專利名稱：薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體管及其制造方法，且特別是涉及薄膜晶體管及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著技術(shù)的成熟，更輕、更薄、可攜帶且可撓曲的顯示器已經(jīng)吸引眾多人的注意，許多大公司也紛紛加入研發(fā)行列。目前所發(fā)展的可撓式顯示器多采用有機(jī)材料做為絕緣層。相關(guān)文獻(xiàn)可參考美國專利申請公開第2005/0001210號以及第2005/00260803號。使用有機(jī)材料做為絕緣層可具有較高可撓曲特性，但其介電系數(shù)通常較低，而且質(zhì)量控制不易，無法有效控制薄膜內(nèi)缺陷，使得晶體管易有漏電流(leakage current)產(chǎn)生，造成晶體管特性不穩(wěn)定。 為了增加有機(jī)材料的介電特性，也有透過混合(hybrid)的方式將一些高介電系數(shù)的顆粒加入有機(jī)材料內(nèi)。但該作法容易使得有機(jī)絕緣層的表面粗糙度增加，遲滯效應(yīng)也會些許提升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種薄膜晶體管，其包括柵極、至少一無機(jī)材料層、至少一介電層、源極、漏極與有源層。柵極，位于基板上。無機(jī)材料層，覆蓋住柵極。介電層至少包括有機(jī)材料，覆蓋于基板上，其具有開口 ，裸露出柵極上的無機(jī)材料層。源極與漏極，分別位于介電層以及開口所裸露出的部分無機(jī)材料層上，源極與漏極之間具有溝道區(qū)。有源層，位于溝道區(qū)上。 本發(fā)明又提出一種薄膜晶體管，其包括柵極、至少一無機(jī)材料層、至少一介電層、源極、漏極與有源層。有源層，位于基板上。源極與漏極，分別覆蓋位于部分有源層與部分基板上，源極與漏極之間具有溝道區(qū)。無機(jī)材料層，填入于溝道區(qū)。介電層，至少包括一種有機(jī)材料，覆蓋于無機(jī)材料層、源極與漏極上。柵極，位于介電層上。 本發(fā)明再提出一種薄膜晶體管，其包括柵極、絕緣層、源極、漏極與有源層。源極與漏極，位于基板上方，源極與漏極之間包括溝道區(qū)。柵極，與溝道區(qū)相對設(shè)置。有源層，與柵極相對設(shè)置并置于基板的有源區(qū)域中。絕緣層，隔絕柵極與源極及漏極。絕緣層包括無機(jī)材料層與介電層。無機(jī)材料層，至少位于柵極與有源層之間。介電層，至少包括有機(jī)材料，至少位于有源區(qū)域以外的基板上。 為讓本發(fā)明能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1至圖4是依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的一種下柵極結(jié)構(gòu)下接觸式的薄膜晶體管的制造方法的剖面示意圖。 圖4A、4B、4I 4K為依照本發(fā)明實(shí)施例所述的各種下柵極結(jié)構(gòu)下接觸式的薄膜晶體管的剖面示意圖。
圖4C 4H為依照本發(fā)明實(shí)施例所述的各種下柵極結(jié)構(gòu)下接觸式的薄膜晶體管的俯視圖。 圖5至圖8是依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的一種上柵極結(jié)構(gòu)上接觸式的薄膜晶體管的制造方法的剖面示意圖。 圖8A、8H 8J為依照本發(fā)明實(shí)施例所述的各種上柵極結(jié)構(gòu)上接觸式的薄膜晶體管的剖面示意圖。 圖8B 8G為依照本發(fā)明實(shí)施例所述的各種下柵極結(jié)構(gòu)上接觸式的薄膜晶體管的俯視圖。 附圖標(biāo)記說明 IO:基板 11 :有源區(qū)域 12:柵極 14:無機(jī)材料層 16:介電層 17 :絕緣層 18、30a、30b :開口 20 :源極 22 :漏極 24 :溝道區(qū) 26 :有源層 28 :彈性體 100A :下柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管 100B :上柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的絕緣層包括無機(jī)材料層以及介電層。無機(jī)材料層位于柵極與有源層之間，而介電層則至少位于有源區(qū)域以外需要隔絕之處。以下是以下柵極結(jié)構(gòu)下接觸式的薄膜晶體管以及上柵極結(jié)構(gòu)上接觸式的薄膜晶體管來說明的。然而，本發(fā)明并不以此為限，本發(fā)明亦可以應(yīng)用于下柵極結(jié)構(gòu)上接觸式的薄膜晶體管、上柵極結(jié)構(gòu)下接觸式的薄膜晶體管、或其它形式的薄膜晶體管。 圖1至圖4是依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的一種下柵極結(jié)構(gòu)下接觸式的薄膜晶體管的制造方法的剖面示意圖。 首先，請參照圖l，本實(shí)施例薄膜晶體管的制造方法是先在基板10的有源區(qū)域11中形成柵極12?；?0可以是硬式基板或是可撓式基板。硬式基板的材料例如是玻璃、石英或硅晶片?？蓳鲜交宓牟牧峡梢允撬芰侠鐗嚎肆?、金屬箔(metal foil)或是紙。有源區(qū)域11是指預(yù)定形成有源層的區(qū)域。柵極12的形成方法例如是先形成一層?xùn)艠O材料層，再利用光刻與蝕刻工藝將柵極材料層圖案化。柵極材料層的材料包括金屬、摻雜多晶硅或透明導(dǎo)電氧化物等。金屬例如是金、銀、鋁、銅、鉻或前述材料的合金等。透明導(dǎo)電氧化物如銦錫氧化物等。柵極材料層的形成方法例如是物理氣相沉積工藝或化學(xué)氣相沉積工藝。物理氣相沉積工藝?yán)缡菫R鍍工藝或是蒸鍍工藝。在另一實(shí)施例中，柵極12的形成方法也 可以直接形成圖案化的導(dǎo)電層，例如是以噴墨工藝來施行的。 之后，在基板10上方形成無機(jī)材料層14，覆蓋住柵極12。無機(jī)材料層14的形成 方法例如是先形成毯覆式的無機(jī)材料層，再以光刻與蝕刻工藝圖案化該無機(jī)材料層。無機(jī) 材料層14可以是單層或是多層結(jié)構(gòu)。無機(jī)材料層14中各層可以是由單一種或多種材料所 構(gòu)成。無機(jī)材料層14的材料包括介電常數(shù)低于4的低介電常數(shù)材料或是介電常數(shù)高于4 的高介電常數(shù)材料，例如是硅的氧化物(SiO》、硅的氮氧化物(SiON》、硅的氮化物(SiNx)、 鋁的氧化物(A10x)、鋁的氮化物(A1NX)、鉿的氧化物(HfOx)、鉿硅的氧化物(HfSiOx)、鉿鑭的 氧化物(HfLaOx)或碳的硅化物(SiC》，其中x表示各種可能的數(shù)值。無機(jī)材料層14的厚 度例如是100至5000埃。 接著，請參照圖2，在基板10上形成介電層16，其具有開口 18，裸露出柵極12上 的無機(jī)材料層14。介電層16與無機(jī)材料層14共同組成絕緣層17。介電層16可以是單層 或是多層結(jié)構(gòu)。介電層16可為有機(jī)材料，例如是介電常數(shù)低于4的有機(jī)材料。此外，介電 層16中各層的材料可以是由單一種有機(jī)材料所構(gòu)成、多種有機(jī)材料所構(gòu)成，或是包含有機(jī) 材料與無機(jī)材料。介電層16的材料可以是光敏性材料或非光敏性材料，例如是聚亞酰胺 (PI)、聚乙烯酚(Polyvinyl phenol)、聚苯乙烯(PS)、壓克力或環(huán)氧樹脂。
在實(shí)施例中，介電層16的材料為光敏性材料，其形成方法例如是以物理氣相沉積 比如是蒸鍍，或是經(jīng)由涂布工藝形成一層毯覆式(Blanket)的光敏性材料層，再進(jìn)行光刻 工藝以圖案化該光敏性材料層。在另一實(shí)施例中，介電層16的材料為非光敏性材料，其形 成方法例如是以物理氣相沉積比如是蒸鍍，或是經(jīng)由涂布工藝形成一層毯覆式的非光敏性 材料層，再進(jìn)行光刻與蝕刻工藝以圖案化該非光敏性材料層。介電層16的厚度可以依據(jù)需 要調(diào)整的。在實(shí)施例中，介電層16的厚度例如是200埃至20000埃。 然后，請參照圖3，在介電層16以及開口 18所裸露出的部分無機(jī)材料層14上形成 源極20與漏極22，源極20與漏極22之間為溝道區(qū)24。源極20與漏極22的形成方法例 如是先形成一層導(dǎo)電材料層，然后，再將其圖案化。導(dǎo)電材料層的材料例如是金屬如金、銀、 鋁、銅、鉻或前述材料的合金等。導(dǎo)電材料層的形成方法包括進(jìn)行物理氣相沉積工藝，物理 氣相沉積工藝?yán)缡菫R鍍工藝或是蒸鍍工藝。在另一實(shí)施例中，源極20與漏極22的形成 方法也可以直接形成圖案化的導(dǎo)電層，例如是以噴墨工藝來施行的。 之后，請參照圖4，在溝道區(qū)24中形成有源層26，與源極20及漏極22電性耦接。 有源層26的材料例如是半導(dǎo)體或是有機(jī)半導(dǎo)體。半導(dǎo)體例如是非晶硅、多晶硅或是氧化物 半導(dǎo)體系列。有機(jī)半導(dǎo)體包括N型或P型的有機(jī)小分子、有機(jī)高分子、或有機(jī)小分子及有機(jī) 高分子的混合物。有機(jī)小分子的材料例如是并五苯(Pentacene)或并四苯(Tetracene)。 有機(jī)半導(dǎo)體高分子例如是聚(3-己烷基)噻吩(Poly-(3-hexylthiophene) ，P3HT)，以完成 下柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管100A的制作。 請繼續(xù)參照圖4，簡而言之，本實(shí)施例的薄膜晶體管100A包括柵極12、至少一無機(jī) 材料層14、至少一介電層16、源極20、漏極22與有源層26。柵極12，位于基板10上的有源 區(qū)域11之中。無機(jī)材料層14，覆蓋住柵極12，裸露出基板10。介電層16，覆蓋于基板10 上，其具有開口 18，裸露出柵極12上的無機(jī)材料層14。無機(jī)材料層14與介電層16共同組 成隔開柵極12與有源層26的絕緣層17。源極20與漏極22，分別位于介電層16以及開口
618所裸露出的部分無機(jī)材料層14上，源極20與漏極22之間具有溝道區(qū)24。有源層，位于 溝道區(qū)24中。 請繼續(xù)參照圖4，在本實(shí)施例中，無機(jī)材料層14不僅位于有源區(qū)域11中還延伸至 其周緣，以共形覆蓋柵極12的頂面與側(cè)壁。在另一實(shí)施例中，請參照圖4A，無機(jī)材料層14 同樣是不僅位于有源區(qū)域11中還延伸至其周緣，覆蓋柵極12的頂面與側(cè)壁，而且，其側(cè)面 呈梯形，以降低應(yīng)力。在又一實(shí)施例中，請參照圖4B，無機(jī)材料層14也可以僅位于有源區(qū)域 11中，覆蓋柵極12的頂面而未覆蓋柵極12的側(cè)面。 此外，無機(jī)材料層14上表面的輪廓可以是呈任何形狀，例如是呈正方形、長方形、 多角形，薄膜晶體管的俯視圖分別如圖4C、4D、4E。或者，為了減少折彎(bending)所產(chǎn)生 的應(yīng)力，無機(jī)材料層14上表面的輪廓可以設(shè)計(jì)成曲線，例如是角呈弧狀的正方形、角呈弧 狀的長方形、角呈弧狀的多角形、圓形或橢圓形。請參照圖4F、4G、4H，其分別繪示薄膜晶體 管的無機(jī)材料層14的上表面的輪廓為四個(gè)角被圓弧化的矩形、圓形、橢圓形的俯視圖。然 而，本發(fā)明的無機(jī)材料層14的輪廓并不以上述者為限，其輪廓可以設(shè)計(jì)成任何可以減少折 彎所產(chǎn)生的應(yīng)力者。為附圖清楚起見，圖4C 4H未繪示出介電層16以及有源層26。
請參照圖41、4J、4K，為能進(jìn)一步吸收應(yīng)力，在源極20與漏極22之外的介電層16 中還可再形成至少一彈性體28。彈性體28的材料可以選擇彎曲模數(shù)(Flexural modulus)、 楊氏模數(shù)(Young' s modulus)或拉伸模數(shù)(Tensilemodulus)小于介電層16的聚合物。 在實(shí)施例中，做為彈性體28的聚合物可以選擇彎曲模數(shù)大于介電層16且小于5000MPa， 例如是1300MPa至3790MPa。在另一實(shí)施例中，做為彈性體28的聚合物可以選擇楊氏模 數(shù)小于介電層16者。彈性體28的材料例如是聚酰胺酰亞胺(Poly(amide imide))、聚苯 并咪唑(Poly(benzimidazole))、聚雙馬來酰亞胺(Poly(bis maleimide))、聚苯并二噻 唑(Poly(benzobisthiazole))、聚對苯二甲酸丁二酯(Poly (butyleneter印hthalate))、 聚碳酸酯(Polycarbonate)、聚氯醛(Polychloral)、聚2， 6_ 二甲基_1， 4_苯醚(Poly(2， 6_dimethyl_l，4_phenylene oxide))、聚醚醚酮(Poly (ether ether ketone))、聚醚 酰亞胺(Poly (ether imide))、聚醚砜(Poly (ethersulfone))、聚2，6-萘二甲酸乙二 酯(Poly(ethylene-2，6-n即hthalate))、聚苯硫醚(Poly (ethylene sulfide))、聚對苯 二甲酸乙二酯(Poly(ethyleneter印hthalate))、聚乳酸(Poly(lactic acid))、聚甲醛 (Poly(methylene oxide))、聚甲基丙烯酸甲酉旨(Poly(methyl methacrylate))或聚_4_甲 基戊烯_1 (Poly (4_methyl pentene-l))。 請參照圖41，在實(shí)施例中，彈性體28自介電層16的下表面延伸至介電層16的上 表面。圖41的彈性體28的形成方法例如是在介電層16中形成開口 18的同時(shí)形成另一開 口 30a，開口 30a裸露出基板10，然后，再回填聚合物。請參照圖4J，在又一實(shí)施例中，彈性 體28自介電層的上表面延伸至介電層之中。圖4J的彈性體28的形成方法例如是可以在 介電層16中形成開口 18的同時(shí)形成另一開口 30b，開口 30b未裸露出基板10，然后，再回 填聚合物。請參照圖4K，在另一實(shí)施例中，彈性體28自介電層16的下表面延伸至介電層 16之中，而未延伸至介電層16的上表面。圖4K的彈性體28的形成方法例如是在形成介電 層16之前，先在基板10上形成聚合物層，再將其圖案化。 圖5至圖8是依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的一種上柵極結(jié)構(gòu)上接觸式的薄膜晶 體管的制造方法的剖面示意圖。以下薄膜晶體管的各構(gòu)件的材料與形成方法未詳述者，可采用上述實(shí)施例所披露的相同標(biāo)號的構(gòu)件的材料與形成方法，在此不再贅述。 請參照圖5，在基板10的有源區(qū)域11中形成有源層26。接著，在部分有源層26
上與部分的基板10上形成源極20與漏極22。源極20與漏極22之間具有溝道區(qū)24，如圖6。 然后，請參照圖7，在有源區(qū)域11中形成無機(jī)材料層14。無機(jī)材料層
14與介電層16共同組成隔開柵極12與有源層26的絕緣層17。接著，在無
機(jī)材料層14、源極20與漏極22上形成介電層16。 之后，請參照圖8，在溝道區(qū)24上方的介電層16上形成柵極12，以完成上柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管100B的制作。 請繼續(xù)參照圖8，簡而言之，本實(shí)施例的薄膜晶體管100B，包括柵極12、至少一無機(jī)材料層14、至少一介電層16、源極20、漏極22與有源層26。有源層26，位于基板10上的有源區(qū)域11之中。源極20與漏極22，分別覆蓋位于部分有源層26與部分基板10上，源極20與漏極22之間具有溝道區(qū)24。無機(jī)材料層14，填入于溝道區(qū)24，與源極20及漏極22電性耦接。介電層16，覆蓋于無機(jī)材料層14、源極20與漏極22上。無機(jī)材料層14與介電層16共同組成隔開柵極12與有源層26的絕緣層17。柵極12，位于介電層16上。
請繼續(xù)參照圖8，在本實(shí)施例中，無機(jī)材料層14不僅位于溝道區(qū)24之中，更延伸覆蓋于源極20與漏極22表面上，使其側(cè)面呈T型。在另一實(shí)施例中，請參照圖8A，無機(jī)材料層14僅位于溝道區(qū)24中。此外，無機(jī)材料層14上表面的輪廓可以是呈正方形、長方形、多角形，薄膜晶體管的俯視圖分別如圖8B、8C、8D所示。或者，為了減少折彎所產(chǎn)生的應(yīng)力，無機(jī)材料層14上表面的輪廓可以設(shè)計(jì)成曲線，例如是角呈弧狀的正方形、角呈弧狀的長方形、角呈弧狀的多角形、圓形或橢圓形。請參照圖8E、8F、8G，其分別繪示薄膜晶體管的無機(jī)材料層14的上表面的輪廓為四個(gè)角被圓弧化的矩形、圓形、橢圓形的俯視圖。然而，本發(fā)明的無機(jī)材料層14的輪廓并不以上述者為限，其輪廓可以設(shè)計(jì)成任何可以減少折彎所產(chǎn)生的應(yīng)力者。為附圖清楚起見，圖8B 8G未繪示出介電層16以及有源層26。
請參照圖8H、8I、8J，同樣地，為能進(jìn)一步吸收應(yīng)力，在源極20與漏極22之外的介電層16中還可再形成至少一彈性體28。請參照圖8H，在實(shí)施例中，彈性體28自介電層16的下表面延伸至介電層16的上表面。圖8H的彈性體28的形成方法例如是可以在介電層16中形成開口 30a，開口 30a裸露出基板IO，然后，再回填聚合物。請參照圖8I，在又一實(shí)施例中，彈性體28自介電層的上表面延伸至介電層之中。圖81的彈性體28的形成方法例如是可以在介電層16中形成開口 30b，開口 30b未裸露出基板10，然后，再回填聚合物。請參照圖8J，在另一實(shí)施例中，彈性體28自介電層16的下表面延伸至介電層16之中，而未延伸至介電層16的上表面。圖8J的彈性體28的形成方法例如是在形成介電層16之前，先在基板10上形成聚合物層，再將其圖案化。 本發(fā)明的絕緣層包括無機(jī)材料層以及介電層。無機(jī)材料層位于柵極與有源層之間。由于無機(jī)材料的介電常數(shù)較高于有機(jī)材料，且質(zhì)量易于控制，缺陷少，因此，所形成的晶體管漏電流的情形較少，具有優(yōu)選的組件特性。介電層則位于有源區(qū)域以外需要隔絕之處。由于介電層含有可撓性優(yōu)選的有機(jī)材料，組件折彎時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)力可由有機(jī)材料吸收，大幅降低無機(jī)材料所承受的應(yīng)力，而且介電層可以使用低介電常數(shù)的材料，因此，可以提供良好的晶體管特性以及絕緣層的可撓性。此外，無機(jī)材料層可依據(jù)需要圖案化成邊緣呈曲線
8圖案，在介電層中也可設(shè)置彈性體，以進(jìn)一步減少折彎時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)力。 雖然本發(fā)明已以實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種薄膜晶體管，包括柵極，位于基板上；至少一無機(jī)材料層，覆蓋住該柵極；至少一介電層，包括有機(jī)材料，覆蓋于該基板上，其具有開口，裸露出該柵極上的該無機(jī)材料層；源極與漏極，分別位于該介電層以及該開口所裸露出的部分該無機(jī)材料層上，該源極與該漏極之間具有溝道區(qū)；以及有源層，位于該溝道區(qū)上。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該無機(jī)材料層的材料包括介電常數(shù)低于4的 低介電常數(shù)材料。
3. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該無機(jī)材料層的材料包括介電常數(shù)高于4的 高介電常數(shù)材料。
4. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該無機(jī)材料層的材料包括硅的氧化物、硅的 氮氧化物、硅的氮化物、鋁的氧化物、鋁的氮化物、鉿的氧化物、鉿硅的氧化物、鉿鑭的氧化 物或碳的硅化物。
5. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該無機(jī)材料層的上表面的輪廓呈正方形、長 方形、多角形、角呈弧狀的正方形、角呈弧狀的長方形、角呈弧狀的多角形、圓形或橢圓形。
6. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該無機(jī)材料層僅覆蓋該柵極的頂面、該無機(jī) 材料層共形覆蓋該柵極的頂面與側(cè)壁、或該無機(jī)材料層覆蓋該柵極的頂面與側(cè)壁且其側(cè)面 呈梯形。
7. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該介電層的材料包括光敏性材料。
8. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該介電層的材料包括非光敏性材料。
9. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該介電層的材料包括聚亞酰胺、聚乙烯酚、聚 苯乙烯、壓克力或環(huán)氧樹脂。
10. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，還包括至少一彈性體位于該源極或該漏極的周 圍的該介電層中。
11. 如權(quán)利要求io所述的薄膜晶體管，其中該彈性體自該介電層的下表面延伸至該介電層的上表面、自該介電層的下表面延伸至該介電層之中、或自該介電層的上表面延伸至 該介電層之中。
12. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該基板為硬式基板或是可撓式基板。
13. —種薄膜晶體管，包括 有源層，位于基板上；源極與漏極，分別覆蓋位于部分該有源層與部分該基板上，該源極與該漏極之間具有 溝道區(qū)；至少一無機(jī)材料層，填入于該溝道區(qū)；至少一介電層，包括有機(jī)材料，覆蓋于該無機(jī)材料層、該源極與該漏極上；以及 柵極，位于該溝道區(qū)上方的該介電層上。
14. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中該無機(jī)材料層的材料包括介電常數(shù)低于4 的低介電常數(shù)材料。
15. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中該無機(jī)材料層的材料包括介電常數(shù)高于4 的高介電常數(shù)材料。
16. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中該無機(jī)材料層的材料包括硅的氧化物、硅 的氮氧化物、硅的氮化物、鋁的氧化物、鋁的氮化物、鉿的氧化物、鉿硅的氧化物、鉿鑭的氧 化物或碳的硅化物。
17. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中該無機(jī)材料層的上表面的輪廓呈正方形、 長方形、多角形、圓形、橢圓形或具有平滑輪廓者。
18. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中該無機(jī)材料層自溝道區(qū)上延伸至該源極與 該漏極上使其側(cè)面呈T形，或該無機(jī)材料層僅位于該溝道區(qū)中。
19. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中該介電層的材料包括光敏性材料。
20. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中該介電層的材料包括非光敏性材料。
21. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中該介電層的材料包括聚亞酰胺、聚乙烯酚、 聚苯乙烯、壓克力或環(huán)氧樹脂。
22. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，還包括至少一彈性體位于該源極或該漏極的周 圍的該介電層中。
23. 如權(quán)利要求22所述的薄膜晶體管，其中該彈性體自該介電層的下表面延伸至該介 電層的上表面、自該介電層的下表面延伸至該介電層之中或自該介電層的上表面延伸至該 介電層之中。
24. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中該基板為硬式基板或是可撓式基板。
25. —種薄膜晶體管，包括源極與漏極，位于基板上方，該源極與該漏極之間包括溝道區(qū)； 柵極，與該溝道區(qū)相對設(shè)置；有源層，與該柵極相對設(shè)置并置于該基板的有源區(qū)域中；以及 絕緣層，隔絕該柵極與該源極及該漏極，其包括 至少一無機(jī)材料層，至少位于該柵極與該有源層之間；以及 至少一介電層，包括有機(jī)材料，至少位于該有源區(qū)域以外的該基板上。
全文摘要
一種薄膜晶體管，包括柵極、至少一無機(jī)材料層、至少一介電層、源極、漏極與有源層。柵極，位于基板上。無機(jī)材料層，覆蓋住柵極。介電層至少包括有機(jī)材料，覆蓋于基板上，其具有開口，裸露出柵極上的無機(jī)材料層。源極與漏極，分別位于介電層以及開口所裸露出的部分無機(jī)材料層上，源極與漏極之間具有溝道區(qū)。有源層，位于溝道區(qū)上。
文檔編號H01L51/30GK101752424SQ20081018561
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月17日
發(fā)明者陳良湘, 顏精一 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院