專利名稱：發(fā)光二極管支架的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種發(fā)光二極管支架的制造方法，尤指一種藉由二金 屬基板的結(jié)合，使其打線間距縮短，進而得到體積較小的表面黏著型發(fā) 光二極管的制造方法。
背景技術(shù)：
早在70年代就已經(jīng)有發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)的發(fā)
明，其對人類的生活形態(tài)產(chǎn)生極大的影響。數(shù)十年來，人們?nèi)圆粩嗟呐?力，希望能發(fā)明出更具實用性的有效光源，然而甚多的關(guān)鍵技術(shù)上的瓶 頸一直無法突破，故將其應(yīng)用于日常照明上確實存在了許多問題，例如 亮度的提升、產(chǎn)品的壽命問題。
近幾年來，由于人們在這些技術(shù)層面的問題上取得許多重大突破， 使得LED的應(yīng)用面更為廣泛。LED與傳統(tǒng)光源相較具有許多的優(yōu)勢，包 括體積小、發(fā)光效率佳、操作反應(yīng)速度快、可撓式或可陳列式組件，且 無熱輻射與水銀等有毒物質(zhì)的污染。
目前LED的制造技術(shù)己具有一定的成熟度，亮度也已提高到一定的 程度，已應(yīng)用的范圍包括汽車儀表板、液晶顯示板背光源、室內(nèi)照明、 掃描機與傳真機光源等用途。未來的開發(fā)目標在于制作出耗電量低，可 大量節(jié)省能源的高效率與高亮度的發(fā)光二極管；而微型的發(fā)光二極管也 是另一項重要的開發(fā)項目，主要是可將微型化的發(fā)光二極管應(yīng)用于作為 電子裝置的發(fā)光光源，例如行動電話、筆記型計算機或PDA屏幕的背光板光源，依據(jù)此類型電子產(chǎn)品的需要，表面黏著組件的發(fā)光二極管即非 常適用。
而隨著集成電路制作技術(shù)的進步，電子組件的設(shè)計與制作持續(xù)朝著 細微化的趨勢發(fā)展，并且由于其具備更大規(guī)模、高積集度的電子線路，
因此其它產(chǎn)品也更加完整。同時為了因應(yīng)ic制程技術(shù)微小化，以及電子
信息產(chǎn)品走向輕薄短小，電子組件連結(jié)在印刷電路板上的技術(shù)也由插件
式演進成表面黏著式(Surface Mount Device，SMD)，具低阻抗、高容量、 小型化、壽命長等特色的SMD型芯片電容因而倍受看好。
習(xí)知表面黏著組件的發(fā)光二極管，其為一金屬板經(jīng)沖壓后形成復(fù)數(shù) 個接腳，然后藉由塑料射出將多數(shù)個絕緣殼體設(shè)置于該金屬板上。接著 將芯片置入該多數(shù)個絕緣殼體中，再利用金屬導(dǎo)線將接腳與芯片電性連 接，進行打線。通常再用環(huán)氧樹脂施以封裝后即成為表面黏著組件發(fā)光 二極管。
但，習(xí)知表面黏著組件的發(fā)光二極管，其金屬導(dǎo)線與接腳一般會有 一段距離，此時就會增加打線的距離，也就是要增加金屬導(dǎo)線的長度， 然而通常金屬導(dǎo)線為金線，故成本會上升；此外因為金屬導(dǎo)線與接腳無 法很鄰近，故其體積也會隨之變大。
再者，以發(fā)光效率而言，發(fā)光二極管中的芯片所能承受的功率占重 要因素，高功率發(fā)光芯片的應(yīng)用，可使單顆發(fā)光二極管的亮度往上提升。 進一步而言，可有效的增加發(fā)光二極管的應(yīng)用范圍，然而當(dāng)功率提升后， 發(fā)光二極管中的芯片的工作溫度會迅速上升，習(xí)知表面黏著組件的發(fā)光 二極管未能有效解決芯片的散熱問題。
因此，本發(fā)明人有感上述缺失的可改善，提出一種設(shè)計合理且有效 改善上述缺失的本發(fā)明。
6發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的，在于提供一種發(fā)光二極管支架的制造方法，可 以縮短打線距離而降低成本，藉此也可以得到體積較小的高功率發(fā)光二 極管。本發(fā)明的另一目的，在于提供一種發(fā)光二極管支架的制造方法，可 將集中于高功率芯片的熱量向外傳遞，以達到散熱效果。本發(fā)明的又一目的，在于提供一種發(fā)光二極管支架的制造方法，第 一金屬基板與第二金屬基板相互結(jié)合而產(chǎn)生的高功率發(fā)光二極管，比單 一金屬板有較高的生產(chǎn)良率。為了達成上述的目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管支架的制造方法， 包括下列步驟成型一第一金屬基板，該第一金屬基板成型有一第一支 架及至少一電極片，該電極片延伸有接腳；成型一第二金屬基板，該第 二金屬基板成型有一第二支架及一基部；將該第一金屬基板及該第二金 屬基板結(jié)合，該電極片相鄰于該基部，使該基部與該電極片間形成有空 隙；將至少一芯片黏設(shè)于該第二金屬基板的基部上，并將該芯片藉由金 屬導(dǎo)線進行打線電性連接于該電極片；以及成型一絕緣殼體，將該絕緣 殼體包覆于該電極片與該基部，使該接腳外露于該絕緣殼體。本發(fā)明具有以下的有益效果本發(fā)明可制成具有二金屬基板的發(fā)光 二極管支架，使該第二金屬基板中用以承載芯片的基部鄰近于第一金屬 基板的電極片，以縮短該芯片與該電極片的打線距離而降低成本，藉此 也可以得到體積較小的高功率發(fā)光二極管。再者，本發(fā)明在第二金屬基板的基部底部突伸成型一凸塊，藉由該 凸塊可將集中于高功率芯片的熱量向外傳遞，以達到散熱效果。同時利用第一金屬基板與第二金屬基板相互結(jié)合而產(chǎn)生的高功率發(fā)光二極管， 比單一金屬板有較高的生產(chǎn)良率。為使能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本 發(fā)明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來 對本發(fā)明加以限制。


圖1為本發(fā)明的流程圖。圖2為本發(fā)明第一實施例的第一金屬基板的示意圖。圖3為本發(fā)明第一實施例的第二金屬基板的示意圖。圖4為本發(fā)明第一實施例的支架的立體分解圖。圖5為本發(fā)明第一實施例的支架的立體組合圖。圖6為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管的剖面圖。圖7為本發(fā)明第二實施例的支架的立體分解圖。圖8為本發(fā)明第三實施例的支架的立體分解圖。圖9為本發(fā)明第二實施例的基座黏設(shè)芯片及進行打線的立體示意圖。主要組件符號說明 1第一金屬基板11第一支架 12電極片121第一電極片 122第二電極片13第一固定片 14容置空間15接腳 2第二金屬基板21第二支架 22基部23第二固定片 24凸塊3絕緣殼體 4芯片 5金屬導(dǎo)線 6金屬導(dǎo)線具體實施方式
請參閱圖1至圖6所示，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管支架的制造方 法，該制造方法包括下列步驟(a) 沖壓成型一第一金屬基板1，該第一金屬基板1成型有一第一 支架ll及至少一電極片12，該第一支架11呈一框架體。該電極片12成型于該第一支架11中心處，該電極片12以第一固定 片13連接于第一支架11，使該電極片12固定于第一支架11上。在第一 實施例中該電極片12包含一第一電極片121及一第二電極片122，該第 一電極片121及第二電極片122之間成型一容置空間14。該第一電極片121與第二電極片122的側(cè)邊各成型有至少一接腳15， 該接腳15向外延伸。在第二實施例中該電極片12僅成型為一個電極片 121 (如圖7)。(b) 沖壓成型一第二金屬基板2，該第二金屬基板2為一薄材質(zhì)， 該第二金屬基板2也可為一厚材質(zhì)(如圖8)或任何材質(zhì)，其成型有一第 二支架21及一基部22，該第二支架21呈一框架體，可與第一支架11相 匹配。該基部22成型于該第二支架21中心處，該基部22以第二固定片23連接于第二支架21，使該基部22固定于第二支架21上，在第一實施例 中該第二固定片23為一個呈S形狀的片體，該第二固定片23也可為其 它形狀(圖略)。該基部22底部一體成型突伸一凸塊24。(c) 將第一金屬基板1的第一支架11及第二金屬基板2的第二支 架21相互對準，而后將該第一支架11及第二支架21相疊結(jié)合(耦合)(如圖5)，并令該第二金屬基板2的基部22容置于第一金屬基板1的容 置空間14，使該第一電極片121及第二電極片122相鄰于基部22，且該 基部22周邊與該第一電極片121及第二電極片122間形成有空隙。(d) 將芯片4黏設(shè)于該第二金屬基板2的基部22上，并將該芯片4 藉由金屬導(dǎo)線進行打線步驟，以使芯片4電性連接于該第一、第二電極 片121、 122; —般金屬導(dǎo)線為金線，其所進行的打線結(jié)合是半導(dǎo)體IC封 裝制程的一站，是自IC晶?；蛐酒麟姌O上，以金屬導(dǎo)線進行各式打線 結(jié)合，再牽線至第一、第二電極片121、 122以完成互連。在第一實施例 中，該基部22上的芯片4鄰近于該第一電極片121與第二電極片122， 所以可減少打線的距離，因此可降低成本及縮小體積。(e) 成型一絕緣殼體3 (如圖6)，該絕緣殼體3以射出成型的方式 包覆于該第一、第二電極片121、 122與該基部22上，該射出成型為在 樹脂注射成形機中，用兩半金屬模夾住金屬基板l、 2的規(guī)定部分，在金 屬模的空間內(nèi)部加壓注入熔化的樹脂，接著使其冷卻固化，嵌入模壓加 工一定形狀和尺寸的樹脂。該凸塊24外露于該絕緣殼體3底面，用以散 熱該芯片4的工作溫度，該接腳15折彎外露于該絕緣殼體3。在第一實 施例中該接腳15為二個且折彎外露于該絕緣殼體3側(cè)邊，然而該接腳15 也可折彎外露于該絕緣殼體3其它部位。另，可選擇性的將第一支架ll 及第二支架21去除，也可僅將第一支架11或第二支架21去除。請參閱圖7及圖9，在第二實施例中該電極片12僅成型為一個第一 電極片121，該第一電極片121作為一極性接點(如陽極接點)，該第二 金屬基板2則可作為另一極性接點(如陰極接點)。將芯片4黏設(shè)于該第 二金屬基板2的基部22上，并將該芯片4藉由金屬導(dǎo)線5及6進行打線 步驟，以使芯片4電性連接于該第一電極片121及第二金屬基板2。本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管支架的制造方法，可制成具有二金屬基 板l、 2的發(fā)光二極管支架，使該第二金屬基板2中用以承載芯片4的基 部22鄰近于第一金屬基板1的第一電極片121與第二電極片122，以縮 短該芯片4與該第一電極片121與第二電極片122的打線距離而降低成 本，藉此也可以得到體積較小的高功率發(fā)光二極管。再者，本發(fā)明在第二金屬基板2的基部22底部突伸成型一凸塊24， 藉由該凸塊24可將集中于高功率芯片4的熱量向外傳遞，以達到散熱效 果。同時利用第一金屬基板1與第二金屬基板2相互結(jié)合而產(chǎn)生的高功 率發(fā)光二極管，比單一金屬板有較高的生產(chǎn)良率。但，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，非意欲局限本發(fā)明的專利 保護范圍，故舉凡運用本發(fā)明說明書及圖式內(nèi)容所為的等效變化，均同 理皆包含于本發(fā)明的權(quán)利保護范圍內(nèi)，合予陳明。
權(quán)利要求
1、一種發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于，包括下列步驟成型一第一金屬基板，該第一金屬基板成型有一第一支架及至少二電極片，該二電極片延伸有接腳；成型一第二金屬基板，該第二金屬基板成型有一第二支架及一基部；將該第一金屬基板及該第二金屬基板結(jié)合，該二電極片相鄰于該基部，使該基部與該二電極片間形成有空隙；將芯片黏設(shè)于該第二金屬基板的基部上，并將該芯片藉由金屬導(dǎo)線進行打線電性連接于該二電極片；以及成型一絕緣殼體，將該絕緣殼體包覆于該二電極片與該基部，使該接腳外露于該絕緣殼體。
2、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于 該二電極片成型于該第一支架中心處，該二電極片以第一固定片連接于 該第一支架。
3、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于 該二電極片之間成型一容置空間，將該第二金屬基板的基部容置于該容 置空間。
4、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于該基部成型于該第二支架中心處，該基部以第二固定片連接于該第二支 架。
5、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于該基部底部成型一凸塊，該凸塊外露于該絕緣殼體底面，用以散熱該芯 片的工作溫度。
6、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于該絕緣殼體以射出成型的方式包覆于該二電極片與該基部。
7、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于 進一步的包括一將該第一支架及第二支架去除的步驟。
8、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于 進一步的包括一將該第一支架去除的步驟。
9、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于 進一步的包括一將該第二支架去除的步驟。
10、 一種發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于，包括下列步驟: 成型一第一金屬基板，該第一金屬基板成型有一第一支架及一電極片，該電極片延伸有接腳，該電極片作為一極性接點；成型一第二金屬基板，該第二金屬基板成型有一第二支架及一基部， 該第二金屬基板作為另一極性接點；將該第一金屬基板及該第二金屬基板結(jié)合，該電極片相鄰于該基部，使該基部與該電極片間形成有空隙；將芯片黏設(shè)于該第二金屬基板的基部上，并將該芯片藉由金屬導(dǎo)線 進行打線電性連接于該電極片及第二金屬基板；以及成型一絕緣殼體，將該絕緣殼體包覆于該電極片與該基部，使該接 腳外露于該絕緣殼體。
11、 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于:該第一金屬基板成型一容置空間，將該第二金屬基板的基部容置于該容 置空間。
12、 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于該基部底部成型一凸塊，該凸塊外露于該絕緣殼體底面，用以散熱該芯 片的工作溫度。
13、 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于: 該絕緣殼體以射出成型的方式包覆于該電極片與該基部。
14、 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于: 進一步的包括一將該第一支架及第二支架去除的步驟。
15、 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于: 進一步的包括一將該第一支架去除的步驟。
16、 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光二極管支架的制造方法，其特征在于: 進一步的包括一將該第二支架去除的步驟。
全文摘要
一種發(fā)光二極管支架的制造方法，包括成型一第一金屬基板，該第一金屬基板成型有一第一支架及至少一電極片，該電極片延伸有接腳；成型一第二金屬基板，該第二金屬基板成型有一第二支架及一基部；將該第一金屬基板及該第二金屬基板結(jié)合(耦合)，該電極片相鄰于該基部，使該基部與該電極片間形成有空隙；將至少一芯片黏設(shè)于該第二金屬基板的基部上，并將該芯片藉由金屬導(dǎo)線進行打線電性連接于該電極片；以及成型一絕緣殼體，將該絕緣殼體包覆于該電極片與該基部，使該接腳外露于該絕緣殼體；藉此，能制成具有二金屬基板的發(fā)光二極管支架，使第二金屬基板中用以承載芯片的基部鄰近于第一金屬基板的電極片，以縮短芯片與電極片的打線距離而降低成本及減小體積。
文檔編號H01L33/00GK101308894SQ200710107960
公開日2008年11月19日 申請日期2007年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月18日
發(fā)明者周萬順 申請人:一詮精密工業(yè)股份有限公司