專(zhuān)利名稱(chēng)：：電解電容的制造方法以及電解電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種電解電容，更具體地涉及一種在具有陽(yáng)極箔和陰極箔的電容元件內(nèi)形成了導(dǎo)電性固體層的電解電容。
背景技術(shù)：
：伴隨著電子機(jī)械的數(shù)字化，對(duì)其中使用的電容，越來(lái)越要求為小型、大容量且高頻率范圍下的較小等效串聯(lián)電阻(以下稱(chēng)為ESR)的電容。為了降低高頻率范圍的ESR，由作為電解質(zhì)比以往的驅(qū)動(dòng)用電解液具有更高電導(dǎo)度的聚吡咯、聚噻吩或它們的衍生物形成的導(dǎo)電性高分子等的電傳導(dǎo)性材料用作陰極材料的固體電解電容(例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)l)己被知曉。另外，為了對(duì)應(yīng)于大容量化，使隔離件介于陽(yáng)極箔和陰極箔之間巻繞形成的巻回形電容元件，以及層疊多數(shù)枚陽(yáng)極箔和陰極箔的層疊型電容元件內(nèi)，填充上述那樣的由導(dǎo)電性高分子形成的導(dǎo)電性固體層形成一結(jié)構(gòu)，具有該結(jié)構(gòu)的固體電解電容正被逐漸商品化。但是，上述以往的固體電解電容中，因?yàn)樽鳛殡娊赓|(zhì)使用了對(duì)形成在陽(yáng)極膜上的電介質(zhì)膜缺乏修復(fù)性的導(dǎo)電性高分子，漏電流易較高。另外，因?yàn)樘畛淞穗娊庖旱碾娊怆娙葜须娊庖号c電介質(zhì)膜的損傷部接觸，在施加額定電壓時(shí)，損傷部被由電解液中的離子性化合物的支持鹽產(chǎn)生的氧以氧化反應(yīng)進(jìn)行修復(fù)，但由于填充了導(dǎo)電性固體層的固體電解電容中離子幾乎不實(shí)質(zhì)上地移動(dòng)，并不能期待有上述那樣的修復(fù)作用。因此，有人提出在電容元件中填充了由導(dǎo)電性高分子形成的導(dǎo)電性固體層和電解液兩者的固體電解電容(例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。如上所述的在電容元件中填充了由導(dǎo)電性高分子形成的導(dǎo)電性固體層和電解液兩者的固體電解電容可通過(guò)，例如，使含有由吡咯、噻吩或它們的衍生物形成的聚合性單體、過(guò)硫酸銨、過(guò)硫酸鈉等的氧化劑及萘磺酸鈉等摻雜劑的聚合液浸漬在形成有電介質(zhì)膜的陽(yáng)極箔和陰極箔在隔著隔離件經(jīng)巻繞形成的電容元件上，通過(guò)在電容元件內(nèi)將所述聚合性單體進(jìn)行氧化聚合、形成導(dǎo)電性高分子層之后，使溶解了有機(jī)胺鹽等的支持鹽的電解液浸漬在電容元件內(nèi)，進(jìn)行制備。日本特許第3040113號(hào)公報(bào)日本特開(kāi)2006-100774號(hào)公報(bào)此外，電解電容被要求即使施加超過(guò)額定電壓的過(guò)電壓，也不發(fā)生短路或基于短路的起火。在以往的電解電容中，雖然采用了以封口體封口外裝盒體以使得內(nèi)部產(chǎn)生的氣體不被放出的構(gòu)造，但是，如能防止在施加過(guò)電壓時(shí)的電容元件本體的短路，能確保更高的安全性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為解決上述課題而進(jìn)行，目的在于提供一種即使在施加過(guò)電壓時(shí)也不容易發(fā)生短路、具有優(yōu)良安全性的電解電容。本發(fā)明涉及一種電解電容的制造方法，其特征在于，制作具有陽(yáng)極箔和陰極箔的電容元件，通過(guò)在所述電容元件上浸漬將導(dǎo)電性固體的微?；蚱淠w分散在分散溶劑中的分散液，在所述電容元件內(nèi)形成具有導(dǎo)電性固體的微粒或其凝集體的導(dǎo)電性固體層，使不含有支持鹽的溶劑浸漬形成有所述導(dǎo)電性固體層的電容元件。根據(jù)上述制造方法，因?yàn)閷⒎稚⒂蓄A(yù)先形成的導(dǎo)電性固體的微粒等的分散液浸漬在電容元件上，可在電容元件內(nèi)均勻地形成具有導(dǎo)電性固體的微粒等的薄膜的導(dǎo)電性固體層，確保了較高的導(dǎo)電性。另外，因?yàn)椴辉陔娙菰?nèi)形成導(dǎo)電性固體層，在電介質(zhì)膜上不產(chǎn)生由氧化劑和氧化聚合導(dǎo)致的損傷部。并且，因?yàn)殡娊橘|(zhì)膜整體均勻地被導(dǎo)電性固體層覆蓋，可用導(dǎo)電性固體層保護(hù)電介質(zhì)膜，并可抑制由于熱等引起的電介質(zhì)膜的損傷的程度。因而，可防止起因于損傷部的短路。并且，雖然在導(dǎo)電性固體層形成之后，向電容元件內(nèi)添加了溶劑，但與所述溶劑含有支持鹽的電解液相比，可抑制過(guò)電壓時(shí)的導(dǎo)電性固體層的熱劣化。從而，即使施加過(guò)電壓也可抑制短路的發(fā)生，可制成具有良好安全性的電解電容。另外，本發(fā)明涉及一種電解電容，其特征在于，具有具備陽(yáng)極箔和陰極箔的電容元件，在所述電容元件內(nèi)填充有導(dǎo)電性固體層以及不含有支持鹽的溶劑，所述導(dǎo)電性固體層是通過(guò)在所述電容元件上浸漬含有導(dǎo)電性固體的微?；蚱淠w的分散液而形成的。根據(jù)上述電解電容，因?yàn)橥ㄟ^(guò)將分散有預(yù)先形成的導(dǎo)電性固體的微粒等的分散液浸漬在電容元件上，從而不產(chǎn)生由氧化劑和氧化聚合導(dǎo)致的電介質(zhì)膜的損傷部，可在電容元件內(nèi)均勻地形成具有導(dǎo)電性固體的微粒等的導(dǎo)電性固體層。并且，因?yàn)樵谛纬捎猩鲜鰧?dǎo)電性固體層的電容元件內(nèi)填充了不含支持鹽的溶劑，可抑制在施加過(guò)電壓時(shí)的導(dǎo)電性固體層的熱劣化。根據(jù)本發(fā)明，可提供一種即使在施加過(guò)電壓時(shí)可抑制短路的發(fā)生，安全性?xún)?yōu)良的電解電容。圖1為示出涉及本發(fā)明實(shí)施方式的一例電容元件的概略構(gòu)成圖。圖2為示出涉及本發(fā)明實(shí)施方式的一例電解電容的截面圖。圖3為示出涉及本發(fā)明的實(shí)施例及比較例的電解電容的過(guò)電壓試驗(yàn)的結(jié)果圖。圖4為示出涉及本發(fā)明的實(shí)施方式的形成了導(dǎo)電性固體層的陽(yáng)極箔的表面狀態(tài)的照片。圖5為示出根據(jù)以往方法形成了導(dǎo)電性固體層的陽(yáng)極箔的表面狀態(tài)的照片。(符號(hào)說(shuō)明)1陽(yáng)極箔2陰極箔3隔離件4止巻帶7電容元件8鋁制盒體、9橡膠墊體51，52導(dǎo)線61，62導(dǎo)線管具體實(shí)施例方式圖1為示出涉及本發(fā)明的實(shí)施方式的一例電容元件的概略構(gòu)成圖。巻回形的電容元件7由在鋁、鉭、鈮、鈦等閥作用金屬形成的箔片上實(shí)施了使其粗面化的蝕刻處理以及用于形成電介體膜的化學(xué)處理的陽(yáng)極箔1與對(duì)置的陰極箔2形成的一對(duì)電極箔，隔著隔離件3經(jīng)巻繞制成。在巻繞后，通過(guò)止巻帶4使之固定。在所述陽(yáng)極箔1及對(duì)置的陰極箔2上，通過(guò)導(dǎo)線管61、62，分別裝有導(dǎo)線5K52。在本實(shí)施方式的電解電容的制造中，通過(guò)使所述電容元件浸漬分散有導(dǎo)電性固體微粒等的分散液，在電容元件內(nèi)平面狀地形成具有導(dǎo)電性固體微粒等的薄層的導(dǎo)電性固體層，再使形成了該導(dǎo)電性固體層的電容元件浸漬不含有支持鹽的溶劑。如上所述，雖然由導(dǎo)電性高分子等形成的導(dǎo)電性固體層比電解液具有更優(yōu)良的導(dǎo)電性，但使含有聚合性單體、氧化劑及摻雜劑的聚合液浸漬電容元件內(nèi)部，在電容元件內(nèi)部形成導(dǎo)電性固體層的現(xiàn)有的電解電容，由于氧化劑及聚合反應(yīng)容易在電介質(zhì)膜上產(chǎn)生損傷部，同時(shí)在電極箔等的表面上形成的導(dǎo)電性固體層容易不均勻。圖5為通過(guò)掃描型電子顯微鏡，觀察根據(jù)現(xiàn)有方法的在電容元件內(nèi)部進(jìn)行了一次氧化聚合所形成的導(dǎo)電性固體層的陽(yáng)極箔表面的照片。并且，圖中，由于導(dǎo)電性固體層容易剝離，可觀察到與陰極箔和隔離件接觸很少的陽(yáng)極箔的自由表面(未與陰極箔和隔離件直接接觸的部分的表面)。如該圖所示，可知導(dǎo)電性固體層為導(dǎo)電性高分子在陽(yáng)極箔上形成的海綿狀的不均勻膜。為降低ESR，有必要增大陽(yáng)極箔表面的導(dǎo)電性固體層。因此，在實(shí)際的制造步驟中，有必要反復(fù)進(jìn)行氧化聚合，在進(jìn)一步增加損傷部的同時(shí)，進(jìn)行導(dǎo)電性固體層的厚膜化。由于這樣的氧化聚合導(dǎo)致的損傷部的產(chǎn)生和厚導(dǎo)電性固體層的不均勻覆蓋，在施加過(guò)電壓時(shí)可能容易發(fā)生短路。針對(duì)這個(gè)問(wèn)題，根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法形成的導(dǎo)電性固體層，因?yàn)殡娙菰薪n了分散有預(yù)先形成的導(dǎo)電性固體的微粒等的分散液，不產(chǎn)生氧化劑及聚合反應(yīng)導(dǎo)致的電介質(zhì)膜的損傷部，并且使導(dǎo)電性固體層形成均勻的平面狀。圖4為與圖5同樣通過(guò)掃描型電子顯微鏡，觀察到的用本實(shí)施方式的制造方法形成導(dǎo)電性固體層的陽(yáng)極膜的表面的照片。如圖所示，可知導(dǎo)電性固體層在陽(yáng)極箔的表面整體上被均勻地形成，同時(shí)為平面狀的膜體。因此，不僅充分確保導(dǎo)電性固體層的導(dǎo)電性，還具有保護(hù)電介質(zhì)膜的作用。因此，不使用支持鹽，即使是僅浸漬溶劑的電解電容，不僅ESR值低，漏電流小，還可得到耐熱性?xún)?yōu)良的電解電容。因此，通過(guò)上述方法，因電介質(zhì)膜上不產(chǎn)生氧化劑及聚合反應(yīng)導(dǎo)致的損傷部，可抑制源于該損傷部的短路的發(fā)生。另外，由于不在電容內(nèi)形成導(dǎo)電性固體層，可免去氧化聚合后的洗凈、干燥步驟，可通過(guò)簡(jiǎn)易的方法制造電解電容。在本實(shí)施方式中，電容元件內(nèi)填充的導(dǎo)電性固體微粒等的填充量，以在電極箔等的表面整體上均勻地形成薄層的導(dǎo)電性固體層，相對(duì)于電容元件內(nèi)的空隙量，優(yōu)選地為555體積％。當(dāng)填充量為5體積％以上時(shí)，電極箔等的表面整體上可致密地形成導(dǎo)電性固體層，確保充分的導(dǎo)電性。另外，當(dāng)填充量為55體積％以下時(shí)，可抑制導(dǎo)電性固體層的厚度，同時(shí)可充分確保用于填充溶劑的電容元件內(nèi)的空隙量，達(dá)到低的漏電流。在本實(shí)施方式中，優(yōu)選地，導(dǎo)電性固體層的厚度為lOum以下，更優(yōu)選地為210um。當(dāng)導(dǎo)電性固體層的厚度為10um以下時(shí)，可減少導(dǎo)電性固體層的裂縫，改善安裝時(shí)和長(zhǎng)期使用時(shí)的漏電流。另外，導(dǎo)電性固體微粒等的填充量及導(dǎo)電性固體層的厚度可通過(guò)分散液的濃度和浸漬次數(shù)進(jìn)行調(diào)整。在本實(shí)施方式中，作為導(dǎo)電性固體，具體地可列舉，例如二氧化錳、7，7,8,8-四氰基對(duì)苯二醌二甲烷(TCNQ)、導(dǎo)電性高分子等。其中尤其優(yōu)選具有優(yōu)良導(dǎo)電性的導(dǎo)電性高分子。作為這種導(dǎo)電性高分子，由于其高電導(dǎo)率，優(yōu)選為聚吡咯、及聚噻吩及它們的衍生物，更優(yōu)選為聚噻吩及其衍生物。這些物質(zhì)還可單獨(dú)或多種混合使用。因其具有極高的電導(dǎo)率，尤其優(yōu)選聚乙撐二氧噻吩。作為形成由導(dǎo)電性高分子形成的導(dǎo)電性固體的微粒等的方法，并無(wú)特別限制，可使用以往公知的氣相聚合法、電解氧化聚合法、化學(xué)氧化聚合法等。導(dǎo)電性固體可為微粒，也可為微粒凝集后的凝集體。特別地，導(dǎo)電性高分子的微粒在制造時(shí)和配制分散液時(shí)，有時(shí)呈一部分的微粒凝集的狀態(tài)。使導(dǎo)電性固體的微粒等分散的分散溶劑，優(yōu)選為導(dǎo)電性固體的微粒等的低溶解度，或者不溶解導(dǎo)電性固體的微粒等的溶劑。這樣，可配制導(dǎo)電性固體的微粒等的大部分，優(yōu)選為全部不被溶解的分散液。因?yàn)橛删圻量⒕坂绶缘鹊膶?dǎo)電性高分子形成的導(dǎo)電性固體不溶于大部分的溶劑，可不限有機(jī)溶劑、無(wú)機(jī)溶劑地使用，但考慮到操作性和導(dǎo)電性固體的微粒等的分散性，優(yōu)選為水或主要含水的分散溶劑。分散液中的導(dǎo)電性固體的微粒等的濃度并無(wú)特別限制，但優(yōu)選為l30質(zhì)量％。當(dāng)濃度為1質(zhì)量％以上時(shí)，可以較少的浸漬次數(shù)形成足夠量的導(dǎo)電性固體層，提高生產(chǎn)率。當(dāng)濃度為30質(zhì)量％以下時(shí)，可以薄層的導(dǎo)電性固體層、均勻地覆蓋電極箔等的表面。為了形成更加均勻的導(dǎo)電性固體層，濃度優(yōu)選為320質(zhì)量％。導(dǎo)電性固體由導(dǎo)電性高分子形成時(shí)的分散液可使導(dǎo)電性高分子的微粒等在分散溶劑中分散，也可通過(guò)使聚合性單體在分散溶劑中聚合、配制導(dǎo)電性高分子的微粒等。在后者的場(chǎng)合，優(yōu)選地在聚合反應(yīng)后除去未反應(yīng)的聚合性單體和不純物、雜質(zhì)。作為使電容元件浸漬分散有導(dǎo)電性固體的微粒等的分散液的方法，雖并無(wú)特別限定，因浸漬操作比較地容易，優(yōu)選為使電容元件在分散液中浸漬的方法。浸漬時(shí)間根據(jù)電容元件的尺寸，優(yōu)選為數(shù)秒數(shù)小時(shí)，更優(yōu)選為130分鐘。另外，浸漬溫度優(yōu)選為080'C，更優(yōu)選為1040。C。另外，為了促進(jìn)浸漬，浸漬優(yōu)選地在30100kPa的減壓下進(jìn)行，更優(yōu)選地在80100kPa的減壓下進(jìn)行。并且，為了促進(jìn)浸漬以及為了保持分散液中的導(dǎo)電性固體的微粒等的分散狀態(tài)的均勻性，也可一邊進(jìn)行超音波處理、一邊使分散液浸漬在電容元件上。如上操作，使導(dǎo)電性固體的微粒等填充電容元件后的電容元件，為除去電容元件內(nèi)部的分散溶劑，優(yōu)選地進(jìn)行干燥。干燥可使用以往公知的干燥箱進(jìn)行。干燥溫度優(yōu)選為S030(TC，當(dāng)使用水系的分散溶劑時(shí)，更優(yōu)選為100200。C。上述的分散液的浸漬及干燥，為形成厚度均勻的導(dǎo)電性固體層，也可多次反復(fù)進(jìn)行。通過(guò)多次反復(fù)進(jìn)行分散液的浸漬及干燥，可在電極箔等的表面致密地覆蓋上具有導(dǎo)電性固體微粒等的導(dǎo)電性固體層，并且在施加過(guò)電壓時(shí)抑制短路。8其次，如上操作的形成有導(dǎo)電性固體層的電容元件上浸漬不含有支持鹽的溶劑。從而，使溶劑填充在具有填充在電容元件內(nèi)的導(dǎo)電性固體微粒等的導(dǎo)電性固體層之間。根據(jù)本實(shí)施方式，因?yàn)樵陔姌O箔等的表面均勻地形成薄層的導(dǎo)電性固體層，電介質(zhì)膜被導(dǎo)電性固體層保護(hù)，同時(shí)該導(dǎo)電性固體層被所浸漬的溶劑均勻地覆蓋。通過(guò)使上述不含有支持鹽的溶劑浸漬在由導(dǎo)電性固體微粒等形成的導(dǎo)電性固體層所形成的電容元件上，與使含有支持鹽的電解液浸漬在電容元件上相比，雖然可抑制施加過(guò)電壓時(shí)的短路的理由目前并不完全清楚，但被認(rèn)為是與用電解液浸漬的情況相比，抑制了用溶劑浸漬情況下的導(dǎo)電性固體層的熱劣化。也就是說(shuō)，為了修復(fù)電介質(zhì)膜的損傷部，在以往的電解電容上浸漬了含有支持鹽的電解液，但推測(cè)不含有支持鹽的溶劑比這樣的電解液具有更大的熱容量。因此，被認(rèn)為用不含有支持鹽的溶劑浸漬的情況與用電解液浸漬的情況相比，在施加過(guò)電壓時(shí)更能緩和導(dǎo)電性固體層的溫度上升，從而抑制導(dǎo)電性固體層的熱劣化及可抑制短路的發(fā)生。并且，如上制成的電解電容，因?yàn)榫鶆虻匦纬闪吮拥膶?dǎo)電性固體層，即使沒(méi)有支持鹽也可確保實(shí)用上無(wú)問(wèn)題程度的初期特性及耐熱性。溶劑無(wú)特別限制地可使用以往公知的電解電容用的溶劑。作為優(yōu)選的溶劑，具體地可列舉，例如Y-丁內(nèi)酯、環(huán)丁砜、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、碳酸二甲酯、甲基乙基碳酸酯、乙腈、丙腈、二甲基甲酰胺、二乙基甲酰胺、水、硅油、或它們的混合溶劑。其中尤其優(yōu)選為Y-丁內(nèi)酯、環(huán)丁砜或它們的混合溶劑。作為使溶劑在形成有導(dǎo)電性固體層的電容元件上浸漬的方法，雖無(wú)特別限制，因?yàn)榻n的操作比較容易，優(yōu)選為使形成有導(dǎo)電性固體層的電容元件在溶劑中浸漬的方法。浸漬時(shí)間隨電容元件的尺寸變化，優(yōu)選為1秒數(shù)小時(shí)，更優(yōu)選為15分鐘。另外，浸漬溫度優(yōu)選為08(TC，更優(yōu)選為1040°C。另外，為了促進(jìn)浸漬，浸漬優(yōu)選地在減壓下進(jìn)行。如上操作，在電容元件上填充具有導(dǎo)電性固體微粒等的導(dǎo)電性固體層和溶劑之后，如圖2所示，將電容元件7收納在有底筒狀的鋁制盒體8中。然后，通過(guò)在鋁制盒體8的開(kāi)口部上安裝橡膠墊體9，同時(shí)在鋁制盒體8上施加拉深加工及巻邊加工后，施加額定電壓，進(jìn)行例如約125"C下約1小時(shí)的老化處理，可制造電解電容。另外，雖然在上述實(shí)施方式中，以巻回性的電容元件作為例子進(jìn)行說(shuō)明，所述巻回性的電容具有陽(yáng)極箔與陰極箔隔著隔離件被巻繞的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還可適用于具有層疊多枚陽(yáng)極箔和陰極箔結(jié)構(gòu)的層疊型電容元件。以下，將列舉實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)地說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于實(shí)施例由具有電介質(zhì)膜的陽(yáng)極箔和陰極箔形成的一對(duì)電極箔隔著隔離件經(jīng)巻繞，形成4)10mmXH10.5mm的完成尺寸(收納于鋁制盒體中的狀態(tài)下的電解電容的外形尺寸)，帝誠(chéng)額定4V-1200HF的電容元件。將如上制成的電容元件在25"C下1分鐘、89Kpa的減壓下，浸漬在含有摻雜劑的將聚乙撐二氧噻吩微粒分散于水中的分散液中(濃度10質(zhì)量％)，使分散液浸漬在電容元件上。浸漬后，將電容元件從分散液中取出，放入125。C的干燥箱中，使電容元件干燥。然后，將形成了導(dǎo)電性固體層的電容元件以25。C下10秒鐘、減壓下浸漬在Y-丁內(nèi)酯的溶劑中，使Y-丁內(nèi)酯浸漬在電容元件上。隨后，將填充了導(dǎo)電性固體層及溶劑的電容元件收納在鋁制盒體中。然后，通過(guò)在鋁制盒體的開(kāi)口部上安裝橡膠墊體，在鋁制盒體上施加拉深加工及巻邊加工后，施加額定電壓的1.15倍的電壓，在約125X:下進(jìn)行約l小時(shí)的老化處理，制成電解電容。(實(shí)施例2)除使用環(huán)丁砜作為溶劑以外，與實(shí)施例l相同，制成電解電容。(比較例1)除使用將硼二水楊酸三甲胺溶解在Y-丁內(nèi)脂中的電解液(濃度12質(zhì)量％)代替溶劑之外，與實(shí)施例l相同地制作電解電容。(比較例2)除使用將硼二水楊酸三甲胺溶解在Y-丁內(nèi)脂中的電解液(濃度15質(zhì)量％)代替溶劑之外，與實(shí)施例l相同地制作電解電容。將如上制成的實(shí)施例及比較例的各電解電容進(jìn)行過(guò)電壓試驗(yàn)。過(guò)電壓10試驗(yàn)通過(guò)向電解電容施加電壓，測(cè)定該施加電壓上升時(shí)的ESR(測(cè)定頻率:薩Hz)進(jìn)行。圖3示出其結(jié)果。如圖3所示，在電容元件上填充導(dǎo)電性固體層和不含有支持鹽的溶劑的實(shí)施例的電解電容，在過(guò)電壓試驗(yàn)中雖然隨施加電壓的增加ESR增大，但未發(fā)生短路，所述導(dǎo)電固體層通過(guò)浸漬將導(dǎo)電性固體微粒等分散在分散溶劑中的分散液而形成。原因被認(rèn)為是，與以往的在電容元件內(nèi)形成了導(dǎo)電性固體層的電解電容相比，本實(shí)施例的電解電容無(wú)氧化劑和聚合反應(yīng)導(dǎo)致的電介質(zhì)膜的損傷，以及由于填充了不含有支持鹽的溶劑，抑制了在施加過(guò)電壓時(shí)的導(dǎo)電性固體層的熱劣化。與此相對(duì)，即使與實(shí)施例相同、具有通過(guò)浸漬分散溶劑中分散有導(dǎo)電性固體微粒等的分散液而形成的導(dǎo)電性固體層的電解電容，使用含有支持鹽的電解液的比較例1和2的電解電容在17V程度下發(fā)生了短路。這被認(rèn)為是因?yàn)樵陔娙菰?nèi)浸漬了電解液的情況中，不能充分抑制施加過(guò)電壓時(shí)的導(dǎo)電性固體層的熱劣化。然后，為了比較支持鹽的有無(wú)下的電容特性的不同，實(shí)施例1、2及比較例1的電解電容相同地制成呈4)10mmXH10.5mm的完成尺寸的額定63V-33UF的電解電容(實(shí)施例3、4及比較例3)。測(cè)定該各電解電容的靜電容量(測(cè)定頻率120Hz)、ESR(測(cè)定頻率100kHz),及漏電流。另外，進(jìn)行耐焊錫熱性試驗(yàn)(峰溫度為265°C，曝露在20(TC以上的時(shí)間為70秒的條件)，在與所述相同的條件下測(cè)定試驗(yàn)后的靜電容量、ESR，以及漏電流。表1示出結(jié)果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>如表1所示，可知實(shí)施例的電解電容雖然填充了不含有支持鹽的溶劑，但與填充了電解液的電解電容相比，在初期特性上具有相同程度的靜電容量及漏電流。另夕卜，可知與比較例的電解電容相比，雖然實(shí)施例的電解電容若干ESR較高，但可達(dá)到實(shí)用上無(wú)問(wèn)題程度的ESR。并且，可知即使在耐焊錫熱性試驗(yàn)后，實(shí)施例的電解電容與比較例的電解電容相比，各特性的變化量為相同程度。原因被認(rèn)為是，由于在電容元件上填充了導(dǎo)電性固體微粒等，實(shí)施例的電解電容形成了優(yōu)良導(dǎo)電性的導(dǎo)電性固體層，以及因在電容元件內(nèi)填充了不含有支持鹽的溶劑改善了耐熱性。權(quán)利要求1.一種電解電容的制造方法，其特征在于，制作具有陽(yáng)極箔和陰極箔的電容元件，通過(guò)在所述電容元件上浸漬將導(dǎo)電性固體的微?；蚱淠w分散在分散溶劑中的分散液，在所述電容元件內(nèi)形成具有導(dǎo)電性固體的微?；蚱淠w的導(dǎo)電性固體層，使不含有支持鹽的溶劑浸漬形成有所述導(dǎo)電性固體層的電容元件。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解電容的制造方法，其中所述導(dǎo)電性固體含有選自聚噻吩及其衍生物中的至少一種。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電解電容的制造方法，其中所述溶劑含有選自Y-丁內(nèi)酯及環(huán)丁砜中的至少一種。4.一種電解電容，其特征在于，具有具備陽(yáng)極箔和陰極箔的電容元件，在所述電容元件內(nèi)填充有導(dǎo)電性固體層以及不含有支持鹽的溶劑，所述導(dǎo)電性固體層是通過(guò)在所述電容元件上浸漬含有導(dǎo)電性固體的微?；蚱淠w的分散液而形成的。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電解電容，其中所述導(dǎo)電性固體含有選自聚噻吩及其衍生物中的至少一種。6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電解電容，其中所述溶劑含有選自Y-丁內(nèi)酯及環(huán)丁砜中的至少一種。全文摘要本發(fā)明提供一種即使在施加過(guò)電壓時(shí)也不容易發(fā)生短路、具有高安全性的電解電容。本發(fā)明涉及一種電解電容的制造方法，包括制作具有陽(yáng)極箔和陰極箔的電極箔的電容元件；通過(guò)在所述電容元件上浸漬將導(dǎo)電性固體的微?；蚱淠w分散在分散溶劑中的分散液，在所述電容元件內(nèi)形成具有導(dǎo)電性固體的微?；蚱淠w的導(dǎo)電性固體層；使不含有支持鹽的溶劑浸漬形成了所述導(dǎo)電性固體層的電容元件。文檔編號(hào)H01G9/04GK101425375SQ20081014997公開(kāi)日2009年5月6日申請(qǐng)日期2008年10月24日優(yōu)先權(quán)日2007年10月30日發(fā)明者奧田裕之,山下純一,石原宏三,竹谷豐,細(xì)木雅和,鹿熊健二申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社;太陽(yáng)電子工業(yè)株式會(huì)社