- 二溴-9H-咔唑(3. lg, Ieq)在干燥的THF (150ml)中的溶液 在-78°C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，12. 2ml, 2. 5eq)緩慢混合，在_78°C下攪 拌1小時(shí)。在_78°C下加入五氟苯基二甲基氯硅烷(f lophemesylchloride) (6. Ig, 3. Oeq) 在干燥的THF(IOml)中的溶液后，將混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢柽^(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和 的氯化銨溶液水解。濾出沉淀產(chǎn)物并用CH2Cl2徹底洗滌。柱色譜法(C18-Si02，MeCN)得到 產(chǎn)物。產(chǎn)率65%。1H NMR (CDCL 400MHz)δ = 0. 8 (s，12Η)，7. 38 (d, 2H)，7. 5 (m, 3H)，7. 6 (m, 4H)，8. 35 (s, 2H)。實(shí)施例4k 合成二(9-苯基-3-三苯基甲硅烷基咔唑基)二甲基硅烷 反應(yīng)稈序步驟1 使9-苯基-3，6-二溴-9H-咔唑(12g，leq)在干燥的THF(230ml)中的溶液 在-78°C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，18. 8ml，leq)緩慢混合，在_78°C下攪拌 1.5小時(shí)。在_78°C下加入二氯代二甲基硅烷(1.9g,0. 5eq)在干燥的THF(20ml)中的溶液 后，將混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢柽^(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉淀 產(chǎn)物并用CH2C12徹底洗滌。柱色譜法(Si02，10 1己烷/EtOAc)得到產(chǎn)物。產(chǎn)率74%。NMR(CDC13,400MHz) 8 = 0. 7 (s，6H)，7. 25 (dd，4H)，7. 40 (d，2H)，7. 42-7. 50 (m， 6H)，7. 55-7. 65 (m, 6H) 8. 22 (s, 2H)，8. 30 (s, 2H)。步驟2 將來(lái)自步驟1的產(chǎn)物(3. 5g，leq)在干燥的THF (100ml)中的溶液在-78 °C下在 氬氣中與正丁基鋰(1.611，在己烷中，7.81111，2. 5eq)緩慢混合，在_78°C下攪拌1. 5小時(shí)。 在-78°C下加入氯代三苯基硅烷(3.6g，2.5eq)在干燥的THF(20ml)中的溶液后，將混合物 溫?zé)嶂潦覝夭嚢柽^(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉淀產(chǎn)物并用CH2C12 徹底洗滌。與丙酮沸騰并濾出，得到產(chǎn)物。產(chǎn)率45%。
屯 NMR(CDC1, 400MHz) S = 0. 65 (s，6H)，7. 28—7. 38 (m，22H)，7. 42 (t，2H)，
7. 51 (m, 12H)，7. 61 (d, 12H) 8. 20 (s, 2H)，8. 32 (s, 2H)。實(shí)施例5 將溴化咔唑衍生物(X = N-H)偶聯(lián)為甲硅烷基化合物實(shí)施例5a 合成3，6- 二(三苯基甲硅烷基)_9H_咔唑且不分離中間體(方法1) 使3，6-二溴咔唑(9. lg, Ieq)在干燥的THF (400ml)中的溶液在0°C下在氬氣中與 NaH(60%，在礦物油中，1. 3g，1. 2eq)緩慢混合并在0°C下攪拌2小時(shí)。加入氯代三乙基娃 燒(5. Ig, 1. 2eq)在干燥的THF(SOml)中的溶液之后，將溶液在RT(室溫)下攪拌1小時(shí)。 將溶液冷卻至_78°C，使其與正丁基鋰(1.611，在己烷中，43.81111，2. 5eq)混合并在_78°C下 攪拌1小時(shí)。在_78°C下加入氯代三苯基硅烷(29. 8g，3. 5eq)在干燥的THF(IOOml)中的 溶液后，將混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢柽^(guò)夜。將過(guò)量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出 沉淀產(chǎn)物并用二氯甲烷徹底洗滌。合并的二氯甲烷濾液通過(guò)用水振搖而萃取并經(jīng)硫酸鈉干 燥。將有機(jī)相與四正丁基氟化銨(TBAF，1M，在THF中，2ml)混合并在RT下攪拌4小時(shí)。將 混合物濃縮至100ml。濾出所得沉淀物并用正己烷洗滌。產(chǎn)率66%。1H NMR (CDCl3,400MHz) δ = 7. 4 (m，20Η)，7. 6 (m，14Η)，8. 18 (s，2Η)，8. 20 (s，1Η)。實(shí)施例5b 合成3，6_ 二(三苯基甲硅烷基)-9H_咔唑并分離中間體
O
OW TBAFK
os,o ob os,o abi) 3，6-二溴-9-三苯基甲硅烷基咔唑?qū)aH(60%油分散體，1.5g，37毫摩爾)緩慢加入6_ 二溴咔唑(10.4g，31毫 摩爾)在干燥的THF(IOOOml)中的冷卻溶液(0°C )中。攪拌2小時(shí)后，在O °C下加入 ClSiPh3(18. 7g，62毫摩爾)在干燥的THF(200ml)中的溶液。將混合物攪拌過(guò)夜，并加入飽 和的NH4Cl溶液。濾出所得鹽，并從水相中分離出有機(jī)相。水相用CH2Cl2萃取。有機(jī)相用 水洗滌兩次。合并的有機(jī)相經(jīng)Na2SO4干燥。通過(guò)SiO2過(guò)濾，得到所需產(chǎn)物(定量)。ii)3，6，9_三(三苯基甲硅烷基)咔唑?qū)⑹宥』?1.7M，在戊烷中，58ml，99毫摩爾)緩慢加入3，6_ 二溴_9_三苯基 甲硅烷基咔唑(90%純度，參見(jiàn)1)，138，22毫摩爾)在干燥的THF(IOOOml)中的冷卻溶液 (-780C )中。在_78°C下攪拌2小時(shí)后，加入ClSiPh3(34g，115毫摩爾)在干燥的THF中 的溶液。將混合物攪拌過(guò)夜，并加入飽和的NH4Cl溶液。濾出所得鹽，并從水相中分離出有 機(jī)相。水相用CH2Cl2萃取。有機(jī)相用水洗滌兩次。合并的有機(jī)相經(jīng)Na2SO4干燥。柱色譜 (SiO2 ；5 1 環(huán)己烷CH2Cl2)后，獲得純的產(chǎn)物(Rf 0.3，llg，53% )。
77
r;
ICYN
Qr
Br'
iii)3，6-二(三苯基甲硅烷基)-9H_咔唑?qū)BAF溶液(1M，在THF中，4. 6ml，4. 6毫摩爾)加入3，6，9_三(三苯基甲硅烷 基)咔唑(8. 7g，9. 2毫摩爾)在CH2Cl2 (150ml)中的溶液中。攪拌1小時(shí)后，薄層色譜顯示 完全脫保護(hù)。在減壓下除去溶劑，并在環(huán)己烷(150ml)中將殘余物在回流下加熱。冷卻后， 將懸浮液過(guò)濾。將殘余物通過(guò)Si02(10 1環(huán)己烷EtOAc)過(guò)濾，以獲得所需產(chǎn)物(7.6g， 97%)。1Hnmr(Cdci3^oomHz) δ = 7. 4(m，20H)，7· 6(m，14Η)，8· 18(s，2H)，8· 20(s，ιη)。實(shí)施例6 3,6-甲硅烷基化咔唑衍生物(X = N-H)的N-芳基化通用程序 將3，6-二(三苯基甲硅烷基)-9H_咔唑(Ieq)、苯基鹵化物A、碳酸鉀和銅粉加熱 至150-200°C并在該溫度下攪拌過(guò)夜。冷卻至室溫后，將混合物用二氯甲烷萃取。濾出沉淀 物并用柱色譜提純(硅膠，二氯甲烷/環(huán)己烷)。下表總結(jié)了不同的根據(jù)通用程序進(jìn)行的甲硅烷基化咔唑衍生物的N-芳基化的數(shù) 據(jù) 通用方法在氮?dú)鈿夥障拢?00ml配有氮?dú)馊肟诤透裟さ?頸燒瓶中將 1.70g(2. 50毫摩爾)3，6_ 二(三苯基硅烷基)-9H-咔唑溶解在50ml無(wú)水甲苯中。隨后， 使溶液在室溫下與1. 92ml (2. 50毫摩爾)仲丁基鋰(1. 3M，在環(huán)己烷中)經(jīng)10分鐘時(shí)間混 合并再攪拌10分鐘。在250ml配有氮?dú)馊肟?、回流冷凝管和隔膜?頸燒瓶中，在氮?dú)鈿?氛下將0. 14g(0. 75毫摩爾)氰尿酰氯溶解在10ml無(wú)水THF和20ml無(wú)水甲苯的混合物中。 借助移液管，經(jīng)20分鐘時(shí)間將咔唑溶液逐滴加入氰尿酰氯溶液中。隨后使反應(yīng)混合物在回 流下沸騰4小時(shí)。冷卻至室溫后，使溶劑蒸發(fā)并將殘余物在200ml熱己烷中攪拌10分鐘。 將通過(guò)過(guò)濾獲得的固體用乙醚洗滌，在熱的乙醇中漿料化并熱過(guò)濾。產(chǎn)物借助柱色譜，用己 烷/甲苯洗脫液混合物(1/4，V/V)提純，以獲得0.84g(53% )2，4，6_三(3，6_ 二(三苯基 硅烷基)咔唑-9-基)-1，3，5_三嗪，其呈白色固體。iHJME(250MHz, CDC13)6 (ppm) 8. 97 (d, 6H) , 8. 08 (s, 6H) , 7. 63 (d, 6H) , 7. 60-7. 53 (m, 30H), 7. 42-7. 16(m，60H)。MALDI-TOF :m/z = 2126. 53 (M+)實(shí)施例8合成和分析DBT-MIC 將3. 009(7. 6mmol)咪唑鐺鹽和0. 89g(3. 8mmol)氧化銀懸浮于100ml乙腈中并在 40°C下攪拌過(guò)夜。隨后，將懸浮液濃縮至干燥，在100ml無(wú)水鄰二甲苯中處理并在半小時(shí)內(nèi) 計(jì)量加入0. 51g(0. 76mmol) [(u-Cl) n4_l，5-環(huán)辛二烯)Ir]2和75ml鄰二甲苯的溶液中。 然后，將混合物在室溫下攪拌1小時(shí)，在70°C下攪拌2小時(shí)，并在回流下攪拌48小時(shí)。在冷 卻后，將反應(yīng)混合物過(guò)濾。在減壓下從濾液中除去溶劑。用二氯甲烷萃取殘留物。在減壓 下從萃取物中除去溶劑，然后進(jìn)行柱色譜提純(洗脫液甲苯)。得到約150mg(10% )經(jīng)式 異構(gòu)體和70mg(5%)面式異構(gòu)體，在每種情況下為淺黃色粉末。咪唑鐺鹽通過(guò)用正丁基鋰在THF中將二苯并噻吩脫質(zhì)子，然后用用1，2-二溴乙烷溴化而制備。通過(guò)加入在NMP中的 Cul、K2CO3用咪唑偶聯(lián)溴化的二苯并噻吩。通過(guò)用THF中的MeI甲基化而形成咪唑鐺鹽。經(jīng)式異構(gòu)體質(zhì)量(MALDI):M/e = 980 (M+) 光譜λ = 453nm，48 Inm (5 %，在4b中，通過(guò)氣相沉積施加)CIE :X = 0. 15，Y = 0. 21 (5%，在 4b 中，通過(guò)氣相沉積施加)面式異構(gòu)體質(zhì)量(MALDI):M/e = 980 (M+)光譜λ= 476nm，504nm(2%，在 PMMA 中，低溫)CIE :Χ = 0. 21，Y = O. 41(2%，在 PMMA 中，低溫)B應(yīng)用實(shí)施例實(shí)施例1 包含9-苯基-3，6- 二(三苯基甲硅烷基)咔唑(實(shí)施例4b)作為基質(zhì)材料(65 重量％ )和空穴/激子阻擋劑的OLED的制備首先將用作陽(yáng)極的ITO襯底用IXD生產(chǎn)用的市售清潔劑(Deconex 20NS和
250RGAN-AGID 中和劑)清潔，隨后在丙酮/異丙醇混合物中在超聲浴中清潔。為除去可 能的有機(jī)殘留物，再將襯底在臭氧箱中曝于連續(xù)臭氧流下25分鐘。所述處理還改進(jìn)了 ITO 的空穴注入性能。 之后，在約10_8毫巴下將下述有機(jī)材料以約0. 5-5nm/min的速率通過(guò)氣相 沉積施加至清潔的襯底上。施加至襯底上的空穴導(dǎo)體和激子阻擋劑為厚度為30nm的 Ir(dpbic)3(Vl) Ir(dpbic)3(對(duì)于制備，參見(jiàn)申請(qǐng)WO2005/019373中的Ir配合物(7))。隨后，通過(guò)氣相沉積以40nm的厚度施加35重量％化合物Ir (CN-PMBIC) 3 (V2)和 65重量％化合物9-苯基-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑(實(shí)施例4b)的混合物，其中前
一化合物作為發(fā)射體，后者作為基質(zhì)材料 Ir(CN-PMBIC)3隨后，通過(guò)氣相沉積以5nm的厚度施加實(shí)施例4b的材料作為激子和空穴阻擋劑。V2的合成描述于W 2006/056418中。隨后，通過(guò)氣相沉積以50nm的厚度施加電子輸送劑TPBI(1，3，5_三(N_苯基-芐 基咪唑-2-基)-苯)，然后施加0. 75nm厚的氟化鋰層，最后施加llOnm厚的A1電極。為表征OLED，記錄了在各種電流和電壓下的電致發(fā)光光譜。此外，結(jié)合發(fā)射光的輸 出而測(cè)量特征電流-電壓。光輸出可通過(guò)光度計(jì)的校準(zhǔn)而轉(zhuǎn)化為光度參數(shù)。為測(cè)定壽命， 將OLED在恒定電流密度下操作并記錄光輸出的降低。壽命定義為發(fā)光降低至起始發(fā)光的 一半時(shí)所需的時(shí)間。對(duì)于所述OLED，獲得如下電光數(shù)據(jù) 實(shí)施例2包含9-苯基-3，6- 二(三苯基甲硅烷基)咔唑(實(shí)施例4b)作為激子和空穴阻 擋劑材料的OLED的制備首先將用作陽(yáng)極的IT0襯底用IXD生產(chǎn)用的市售清潔劑(Deeonex 20NS和 250RGAN-AGID 中和劑)清潔，隨后在丙酮/異丙醇混合物中在超聲浴中清潔。為除去可 能的有機(jī)殘留物，再將襯底在臭氧箱中曝于連續(xù)臭氧流下25分鐘。所述處理還改進(jìn)了 IT0
Ir(dpbic)3(對(duì)于制備，參見(jiàn)申請(qǐng)WO2005/019373中的Ir配合物(7))。隨后，通過(guò)氣相沉積以40nm的厚度施加10重量％化合物V5和90重量％化合物 Ir(dpbic)3的混合物，其中前一化合物作為發(fā)射體，后者作為基質(zhì)材料
(V5)V5的合成描述于在先申請(qǐng)EP0710755. 1中。隨后，通過(guò)氣相沉積以lOnm的厚度施加材料9-苯基-3，6-二(三苯基甲硅烷基) 咔唑(實(shí)施例4b)作為激子和空穴阻擋劑。隨后，通過(guò)氣相沉積以50歷的厚度施加電子輸送劑肌？(2，9-二甲基-4，7-二苯 基-1，10-菲咯啉)，然后施加0. 75nm厚的氟化鋰層，最后施加llOnm厚的A1電極。為表征0LED，記錄了在各種電流和電壓下的電致發(fā)光光譜。此外，結(jié)合發(fā)射光的輸 出而測(cè)量特征電流-電壓。光輸出可通過(guò)光度計(jì)的校準(zhǔn)而轉(zhuǎn)化為光度參數(shù)。為測(cè)定壽命， 將0LED在恒定電流密度下操作并記錄光輸出的降低。壽命定義為發(fā)光降低至起始發(fā)光的 一半時(shí)所需的時(shí)間。對(duì)于所述0LED，獲得如下電光數(shù)據(jù)
的空穴注入性能。之后，在約10_8毫巴下將下述有機(jī)材料以約0. 5-5nm/min的速率通過(guò)氣相 沉積施加至清潔的襯底上。施加至襯底上的空穴導(dǎo)體和激子阻擋劑為厚度為45nm的 Ir(dpbic)3(Vl)
(對(duì)于制備，參見(jiàn)申請(qǐng)WO 2005/019373中的Ir配合物(7))。隨后，通過(guò)氣相沉積以40nm的厚度施加7重量％化合物V5和93重量％化合物 9-苯基-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑(實(shí)施例4b)的混合物，其中前一化合物作為發(fā)
射體，后者作為基質(zhì)材料 實(shí)施例3包含9-苯基-3，6- 二(三苯基甲硅烷基)咔唑(實(shí)施例4b)作為基質(zhì)材料(93 重量％ )和空穴/激子阻擋劑的0LED的制備首先將用作陽(yáng)極的ito襯底用ixd生產(chǎn)用的市售清潔劑(Deconex 20ns和 250RGAN-ACID 中和劑)清潔，隨后在丙酮/異丙醇混合物中在超聲浴中清潔。為除去 可能的有機(jī)殘留物，再將襯底在臭氧箱中曝于連續(xù)臭氧流下25分鐘。所述處理還改進(jìn)了 it0的空穴注入性能。之后，在約10_8毫巴下將下述確機(jī)材料以約0. 5-5nm/min的速率通過(guò)氣相沉積施 加至清潔的襯底上。施加至襯底上的空穴導(dǎo)體和激子阻擋劑為厚度為45nm的Ir (dpbic)3
(V5)隨后，通過(guò)氣相沉積以lOnm的厚度施加材料9-苯基-3，6-二(三苯基甲硅烷基) 咔唑(實(shí)施例4b)作為激子和空穴阻擋劑。隨后，通過(guò)氣相沉積以40nm的厚度施加電子輸送劑TPBI，然后施加0. 75nm厚的氟 化鋰層，最后施加llOnm厚的A1電極。為表征OLED，記錄了在各種電流和電壓下的電致發(fā)光光譜。此外，結(jié)合發(fā)射光的輸 出而測(cè)量特征電流-電壓。光輸出可通過(guò)光度計(jì)的校準(zhǔn)而轉(zhuǎn)化為光度參數(shù)。為測(cè)定壽命， 將OLED在恒定電流密度下操作并記錄光輸出的降低。壽命定義為發(fā)光降低至起始發(fā)光的 一半時(shí)所需的時(shí)間。對(duì)于所述OLED，獲得如下電光數(shù)據(jù) 實(shí)施例4 包含UGH 3作為基質(zhì)材料和空穴/激子阻擋劑和9_苯基_3，6_ 二(三苯基甲硅 烷基)咔唑作為中間層的OLED的制備首先將用作陽(yáng)極的IT0襯底用LCD生產(chǎn)用的市售清潔劑(Deeonex 20ns和 250RGAN-AGID 中和劑)清潔，隨后在丙酮/異丙醇混合物中在超聲浴中清潔。為除去可 能的有機(jī)殘留物，再將襯底在臭氧箱中曝于連續(xù)臭氧流下25分鐘。所述處理還改進(jìn)了 IT0 的空穴注入性能。之后，在約10_8毫巴下將下述有機(jī)材料以約0. 5-5nm/min的速率通過(guò)氣相沉積施
加至清潔的襯底上。施加至襯底上的空穴導(dǎo)體和激子阻擋劑為厚度為45nm的Ir (dpbic)3 (對(duì)于制備，參見(jiàn)申請(qǐng)WO2005/019373中的Ir配合物(7))。隨后，通過(guò)氣相沉積以40nm的厚度施加7重量％化合物V5和93重量％化合物
UGH 3的混合物，其中前一化合物作為發(fā)射體，后者作為基質(zhì)材料 UGH3(Chem. Mater. 2004，16，4743-4747)隨后，通過(guò)氣相沉積以lOnm的厚度施加材料UGH 3作為激子和空穴阻擋劑。隨后，通過(guò)氣相沉積以4nm的厚度施加9_苯基_3，6_ 二(三苯基甲硅烷基)咔唑 (實(shí)施例4b)和36nm的TPBI作為電子輸送劑的材料組合，然后施加0. 75nm厚的氟化鋰層， 最后施加llOnm厚的A1電極。為表征0LED，記錄了在各種電流和電壓下的電致發(fā)光光譜。此外，結(jié)合發(fā)射光的輸 隨后，通過(guò)氣相沉積以40nm的厚度施加7. 5重量％化合物V5和92. 5重量％化合 物9-苯基-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑(實(shí)施例4b)的混合物，其中前一化合物作為 發(fā)射體，后者作為基質(zhì)材料
出而測(cè)量特征電流-電壓。光輸出可通過(guò)光度計(jì)的校準(zhǔn)而轉(zhuǎn)化為光度參數(shù)。為測(cè)定壽命， 將0LED在恒定電流密度下操作并記錄光輸出的降低。壽命定義為發(fā)光降低至起始發(fā)光的 一半時(shí)所需的時(shí)間。對(duì)于所述0LED，獲得如下電光數(shù)據(jù) 根據(jù)實(shí)施例3的0LED的壽命與根據(jù)實(shí)施例4的0LED壽命的之比為4 1。實(shí)施例5用于生產(chǎn)0LED的典型工作方法1 首先將用作陽(yáng)極的IT0襯底用IXD生產(chǎn)用的市售清潔劑(Deeonex 20ns和 250RGAN-ACID 中和劑)清潔，隨后在丙酮/異丙醇混合物中在超聲浴中清潔。為除去可 能的有機(jī)殘留物，再將襯底在臭氧箱中曝于連續(xù)臭氧流下25分鐘。所述處理還改進(jìn)了 IT0 的空穴注入性能。之后，在約10_8毫巴下將下述有機(jī)材料以約0. 5-5nm/min的速率通過(guò)氣相沉積施 加至清潔的襯底上。施加至襯底上的空穴導(dǎo)體和激子阻擋劑為厚度為45nm的Ir (dpbic)3
隨后，通過(guò)氣相沉積以lOnm的厚度施加材料9-苯基-3，6-二(三苯基甲硅烷基) 咔唑(實(shí)施例4b)作為激子和空穴阻擋劑。隨后，通過(guò)氣相沉積以50歷的厚度施加電子輸送劑?。?2，9-二甲基-4，7-二苯 基-1，10-菲咯啉)，然后施加0. 75nm厚的氟化鋰層，最后施加llOnm厚的A1電極。為表征OLED，記錄了在各種電流和電壓下的電致發(fā)光光譜。此外，結(jié)合發(fā)射光的輸 出而測(cè)量特征電流-電壓。光輸出可通過(guò)光度計(jì)的校準(zhǔn)而轉(zhuǎn)化為光度參數(shù)。特定OLED的構(gòu)造描述在表1的右欄(器件結(jié)構(gòu))中。特定OLED根據(jù)上述典型工 作方法生產(chǎn)。表1中報(bào)告的功率效率、量子效率(QE)和電壓值為相對(duì)值，在每種情況下基于 參比OLED，該參比OLED結(jié)構(gòu)與特定OLED相同，與特定的本發(fā)明0LED的不同之處在于9-苯 基-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑(實(shí)施例4b)既用作基質(zhì)，也用作激子和空穴阻擋劑。 表1中報(bào)告的功率效率、量子效率(QE)和電壓值對(duì)特定參比0LED定義為100%。將其中 9-苯基-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑(實(shí)施例4b)既用作基質(zhì)，也用作激子和空穴阻 擋劑的二極管與其中使用(合成上明顯更難以獲得的)9-(4_叔丁基苯基)-3，6_ 二(三苯 基甲硅烷基)咔唑代替9-苯基-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑(實(shí)施例4b)的相同結(jié)構(gòu) 的二極管對(duì)比，結(jié)果說(shuō)明這兩種0LED的電致發(fā)光數(shù)據(jù)僅在不明顯程度上相互區(qū)別。因此， 在每種情況下用作參比0LED的包含了既作為基質(zhì)，也作為激子和空穴阻擋劑的9-苯基-3， 6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑(實(shí)施例4b)的OLED也用作包含了既作為基質(zhì)，也作為激子 和空穴阻擋劑的9-(4-叔丁基苯基)-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑的0LED的參比。
〔0603U
〔0604

實(shí)施例6
下述在表2中的OLED根據(jù)實(shí)施例5中所述的典型工作方法1生產(chǎn)。下表報(bào)告了各種本發(fā)明OLED的電 致發(fā)光數(shù)據(jù)(功率效率，量子效率(QE)和電壓)。在下述OLED中，替代根據(jù)實(shí)施例5的典型工作方法的材 料9-笨基-3，6-二(三苯基甲M基)咔唑(實(shí)施例4b)，在每種情況下將另一式II化合物用作材料和/或阻 擋材料。在其他方面，下述OLED并未區(qū)別于上述OLED。 Ir(dpbic)3(對(duì)于制備，參見(jiàn)申請(qǐng)WO2005/019373中的Ir配合物(7))。隨后，通過(guò)氣相沉積 以40nm的厚度施加7重量％化合物V6-R和93重量％化合物Ir (dpbic) 3 (VI)的混合物，
其中前一化合物作為發(fā)射體，后者作為基質(zhì)材料 V6-R隨后，通過(guò)氣相沉積以10nm的厚度施加材料9_(4_苯基)_3，6_
院基)咔唑(4b)作為激子和空穴阻擋劑。
(三苯基甲娃 9_(4_苯基)_3，6_ 二(三苯基甲硅烷基)咔唑(4b)首先將用作陽(yáng)極的IT0襯底用IXD生產(chǎn)用的市售清潔劑(Deeonex 20ns和 250RGAN-ACID 中和劑)清潔，隨后在丙酮/異丙醇混合物中在超聲浴中清潔。為除去可 能的有機(jī)殘留物，再將襯底在臭氧箱中曝于連續(xù)臭氧流下25分鐘。所述處理還改進(jìn)了 IT0 的空穴注入性能。之后，在約10_8毫巴下將下述有機(jī)材料以約0. 5-5nm/min的速率通過(guò)氣相沉積施 加至清潔的襯底上。施加至襯底上的空穴導(dǎo)體和激子阻擋劑為厚度為45nm的Ir (dpbic) 3
(V
隨后，通過(guò)氣相沉積以45nm的厚度施加電子輸送劑BCP(2，9_ 二甲基_4，7_ 二苯 基-1，10-菲咯啉)，然后施加0. 75nm厚的氟化鋰層，最后施加llOnm厚的A1電極。為表征OLED，記錄了在各種電流和電壓下的電致發(fā)光光譜。此外，結(jié)合發(fā)射光的輸 出而測(cè)量特征電流-電壓。光輸出可通過(guò)光度計(jì)的校準(zhǔn)而轉(zhuǎn)化為光度參數(shù)。對(duì)于所述OLED，得到列舉在表3中的如下電光數(shù)據(jù) 實(shí)施例8首先將用作陽(yáng)極的IT0襯底用IXD生產(chǎn)用的市售清潔劑(Deeonex 20ns和
(對(duì)于制備，參見(jiàn)申請(qǐng)WO 2005/019373中的Ir配合物(7))。隨后，通過(guò)氣相沉積以50nm的厚度施加7. 5重量％化合物V7和92. 5重量％的化 合物SiCz的混合物，其中前一化合物作為發(fā)射體，后者作為基質(zhì)材料 隨后，通過(guò)氣相沉積以lOnm的厚度施加材料9_(4_苯基)_3，6_ 二(三苯基甲娃
院基)咔唑(4b)作為激子和空穴阻擋劑。
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250RGAN-AGID 中和劑)清潔，隨后在丙酮/異丙醇混合物中在超聲浴中清潔。為除去可 能的有機(jī)殘留物，再將襯底在臭氧箱中曝于連續(xù)臭氧流下25分鐘。所述處理還改進(jìn)了 IT0 的空穴注入性能。之后，在約10_8毫巴下將下述有機(jī)和無(wú)機(jī)材料以約0. l-5nm/min的速率通過(guò)氣相 沉積施加至清潔的襯底上。作為摻雜的空穴導(dǎo)體，用Mo03以10%的程度摻雜11~((^13化)3并 以35nm的厚度施加至襯底上。隨后為lOnm的未摻雜的Ir (dpbic) 3作為空穴導(dǎo)體和激子
阻擋劑。
100 9-(4_苯基)-3，6_ 二(三苯基甲硅烷基)咔唑(4b)隨后，通過(guò)氣相沉積以40nm的厚度施加電子輸送劑BCP (2，9_ 二甲基_4，7_ 二苯 基-1，10-菲咯啉)，然后施加0. 75nm厚的氟化鋰層，最后施加llOnm厚的A1電極。為表征OLED，記錄了在各種電流和電壓下的電致發(fā)光光譜。此外，結(jié)合發(fā)射光的輸 出而測(cè)量特征電流-電壓。光輸出可通過(guò)光度計(jì)的校準(zhǔn)而轉(zhuǎn)化為光度參數(shù)。對(duì)于所述OLED，獲得如下電光數(shù)據(jù)
權(quán)利要求
一種包含陽(yáng)極An和陰極Ka和配置在An和陰極Ka之間且包含至少一種通式I的卡賓配合物的發(fā)光層E以及合適的話至少一個(gè)其他層的有機(jī)發(fā)光二極管其中符號(hào)各自如下所定義M1為選自元素周期表(CAS版)第IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB族，鑭系元素和第IIIA族金屬的金屬原子，對(duì)于特定金屬原子呈任何可能的氧化態(tài)；卡賓為可以是不帶電荷或單陰離子和單-、二-或三齒的卡賓配體；卡賓配體也可以是二-或三卡賓配體；L為可以是單齒或二齒的單陰離子或雙陰離子配體，優(yōu)選單陰離子配體；K為不帶電荷的單齒或二齒配體；n為卡賓配體數(shù)目，其中n至少為1且式I配合物中的卡賓配體在n＞1時(shí)可以相同或不同；m為配體L的數(shù)目，其中m可以為0或≥1且配體L在m＞1時(shí)可以相同或不同；o為配體K的數(shù)目，其中o可以為0或≥1且配體K在o＞1時(shí)可以相同或不同；p為配合物的電荷0、1、2、3或4，優(yōu)選0、1或2，更優(yōu)選0；W為單陰離子抗衡離子；其中n+m+o之和和電荷p取決于所用金屬原子的氧化態(tài)和配位數(shù)，配合物的電荷，以及卡賓、L和K配體的齒數(shù)，以及卡賓和L配體的電荷，條件是n至少為1；其中有機(jī)發(fā)光二極管包含至少一種通式II的化合物，其存在于發(fā)光層E和/或所述至少一個(gè)其他層中其中X為NR1、S、O、PR1、SO2或SO；R1為取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基，或取代或未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨(dú)立地為取代或未取代的C1-C20烷基，或取代或未取代的C6-C30芳基，或通式(c)的結(jié)構(gòu)Ra，Rb各自獨(dú)立地為取代或未取代的C1-C20烷基，取代或未取代的C6-C30芳基，或取代或未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基或選自如下的具有給體或受體作用的取代基C1-C20烷氧基、C6-C30芳氧基、C1-C20烷硫基、C6-C30芳硫基、SiR14R15R16、鹵素基團(tuán)、鹵代C1-C20烷基、羰基(-CO(R14))、羰硫基(-C＝O(SR14))、羰氧基(-C＝O(OR14))、氧羰基(-OC＝O(R14))、硫羰基(-SC＝O(R14))、氨基(-NR14R15)、OH、擬鹵素基團(tuán)、酰胺基(-C＝O(NR14))、-NR14C＝O(R15)、膦酸根(-P(O)(OR14)2)、磷酸根(-OP(O)(OR14)2)、膦(-PR14R15)、氧化膦(-P(O)R142)、硫酸根(-OS(O)2OR14)、亞砜(-S(O)R14)、磺酸根(-S(O)2OR14)、磺?；?-S(O)2R14)、磺酰胺(-S(O)2NR14R15)、NO2、有機(jī)硼酸酯(-OB(OR14)2)、亞氨基(-C＝NR14R15)、硼烷基團(tuán)、錫烷基團(tuán)、肼基、腙基、肟基、亞硝基、重氮基、乙烯基、亞砜亞胺、鋁烷、鍺烷、環(huán)硼氧烷和環(huán)硼氮烷；R14、R15、R16各自獨(dú)立地為取代或未取代的C1-C20烷基，或取代或未取代的C6-C30芳基；q、r各自獨(dú)立地為0、1、2或3；其中，在q或r為0的情況下，芳基的所有可取代位置由氫取代，其中在式(c)基團(tuán)中基團(tuán)和指數(shù)X″′、R5″′、R6″′、R7″′、Ra″′、Rb″′、q″′和r″′各自獨(dú)立地如對(duì)通式(II)的化合物的基團(tuán)和指數(shù)X、R5、R6、R7、Ra、Rb、q和r所定義。FPA00001037853700011.tif,FPA00001037853700021.tif,FPA00001037853700022.tif
2.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光二極管，其包含至少一個(gè)選自下列的其他層至少一個(gè) 電子/激子阻擋層，至少一個(gè)空穴/激子阻擋層，至少一個(gè)空穴注入層，至少一個(gè)空穴導(dǎo)體 層，至少一個(gè)電子注入層和至少一個(gè)電子導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的有機(jī)發(fā)光二極管，其中X基團(tuán)為NR1，其中式(II)化合物中 基團(tuán)RLR7，Ra和Rb中至少一個(gè)包含至少一個(gè)雜原子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和 /或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)為取代或未取代的C6-C3(l芳基。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中通式(II)的化合物為通式 (Ha)的3，6-二甲硅烷基取代的化合物其中X 為 NR1、S、0、PR1、S02 或 SO ；優(yōu)選 NR1、S 或 0 ；更優(yōu)選 NR1 ；R1為取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6-C3(l芳基，或取代或未取代的具有 5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基；優(yōu)選取代或未取代的C6-C3(l芳基或取代或未取代的CfCm烷基，更優(yōu)選取代或未取代的c6-c1(l芳基或未被取代的q-Cm烷基，最優(yōu)選取代或未取代的苯基；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨(dú)立地為取代或未取代的烷基或取代或未取代的C6_C3(I 芳基或通式(c)的結(jié)構(gòu)；基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)優(yōu)選為取代或未取代的 c6-c30芳基，更優(yōu)選取代或未取代的c6-c1(l芳基，最優(yōu)選取代或未取代的苯基，和/或基團(tuán) R2、R3和R4中一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中一個(gè)為結(jié)構(gòu)(c)的基團(tuán)；R8、R9、R10, R11、R12、R13各自獨(dú)立地為氫或如對(duì)Ra和Rb所定義，即各自獨(dú)立地為取代或 未取代的CfCm烷基、取代或未取代的C6-C3(1芳基、取代或未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子的 雜芳基或具有給體或受體作用的取代基，其中合適的具有給體或受體作用的取代基如上所 述；優(yōu)選氫，取代或未取代的(「(；烷基、取代或未取代的C6-C1(l芳基或SiR14R15R16 ；更優(yōu)選 氫、甲基、乙基、苯基、CF3或SiR14R15R16，其中R14、R15和R16優(yōu)選各自獨(dú)立地為取代或未取代 的CfCm烷基或取代或未取代的苯基；更優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為取代或 未取代的苯基；最優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為取代的苯基。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中基團(tuán)爐-！？^和Rb和基團(tuán)X各 自如下所定義R1為取代或未取代的C6-C3(l芳基或取代或未取代具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基，優(yōu)選取 代或未取代的C6-C1(l芳基，更優(yōu)選取代或未取代的苯基；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨(dú)立地為取代或未取代的烷基或取代或未取代的C6_C3(I 芳基，或通式(c)的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選各自獨(dú)立地為取代或未取代的(^-(6烷基或取代或未取代的 C6-C10芳基，更優(yōu)選取代或未取代的Ci-Ce烷基或取代或未取代的苯基；其中，在一個(gè)實(shí)施 方案中，基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)為取代或未取代的 c6-c30芳基，優(yōu)選取代或未取代的c6-c1(l芳基，更優(yōu)選取代或未取代的苯基；R8^9^10^11^12^13各自獨(dú)立地為氫或各自如對(duì)Ra和Rb所定義，即各自獨(dú)立地為取代 或未取代的CfCm烷基、取代或未取代的C6-C3(1芳基、取代或未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子的 雜芳基或具有給體或受體作用的取代基；優(yōu)選氫，取代或未取代的Ci-C；烷基、取代或未取 代的C6-C10芳基或SiR14R15R16 ；更優(yōu)選氫、甲基、乙基、苯基、CF3或SiR14R15R16 ；R14、R15、R16各 自獨(dú)立地為取代或未取代的烷基或取代或未取代的C6-C3(l芳基，優(yōu)選取代或未取代 的Ci-C；烷基或取代或未取代的C6-C1(l芳基，其中R14、R15和R16更優(yōu)選各自獨(dú)立地為取代或 未取代的CfCm烷基或取代或未取代的苯基；更優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為 取代或未取代的苯基；最優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為取代的苯基。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中基團(tuán)R1和/或基團(tuán)R2、R3和R4 中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)獨(dú)立地為下式的取代或未取代的C6芳基其中 R17為氫，取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6-C3(1芳基、取代或未取代的具X 為 NR1 ；有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基，具有給體或受體作用的取代基，或 通式a或b的基團(tuán)或 其中X’為N或P，和基團(tuán)和指數(shù) X"、R2，、R3，、R4，、R5，、R5，，、R6，、R6，，、R7，、R7，，、Ra，、Ra，，、Rb，、Rb和r〃各自獨(dú)立地如對(duì)基團(tuán)和指數(shù)X、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R\ Rb、q和r所定義； 或基團(tuán)R2、R3和 R4之一和/或基團(tuán)R5、R6和R7之一為通式c的基團(tuán)(C)q"、r’各自獨(dú)立地如對(duì)基-個(gè)可存在的其他層 其中基團(tuán)和指數(shù) X" ‘、R5，，，、R6，，，、R7，，，、Ra，，，、Rb，，，、q〃 ‘禾Pr〃 1團(tuán)和指數(shù)X、R5、R6、R7、R\ R\ q和r所定義。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述至少-選自電子阻擋層，空穴注入層和空穴導(dǎo)體層，其中至少一種式(II)化合物存在于至少-其他層和/或發(fā)光層中，其中式(II)化合物具有至少一個(gè)選自如下基團(tuán)的基團(tuán)R1、R2、R3、 R4、R5、R6或R7 取代或未取代的CfCm烷基、具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基、未取代的C6_C3(1 芳基、烷基取代的C6-C3(1芳基、被至少一個(gè)具有給體作用的取代基取代的C6-C3(1芳基、被具 有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基取代的C6-C3(l芳基，以及具有給體作用的取代基。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述至少一個(gè)可存在的其他層 選自空穴阻擋層，電子注入層和電子導(dǎo)體層，其中至少一種式(II)化合物存在于至少一個(gè) 其他層和/或發(fā)光層中，其中式(II)化合物具有至少一個(gè)選自如下基團(tuán)的基團(tuán)R1、R2、R3、 R4、R5、R6或R7 被至少一個(gè)具有受體作用的取代基取代的烷基、被至少一個(gè)具有受體 作用的取代基取代的C6-C3(l芳基、被至少一個(gè)具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基取代的C6-C3Q芳 基，以及具有受體作用的取代基。
10.一種包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)的式(II)化合物和至少一種根據(jù)權(quán) 利要求1的通式(I)的卡賓配合物的發(fā)光層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)的通式(II)化合物在包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1的 通式(I)的卡賓配合物的有機(jī)發(fā)光二極管中作為基質(zhì)材料、空穴/激子阻擋材料和/或電 子/激子阻擋材料和/或空穴注入材料和/或電子注入材料和/或空穴導(dǎo)體材料和/或電 子導(dǎo)體材料的用途。
12.一種選自包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管的固定可視顯示單元如計(jì)算機(jī)、電視的可視顯示單元，打印機(jī)、廚房用具和廣告板、照明、信息板中的可 視顯示單元，和移動(dòng)可視顯示單元如移動(dòng)電話、便攜式電腦、數(shù)字照相機(jī)、車輛以及公共汽 車和火車中的目的地顯示中的可視顯示單元以及照明單元的器件。
13. 一種通式II的化合物 其中父為殿1、5、0、冊(cè)1、302或50;R1為取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6-C3(l芳基，或取代或未取代的具有 5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基；r2、r3、r4、r5、r6、r7各自獨(dú)立地為取代或未取代的c「c2(l烷基，或取代或未取代的c6-c3Q 芳基，或通式(C)的結(jié)構(gòu) R% Rb各自獨(dú)立地為取代或未取代的烷基，取代或未取代的C6-C3(l芳基，或取代或 未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基或選自如下的具有給體或受體作用的取代基而-(2(| 烷氧基、C6-C3Q芳氧基、(^-(2(1烷硫基、C6-C3Q芳硫基、SiR14R15R16、鹵素基團(tuán)、鹵代Ci-Q烷基、 羰基(_C0(R14))、羰硫基(-C = 0(SR14))、羰氧基(-C = 0(OR14))、氧羰基(-0C = 0(R14))、 硫羰基(-SC = 0(R14))、氨基(-NR14R15)、OH、擬鹵素基團(tuán)、酰胺基(-C = 0(NR14))、_NR14C = 0(R15)、膦酸根(_P(0) (OR14)2)、磷酸根(-OP(O) (0R14)2)、膦(_PR14R15)、氧化膦(_P(0)R142)、 硫酸根(_0S(0)20R14)、亞砜(-S(O)R14)、磺酸根(_S(0)20R14)、磺?；?_S(0)2R14)、磺酰胺 (-s(o)2nr14r15)、no2、有機(jī)硼酸酯(-ob(or14)2)、亞氨基(-c = nr14r15)、硼烷基團(tuán)、錫烷基團(tuán)、 胼基、腙基、肟基、亞硝基、重氮基、乙烯基、亞砜亞胺、鋁烷、鍺烷、環(huán)硼氧烷和環(huán)硼氮烷； R14、R15、R16各自獨(dú)立地為取代或未取代的Ci-Q烷基，或取代或未取代的C6-C3(l芳基； q、r各自獨(dú)立地為0、1、2或3;其中，在(1或1~為0的情況下，芳基的所有可取代位置由 氫取代，其中在式(c)基團(tuán)中基團(tuán)和指數(shù)X" ‘、R5" ‘、R6" ‘、R7" ‘、Ra“ ‘、Rb〃 ‘、q"‘ 和r〃 ‘各自獨(dú)立地如對(duì)通式(11)的化合物的基團(tuán)和指數(shù)乂、妒、1 6、1 7、1^、妒、(1和1~所定 義，其中在X為NR1的情況下，式(II)化合物中基團(tuán)#-礦，1^或鏟中至少一個(gè)包含至少一 個(gè)雜原子。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的化合物，其中基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)為取代或未取代的C6-C3(l芳基。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14的化合物，其中通式(II)的化合物為通式(Ila)的3，6-. 甲硅烷基取代的化合物 其中X 為 NR1、S、0、PR1、S02 或 SO ；優(yōu)選 NR1、S 或 0 ；更優(yōu)選 NR1 ；R1為取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6-C3(l芳基，或取代或未取代的具有 5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基；優(yōu)選取代或未取代的C6-C3(l芳基或取代或未取代的CfCm烷基，更 優(yōu)選取代或未取代的c6-c1(l芳基或未被取代的Ci-Cm烷基，最優(yōu)選取代或未取代的苯基；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨(dú)立地為取代或未取代的烷基或取代或未取代的C6_C3(I 芳基或通式(c)的結(jié)構(gòu)；基團(tuán)R2、R3和R4中至少一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)優(yōu)選為取代或未取代的 c6-c30芳基，更優(yōu)選取代或未取代的c6-c1(l芳基，最優(yōu)選取代或未取代的苯基，和/或基團(tuán) R2、R3和R4中一個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中一個(gè)為結(jié)構(gòu)(c)的基團(tuán)；R8、R9、R10, R11、R12、R13各自獨(dú)立地為氫或如對(duì)Ra和Rb所定義，即各自獨(dú)立地為取代或 未取代的q-Cm烷基、取代或未取代的C6-C2(1芳基、取代或未取代的具有5-30個(gè)環(huán)原子的 雜芳基或具有給體或受體作用的取代基，其中合適的具有給體或受體作用的取代基如上所 述；優(yōu)選氫，取代或未取代的(「(；烷基、取代或未取代的C6-C1(l芳基或SiR14R15R16 ；更優(yōu)選 氫、甲基、乙基、苯基、CF3或SiR14R15R16，其中R14、R15和R16優(yōu)選各自獨(dú)立地為取代或未取代 的CfCm烷基或取代或未取代的苯基；更優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為取代或 未取代的苯基；最優(yōu)選的是，基團(tuán)R14、R15和R16中至少一個(gè)為取代的苯基。
16.根據(jù)權(quán)利要求13-15中任一項(xiàng)的化合物，其中基團(tuán)R1和/或基團(tuán)R2、R3和R4中至 個(gè)和/或基團(tuán)R5、R6和R7中至少一個(gè)各自獨(dú)立地為下式的取代或未取代的C6芳基 其中P為0、1、2、3、4或5，優(yōu)選0、1、2或3，更優(yōu)選0、1或2 ；R17為氫，取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6-C3(1芳基、取代或未取代的具 有5-30個(gè)環(huán)原子的雜芳基，具有給體或受體作用的取代基，或 通式a或b的基團(tuán) 其中X’為N或P，和基團(tuán)和指數(shù) X"、R2，、R3，、R4，、R5，、R5，，、R6，、R6，，、R7，、R7，，、Ra，、Ra，，、Rb，、Rb，，、q，、q"、r，和r〃各自獨(dú)立地如對(duì)基團(tuán)和指數(shù)X、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R\ Rb、q和r所定義； 或基團(tuán)R2、R3和R4之一和/或基團(tuán)R5、R6和R7之一為通式c的基團(tuán) 其中基團(tuán)和指數(shù)X" ‘、R5，，，、R6”，、R7”，、Ra”，、Rb”，、q〃 ‘禾Pr〃 ‘各自獨(dú)立地如對(duì)基 團(tuán)和指數(shù)X、R5、R6、R7、R\ R\ q和r所定義。
17. 一種制備根據(jù)權(quán)利要求13-16中任一項(xiàng)的式(II)化合物的方法，其包括如下步驟起始于式(III)的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu) 其中X為NR1、SO、S02、S、0或PR1或NH或PH或PPh，當(dāng)基團(tuán)Ra和Rb存在于式(II)化 合物中時(shí)，基團(tuán)HASiRfR4和SiR5R6R7通過(guò)如下變型a)、b)、c)和d)之一引入 變型a)ia)制備適合于引入基團(tuán)Ra、R\SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iia)引入基團(tuán)R1，iiia)引入存在的話基團(tuán)R\Rb以及基團(tuán)SiR2R3R4和SiR5R6R7 ； 或變型b)ib)引入基團(tuán)R1，iib)制備適合于引入基團(tuán)Ra、R\SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iiib)引入存在的話基團(tuán)Ra、Rb以及基團(tuán)SiR2R3R4和SiR5R6R7； 或變型c)ic)制備適合于引入基團(tuán)Ra、R\SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iic)引入存在的話基團(tuán)Ra、Rb以及基團(tuán)SiR2R3R4和SiRW， iiic)引入基團(tuán)R1 ；或變型d)id)制備適合于引入基團(tuán)Ra、Rb、SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iid)引入存在的話基團(tuán)Ra、Rb以及基團(tuán)SiRW和SiRW。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包含陽(yáng)極An和陰極Ka和配置在An和陰極Ka之間且包含至少一種卡賓配合物的發(fā)光層E和合適的話至少一個(gè)其他層的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述發(fā)光層E和/或至少一個(gè)其他層包含至少一種選自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷雜環(huán)戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本發(fā)明還涉及一種包含至少一種上述化合物和至少一種卡賓配合物的發(fā)光層，上述化合物作為基質(zhì)材料、空穴/激子阻擋材料、電子/激子阻擋材料、空穴注入材料、電子注入材料、空穴導(dǎo)體材料和/或電子導(dǎo)體材料的用途，以及涉及一種選自包含至少一種本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管的固定顯示器單元、移動(dòng)的顯示器單元和照明單元的器件；本發(fā)明還涉及所選的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷雜環(huán)戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制備方法。
文檔編號(hào)H01L51/00GK101878552SQ200880104631
公開(kāi)日2010年11月3日 申請(qǐng)日期2008年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月5日
發(fā)明者C·倫納茨, C·席爾德克內(nèi)希特, E·?？怂? G·瓦根布拉斯特, J·魯?shù)婪? K·卡勒, N·蘭格爾, O·莫爾特, 渡邊宗一 申請(qǐng)人:巴斯夫歐洲公司