專利名稱：：可變阻抗材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種可變阻抗材料，明確地說涉及一種包含能降低瞬間的高壓對(duì)電子產(chǎn)品造成損害的高導(dǎo)電磁性金屬粉末。
背景技術(shù)：
：集成電路接受外部的電源供應(yīng)與待處理的輸入信號(hào)，并輸出處理后的信號(hào)。明確地說，由于集成電路的輸入端是直接連接于輸入級(jí)開關(guān)的柵極，因而相當(dāng)容易受到損害。當(dāng)集成電路通過手動(dòng)夾持或自動(dòng)設(shè)備而焊接于電路板上時(shí)，易受損害的輸入端及輸出端即可能受到靜電放電而損害。例如，人體可經(jīng)由靜電予以充電后再經(jīng)由輸入端對(duì)半導(dǎo)體元件的集成電路進(jìn)行放電。自動(dòng)組裝機(jī)臺(tái)或測(cè)試機(jī)臺(tái)的工具也可能被充電后再經(jīng)由集成電路的輸入端對(duì)半導(dǎo)體元件的集成電路進(jìn)行放電。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷演進(jìn)，半導(dǎo)體元件的線寬也隨之縮小，對(duì)抗靜電放電的保護(hù)機(jī)制的需求也隨之顯現(xiàn)。集成電路元件大多配置靜電放電(electrostaticdischarge,ESD)保護(hù)機(jī)制以避免過高的輸入電流，例如配置電阻元件于輸入端，從而限制輸入電流。US6，642，297揭示一種可提供過電壓/過電流保護(hù)的組合物，其包含絕緣粘結(jié)劑、摻雜半導(dǎo)性粒子以及導(dǎo)電性粒子。所述組合物在正常操作電壓時(shí)具有高電阻，但在承受瞬時(shí)過電壓事件時(shí)即切換到低電阻狀態(tài)且在所述過電壓瞬時(shí)事件屮限制所述過電壓到較低水平。US6,013，358揭示一種過電壓保護(hù)元件，其使用鉆石鋸在接地導(dǎo)體與另一導(dǎo)體間形成間隙。所述過電壓保護(hù)元件的襯底材料可選自特定陶瓷材料，其密度小于3.8g/cm3US5，068，634揭示一種過電壓保護(hù)元件及材料，其通過將導(dǎo)電粒子均勻地分散于粘結(jié)劑中，使得電壓保護(hù)材料具有非線性的電阻特性。非線性的電阻特性取決于粒子在粘結(jié)劑內(nèi)的間距及粘結(jié)劑的電特性。通過調(diào)整導(dǎo)電粒子的間距，非線性材料的電特性可在一大范圍內(nèi)予以改變。US6，498，715揭示一種堆疊式低電容過電壓保護(hù)元件，包含襯底、設(shè)置于襯底上的導(dǎo)電性下電極、設(shè)置于所述導(dǎo)電性下電極上的電壓敏感材料以及設(shè)置于所述電壓敏感材料上的導(dǎo)電上電極。US6，645，393揭示一種可抑制瞬時(shí)電壓的材料，包含二種均勻混合的粉末，其中一種粉末具有非線性電阻特性，另一種粉末為導(dǎo)電粉末。導(dǎo)電粉末分散于具有非線性電阻特性的粉末屮以降低元件的整體非線性電阻特性，即降低元件的崩潰電壓。除了ESD外，電子元件也極易受電磁輻射的影響，特別是對(duì)數(shù)字計(jì)算裝置的影響更大。數(shù)字計(jì)算裝置中包含非常多以極高速度來開關(guān)及傳輸信號(hào)的晶體管，而其操作的結(jié)果是產(chǎn)生了可觀的電磁輻射量。散逸的電磁輻射可能導(dǎo)致錯(cuò)誤的晶體管開關(guān)狀態(tài)、信號(hào)損壞和數(shù)據(jù)損失。目前有許多可用來保護(hù)電子元件免于受電磁輻射影響的技術(shù)。其中，以金屬制的外殼作為防護(hù)是一種廣為人知的方法，其是通過高導(dǎo)電表面以反射的方式來阻擋電磁輻射。然而，金屬制的外殼不僅昂貴，而且通過反射來達(dá)到防護(hù)的效果常因缺少讓輻射耗散的能力而造成逸漏。歐洲專利公開號(hào)第EP0550373號(hào)揭示一種內(nèi)部中間層的結(jié)構(gòu)，其是以具較高的導(dǎo)磁性及具較低的導(dǎo)電性的材料所制成。在受到電磁輻射的影響時(shí)，所述中間層將吸收大部份的電磁場(chǎng)能量。與高導(dǎo)電材料相比較，高導(dǎo)磁性與低導(dǎo)電性的材料在吸收輻射方面表現(xiàn)出更有效率。高頻的接收與發(fā)射裝置中，靜電與電磁耦合效應(yīng)的產(chǎn)生是常見的。美國(guó)專利US5，565,878揭示一種設(shè)置于玻璃窗片上的環(huán)狀保護(hù)金屬圖樣，其是為在所述環(huán)狀保護(hù)金屬圖樣與玻璃窗片外圍的導(dǎo)電體之間產(chǎn)生強(qiáng)烈靜電與電磁耦合而設(shè)置于玻璃窗片上。美國(guó)專利US6，058，000揭示一種電磁干擾與ESD防護(hù)的方法。所述發(fā)明方法教示以具防護(hù)導(dǎo)體表面的外殼、內(nèi)部防護(hù)導(dǎo)體平面、用于連接所述防護(hù)導(dǎo)體表面與所述防護(hù)導(dǎo)體平面的導(dǎo)體連接器、使電磁信號(hào)得以穿過所述防護(hù)導(dǎo)體平面的信道、濾波電路以及靜電箝位電路等的構(gòu)成來實(shí)現(xiàn)電磁干擾與ESD防護(hù)。電磁防護(hù)的實(shí)現(xiàn)手段則有對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行濾波、將頻寬不符需求的信弓電連接到防護(hù)勢(shì)壘，以及將電壓不符需求的信號(hào)電連接到防護(hù)勢(shì)壘等。而其中，發(fā)明中的防護(hù)導(dǎo)體平面與接地平面在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上是分開的。電磁與ESD防護(hù)的應(yīng)用專利有WO/1996/028951"具靜電放電防護(hù)的植入裝置"。所述專利述及到一小部份的耳蝸裝置失效的情形，而其中，有數(shù)個(gè)裝置內(nèi)的與接收信息有關(guān)的元件受到高壓電擊而損壞。在實(shí)驗(yàn)室中，曾進(jìn)行數(shù)次的相關(guān)實(shí)驗(yàn)，試圖在其它耳蝸裝置上重復(fù)類似的失效情形。明確地說，植入裝置浸泡于仿體液和組織的生理食鹽水中，且其因在高電磁場(chǎng)強(qiáng)度的影響下導(dǎo)致ESD的產(chǎn)生。由此得知，要防護(hù)裝置遭受電擊的破壞，不僅應(yīng)注意到ESD方面的防護(hù)，而且也要注意到電磁場(chǎng)方面的影響商升特公司(SEMTECHCORPORATION)所出版的使用指南SI97-01中，敘述如何使用瞬時(shí)電壓抑制(TransientVoltageSuppression,TVS)元件來保護(hù)裝置不受ESD的損害。所述指南中指出，在同軸連接器的屏蔽上所發(fā)生的靜電放電，會(huì)導(dǎo)致電磁波穿越收發(fā)器電路板接口而到達(dá)電路板上。此電磁波是沿連接所述屏蔽與主機(jī)板接地平面(GroudPlane)之間的導(dǎo)線來傳遞。電路板導(dǎo)線的電感效應(yīng)則會(huì)在碰撞檢測(cè)偵聽(CollisionDetectSense,CDS)接腳上產(chǎn)生高于1.5kV的電壓電位。此等級(jí)的電壓過載會(huì)破壞收發(fā)器芯片的絕緣。同樣地，在導(dǎo)體流動(dòng)的電流脈沖，會(huì)對(duì)電路板上位于其附近的其它元件產(chǎn)生因電磁耦合而發(fā)生的電性瞬變。TVS二極管即是被設(shè)計(jì)用來將此瞬時(shí)電流從受保護(hù)的以太網(wǎng)絡(luò)收發(fā)器分流出來。TVS二極管可同時(shí)抑制過電壓和將瞬時(shí)電流分流。然而，高單價(jià)以及缺乏耗散能力是TVS二極管的主要缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提出一種包含導(dǎo)電粉末、半導(dǎo)體粉末及絕緣粘結(jié)物的可變阻抗材料，其在低施加電壓狀態(tài)呈現(xiàn)高電阻特性，但在高施加電壓狀態(tài)則呈現(xiàn)低電阻特性。本發(fā)明的可變阻抗材料包含導(dǎo)電粉末、半導(dǎo)體粉末及絕緣粘結(jié)物。導(dǎo)電粉末的含量可介于所述可變阻抗材料重量的10%到30%之間，半導(dǎo)體粉末的含量可介于所述可變阻抗材料重量的30%到90%之間，絕緣粘結(jié)物的含量可介于所述可變阻抗材料重量的3%到50%之間。所述可變阻抗材料在低施加電壓狀態(tài)呈現(xiàn)高電阻特性，但在高施加電壓狀態(tài)則呈現(xiàn)低電阻特性。將所述可變阻抗材料設(shè)置于過電壓保護(hù)元件的導(dǎo)體之間的間隙，所述過電壓保護(hù)元件的整體即具有在低施加電壓時(shí)呈現(xiàn)低電阻并在高施加電壓時(shí)則呈現(xiàn)低電阻的電特性。本發(fā)明也提出一種包含高導(dǎo)電磁粉末的可變阻抗材料，其可降低元件的觸發(fā)電壓，并且在低施加電壓狀態(tài)呈現(xiàn)高電阻特性而在高施加電壓狀態(tài)則呈現(xiàn)低電阻特性。本發(fā)明的可變阻抗材料包含高導(dǎo)電磁粉末及絕緣粘結(jié)物。高導(dǎo)電磁粉末的含量可介于所述可變阻抗材料重量的10%到85%之間，絕緣粘結(jié)物的含量可介于所述可變阻抗材料重量的10%到30%之間。在可變阻抗材料中加入包括羰基金屬的粉末(例如羰基鐵粉或羰基鎳粉)不僅能抑制過電壓，且能耗散瞬時(shí)電流。相比傳統(tǒng)靜電放電裝置使用的材料，使用羰基金屬的高導(dǎo)電磁性的金屬粉末能降低元件的觸發(fā)電壓，而且其高導(dǎo)電磁特性也能吸收部份會(huì)造成信號(hào)失真和數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的電磁輻射。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述可變阻抗材料在低施加電壓狀態(tài)呈現(xiàn)高電阻特性，但在高施加電壓狀態(tài)則呈現(xiàn)低電阻特性。通過將所述可變阻抗材料設(shè)置于過電壓保護(hù)元件內(nèi)兩導(dǎo)體之間的間隙，所述過電壓保護(hù)元件的整體即具有在低施加電壓時(shí)呈現(xiàn)高電阻并在高施加電壓時(shí)則呈現(xiàn)低電阻的電特性。上文已經(jīng)概略地?cái)⑹霰景l(fā)明的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，使得下文的本發(fā)明具體實(shí)施方式得以獲得較佳了解。構(gòu)成本發(fā)明的權(quán)利要求書標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可了解，下文揭示的概念與特定實(shí)施例可作為基礎(chǔ)而相當(dāng)輕易地予以修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或工藝而實(shí)現(xiàn)與本發(fā)明相同的目的。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員也應(yīng)可了解，這類等效的建構(gòu)并無法脫離隨附權(quán)利要求書所提出的本發(fā)明的精神和范圍。圖1到圖5例示本發(fā)明第一實(shí)施例的過電壓保護(hù)元件；圖6例示本發(fā)明第二實(shí)施例的過電壓保護(hù)元件；圖7例示過電壓保護(hù)元件與負(fù)載并聯(lián)電路示意圖8是本發(fā)明的可變阻抗材料的電阻與施加電壓的關(guān)系圖9顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的過電壓保護(hù)元件承受瞬時(shí)電壓時(shí)的響應(yīng)；圖10例示本發(fā)明第三實(shí)施例的過電壓保護(hù)元件；以及圖11顯不本發(fā)明的第三實(shí)施例的過電壓保護(hù)元件承受瞬時(shí)電壓時(shí)的響應(yīng)。具體實(shí)施例方式圖1到圖5例示本發(fā)明第一實(shí)施例的過電壓保護(hù)元件10。參考圖l，形成電極結(jié)構(gòu)20于襯底12上，襯底12可由絕緣材料(例如塑料材料)構(gòu)成，也就是說襯底12可為塑料襯底，且具有上表面12A及下表面12B。電極結(jié)構(gòu)20包含第一非矩形導(dǎo)體14、第二非矩形導(dǎo)體16、第一側(cè)邊電極22以及第二側(cè)邊電極24。第一非矩形導(dǎo)體14具有設(shè)置于上表面12A的第一凸部14A，第二非矩形導(dǎo)體16具有設(shè)置于上表面12A的第二凸部16A，第一側(cè)邊電極22設(shè)置于襯底12的一側(cè)邊且連接于第一非矩形導(dǎo)體14，第二側(cè)邊電極24設(shè)置于襯底12的另一側(cè)邊且連接于第二非矩形導(dǎo)體16。此外，電極結(jié)構(gòu)20另包含第一導(dǎo)電件22'及第二導(dǎo)電件24'，其可為電鍍金屬層或?qū)щ娡?。第一?dǎo)電件22'夾設(shè)于襯底12與第一側(cè)邊電極22之間，第二導(dǎo)電件24'夾設(shè)于襯底12與第二側(cè)邊電極24之間。優(yōu)選地，第一凸部14A與第二凸部16A中的一者是錐狀凸部，其具有漸縮的寬度。第二凸部16A面向第一凸部14A以形成介于二者之間的放電通路18。優(yōu)選地，第一非矩形導(dǎo)體14與第二非矩形導(dǎo)體16是呈梯形且以鏡相方式設(shè)置于襯底12上。明確地說，第一非矩形導(dǎo)體14的外形可不同于第二非矩形導(dǎo)體16。第一凸部MA具有第一平緣14B，第二凸部16A具有第二平緣16B，且第二平緣16B面向第一平緣14B。參考圖2，其是圖1的電極結(jié)構(gòu)20的剖示圖。第一凸部14A與第二凸部16A的上端的寬度大于中段的寬度，也就是說第一凸部14A與第二凸部16A具有非均勻的厚度。l大J此，相比中段處，第一凸部14A與第二凸部16A在上端處彼此較靠近，因此放電通路18形成于第一凸部14A上端與第二凸部16A上端之間。參考圖3，可變阻抗材料26形成于第一凸部14A與第二凸部16A之間?？勺冏杩共牧?6可包含導(dǎo)電粉末、半導(dǎo)體粉末及絕緣粘結(jié)物。導(dǎo)電粉末的含量可介于可變阻抗材料重量的10%到30%之間，半導(dǎo)體粉末的含量可介于可變阻抗材料重量的30%到90%之間，絕緣粘結(jié)物的含量可介于可變阻抗材料重量的3%到50%之間。優(yōu)選地，導(dǎo)電粉末可選自由鋁、銀、鈀、鉑、金、鎳、銅、鎢、鉻、鐵、鋅、鈦、鈮、鉬、釕、鉛及銥組成的群組中的一者，半導(dǎo)體粉末可包含氧化鋅或碳化硅，絕緣粘結(jié)物包含環(huán)氧樹脂或硅膠。此外，可變阻抗材料26可另包含絕緣粉末，其含量介于可變阻抗材料重量的10%到60%之間，其中絕緣粉末可包含金屬氧化物，例如氧化鋁或氧化鋯。參考圖4及圖5，放電保護(hù)層30覆蓋可變阻抗材料26，且絕緣層32覆蓋放電保護(hù)層30。優(yōu)選地，放電保護(hù)層30可包含無機(jī)絕緣材料及有機(jī)絕緣材料，其中無機(jī)絕緣材料可包含金屬氧化物，而有機(jī)絕緣材料可包含環(huán)氧樹脂或硅膠。絕緣層32可包含無機(jī)絕緣材料及有機(jī)絕緣材料，其中無機(jī)絕緣材料包含金屬氧化物，而有機(jī)絕緣材料包含環(huán)氧樹脂或硅膠。圖6例示本發(fā)明第二實(shí)施例的過電壓保護(hù)元件10'。相比圖5所示的過電壓保護(hù)元件10，圖6的過電壓保護(hù)元件10'另包含至少一個(gè)設(shè)置于下表面12B的對(duì)位區(qū)塊34。當(dāng)過電壓保護(hù)元件10'要附著于電路板上時(shí)，對(duì)位區(qū)塊34即可用以對(duì)準(zhǔn)電路板上的另一對(duì)位區(qū)塊。此外，對(duì)位區(qū)塊34并未電連接于過電流保護(hù)元件10'的導(dǎo)電元件，且對(duì)位區(qū)塊34也可予以選擇性地設(shè)計(jì)為二個(gè)或兩個(gè)以上。圖7例示過電壓保護(hù)元件10與負(fù)載44的并聯(lián)電路40。將過電壓保護(hù)元件10與負(fù)載44并聯(lián)，當(dāng)高瞬時(shí)電壓42施加于過電壓保護(hù)元件10時(shí)，過電壓保護(hù)元件10可切換到低電阻狀態(tài)且將瞬時(shí)電壓42限縮到低電壓值。也就是說，并聯(lián)于過電壓保護(hù)元件10的負(fù)載44將承受限縮后的瞬時(shí)電壓。圖8是本發(fā)明的PJ"變阻抗材料26的電阻與施加電壓的關(guān)系圖。可變阻抗材料26在低施加電壓狀態(tài)呈現(xiàn)高電阻特性，但在高施加電壓狀態(tài)則呈現(xiàn)低電阻特性。通過將可變阻抗材料26設(shè)置于第一非矩形導(dǎo)體14與第二非矩形導(dǎo)體16的間隙，過電壓保護(hù)元件IO的整體即具有在低施加電壓時(shí)呈現(xiàn)低電阻并在高施加電壓時(shí)則呈現(xiàn)低電阻的電特性圖9顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的過電壓保護(hù)元件10承受瞬時(shí)電壓42時(shí)的響應(yīng)。參考圖7與圖9，在過電壓保護(hù)元件10與負(fù)載44并聯(lián)的情況下，當(dāng)1900伏的瞬時(shí)電壓42施加于過電壓保護(hù)元件10的第一非矩形導(dǎo)體14與第二非矩形導(dǎo)體16時(shí)，過電壓保護(hù)元件IO切換到低電阻狀態(tài)且將1900伏的瞬時(shí)電壓42限縮約為518伏。也就是說，并聯(lián)于過電壓保護(hù)元件10的負(fù)載44將承受限縮后約為518伏的瞬時(shí)電壓，而不是承受1900伏的瞬時(shí)電壓42。常規(guī)過電壓保護(hù)元件均采用二個(gè)等寬且以間隙予以分隔的導(dǎo)體，因此常規(guī)過電壓保護(hù)元件的放電通路位置無法預(yù)測(cè)。相對(duì)地，本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件10具有二個(gè)非矩形導(dǎo)體14、16，且二個(gè)非矩形導(dǎo)體14、16的凸部14A、16A彼此相向，因此二個(gè)非矩形導(dǎo)體14、16的間距并非均勻一致。明確地說，二個(gè)非矩形導(dǎo)體14、16的間隙在其凸部14A、16A位置的寬度比其它位置窄，因此放電通路即設(shè)計(jì)于凸部14A、16A位置，且可變阻抗材料26覆蓋凸部14A、16A。圖10例示本發(fā)明第三實(shí)施例的過電壓保護(hù)元件10"。過電壓保護(hù)元件10"包含襯底12及設(shè)置于襯底12上的第一導(dǎo)體52與第二導(dǎo)體54，且第一導(dǎo)體52及第二導(dǎo)體54之間是以間隙56予以分隔，而可變阻抗材料26'置于間隙56。另外需要說明的是，第一導(dǎo)體52及第二導(dǎo)體54可為任何形狀而仍不背離本發(fā)明所揭露的范圍。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可變阻抗材料26'可包含高導(dǎo)電磁粉末及絕緣粘結(jié)物。高導(dǎo)電磁粉末的含量可介于可變阻抗材料重量的10%到90%之間，其含量?jī)?yōu)選為可變阻抗材料重量的20%到86%之間；絕緣粘結(jié)物的含量可介于可變阻抗材料重量的10%到90%之間，其含量?jī)?yōu)選為可變阻抗材料重量的14%到80%之間。圖11顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例的過電壓保護(hù)元件10"承受瞬時(shí)電壓42時(shí)的響應(yīng)。參考圖7與圖10，將圖7的過電壓保護(hù)元件10以電壓保護(hù)元件10"置換后進(jìn)行測(cè)試可發(fā)現(xiàn)，當(dāng)2000伏的瞬時(shí)電壓42施加于過電壓保護(hù)元件10"的第一導(dǎo)體52并將第一導(dǎo)體54接地時(shí)，過電壓保護(hù)元件10"切換到低電阻狀態(tài)并將2000伏的瞬時(shí)電壓42限縮到約為307伏的觸發(fā)電壓。也就是說，并聯(lián)于過電壓保護(hù)元件10"的負(fù)載44將承受限縮后約為307伏的瞬時(shí)電壓，而不是承受2000伏的瞬時(shí)電壓42。在本發(fā)明的實(shí)施例中，高導(dǎo)電磁粉末包含羰基配體(CarbonylLigand)。例如，高導(dǎo)電磁粉末包括羰基金屬粉末(CarbonylMetal)，而其可包含例如羰基鐵粉(CarbonylIron)、羰基鎳粉(CarbonylNickel)或羰基鎳鈷合金粉末(CarbonylNickel/CobaltAlloy)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，絕緣粘結(jié)物包含環(huán)氧樹脂或硅膠。下列表I顯示不同混合比例的可變阻抗材料26'的范例表I:范例編號(hào)導(dǎo)電磁粉末絕緣粘結(jié)物觸發(fā)電壓范例l86%14%353V范例270%30%500V范例350%50%600V范例420%■1157V上述范例所使用的導(dǎo)電磁粉末為巴斯夫(BASF)公司所生產(chǎn)的羰基金屬的羰基鐵粉(CarbonylIronPower;CIP)，其型號(hào)為enpulverSW-S，而上述范例所使用的絕緣粘結(jié)物為喬越實(shí)業(yè)有限公司(SIL-MOREINDUSTRIALLTD)所制造的硅膠，其型號(hào)為SLR9530A&B。觸發(fā)電壓則以三起(SANKI)所生產(chǎn)的靜電放電發(fā)生器(型號(hào)ESD-8012A)進(jìn)行試驗(yàn)，其試驗(yàn)條件ESD-8012A輸出電壓為2kV、INT.90、放電30次。范例1到范例4均顯示，可變阻抗材料26'中加入以一定比例內(nèi)混合的羰基鐵粉及絕緣粘結(jié)物后，可將觸發(fā)電壓限縮于ESD保護(hù)上限電壓的1200伏下。表I中顯不，導(dǎo)電磁粉末的含量變化從20%到86%而仍能將觸發(fā)電壓限縮在1200伏下。由此可推論，導(dǎo)電磁粉末的適當(dāng)含量可介于10%到90%之間。此外，表1中絕緣粘結(jié)物的含量變化從14%到80%而仍能將觸發(fā)電壓限縮在1200伏下，由此也可推論絕緣粘結(jié)物的適當(dāng)含量水平可介于10%到90%之間。9頁在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，可變阻抗材料26'另包含半導(dǎo)體粉末。半導(dǎo)體粉末包含氧化鋅或碳化硅。半導(dǎo)體粉末的含量可介于可變阻抗材料重量的0.001%到10%之間，其含量以介于可變阻抗材料重量的0.001%到8%的為優(yōu)選，而含量以介于可變阻抗材料重量的1%到6.5%的為較優(yōu)選。下列表II即顯示不同混合比例的可變阻抗材料26'的范例表II:<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>此實(shí)施例是將半導(dǎo)體粉末(例如氧化鋅)混入羰基鐵粉與硅膠聚合物的混合物中。表11中顯示氧化鋅的含量介于1.00%到6.20%之間，而仍能限縮觸發(fā)電壓于1200伏下。據(jù)此可推論，氧化鋅的合適含量為0.001%到10%之間。在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，可變阻抗材料26'另包含絕緣粉末。絕緣粉末包含金屬氧化物，其可為如氧化鋁或氧化鋯。絕緣粉末的含量可介于可變阻抗材料重量的0.001%到10%之間，其含量以介于可變阻抗材料重量的0.001%到8%的為優(yōu)選，而含量以介于可變阻抗材料重量的1%到6%的為較優(yōu)選。下列表III即顯示不同混合比例的可變阻抗材料26'的范例表III:<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>此實(shí)施例是將絕緣粉末(例如三氧化二鋁)混入羰基鐵粉與硅膠聚合物的混合物中。表111中顯示三氧化二鋁的含量介于1.00%到6.00%之間，而此仍能限縮觸發(fā)電壓于1200伏下。據(jù)此可推論，三氧化二鋁的合適含量為0.001%到10%之間。再者，于此混合物中，可變阻抗材料26'可包含氧化鋅或碳化硅等半導(dǎo)體粉末，其含量可占可變阻抗材料重量的0.001%到10%之間。高導(dǎo)電磁粉末包含至少一種元素是選自由鎳、鈷、鐵、鋁和釹組成的群組，所述元素和有機(jī)官能團(tuán)(如羰基、硅氧烷、胺基等)形成化合物。明確地說，卨導(dǎo)電磁粉末是選自羰基鐵粉、羰基鎳粉或羰基鎳鈷合金粉末等。而其中，羰基鐵粉(CIP)特別地被選為研究之用。半導(dǎo)體粉末包含氧化鋅或碳化硅，而絕緣粘結(jié)物包含環(huán)氧樹脂或硅膠。此外，可變阻抗材料26'更可包含氧化鋁或氧化鋯等的絕緣粉末。在可變阻抗材料26'中加入包括羰基金屬粉末(如羰基鐵粉或羰基鎳粉)不僅能抑制過電壓，且能耗散瞬時(shí)電流。與常規(guī)靜電放電裝置不同之處在于以羰基金屬的相對(duì)高的導(dǎo)電磁金屬粉末能降低元件的觸發(fā)電壓。髙導(dǎo)電磁特性也能吸收會(huì)造成信號(hào)損壞和數(shù)據(jù)損失的電磁輻射。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本發(fā)明的教示及揭示而作種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為以下權(quán)利要求書所涵蓋。權(quán)利要求1、一種可變阻抗材料，其特征在于包含導(dǎo)電粉末，其含量介于所述可變阻抗材料重量的10％到30％之間；半導(dǎo)體粉末，其含量介于所述可變阻抗材料重量的30％到90％之間；以及絕緣粘結(jié)物，其含量介于所述可變阻抗材料重量的3％到50％之間。2、如權(quán)利要求l所述的可變阻抗材料，其特征在于所述導(dǎo)電粉末的材質(zhì)選自由鋁、銀、鈀、鉑、金、鎳、銅、鎢、鉻、鐵、鋅、鈦、鈮、鉬、釕、鉛及銥組成的群組中的-一者。3、如權(quán)利要求l所述的可變阻抗材料，其特征在于所述半導(dǎo)體粉末包含氧化鋅或碳化硅。4、如權(quán)利要求l所述的可變阻抗材料，其特征在于所述絕緣粘結(jié)物包含環(huán)氧樹脂或硅膠。5、如權(quán)利要求l所述的可變阻抗材料，其特征在于另包含絕緣粉末，其含量介于所述可變阻抗材料重量的10%到60%之間。6、如權(quán)利要求5所述的可變阻抗材料，其特征在于所述絕緣粉末包含金屬氧化物。7、如權(quán)利要求6所述的可變阻抗材料，其特征在于所述金屬氧化物是氧化鋁或氧化鋯。8、一種可變阻抗材料，其特征在于包含高導(dǎo)電磁粉末，其含量介于所述可變阻抗材料重量的10%到90%之間；以及絕緣粘結(jié)物，其含量介于所述可變阻抗材料重量的10%到90%之間。9、如權(quán)利要求8所述的可變阻抗材料，其中所述高導(dǎo)電磁粉末包含羰基配體。10、如權(quán)利要求8所述的可變阻抗材料，其特征在于所述高導(dǎo)電磁粉末包含羰基金屬粉末。11、如權(quán)利要求8所述的可變阻抗材料，其特征在于所述高導(dǎo)電磁粉末包含羰基鐵粉、羰基鎳粉或羰基鎳鈷合金粉末。12、如權(quán)利要求8所述的可變阻抗材料，其特征在于所述絕緣粘結(jié)物包含環(huán)氧樹脂或硅膠。13、如權(quán)利要求8所述的可變阻抗材料，其特征在于另包含半導(dǎo)體粉末。14、如權(quán)利要求13所述的可變阻抗材料，其特征在于所述半導(dǎo)體粉末的含量介于所述可變阻抗材料重量的0.001%到10%之間。15、如權(quán)利要求13所述的可變阻抗材料，其特征在于所述半導(dǎo)體粉末包含氧化鋅或碳化硅。16、如權(quán)利要求8所述的可變阻抗材料，其特征在于另包含絕緣粉末，其含量介于所述可變阻抗材料重量的0.001%到10%之間。17、如權(quán)利要求16所述的可變阻抗材料，物。18、如權(quán)利要求16所述的可變阻抗材料,氧化鋯。19、如權(quán)利要求16所述的可變阻抗材料，20、如權(quán)利要求19所述的可變阻抗材料，所述可變阻抗材料重量的0.001%到10%之間。21、如權(quán)利要求19所述的可變阻抗材料，或碳化硅。其特征在于所述絕緣粉末包含金屬氧化其特征在于所述金屬氧化物是氧化鋁或其特征在于另包含半導(dǎo)體粉末。其特征在于所述半導(dǎo)體粉末的含量介于其特征在于所述半導(dǎo)體粉末包含氧化鋅全文摘要一種可變阻抗材料包含高導(dǎo)電磁粉末及絕緣粘結(jié)物。高導(dǎo)電磁粉末的含量可介于所述可變阻抗材料重量的10％到85％之間，絕緣粘結(jié)物的含量可介于所述可變阻抗材料重量的10％到30％之間。將包括羰基金屬的粉末(如羰基鐵粉或羰基鎳粉)加入可變阻抗材料中，不僅能抑制過電壓，且能耗散瞬時(shí)電流。相比傳統(tǒng)靜電放電保護(hù)裝置使用的材料，使用羰基金屬的高導(dǎo)電磁性的金屬粉末能減少放電并降低元件的觸發(fā)電壓，且其高導(dǎo)電磁特性也能吸收會(huì)造成信號(hào)損壞和數(shù)據(jù)損失的電磁輻射。文檔編號(hào)H01C7/00GK101527195SQ20081017022公開日2009年9月9日申請(qǐng)日期2008年10月14日優(yōu)先權(quán)日2008年3月6日發(fā)明者余錦漢,王紹裘,蔡?hào)|成,陳葆萱申請(qǐng)人:聚鼎科技股份有限公司