專利名稱：集成電路結(jié)構(gòu)與其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路，特別涉及集成電路的結(jié)構(gòu)與形成方法，更特別涉 及在銅結(jié)構(gòu)上形成金屬蓋。
背景技術(shù)：
鑲嵌工藝已廣泛用來(lái)形成金屬線與導(dǎo)孔，此方法包括形成開(kāi)口于金屬間 介電層中。通常使用常見(jiàn)的光刻與蝕刻技術(shù)來(lái)形成開(kāi)口，然后以銅或銅合金 填滿所述開(kāi)口。之后通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨移出在介電層表面上超出的金屬材 料。剩余的銅或銅合金形成導(dǎo)孔及/或金屬線。
由于銅具有較低的電阻，因此已取代鋁作為主要的導(dǎo)線材料。然而隨著 幾何尺寸的縮減與電路密度的增加，銅仍遭受電子遷移與應(yīng)力遷移的問(wèn)題。
圖1顯示一種已知的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。銅線4形成于低介電常數(shù)介電層2之 中。蝕刻終止層6形成于銅線4與低介電常數(shù)介電層2的上表面上。蝕刻終 止層6的介電常數(shù)一般較介電層2高。于是提高了介于金屬線間的寄生電容， 而此導(dǎo)致阻容延遲增加。
圖2顯示一種改良的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中金屬蓋8形成于銅線4之上。金 屬蓋8 —般由較不容易電子遷移與應(yīng)力遷移的材料所形成，例如CoWP、鉭、 鈦、鎢與上述的組合。此層通過(guò)減少銅表面遷移以改善了內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的可靠 度。目前己發(fā)現(xiàn)，于受應(yīng)力的情況下，具有金屬蓋之內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的平均失效 發(fā)生時(shí)間(mean time to failure;MTTF)為圖1所示的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的IO倍以上。 金屬蓋可大幅降低應(yīng)力導(dǎo)致的空洞形成(stress-induced void formation)。此外， 也降低了寄生電容。
除上述段落所討論的特征外，圖1與圖2的結(jié)構(gòu)仍具有其他缺點(diǎn)。銅線 4與金屬蓋8 —般易受氧氣及/或化學(xué)試劑損害，然而隨后在上方形成低介電 常數(shù)介電層與蝕刻終止層的過(guò)程中會(huì)引進(jìn)氧與化學(xué)試劑。此外于圖2所顯示 的結(jié)構(gòu)中，金屬蓋8中的材料會(huì)擴(kuò)散進(jìn)入下層的銅導(dǎo)線4，導(dǎo)致銅導(dǎo)線4的
電阻升高。隨集成電路尺寸越來(lái)越小，此種電阻的上升變成集成電路未來(lái)時(shí) 代的嚴(yán)重問(wèn)題。因此需要能克服公知技術(shù)不足的新結(jié)構(gòu)與方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底；介電層于所述半導(dǎo) 體襯底上；金屬線于所述介電層中；預(yù)處理層于所述金屬線上，其中所述預(yù) 處理層包含硼；以及金屬蓋于所述預(yù)處理層上，其中所述金屬蓋包含鎢，且 所述預(yù)處理層與所述金屬蓋是由不同材料形成。
根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述預(yù)處理層實(shí)質(zhì)上限于直接在所述 金屬線上的區(qū)域中。
根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述預(yù)處理層為硼層。 根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述預(yù)處理層為氮化硼層。 根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述金屬蓋為鎢層。 根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括蝕刻終止層，于所述介電層與所述
金屬蓋上o
根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述預(yù)處理層與所述金屬線及金屬蓋 相鄰。
本發(fā)明提供另一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括襯底；低介電常數(shù)介電層；開(kāi) 口從所述低介電常數(shù)介電層的頂部表面延伸進(jìn)入所述低介電常數(shù)介電層；阻 障層為所述開(kāi)口的內(nèi)襯；包含銅的導(dǎo)線于所述開(kāi)口中位于所述阻障層上；預(yù) 處理層位于所述包含銅的導(dǎo)線上且與其相鄰，其中所述預(yù)處理層的材料從由 硼與氮化硼所組成的群組中選出；以及鎢蓋于所述預(yù)處理層上且與其相鄰。
本發(fā)明還提供一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，包括提供半導(dǎo)體襯底； 形成介電層于所述半導(dǎo)體襯底上；形成金屬線于所述介電層中；形成預(yù)處理 層于所述金屬線上，其中所述預(yù)處理層包含硼；以及形成金屬蓋于所述預(yù)處 理層上，其中所述金屬蓋包含鎢，且所述預(yù)處理層與所述金屬蓋是由不同材 料形成。
根據(jù)本發(fā)明形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其中形成所述預(yù)處理層的步驟為
使用B2H6作為前驅(qū)物來(lái)執(zhí)行。
根據(jù)本發(fā)明形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法還包括在含氮?dú)怏w中處理所述預(yù)處理層，以使硼轉(zhuǎn)變?yōu)榈稹?br> 根據(jù)本發(fā)明形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其中形成所述金屬蓋的步驟為使
用包含WF6與B2H6來(lái)執(zhí)行。
根據(jù)本發(fā)明形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其中形成所述金屬蓋的步驟為使 用包含WF6與SfflU來(lái)執(zhí)行。
根據(jù)本發(fā)明形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其中形成所述金屬蓋的步驟為使 用包含W(C0)6的前驅(qū)物來(lái)執(zhí)行。
根據(jù)本發(fā)明形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，還包括在形成所述預(yù)處理層的步 驟前使用預(yù)清理氣體來(lái)執(zhí)行預(yù)清理，其中所述預(yù)清理氣體包括氮?dú)馀c從實(shí)質(zhì) 上由氟與氯所組成的群組中選出的元素。
根據(jù)本發(fā)明形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，還包括在形成所述金屬蓋的步驟 前使用預(yù)清理氣體來(lái)執(zhí)行預(yù)清理，其中所述預(yù)清理氣體包括氮?dú)馀c從實(shí)質(zhì)上 由氟與氯所組成的群組中選出的元素。
本發(fā)明另提供一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，包括
提供半導(dǎo)體襯底；形成介電層于所述半導(dǎo)體襯底上；
形成含銅導(dǎo)線于所述介電層中；執(zhí)行清理步驟使用清理氣體，其包括氮 氣與元素從由氟、氯與上述的組合所組成的群組中選出；以及形成鎢蓋于所 述含銅導(dǎo)線上。
本發(fā)明又提供一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，包括
提供半導(dǎo)體襯底；形成低介電常數(shù)介電層于所述半導(dǎo)體襯底上；形成含
銅導(dǎo)線于所述低介電常數(shù)介電層中；以及使用含WF6與SiH4的前驅(qū)物選擇 性形成鎢蓋于所述含銅導(dǎo)線上。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括增加了對(duì)氧與氯的阻擋能力而改善了內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的 可靠度，且可減少蓋層擴(kuò)散進(jìn)入下層銅線，因此降低了銅線的電阻。
為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特
舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖1顯示常見(jiàn)內(nèi)線結(jié)構(gòu)于低介電常數(shù)材料層中，其中蝕刻終止層形成于 銅線上。
圖2顯示常見(jiàn)內(nèi)線結(jié)構(gòu)于低介電常數(shù)材料層中，其中金屬蓋形成于銅線上。
圖3-圖8B顯示本發(fā)明實(shí)施例的中間工藝剖面圖，其中在銅線與金屬蓋 之間具有含硼預(yù)處理層。
其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下
2 低介電常數(shù)介電層
4 銅線
6 蝕刻終止層
8 金屬蓋
18 襯底結(jié)構(gòu)
20 介電層(低介電常數(shù)介電層) 26 開(kāi)口
30 (擴(kuò)散)阻障層 32 導(dǎo)線(銅線) 34 預(yù)處理層(硼預(yù)處理層) Tl 預(yù)處理層34的厚度 36 預(yù)處理層(氮化硼預(yù)處理層) 38 金屬蓋(鎢蓋) T2 鎢蓋38的厚度 40 蝕刻終止層 42 銅線32之頂部表面 44 擴(kuò)散阻障層30的頂部邊緣
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與其形成方法。本發(fā)明較佳實(shí)施例的中間步 驟顯示于圖3-圖8B。在本發(fā)明實(shí)施例的各圖中，相同的標(biāo)號(hào)代表相同的元 件。
圖3顯示在介電層20中形成開(kāi)口 26，其中介電層20形成于圖中的襯底 結(jié)構(gòu)18上。襯底結(jié)構(gòu)18可包括半導(dǎo)體襯底與上層，例如接觸蝕刻終止層、 層間介電層、層間金屬介電層、導(dǎo)孔與金屬線形成于其中(未顯示)。半導(dǎo)體襯底可為單晶襯底或化合物襯底。有源元件(未顯示)，例如晶體管可形
成于半導(dǎo)體襯底上。在一個(gè)實(shí)施例中，介電層20較佳具有小于約3.0的低介 電常數(shù)，因此于說(shuō)明書(shū)中敘述為低介電常數(shù)介電層20。更佳為介電常數(shù)小于 約2.5的極低介電常數(shù)(extreme low-k)介電層。低介電常數(shù)介電層可包括常用 材料例如含碳介電材料，以及可還包括含氮、氫、氧與上述的組合。
圖4顯示在開(kāi)口26中形成(擴(kuò)散)阻障層30與導(dǎo)線32，其中(擴(kuò)散) 阻障層30為幵口26的內(nèi)襯。阻障層30較佳包括鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭 或其他替代物，且其可通過(guò)物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積來(lái)形成。在一個(gè)實(shí) 施例中，阻障層30的厚度為約20-200A。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員當(dāng)能了解， 說(shuō)明書(shū)中所述的尺寸限制與形成集成電路的相關(guān)技術(shù)有關(guān)，且微縮化 (down-scaling)后的厚度會(huì)再減少。
導(dǎo)線32較佳包括銅或銅合金。在說(shuō)明書(shū)中，導(dǎo)線32也可指銅線32，雖 然其可能會(huì)包括其他導(dǎo)電材料，例如銀、金、鉭、鋁等。如本技術(shù)領(lǐng)域所熟 知，形成阻障層30與銅線32的步驟包括毯覆形成阻障層30;沉積薄的銅或 銅合金的晶種層；以及以導(dǎo)電材料填滿開(kāi)口26，例如銅，較佳通過(guò)電鍍。之 后執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨以移除多出的導(dǎo)電材料，只留下于開(kāi)口 26中的阻障層 30與銅線32。
首先于對(duì)圖4所顯示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行預(yù)清理。在較佳實(shí)施例中，使用 含氮清理氣體，其還包括元素包括氟、氯與上述的組合來(lái)執(zhí)行預(yù)清理。預(yù)清 理氣體包括NF3、 NC13、 NF2C1與上述的組合?？赏ㄟ^(guò)將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)置于腔 室且將預(yù)清理氣體導(dǎo)入腔室中來(lái)執(zhí)行預(yù)清理。在一個(gè)實(shí)施例中，于腔室中的 預(yù)清理氣體的流速(flowrate)約10-10000 sccm，持續(xù)時(shí)間為約10-300秒且預(yù) 清理的溫度為約100與40(TC。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，預(yù)清理步驟具有改善接下來(lái) 所執(zhí)行的金屬蓋形成。在實(shí)驗(yàn)中，實(shí)質(zhì)上以相同工藝條件制造的兩個(gè)樣本。 只在第一樣本中執(zhí)行預(yù)清理步驟而不在第二樣本中執(zhí)行。第二樣本的選擇度 嚴(yán)重減低，且具有顯著的金屬蓋材料意外沉積于低介電常數(shù)介電層20上。 然而第一樣本卻具有高選擇度，且沒(méi)有明顯的金屬蓋材料沉積于低介電常數(shù) 介電層20上。
之后執(zhí)行預(yù)處理以處理銅線32的表面。在一個(gè)較佳實(shí)施例中，預(yù)處理 包括于生產(chǎn)機(jī)臺(tái)進(jìn)行含氫的氣體處理，生產(chǎn)機(jī)臺(tái)例如用來(lái)進(jìn)行等離子增強(qiáng)化
學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)的機(jī)臺(tái)。含氫
的氣體較佳包括H2、 NKb等。預(yù)處理可減少銅的自然氧化銅并移除化學(xué)污染 物。
于圖5中，形成預(yù)處理層34,其為含硼層。在一個(gè)較佳實(shí)施例中，于銅 線32上選擇性沉積硼層34，但不沉積于低介電常數(shù)介電層20上。預(yù)處理層 34也可延伸于阻障層30的頂部邊緣上，如圖5所示的虛線。形成預(yù)處理層 34的反應(yīng)室較佳包括前驅(qū)物(如B2H6)與稀釋氣體(如H2)。上述的較佳 形成方法為原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)，但也使用其他化學(xué)氣 相沉積方法。在一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)處理層沉積的溫度為約250-450°C，持續(xù) 時(shí)間為約3-600秒，且氣體壓力為約l-10mtorr。所形成的預(yù)處理層34為硼 層，其厚度T1為約5-100 A。
在一個(gè)實(shí)施例中，將硼預(yù)處理層34執(zhí)行氮化以轉(zhuǎn)變?yōu)榈痤A(yù)處理層 36，圖6所示。有利的是，氮化硼比起硼而言，更具抗氧能力，且因此更穩(wěn) 定。較佳通過(guò)使用含氮?dú)怏w的等離子處理來(lái)執(zhí)行轉(zhuǎn)化，含氮?dú)怏w例如N2、 NH3與上述的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)變溫度為約100-400°C，工藝的持 續(xù)時(shí)間為約5-60秒，且氣體壓力為約l-10mtorr。
或者，可將形成硼預(yù)處理層34，然后轉(zhuǎn)變成氮化硼預(yù)處理層36的方法 取代為，直接使用B2H6與含氮?dú)怏w當(dāng)作前驅(qū)物直接形成氮化硼預(yù)處理層36。 氮?dú)怏w可包括N2、 NH3與上述的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)變溫度為約 250-450°C，工藝的持續(xù)時(shí)間為約3-600秒，且氣體壓力為約1-10 mtorr。
圖7A顯示于氮化硼預(yù)處理層36上形成金屬蓋38。在一個(gè)較佳實(shí)施例 中，金屬蓋38為鎢蓋，因此也將其可稱為鎢蓋38，但也可使用其他材料， 例如鉭、鈷、鎳、鉬、鈦、CoWP、 CoB與上述的組合。金屬蓋38較佳為使 用無(wú)電電鍍(electrolessplating)來(lái)形成，進(jìn)行無(wú)電電鍍，將具有圖6所顯示的 結(jié)構(gòu)的晶圓浸泡于電鍍液中?；蛘?，在蝕刻掉不需要的部分后，可在銅線32 與低介電常數(shù)介電層20上毯覆形成金屬蓋38。在一個(gè)較佳實(shí)施例中，金屬 蓋38延伸于擴(kuò)散阻障層30的頂部邊緣上?；蛘呓饘偕w38只選擇性形成于 預(yù)處理層34或36上。
在一個(gè)較佳實(shí)施例中，使用含WF6與B2H6與稀釋氣體例如N2、 He、 H2 與上述的組合來(lái)形成鋅蓋38。由于原子層沉積具備形成連續(xù)層的能力，因此
為形成金屬蓋的較佳方式。在其他實(shí)施例中，使用含WR與SiH4與稀釋氣
體例如N2、 He、 H2與上述的組合來(lái)形成鎢蓋38。又在另外其他實(shí)施例中， 使用含W(CO)6與稀釋氣體例如N2、 He、 H2與上述的組合來(lái)形成鎢蓋38。 在一個(gè)實(shí)施例中，形成鎢蓋38的溫度為約100-400°C，較佳為約100-150°C。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，低溫對(duì)于改善在銅或低介電常數(shù)介電層20上的沉積選擇性 有幫助。上述工藝的持續(xù)時(shí)間為約3-600秒，且氣體壓力為約1-10 torr。所 產(chǎn)生的鎢蓋38的厚度T2為約25-200 A。
圖7B顯示替代實(shí)施例，其中金屬蓋38形成于硼預(yù)處理層34上以取代 形成于氮化硼預(yù)處理層36上。材料與工藝條件與圖7A所示的實(shí)施例相同。
在形成鎢蓋38的期間，可能會(huì)沉積少量的鎢于低介電常數(shù)介電層20上 而取代沉積于預(yù)處理層34或36上。因此執(zhí)行后清理以移除沉積于介電常數(shù) 介電層20的鎢?？墒褂脤?shí)質(zhì)上與預(yù)清理實(shí)質(zhì)上相同的工藝氣體與條件來(lái)執(zhí) 行后清理。實(shí)驗(yàn)顯示后清理有效移除沉積于低介電常數(shù)介電層20上的鎢。
在形成金屬蓋38之后，可執(zhí)行處理。在一個(gè)實(shí)施例中，使用工藝氣體 例如H2、 NH3與上述的組合來(lái)執(zhí)行上述處理。也可在有等離子的情況下執(zhí)行 上述處理。工藝條件包括等離子能量為約200-1000 W而溫度為約275-400°C 。
圖8A顯示視需要而形成的蝕刻終止層40的形成。蝕刻終止層40的介 電常數(shù)較佳為小于約4.0，且其包括碳及/或氮為主要部分的材料，例如碳化 硅、氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅與上述的組合。蝕刻終止層40的厚度較 佳小于約800A。實(shí)驗(yàn)結(jié)果指出最理想的厚度為約100 A。
本領(lǐng)域技術(shù)人員當(dāng)可了解，對(duì)銅線32的化學(xué)機(jī)械研磨與預(yù)清理可導(dǎo)致 凹陷，使銅線32的頂部表面42的低于擴(kuò)散阻障層30的頂部邊緣44。因此 預(yù)處理層36 (或34)，可至少有一部分于凹陷中，如圖8B所示。
本發(fā)明的實(shí)施例具有許多優(yōu)點(diǎn)。首先，硼具有較高的活性，因此容易選 擇性地形成在銅上，而不是形成在低介電常數(shù)介電材料上。第二，硼具有低 銅溶解度，因此其較不易擴(kuò)散至下層的銅中而增加銅的電阻。第三，硼或氮 化硼具有抗氯能力，因此可保護(hù)下層的銅避免一般在形成金屬蓋中所使用的 氯的侵害。
雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng) 域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的變化與修改，
因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn),
權(quán)利要求
1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底；介電層，于所述半導(dǎo)體襯底上；金屬線，于所述介電層中；預(yù)處理層，于所述金屬線上，其中所述預(yù)處理層包含硼；以及金屬蓋，于所述預(yù)處理層上，其中所述金屬蓋包含鎢，且所述預(yù)處理層與所述金屬蓋是由不同材料形成。
2. 如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述預(yù)處理層實(shí)質(zhì)上限于直 接在所述金屬線上的區(qū)域中。
3. 如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述預(yù)處理層為硼層。
4. 如權(quán)利要求l所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述預(yù)處理層為氮化硼層。
5. 如權(quán)利要求l所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述金屬蓋為鎢層。
6. 如權(quán)利要求l所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括蝕刻終止層，于所述介電 層與所述金屬蓋上。
7. 如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述預(yù)處理層與所述金屬線 及金屬蓋相鄰。
8. —種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，包括 提供半導(dǎo)體襯底； 形成介電層于所述半導(dǎo)體襯底上； 形成金屬線于所述介電層中；形成預(yù)處理層于所述金屬線上，其中所述預(yù)處理層包含硼；以及 形成金屬蓋于所述預(yù)處理層上，其中所述金屬蓋包含鎢，且所述預(yù)處理 層與所述金屬蓋是由不同材料形成。
9. 如權(quán)利要求8形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其中形成所述預(yù)處理層的步驟為使用B2H6作為前驅(qū)物來(lái)執(zhí)行。
10. 如權(quán)利要求9形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法還包括在含氮?dú)怏w中處理所 述預(yù)處理層，以使硼轉(zhuǎn)變?yōu)榈稹?br> 11. 如權(quán)利要求8形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其中形成所述金屬蓋的步 驟為使用包含WF6與B2H6來(lái)執(zhí)行。
12. 如權(quán)利要求8形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其中形成所述金屬蓋的步驟為使用包含WFs與SiH4來(lái)執(zhí)行。
13. 如權(quán)利要求8形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其中形成所述金屬蓋的步 驟為使用包含W(CO)6的前驅(qū)物來(lái)執(zhí)行。
14. 如權(quán)利要求8形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，還包括在形成所述預(yù)處理 層的步驟前使用預(yù)清理氣體來(lái)執(zhí)行預(yù)清理，其中所述預(yù)清理氣體包括氮?dú)馀c 從實(shí)質(zhì)上由氟與氯所組成的群組中選出的元素。
15. 如權(quán)利要求8形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，還包括在形成所述金屬蓋 的步驟前使用預(yù)清理氣體來(lái)執(zhí)行預(yù)清理，其中所述預(yù)清理氣體包括氮?dú)馀c從 實(shí)質(zhì)上由氟與氯所組成的群組中選出的元素。
全文摘要
本發(fā)明提供一種改善可靠度的集成電路結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底；介電層于所述半導(dǎo)體襯底上；金屬線于所述介電層中；預(yù)處理層于所述金屬線上，其中所述預(yù)處理層包含硼；以及金屬蓋于所述預(yù)處理層上，其中所述金屬蓋包含鎢，且所述預(yù)處理層與所述金屬蓋是由不同材料形成。本發(fā)明另提供此集成電路結(jié)構(gòu)形成的方法。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括增加了對(duì)氧與氯的阻擋能力而改善了內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的可靠度，且可減少蓋層擴(kuò)散進(jìn)入下層銅線，因此降低了銅線的電阻。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101345230SQ200710181420
公開(kāi)日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2007年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月9日
發(fā)明者盧永誠(chéng), 張惠林, 章勛明 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司