專利名稱：制造閃速單元的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種制造半導(dǎo)體 器件的閃速單元(flash cell)的方法。
背景技術(shù)：
如實(shí)例圖1所示，閃速單元可以包括在硅襯底上和/或上方形成 的隧道氧化層(tunnel oxide layer )。在隧道氧化層上和成上方形成 浮柵(floating gate )并且可以在浮柵上和/或上方形成具有ONO (氧 4匕物/氮4匕物/氧4匕物)結(jié)構(gòu)的介電月莫(dielectric film )。然后在介電 膜上和/或上方形成控制棚4及。在控制棚4及上和/或上方形成力更質(zhì)掩 模(hard mask),且該硬質(zhì)掩模用來保護(hù)閃速單元中的控制柵極多 晶娃(control gate poly )。
如實(shí)例圖2所示，對閃速單元的ONO膜的損害歸因于硬質(zhì)掩 才莫?？梢?吏用正石圭酸乙酯(tetra ethyl ortho silicate ) ( TEOS )、氧 化硅(Si02)或氮化物(Si3N4)作為硬質(zhì)掩模。在用以形成柵極圖 樣的蝕刻工藝期間，ONO膜通常在大約150埃到200埃之間的范 圍內(nèi)^皮損害。然而，當(dāng)?shù)猑f匕物用作石更質(zhì)掩才莫時(shí)，如實(shí)例圖2所示 ONO月莫的氮4匕物-故嚴(yán)重地?fù)p害。甚至當(dāng)TEOS用作石更質(zhì)掩才莫時(shí)，ONO也會4皮損害，因此，在施力口電壓(IV)時(shí)，壽禺合率(coupling ratio)減小，結(jié)果柵極電壓降低，這使器件的性能惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種制造 半導(dǎo)體器件的閃速單元的方法。
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種制造閃速單元的方法，該方法在去除碩_ 質(zhì)掩模期間使對ONO膜的損害最小化。
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種制造半導(dǎo)體器件的閃速單元的方法，該 方法可以包括以下步驟中的至少之一在半導(dǎo)體襯底上和/或上方順 序形成隧道氧化膜、浮柵、氧化物/氮化物/氧化物(ONO)膜、控 制柵極和硬質(zhì)掩模；在包括硬質(zhì)掩模的半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上和 /或上方沉積損害防止月莫(damage-prevention film)以防止^t ONO 膜的損害；以及然后4吏用蒸汽處理室(vapor process chamber ) (VPC)工藝來去除硬質(zhì)掩模。
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種制造半導(dǎo)體器件的閃速單元的方法，該 方法可以包括以下步驟中的至少之一在半導(dǎo)體襯底上方形成包括 隧道氧化膜、浮柵、氧化物/氮化物/氧化物(ONO)膜和控制柵極 的柵極圖樣；在柵極圖樣上方形成硬質(zhì)掩模圖樣；在包括柵極圖樣 和硬質(zhì)掩模的半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上方形成保護(hù)膜；以及然后通 過實(shí)施蒸汽處理室(VPC)工藝來至少去除硬質(zhì)掩模。
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種制造閃速單元的方法，該方法可以包括 以下步驟中的至少之一在半導(dǎo)體襯底上方形成柵極圖樣；在柵極 圖樣的上方并接觸該柵極圖樣的最上表面形成硬質(zhì)掩模圖樣；在半 導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上方形成硅膜作為保護(hù)膜，以便硅膜形成在硬質(zhì)掩模圖樣的最上表面上方以及同樣形成在硬質(zhì)掩模圖樣和柵極
圖樣的側(cè)壁上方；以及然后去除硅膜和硬質(zhì)掩才莫。
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種方法，該方法可以包4舌以下步艱《中的至 少之一在半導(dǎo)體襯底上方形成柵極圖樣；在柵極圖樣上方形成硬 質(zhì)掩模圖樣；在半導(dǎo)體襯底和硬質(zhì)掩模圖樣的最上表面上方以及同 樣在石更質(zhì)掩才莫圖樣和柵-極圖樣的側(cè)壁上方形成氧化,圭(Si02)和氮 化硅(Si3N4)中的一個(gè)作為保護(hù)膜；以及然后去除硬質(zhì)掩模。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，硬質(zhì)掩模圖樣可以由正硅酸乙酯(TEOS) 或氮4匕物形成。損害防止力莫可以由Si02和Si3N4中的一個(gè)形成并 且可以具有在大約IOO埃到200埃之間范圍內(nèi)的厚度。可以使用中 溫fU匕物(medium temperature oxide) (MTO)工藝和4氐溫氧4匕物 (low temperature oxide ) ( LTO )工藝中的 一種來實(shí)施沉積損害防 止膜的步驟。當(dāng)使用MTO工藝時(shí)，可以在大約600°C到700°C之 間范圍內(nèi)的溫度下使用硅烷氣體來沉積損害防止膜。當(dāng)使用LTO工 藝時(shí)，可以在大約300°C到500°C之間范圍內(nèi)的溫度下^f吏用DCS 氣體來沉積損害防止膜。


實(shí)例圖1和圖2示出了閃速單元和對閃速單元的ONO膜產(chǎn)生 的損害。
實(shí)例圖3A到圖3D示出了#4居本發(fā)明實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件 的閃速單元的方法的順序一見圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)地參照本發(fā)明的實(shí)施方式和在附圖中示出的實(shí)施 例。在任何可能的地方，在整個(gè)附圖中使用相同的標(biāo)號以表示相同 或相似的部件。
如實(shí)例圖3A中所示，通過生長工藝(growth process )在半導(dǎo) 體襯底31上和/或上方形成隧道氧化膜32。然后可以通過4吏用〗氐壓 化學(xué)氣相沉積(LPCVD)進(jìn)4亍沉積來在隧道氧化力莫32上和/或上方 形成浮柵多晶硅(Floating gate poly) 33。隨后，使用LPCVD在浮 才冊多晶石圭33上和/或上方順序沉積包括第一氧化膜、氮化膜和第二 氧化膜的ONO膜34。然后可以使用LPCVD在ONO膜34上和/ 或上方形成控制斥冊才及多晶^圭35。隨后，在4空制棚"f及多晶石圭35上和/ 或上方形成石更質(zhì)掩才莫36,該石更質(zhì)掩才莫36用來防止對控制棚-才及多晶 硅35的損害。可以使用TEOS膜和氮化膜中的一個(gè)作為硬質(zhì)掩模 36。
如實(shí)例圖3B所示，然后可以將光刻月交施加至石更質(zhì)4奄才莫36，并 JM吏用曝光禾口顯#》工藝(exposing and developing process )來圖才羊4b 該光刻膠以形成光刻膠圖樣37。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，然后使用光刻 膠圖樣37作為蝕刻掩模來蝕刻硬質(zhì)掩模36以形成硬質(zhì)掩模圖樣。 隨后，去除光刻力交圖樣37的剩余部分?？蛇x地，可以不去除光刻 月交圖樣37。然后可以使用硬質(zhì)掩才莫圖樣作為蝕刻阻擋物(etch barrier)來順序蝕刻控制柵極多晶硅35、 ONO膜34、浮柵多晶硅 33和隧道氧化膜32 。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，可以使用光刻膠圖樣37 作為蝕刻掩模來順序蝕刻硬質(zhì)掩模36、控制柵極多晶硅35、 ONO 膜34、浮柵多晶硅33和隧道氧化膜32，以及然后去除光刻膠圖樣 37的剩余部分。如實(shí)例圖3C所示，作為蝕刻工藝的結(jié)果，在半導(dǎo)體襯底31上 和/或上方形成柵極圖樣40。在包括硬質(zhì)掩沖莫圖樣36-1和柵極圖樣 40(即，控制柵極多晶硅圖樣35-1、 ONO膜圖樣34-l、浮柵多晶 硅圖樣33-1和隧道氧化膜圖樣32-1)的半導(dǎo)體襯底31的整個(gè)表面 及其側(cè)壁上和/或上方沉積用于防止對ONO力莫34損害的損害防止 膜38。意味著，可以沉積損害防止膜38以覆蓋柵極圖樣的最上表 面和側(cè)壁?？梢栽诎?冊極圖樣40的半導(dǎo)體襯底31的表面上和/ 或上方沉積損害防止膜38。特別地，可以在硬質(zhì)掩模圖樣36-1的 最上表面和柵極圖樣40的側(cè)壁上和/或上方形成損害防止膜38。根 據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的損害防止"莫38可以由Si02和SigN4中的一個(gè)形 成，并具有在大約100埃到200埃之間范圍內(nèi)的厚度。
在用以形成柵極圖樣的蝕刻工藝期間，如果不保護(hù)ONO膜， 對ONO膜的損害可能導(dǎo)致在大約150埃到200埃之間的范圍內(nèi)減 小厚度。由于這個(gè)原因，損害防止膜38優(yōu)選地具有在大約150埃 到200埃之間范圍內(nèi)的厚度。同樣，為了使熱量預(yù)算(thermal budget) 最小化并且使損害防止膜38的Si02或Si3Ht的品質(zhì)最佳化，不使 用T者如fU匕、RTP、 TEOS和HTO的方法，而是4吏用中溫氧4匕物 (MTO)工藝和4氐溫氧4b物(LTO)工藝中的一種來形成損害防止 膜38。當(dāng)使用MTO工藝時(shí)，在大約60(TC到700。C之間范圍內(nèi)的 溫度下使用硅烷氣體來在硬質(zhì)掩模36上和/或上方沉積損害防止膜 38。當(dāng)使用LTO工藝時(shí)，在大約300。C到500。C之間范圍內(nèi)的溫度 下使用二氯硅烷(dichlorosilane ) (DCS)氣體來在硬質(zhì)掩才莫36上 和/或上方沉積損害防止力莫38。
如實(shí)例圖3D所示，實(shí)施使用HF蒸汽(HF vapor)的蒸汽處理 室(VPC)工藝以去除損害防止膜38和硬質(zhì)掩模36。此時(shí)，損害 防止膜38保護(hù)了柵極圖樣40的側(cè)壁。因此，在去除硬質(zhì)掩模期間，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造閃速單元的方法使對ONO膜的損害最小 化，從而穩(wěn)定地確保柵極施加電壓毫無損失。
盡管本文中描述了多個(gè)實(shí)施例，^f旦是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域:忮術(shù)人 員可以想到多種其他修改和實(shí)施例，他們都將落入本公開的原則的 精神和范圍內(nèi)。更特別地，在本7>開、附圖、以及所附^又利要求的
種小務(wù)改和改變。除了組成部分和/或"^非列方面的々務(wù)改和改變以外，可 選的使用對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也是顯而易見的。
權(quán)利要求
1. 一種制造半導(dǎo)體器件的閃速單元的方法，包括在半導(dǎo)體襯底上方形成包括隧道氧化膜、浮柵、氧化物/氮化物/氧化物(ONO)膜和控制柵極的柵極圖樣；在所述柵極圖樣上方形成硬質(zhì)掩模圖樣；在包括所述柵極圖樣和所述硬質(zhì)掩模的所述半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上方形成保護(hù)膜；以及然后通過實(shí)施蒸汽處理室(VPC)工藝至少去除所述硬質(zhì)掩模。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述硬質(zhì)掩模圖樣由正硅 酸乙面旨(TEOS)形成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述硬質(zhì)掩模圖樣由氮化 物形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述保護(hù)膜由氧化硅(Si02)膜形成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述氧化硅(Si02 )膜具 有在大約100埃到200埃之間范圍內(nèi)的厚度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述保護(hù)膜包括氮化硅(Si3N4)膜。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述氮化硅(Si3N4 )膜 具有在大約100埃到200埃之間范圍內(nèi)的厚度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述保護(hù)膜具有在大約 100埃到200埃之間范圍內(nèi)的厚度。
9. 才艮據(jù);f又利要求1所述的方法，其中，通過實(shí)施中溫氧^R:物(MTO)工藝來實(shí)現(xiàn)形成所述保護(hù)膜。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，實(shí)施所述MTO工藝包括 在大約600°C到700。C之間范圍內(nèi)的溫度下使用硅烷氣體來沉 積所述保護(hù)膜。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過實(shí)施低溫氧化物(LTO)工藝來實(shí)現(xiàn)形成所述保護(hù)膜。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，實(shí)施所述LTO工藝包括 在大約300°C到500°C之間范圍內(nèi)的溫度下使用二氯硅烷(DCS)氣體來沉積所述保護(hù)膜。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，至少去除所述硬質(zhì)掩才莫包 括Y吏用氟化氫(HF)蒸汽來實(shí)施所述蒸汽處理室(VPC)工藝
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述保護(hù)膜包括在所 述硬質(zhì)掩模圖樣的最上表面以及在所述硬質(zhì)掩模圖樣和所述 才冊極圖樣的側(cè)壁上方沉積所述保護(hù)膜。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述柵極圖樣包括在所述半導(dǎo)體襯底上方順序形成所述隧道氧化膜、所述 浮柵多晶硅、所述ONO膜和所述控制柵極多晶硅；在所述控制柵4及多晶^圭的最上表面上方形成石更質(zhì)掩才莫；在所述石更質(zhì)掩才莫上方形成光刻"交圖樣；使用所述光刻膠圖樣作為蝕刻掩模來蝕刻所述硬質(zhì)掩模以形成所述硬質(zhì)掩模圖樣；去除所述光刻膠圖樣；以及然后使用所述硬質(zhì)掩模圖樣作為掩模來順序蝕刻所述控制柵 極多晶硅、所述ONO膜、所述浮柵多晶硅和所述隧道氧化膜。
16. —種制造閃速單元的方法，包4舌在半導(dǎo)體^H"底上方形成棚-才及圖才羊；在所述柵極圖樣的上方并且4妻觸所述柵-極圖樣的最上表 面形成硬質(zhì)掩模圖樣；在所述半導(dǎo)體村底的整個(gè)表面上方形成硅膜作為保護(hù)膜 以便所述石圭膜形成在所述硬質(zhì)掩才莫圖樣的最上表面上方以及 同樣形成在所述石更質(zhì)掩才莫圖才羊和所述棚-才及圖樣的側(cè)壁上方；以 及然后去除所述硅膜和所述硬質(zhì)掩模。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成所述硅膜包括通過 在大約600 。C到700°C之間范圍內(nèi)的溫度下使用硅烷氣體實(shí) 施中溫氧化物(MTO)工藝來沉積具有厚度在大約100埃到 200埃之間范圍內(nèi)的氧化硅(Si02 )。
18. 才艮據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成所述硅膜包括通過 在大約300°C到500°C之間范圍內(nèi)的溫度下4吏用二氯石圭烷(DCS)氣體實(shí)施低溫氧化物(LTO)工藝來沉積具有厚度在 大約100埃到200埃之間范圍內(nèi)的氮化硅(Si3N4 )。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述硬質(zhì)掩模圖樣包括 正石圭酸乙酯(TEOS)和氮4匕膜中的一個(gè)。
20.—種方法，包4舌在半導(dǎo)體襯底上方形成棚-才及圖樣；在所述柵極圖樣上方形成硬質(zhì)掩模圖樣；在所述半導(dǎo)體襯底和所述硬質(zhì)掩模圖樣的最上表面上方 以及同樣在所述硬質(zhì)掩模圖樣和所述柵極圖樣的側(cè)壁上方形 成氧化硅(Si02)和氮化硅(Si3N4)中的一個(gè)作為保護(hù)膜； 以及然后去除所述硬質(zhì)掩才莫。
全文摘要
一種制造半導(dǎo)體器件的閃速單元的方法包括在硬質(zhì)掩模圖樣上和/或上方沉積損害防止膜，以防止在使用蒸汽處理室(VPC)工藝去除硬質(zhì)掩模時(shí)對柵極圖樣的ONO膜的損害。
文檔編號H01L21/336GK101436545SQ20081017025
公開日2009年5月20日 申請日期2008年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月16日
發(fā)明者宣鍾元 申請人:東部高科股份有限公司