專(zhuān)利名稱(chēng)：噴射清洗方法以及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種噴射清洗方法以及裝置，特別是一種應(yīng)用于超聲亞微米半 導(dǎo)體制造技術(shù)中去除深亞微米顆粒玷污的噴射清洗方法以及裝置。
背景技術(shù)：
在超深亞微米半導(dǎo)體制造技術(shù)中，深亞微米顆粒玷污的清除顯得越來(lái)越重 要，也越來(lái)越困難。采用霧化的液滴噴射方法進(jìn)行深亞微米顆粒的清洗，沒(méi)有 化學(xué)蝕刻，既可以做到很好的清洗效率，又不會(huì)對(duì)圖形造成損傷，是一種先進(jìn) 的清洗方法。通過(guò)研究表明，液滴撞擊在干燥表面對(duì)顆粒產(chǎn)生的作用力遠(yuǎn)大于 撞擊在濕表面時(shí)對(duì)顆粒產(chǎn)生的作用力，相同的液滴撞擊條件下，干表面上的顆 粒受到的作用力要比濕表面上的顆粒所受到的力大三個(gè)數(shù)量級(jí)以上。因此，如 果在液滴噴射到硅片表面時(shí)，硅片表面是干燥的，那么清洗的效率將大大提高。 很顯然，在最初的時(shí)候，硅片總是干燥的，但是在清洗的過(guò)程中，液體很快將 整個(gè)硅片浸濕，而噴射清洗往往需要通過(guò)噴嘴的移動(dòng)反復(fù)的掃描硅片，因此后
續(xù)的清洗液噴射在濕的^e圭片上，清洗效率就大大降^^了 。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種噴射清洗方法以及裝置，其能夠在整個(gè)深亞微 米顆粒的清洗過(guò)程中，即時(shí)對(duì)硅片表面進(jìn)行干燥，從而提高清洗效率。
為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明一種噴射清洗方法，所述噴射清洗方法包括 一液體噴射步驟，采用霧化液體噴射的方法去除半導(dǎo)體硅片上的顆粒玷污，所 述噴射清洗方法還包括一即時(shí)干燥步驟，所述即時(shí)干燥步驟與液體噴射步驟交 替進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明所述的噴射清洗方法，其中，所述半導(dǎo)體硅片在清洗過(guò)程中， 以一預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)。
根據(jù)本發(fā)明所述的噴射清洗方法，其中，所述液體噴射步驟中，令霧化液 體從所迷半導(dǎo)體硅片中心往邊緣移動(dòng)，而在所述即時(shí)干燥步驟中，令霧化液體 停止移動(dòng)，待再次切換至所述液體噴射步驟時(shí)，再令霧化液體接著往邊緣移動(dòng)， 最后當(dāng)霧化液體移動(dòng)至所述半導(dǎo)體硅片邊緣之后，遂返回往所述半導(dǎo)體硅片中
根據(jù)本發(fā)明所述的噴射清洗方法，其中，所述即時(shí)干燥步驟與液體噴射步 驟的交替頻率可依據(jù)干燥效果進(jìn)行調(diào)節(jié)，且霧化液體移動(dòng)的步徑可根據(jù)需要改 變，以避免停留處清洗效率不均勻的現(xiàn)象。
本發(fā)明還提供一種噴射清洗裝置，所述噴射清洗裝置包括至少一液體噴嘴， 用以噴射霧化液體以去除半導(dǎo)體硅片上的顆粒玷污，其中，所述噴射清洗裝置
還包括至少一與所述液體噴嘴并列設(shè)置且固定于所述半導(dǎo)體硅片上方的干燥氣 體噴嘴，所述干燥氣體噴嘴與所述液體噴嘴以 一預(yù)定頻率交替工作。
本發(fā)明的噴射清洗方法以及裝置在利用霧化液體清洗硅片表面區(qū)域的同 時(shí)，利用干燥氣體即時(shí)地吹干已清洗的硅片表面區(qū)域，在整個(gè)清洗過(guò)程中保持 硅片表面區(qū)域的千燥，從而有效地提高了清洗的效率。


通過(guò)以下對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解其發(fā)明
的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。其中，附圖為
圖1為本發(fā)明的噴射清洗裝置在清洗^睹片時(shí)，干燥氣體噴嘴及液體噴嘴同 時(shí)位于硅片中心位置的示意圖2為本發(fā)明的噴射清洗裝置在清洗硅片時(shí)，干燥氣體噴嘴位于硅片中心 位置而液體噴嘴位于硅片邊緣位置的示意圖3為在本發(fā)明的噴射清洗方法中，干燥氣體噴嘴/液體噴嘴交替工作頻率 與清洗效率之間的關(guān)系示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下將結(jié)合一個(gè)較佳的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的噴射清洗方法以及裝置作進(jìn)一步 的詳細(xì)描述。
圖1以及圖2分別為本發(fā)明的噴射清洗裝置在清洗硅片時(shí)，噴嘴位于硅片 中心位置以及邊緣位置的示意圖。
如圖所示，在本實(shí)施例中，本發(fā)明的噴射清洗裝置具有一液體噴嘴10，用
以噴射霧化液滴，以去除半導(dǎo)體硅片2上黏附的顆粒玷污，與所述液體噴嘴10 并列設(shè)置的還有一千燥氣體噴嘴12，所述干燥氣體噴嘴12固定于半導(dǎo)體硅片2 的中心位置上方，能夠噴射出干燥的氣體，例如氮?dú)?N2)，從而實(shí)現(xiàn)即時(shí)干燥 剛剛清洗過(guò)的半導(dǎo)體硅片2的表面區(qū)域。需要特別說(shuō)明的是，本發(fā)明的噴射清 洗裝置的噴嘴數(shù)目以及分布不局限于前述的情況，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員都能 夠根據(jù)實(shí)際需要做出相應(yīng)的設(shè)計(jì)。
所述液體噴嘴10和干燥氣體噴嘴12交替工作，于初始狀態(tài)下，液體噴嘴 IO位于硅片中心的位置。請(qǐng)參閱圖3,在T1時(shí)間段內(nèi)，先由液體噴嘴10噴射 霧化的液滴進(jìn)行清洗，在T2時(shí)間段內(nèi)，液體噴嘴10停止噴射液滴，同時(shí)開(kāi)啟 干燥氣體噴嘴12，控制氣體的流量，使得半導(dǎo)體硅片2的表面能夠快速吹干， 然后再次啟動(dòng)液體噴嘴IO噴射霧化液體。在此過(guò)程中，半導(dǎo)體硅片2沿著圖上 所示的虛線(xiàn)軸以一定的速度旋轉(zhuǎn)，液體噴嘴10從半導(dǎo)體硅片2的中心往邊緣移 動(dòng)，在干燥氣體噴嘴12工作時(shí)，液體噴嘴10停止移動(dòng)并停止噴射霧化液體， 等干燥氣體噴嘴12停止工作后，液體噴嘴IO再次開(kāi)啟，再向半導(dǎo)體硅片2的 邊緣移動(dòng)，移到邊緣后開(kāi)始返回往中心移動(dòng)，重復(fù)原先交替開(kāi)啟的工作方式。 此外，可以適當(dāng)變化液體噴嘴10前進(jìn)的步徑，以避免液體噴嘴10停留處清洗 效率的不均勻。如上所述的運(yùn)動(dòng)方式使得液體噴嘴10可以?huà)呙璧秸麄€(gè)半導(dǎo)體^圭 片2的表面區(qū)域，使清洗更全面。
干燥氣體噴嘴12固定在半導(dǎo)體硅片2的上方，在實(shí)際使用中可根據(jù)干燥效 果適當(dāng)增加干燥氣體噴嘴12的數(shù)量和分布，在與液體噴嘴10交替工作的過(guò)程 中，控制氣體的流量，可以達(dá)到快速無(wú)傷害的干燥效果，另外才艮據(jù)干燥的效果 調(diào)節(jié)液體噴嘴10和干燥氣體噴嘴12交替工作的頻率，即Tl時(shí)間段與T2時(shí)間 段的長(zhǎng)短。通過(guò)此種清洗方式，液體噴射前保持了硅片表面的干燥，從而大大 提高了清洗的效率。
需要特別說(shuō)明的是，本發(fā)明的噴射清洗裝置不局限于上述實(shí)施例中所限定 的方式，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解'可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的;f又利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1、一種噴射清洗方法，所述噴射清洗方法包括一液體噴射步驟，采用霧化液體噴射的方法去除半導(dǎo)體硅片上的顆粒玷污，其特征在于，所述噴射清洗方法還包括一即時(shí)干燥步驟，所述即時(shí)干燥步驟與液體噴射步驟交替進(jìn)行。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴射清洗方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體硅片 在清洗過(guò)程中，以一預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴射清洗方法，其特征在于，所述液體噴射步 驟中，令霧化液體從所述半導(dǎo)體硅片中心往邊緣移動(dòng)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴射清洗方法，其特征在于，所述即時(shí)干燥步 驟中，令霧化液體停止移動(dòng)，待再次切換至所述液體噴射步驟時(shí)，再令霧化液 體接著往邊緣移動(dòng)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的噴射清洗方法，其特征在于，當(dāng)霧化液體 移動(dòng)至所述半導(dǎo)體硅片邊緣之后，再?gòu)倪吘壪蛩霭雽?dǎo)體硅片中心返回。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴射清洗方法，其特征在于，所述即時(shí)干燥步 驟與液體噴射步驟的交替頻率可依據(jù)干燥效果進(jìn)行調(diào)節(jié)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴射清洗方法，其特征在于，霧化液體移動(dòng)的 步徑可根據(jù)需要改變，以避免霧化液體停留處清洗效率不均勻的現(xiàn)象。
8、 一種噴射清洗裝置，所述噴射清洗裝置包括至少一液體噴嘴，用以噴 射霧化液體以去除半導(dǎo)體硅片上的顆粒玷污，其特征在于，所述噴射清洗裝置 還包括至少一設(shè)置于所述半導(dǎo)體硅片上方的干燥氣體噴嘴，所述干燥氣體噴嘴 與所述液體噴嘴以 一預(yù)定頻率交替工作。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的噴射清洗裝置，其特征在于，所述噴射清洗裝 置包括多個(gè)干燥氣體噴嘴。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的噴射清洗裝置，其特征在于，當(dāng)所述液體噴嘴 工作時(shí)從所述半導(dǎo)體硅片中心往邊緣移動(dòng)。
11、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的噴射清洗裝置，其特征在于，當(dāng)所述干燥氣體 噴嘴工作時(shí)，所述液體噴嘴停止移動(dòng)并停止噴射霧化液體，當(dāng)所述干燥氣體噴 嘴停止工作后，所述液體噴嘴再次工作并接著往硅片邊緣移動(dòng)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的噴射清洗裝置，其特征在于，當(dāng)所述液 體噴嘴移動(dòng)至所述半導(dǎo)體硅片邊緣之后，再?gòu)倪吘壪蛩霭雽?dǎo)體硅片中心返回。
13、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的噴射清洗裝置，其特征在于，所述干燥氣體噴 嘴與液體噴嘴交替工作的頻率可依據(jù)干燥效果進(jìn)行調(diào)節(jié)。
14、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的噴射清洗裝置，其特征在于，所述液體噴嘴移 動(dòng)的步徑可根據(jù)需要改變，以避免液體噴嘴停留處清洗效率不均勻的現(xiàn)象。
全文摘要
本發(fā)明提供一種噴射清洗方法以及裝置，其采用霧化液體噴射的方法去除半導(dǎo)體硅片上的顆粒玷污，同時(shí)還包括一即時(shí)干燥步驟，所述即時(shí)干燥步驟與液體噴射步驟交替進(jìn)行。本發(fā)明的噴射清洗方法以及裝置利用干燥氣體即時(shí)地吹干已清洗的硅片表面區(qū)域，間隔噴射的液體在每個(gè)開(kāi)啟周期之初總能?chē)娚湓诟稍锏墓杵砻?，從而有效地提高了清洗的效率?br> 文檔編號(hào)H01L21/00GK101179009SQ20071017075
公開(kāi)日2008年5月14日 申請(qǐng)日期2007年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月21日
發(fā)明者孫震海, 韓瑞津 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司