形成lcd驅(qū)動ic的r串中的多晶硅圖樣的方法及其結(jié)構的制作方法

文檔序號：6900974閱讀：262來源：國知局

專利名稱：形成lcd驅(qū)動ic的r串中的多晶硅圖樣的方法及其結(jié)構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(在下文中，稱作LCD)的驅(qū)動單元，更具體地，本發(fā)明涉及一種形成多晶石圭圖樣以防止塊才莫糊現(xiàn)象 (block dim phenomenon )的方法，該多晶石圭圖才羊能夠4吏LCD驅(qū)動 IC (LDI)中的電阻值的變化最小化。
背景技術：
液晶顯示器(LCD)根據(jù)圖像信號控制液晶的光透射率 (transmittance )以顯示圖 <象。LCD可以包括LCD面4反(panel )、馬區(qū)動電3各單元和背光單元(back light unit )。 LCDs可以-故用作顯示器件，諸如筆記本電腦、計算機監(jiān)視器和諸如電視的各種家用電器 (home appliances )。在LCD面板中，薄膜晶體管陣列和濾色器襯底(color filter substrate )以均勻的間距4皮此隔離，在薄膜晶體管陣列和濾色器4十底之間注入液晶，并且將4及〗匕的平才反(polarizing plates )連接到面板的兩側(cè)。將多路(multi-channel)輸出LCD驅(qū)動集成電路(LDI)用作LCD面板的信號布線(signal wiring line )以便可以容易地提供信號。如實例圖1中所示，在LCD面^反102上和/或上方形成多個LDI 芯片100,這些LDI芯片負責屏幕不同的部分?？梢詫⒁恍㎜DI芯片用在面板中。LDI芯片100具有R串(R-string)結(jié)構，在該R 串結(jié)構中連接了多個電阻器，通過多個電阻器降低了電源電壓 (power source voltage ),并選才奪與凄史字圖係3言息的比凈爭^直相只于應的電壓施力o纟會寸象素。
如實例圖2中所示，在R串結(jié)構中，通過寬多晶；圭圖樣200中的4元石圭4b物阻擋區(qū)(silicide匿anti blocking area)(在下文中，-爾4乍 SAB )圖樣202的尺寸來控制形成在多晶石圭圖樣200上和/或上方的硅化物的區(qū)域以便控制電阻和輸出電壓。然而，在圖樣化處理中，圖樣的臨界尺寸(critical dimension ) ( CD )的變化可能出現(xiàn)在曝光工藝(exposure process )中，這導至丈改變了電阻4直。例3口，在曝光工藝的過程中，如果形成在上部中的SAB圖樣202的CD變得比形成在下部中的SAB圖才羊202的CD小，則減小了占才居大部分電阻的非硅化物多晶硅區(qū)(un-silicide poly area ) /人而減小了電阻。因此，在SAB圖樣的尺寸彼此不同的LDI芯片中電阻的大小;波此不同。結(jié)果，在R串結(jié)構中產(chǎn)生了輸出電壓的差異以致LDI芯片的操作特寸生(operation characteristics ) ^皮jt匕不同。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例涉及一種液晶顯示器(LCD)的驅(qū)動單元，更具體地，本發(fā)明實施例涉及一種形成多晶硅圖樣以防止塊模糊現(xiàn)象的方法，該多晶硅圖樣使LCD驅(qū)動IC (LDI)中的電阻值的變化最小化，在上述塊模糊現(xiàn)象中，由于多晶硅圖樣尺寸的差異，根據(jù) 電阻值的變化產(chǎn)生了灰度(graylevel)的差異，在該多晶硅圖樣中， LDI芯片的R串結(jié)構中沒有實施石圭化物阻擋。本發(fā)明的實施例涉及一種形成多晶硅圖樣的方法，在該多晶硅
圖樣中，在LDI芯片的R串圖樣中作為電阻器才喿作(operate )的H 形多晶石圭圖樣包4舌在垂直方向上縱向形成的多晶石圭區(qū)和用于〗夸多晶硅區(qū)彼此連接的多晶硅線(poly line )，以便在R串圖樣及其結(jié)構中使電阻值的變化最小化。
本發(fā)明的實施例涉及一種形成用于使LCD面板驅(qū)動IC ( LDI) 的R串圖樣中的電阻值的變化最小化的多晶硅圖樣的方法，該方法可以包括至少如下步驟之一在半導體襯底上和/或上方沉積用作R 串結(jié)構中的電阻器的多晶硅層；通過曝光和蝕刻工藝將多晶硅層圖 -洋化成H形形狀；在H形多晶石圭層上形成用于石圭化物阻擋(silicide blocking)的SAB圖樣層；以及然后，通過曝光和蝕刻工藝圖才羊化 SAB圖樣層以在H形多晶石圭層上包括多晶石圭線。
本發(fā)明的實施例涉及一種形成用于使LCD面板驅(qū)動IC ( LDI) 的R串圖樣中電阻值的變化最小化的多晶硅圖樣的方法，該方法可以包括至少如下步驟之一在半導體襯底上方沉積用作R串結(jié)構中的電阻器的多晶硅層；形成具有互連的H形橫截面的多晶硅層圖樣；在多晶硅層圖樣上方形成抗硅化物阻擋區(qū)(SAB)層并圖樣化該SAB層以乂人而在部分多晶石圭層圖沖羊上方形成SAB層圖才羊而暴露多晶硅層圖樣的其他部分；以及然后，在多晶硅層圖樣所暴露的部分的上方形成石圭化物層。
本發(fā)明的實施例涉及LCD面板驅(qū)動IC (LDI)的R串圖樣中的多晶硅圖樣結(jié)構，該多晶硅圖樣結(jié)構可以包括至少以下之一形成在半導體襯底上和/或上方用作R串圖樣中的電阻器的H形多晶
硅層；以及形成在部分H形多晶硅層上和/或上方包括硅化物阻擋區(qū)的SAB圖才羊?qū)?。本發(fā)明的實施例涉及LCD面板驅(qū)動IC (LDI)的R串圖樣中的多晶硅圖樣結(jié)構，該多晶硅圖樣結(jié)構包括至少以下之一形成在半導體襯底上方具有互連的H形橫截面的多晶硅層圖樣，其中多晶硅層用作R串圖樣中的電阻器；形成在部分多晶硅層圖樣上方而暴露多晶石圭層圖樣的其他部分的抗硅化物阻擋區(qū)(SAB)層圖樣；以及形成在多晶硅層圖樣所暴露的部分上方的硅化物層。
本發(fā)明的實施例涉及一種方法，該方法可以包括至少如下步驟之一在半導體襯底上方形成多晶娃圖樣，該多晶硅圖樣包括彼此隔離的第一多晶硅圖樣部分和分別形成在第一多晶硅圖樣部分之間的間隔中用于將第一多晶硅圖樣部分4皮此連4妄的第二多晶石圭圖樣部分；在包括多晶硅層圖樣的半導體襯底的整個表面上方形成絕緣層并圖樣化該絕緣層以完全覆蓋第二多晶石圭圖樣部分而暴露部分第一多晶硅圖樣部分；以及然后，在第一多晶硅圖樣部分所暴露的部分上方形成石圭^4勿層。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，H形多晶硅圖樣包括在垂直方向上縱向形成的寬多晶硅區(qū)和用于將多晶硅區(qū)彼此相連的多晶硅線，形成存儲受控的SAB圖樣(storage controlled SAB pattern )以1更H形多晶硅圖樣包括多晶硅線。因此，雖然由于在工藝中引起的問題減小了 SAB圖樣的尺寸，但是占據(jù)大部分電阻的多晶硅線并沒有改變以致完全地減小了電阻的變化。這意p未著，在SAB層不存在以〗更形成珪化物層的多晶硅區(qū)中，雖然SAB層的CD變化了，但是由于在占據(jù)大部分電阻的多晶硅線中非硅化物多晶硅(unsilicide poly )的區(qū) 域沒有變化，所以使電阻的變化最小化。

實例圖1和圖2示出了形成在LCD面^反上和/或上方的LCD面板驅(qū)動IC (LDI)芯片和形成在LDI的R串圖樣中的多晶硅圖樣。實例圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例用于使LDI的R串圖樣中的輸出電壓的差異最小化的多晶硅圖樣。
具體實施例方式
才艮據(jù)本發(fā)明的實施例，在形成包含具有H形橫截面的互連圖樣的多晶硅圖樣以包括在垂直方向上縱向形成的寬多晶硅區(qū)和用于將多晶硅區(qū)彼此連接的多晶硅線之后，形成存儲受控的SAB圖樣以便H形多晶硅圖樣包括多晶硅線，其中多晶硅圖樣在LDI芯片的 R串圖樣中作為電阻器操作。因此，雖然由于在工藝中引起的問題減小了 SAB的尺寸，^f旦是在垂直方向上《從向形成的多晶石圭區(qū)中非硅化物多晶硅區(qū)的減小相對較小。
如實例圖3中所示，才艮據(jù)本發(fā)明的實施例，在R串圖樣中作為電阻器操作的多晶硅圖樣不是形成為寬多晶硅圖樣，而是由形成在半導體襯底上和/或上方的具有互連的H形橫截面的多晶硅圖樣300 形成的。根據(jù)本發(fā)明的實施例，多晶硅圖樣300包括在垂直方向上纟從向延伸的多晶石圭區(qū)300a和用于3尋多晶石圭區(qū)300a^皮jt匕連^妄的多晶硅線300b。當SAB圖樣302的尺寸變化時，這樣的設計用來使電阻的變化最小化。這意p木著，在涂覆多晶石圭層以用作電阻器之后，通過曝光和蝕刻工藝來圖樣化所涂覆的多晶石圭以/人而形成具有互連的H形橫截面的多晶硅圖樣300，其中具有互連的H形橫截面的多晶硅圖樣300包括矩形寬多晶硅區(qū)300a和用于將多晶硅區(qū)300a -波此相連的多晶石圭線300b。優(yōu)選地，多晶石圭區(qū)300a的厚度比多晶硅線300b的寬度長兩倍到三倍。
在半導體襯底上和/或上方形成多晶硅圖樣300之后，在包括多晶硅圖樣300的半導體襯底的整個表面上和/或上方形成SAB層 302。然后，使用曝光(exposing)和蝕刻工藝來圖樣化SAB層302 以便SAB層圖樣302覆蓋多晶硅圖樣300的多晶硅線300b而暴露部分多晶硅區(qū)300a，其中SAB層302可以由氧化層和氮化層中的一種形成。在沉積諸如鈥(Ti)和鈷(Co)之一的金屬層之后，實施熱處理工藝以^使多晶硅圖樣300所暴露的部分具有形成在其上和 /或其上方的硅化物層。因此，當如上述形成多晶硅圖樣300時，由于在工藝過程中引起的問題，當形成在多晶硅圖樣300上和/或上方的SAB圖樣302的臨界尺寸(CD)很小時，電阻可能改變。實例
多晶硅圖樣300上和/或上方的SAB圖樣302的CD比正常情況下的小。由于減小了 SAB圖樣302的CD的尺寸，所以增加了具有石圭化物層的多晶硅圖樣300的區(qū)域以致減小了電阻。然而，在多晶硅圖樣300中，由于由多晶硅圖樣300產(chǎn)生的大部分電阻由多晶硅線 300b產(chǎn)生，所以與多晶石圭區(qū)300a中的非石圭4匕物多晶石圭區(qū)的減小相一致的電阻的減小被最小化。而且，根據(jù)本發(fā)明的實施例，如實例圖3中所示，在多晶硅圖樣300中，增加多晶硅區(qū)300a的厚度以防止由多晶石圭線300b引起的整個電阻的增加并均一地保持整個多晶硅圖樣300的電阻。
如根據(jù)本發(fā)明的實施例所描述的，在形成用于使LCD面板驅(qū) 動IC (LDI)的R串圖樣中的存儲值(storage value )的變化最小化的多晶硅圖樣的方法中，在LDI芯片的R串圖樣中作為電阻器操作的H形多晶石圭圖樣:故形成以包括在垂直方向上縱向延伸的多晶石圭區(qū)和用于將多晶硅區(qū)彼此連接的多晶硅線，然后，形成存儲受控的 SAB圖樣以便H形多晶硅圖樣包括多晶硅線。因此，，雖然由于工藝過程中引起的問題減小了 SAB圖樣的尺寸，但是占據(jù)大部分電阻的多晶石圭線并沒有變化，以致完全減小了電阻的變化。這意p木著，在SAB層不存在以便形成硅化物層的多晶硅區(qū)中，雖然SAB層的 CD變化了，但是由于在占據(jù)大部分電阻的多晶硅線中的非硅化物多晶硅的區(qū)域并沒有變化，所以使電阻的改變最小化。盡管這里已經(jīng)對本發(fā)明進4于了描述，^f旦是應該理解，本領域4支術人員可以想到多種其他修改和實施例，他們都將落入本公開的原則的精神和范圍內(nèi)。更特別地，在本公開、附圖、以及所附權利要求的范圍內(nèi)，可以在主題結(jié)合排列的排列方式和/或組成部分方面進行各種修改和改變。除了組成部分和/或排列方面的修改和改變以外，可選的4吏用對本領域才支術人員來i兌也是顯而易見的。
權利要求
1.一種在LCD面板驅(qū)動IC(LDI)中形成多晶硅圖樣的方法包括在半導體襯底上方沉積用作R串結(jié)構中的電阻器的多晶硅層；形成具有互連的H形橫截面的多晶硅層圖樣；在所述多晶硅層圖樣上方形成抗硅化物阻擋區(qū)(SAB)層，然后圖樣化所述SAB層以從而在部分所述多晶硅層圖樣的上方形成SAB層圖樣而暴露所述多晶硅層圖樣的其他部分；以及然后在所述多晶硅層圖樣的所述暴露部分上方形成硅化物層。
2. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，形成所述多晶硅層圖樣包括形成多個第一多晶硅層圖樣部分，每個所述第一多晶硅層圖樣部分都具有比其寬度大的厚度；以及形成多個用于將所述第一多晶硅層圖樣部分彼此連接的第二多晶硅層圖樣部分。
3. 4艮據(jù)^又利要求2所述的方法，其中，形成所述SAB層圖沖羊以便完全覆蓋所述第二多晶硅層圖樣部分。
4. 根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述多晶硅層圖樣的厚度在大約比所述第二多晶硅層圖樣的寬度大大約兩倍到三倍之間的范圍內(nèi)。
5. 根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述SAB層包括氧化層和氮化層中的一種。
6. 根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，形成所述硅化物層包括至少在所述多晶石圭層圖樣的暴露部分上方沉積金屬層；以及然后在所述金屬層上實施熱處理工藝。
7. —種在LCD面板驅(qū)動IC ( LDI)的R串圖樣中的多晶石圭圖樣，所述多晶硅圖樣包括多晶硅層圖樣，形成在半導體襯底上方并具有互連的H 形橫截面，其中，在所述R串圖樣中所述多晶硅層用作電阻器?？故缁镒钃鯀^(qū)(SAB)層圖樣，形成在部分所述多晶硅層圖樣的上方而暴露所述多晶硅層圖樣的其他部分；以及硅化物層，形成在所述多晶A圭層圖樣的所述暴露部分上方。
8. 根據(jù)權利要求7所述的多晶硅圖樣，其中，所述多晶硅層圖樣包括多個第一多晶硅層圖樣部分，每個所述第一多晶硅層圖樣部分都具有比其寬度大的厚度；以及多個第二多晶硅層圖樣部分，用于將所述第一多晶硅層圖樣部分彼此連接。
9. 根據(jù)權利要求7所述的多晶硅圖樣，其中，形成所述SAB圖樣層以覆蓋所述第二多晶硅層圖樣部分，以及其中在所述第一多晶石圭層圖樣部分的所述暴露部分上方形成所述石圭化物層。
10. 根據(jù)權利要求7所述的多晶硅圖樣，其中，所述多晶硅層圖樣的厚度在比所述第二多晶硅層圖樣的所述寬度長大約兩倍到三4咅之間的范圍內(nèi)。
11. 一種方法，包4舌在半導體襯底上方形成多晶硅圖樣，所述多晶硅圖樣包括-波此隔離的第一多晶石圭圖樣部分和分別形成在所述第一多晶硅圖樣部分之間的間隔中用于將所述第一多晶硅圖樣部分彼此連接的第二多晶硅圖樣部分；在包括所述多晶硅層圖樣的所述半導體襯底的整個表面上方形成絕緣層，然后，圖樣化所述絕緣層以完全覆蓋所述第二多晶硅圖樣部分而暴露部分所述第一多晶硅圖樣部分；以及然后在所述第一多晶石圭圖樣部分的所述暴露部分上方形成石圭化物層。
12. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述多晶硅圖樣在LCD 面板驅(qū)動IC (LDI)的R串圖樣中用作電阻器。
13. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述第一多晶硅圖樣部分具有相同的全部區(qū)i或。
14. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述第一多晶硅圖樣部分具有第一厚度，所述第二多晶硅圖樣部分具有第一寬度，而所述第一厚度在比所述第一寬度大大約兩倍到三倍之間的范圍內(nèi)。
15. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述絕緣層包括氧化層。
16. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述絕緣層包括氮化層。
17. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，形成所述硅化物層包括在所述絕緣層上方沉積金屬層；以及然后在所述金屬層上實施熱處理工藝。
18. 根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，所述金屬層包括鈦(Ti)。
19. 根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，所述金屬層包括鈷(Co )。
20. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述多晶硅層圖樣形成具有互連的H形一黃截面。
全文摘要
一種形成用于使LCD面板驅(qū)動IC(LDI)的R串圖樣中存儲值的變化最小化的多晶硅圖樣的方法，該方法包括在半導體襯底上方沉積用作R串結(jié)構中的電阻器的多晶硅層；形成具有互連的H形橫截面的多晶硅層圖樣；在多晶硅層圖樣上方形成抗硅化物阻擋區(qū)(SAB)層并圖樣化SAB層以從而在部分多晶硅層圖樣上方形成SAB層圖樣而暴露多晶硅層圖樣的其他部分；以及然后在多晶硅層圖樣所暴露的部分上方形成硅化物層。因此，雖然由于工藝步驟中引起的問題減小了SAB圖樣的尺寸，但是占據(jù)大部分電阻的多晶硅線并沒有變化，以致完全減小了電阻的變化。
文檔編號H01L27/08GK101409260SQ20081016748
公開日2009年4月15日申請日期2008年10月10日優(yōu)先權日2007年10月12日
發(fā)明者金炳昊申請人:東部高科股份有限公司

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