專利名稱：一種用于真空制程的氣體導流裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一種氣體導流裝置，特別關于一種用于真空制程的 氣體導流裝置，用以改善電漿輔助氣相層積或電漿蝕刻不均的 問題。
背景技術：
隨著科技的日益進步，人類于生活中所需耗費的能源量亦不斷攀 升當中，世界各國為了抵抗能源即將耗盡的危機，以及分散人類對于 石油能源的過度依賴，而不斷研發(fā)所謂的替代性能源，翼望能將地球 能源不斷延續(xù)不至耗竭。在替代性能源的領域中，太陽能為眾多替代性能源的首選，其具 體產品就是太陽能電池。太陽能電池的制程與半導體制程相當類似， 同樣需要拉晶、切片、蝕刻、鍍膜等步驟，其中，鍍膜、蝕刻的制程 通常利用電漿氣相擴散進行，因此氣體的分布、濃度對于制程結果的良率即產生了極大的影響，例如.中國臺灣發(fā)明第448504公告號專利r一 種電漿蝕刻裝置中的氣體導流裝置」，即，針對半導體制程中，于蝕 刻時所需氣體的分布進行改良的裝置，但該發(fā)明僅針對反應氣體于腔 體中的分布進行改良，對于氣體反應后所產生的廢氣或副產物依然無 法第一時間排除，因此影響反應氣體的濃度，使蝕刻的深度不均勻或 鍍膜的厚度無法達到預定的均勻性，造成該制程的良率因而降低。發(fā)明內容基于上述所提及現有技術的缺失，若能于太陽能電池等半導體真 空制程中，提供一種可均勻分布反應氣體，并可第一時間排出廢氣、 維持反應氣體濃度的氣體導流裝置，對蝕刻及鍍膜的良率提升將帶來 極大的助益。故本發(fā)明的目的乃提供一種用于真空制程的氣體導流裝置，該裝 置可達成反應氣體的均勻分布，以及維持反應氣體濃度，用以改善電漿輔助氣相層積或蝕刻不均的問題，該氣體導流裝置包括 一真空腔 體，該真空腔體可容置一基板座、 一進氣管路，用以導入氣體至該腔 體、 一抽氣管路，用以將腔體中的氣體導出；藉由該進氣管路與該抽氣管路導入、導出氣體，使氣體產生回轉的氣流。其中，該氣體導流裝置可應用于電漿氣相層積或蝕刻等真空制程 中，且該氣體導流裝置可更包括一抽氣幫浦，該抽氣幫浦連結于該真 空腔體，用以維持真空度，該抽氣幫浦亦連結該抽氣管路，使該抽氣管路主動進行導流抽氣的作動；而該基板座，用于盛栽制程中的產品 基板。此外，該進氣管路與該抽氣管路可為一雙層管路，該雙層管路可 依設計分為同軸雙向管路或不同軸雙向管路，于該雙層管路的底端具 有復數個孔洞，該孔洞之間的小間隙，用以均勻輸出反應氣體至該真 空腔體中，且該復數個孔洞分別隔絕、連通于該進氣管路及該抽氣管 路，于進氣、抽氣時即會于腔體中產生復數個回流的氣流，藉由該氣 流即可將反應后的廢氣或副產物立即排出，不會滯留于該真空腔體過 久而影響基板邊緣反應氣體的濃度。


圖l代表習知氣體導流裝置示意圖； 圖2代表本發(fā)明氣體導流裝置示意圖； 圖3代表本發(fā)明實施例的同軸雙向管路示意圖； 圖4代表本發(fā)明氣體導流裝置的實施例示意圖。圖號說明1習知氣體導流裝置 ll腔體 12進氣裝置 121平板1211孔洞 2氣體導流裝置 21腔體 22雙層管路221進氣管路 2212進氣口222抽氣管路 2222出氣口 4抽氣幫浦 A、 B氣流2211孔洞2221孔洞3基板座 5產品基板具體實施方式
為使熟悉該項技藝人士了解本發(fā)明的目的，茲配合圖式將本發(fā)明 的較佳實施例詳細i兌明如下。一般于電漿輔助氣相層積或蝕刻等的半導體真空制程中，藉由習 知氣體導流裝置使反應氣體可分布于產品基板之上，以進行蝕刻或鍍 膜。圖1代表習知氣體導流裝置示意圖；該習知氣體導流裝置1包括 一真空腔體ll、 一進氣裝置12、 一基板座3與一抽氣幫浦4;其中， 該進氣裝置12更包括一設置于該進氣裝置12底端的平板121,該平板 121包括復數個孔洞1211,當進氣裝置12將反應氣體輸入腔體11時， 透過該孔洞1211使反應氣體呈現垂直、分散的氣流A,因此可藉由該 孔洞1211的位置分布去控制氣體于該腔體11中的分布。當此種氣體導流裝置1應用于小的產品基板5時，是可藉由該孔 洞1211的分布達成分布氣體的功效，使該產品基板5可均勻接觸反應 氣體而產生均勻的反應，但當該氣體導流裝置1應用于較大的產品基 板5時，該反應氣體的分布情形，即會因反應氣體本身的成份與反應 后的副產物，使產品基板上方氣體濃度分布不同，使氣體流動及分布 速度不同，而造成平板121中央與邊緣的反應氣體分布不均，使中央 部位高純度的反應氣體已對產品基板5進行反應，而平板121的邊緣 處卻因受中央部份反應的副產物影響，使邊緣處的反應氣體濃度降低， 致使中央與周圍的反應不同。此外，盡管習知氣體導流裝置1可將反應氣體完全分布于產品基 板5之上，但氣體反應后所產生的廢氣，因僅僅藉由下方的抽氣幫浦4 抽離該腔體11,使廢氣無法于第一時間排出，會與原始的反應氣體混合，使反應氣體的濃度無法保持于固定濃度，使蝕刻或鍍膜的結果不 如預期，產生蝕刻或鍍膜厚薄不均的狀況。圖2代表本發(fā)明氣體導流裝置示意圖；為了避免上述的問題，因 此本發(fā)明提出 一種創(chuàng)新的氣體導流裝置，用以改善電漿氣相層積或蝕 刻等半導體真空制程中發(fā)生蝕刻厚度或鍍膜厚度不均勻的現象，如圖 所示，該氣體導流裝置2包括 一腔體21,該腔體21可容置一基板座 3; —進氣管路221,用以導入反應氣體至該腔體21;與一抽氣管路222， 用以導出氣體；其中，該進氣管路221與該抽氣管路222可為一同軸 雙向管路22，藉由該進氣管路221與該抽氣管路222導入、導出氣體， 讓氣體產生氣回流B，使氣體反應后所產生的廢氣可以藉由氣流B帶 動，使廢氣可及時排出。此外，該雙層管路22可依應用所需分為同軸雙向管^各或不同軸雙 向管^f各，且該雙層管路22更具有復數個孔洞2211、 2221，其分別連通 于該進氣管路221與該抽氣管路222,且各孔洞2211、 2221之間僅隔 一小間隙，使反應氣體可先于進氣管路中分布均勻再輸出，而持續(xù)允 許反應后的殘余氣體與副產品，能均勻排出，因此藉由本發(fā)明的氣體 導流裝置2不僅可使氣體均勻分布，更可維持反應氣體的濃度，而可 改善真空制程中蝕刻或鍍膜不均的問題。圖3代表本發(fā)明實施例的雙層管路示意圖；該雙層管路22為同軸 雙向管路時的結構可如圖3所示，其中該進氣管路221具有一進氣口 2212及復數個孔洞2211,該進氣口 2212可樞接傳送反應氣體的裝置， 當氣體藉由進氣口 2212輸入該進氣管路221，該氣體即可分布至各孔 洞2211使氣體輸出；而該抽氣管路222亦具有一出氣口 2222以及復 數個孔洞2221 ，該出氣口 2222可樞接一輸出氣體的裝置(如抽氣幫浦)， 當氣體藉由孔洞2221抽入該抽氣管路222，即可透過該出氣口 2222使 反應氣體輸出至該裝置2外。再請參考圖4，代表本發(fā)明氣體導流裝置的實施例示意圖；于此實 施例中，該控制氣流裝置2利用圖3所示的同軸雙向管路22構成的控 制氣流裝置，該裝置2包括 一腔體21、 一進氣管路221、 一抽氣管路222、 一基板座3，設置于該腔體21中、以及一抽氣幫浦4，連結該 腔體21,用以維持該腔體21的真空度。其中，該腔體21藉由該抽氣幫浦4使該腔體21常保持于真空狀 態(tài)；該進氣管路221用以導入氣體至該腔體21,而該抽氣管路222由 該腔體21導出氣體，另外該進氣管路221與該抽氣管路222可為一同 軸雙向管路22,且于該同軸雙向管路22的底端具有復數個孔洞2211、 2221，該孔洞2211、 2221以間隔排列方式分別連通于進氣管路221與 該抽氣管路222，因此藉由該進氣管路221與該抽氣管路222導入、導 出氣體，即可使氣體產生復數個回轉的氣流B;藉由該氣流B即可將 新鮮且均勻的反應氣體送到產品基板5上進行蝕刻或鍍膜，而氣體反 應后產生的廢氣或副產物也會隨氣流B通過孔洞2222至抽氣管路222 排出該腔體21外，因此該廢氣可在第一時間被排出該腔體21，使腔體 21中的制程不會因為該廢氣而影響腔體21中反應氣體的濃度，造成大 面積產品基板的蝕刻或鍍膜不均勻的問題。藉由本實施例可知， 一般于蝕刻制程中，大面積基板的不均勻性 將可由7%改善至3°/。以下，而于鍍膜制程中，不均勻性亦可由10% 改善至5%以下，然而以上所述的，僅為本創(chuàng)作的一較佳實施例而已， 并非用來限定本創(chuàng)作實施的范圍。即凡依本創(chuàng)作申請專利范圍所做的 均等變化與修飾，皆為本創(chuàng)作專利范圍所涵蓋。
權利要求
1、一種用于真空制程的氣體導流裝置，該裝置包括一真空腔體，可容置一基板座；一進氣管路，用以導入氣體至該真空腔體；與一抽氣管路，用以導出氣體；該進氣管路與該抽氣管路可為一雙管的管路，藉由該進氣管路與該抽氣管路導入、導出氣體，使氣體產生回轉的氣流。
2、 如權利要求1所述的一種用于真空制程的氣體導流 裝置，其中該真空制程為電漿氣相沉積制程或蝕刻制程。
3、 如權利要求1所述的一種用于真空制程的氣體導流 裝置，其中該裝置更包括一抽氣幫浦，該抽氣幫浦連結于該 腔體，用以維持該腔體的真空度。
4、 如權利要求1所述的一種用于真空制程的氣體導流 裝置，其中該雙管的管路可為一同軸雙向管路或不同軸雙向 管路。
5、 如權利要求1所述的一種用于真空制程的氣體導流 裝置，其中該進氣管路底端具有復數個氣流孔洞，該孔洞的 間的小間隙用以均勻輸出氣體。
6、 如權利要求1所述的一種用于真空制程的氣體導流 裝置，其中該抽氣管路底端具有復數個氣流孔洞，使氣體產 生復數個就近回轉的氣流。
7、 如權利要求3所述的一種用于真空制程的氣體導流 裝置，其中該雙管的管路底端具有復數個孔洞，該孔洞分別 連通于該進氣管路或該抽氣管路。
全文摘要
本發(fā)明一種用于真空制程的氣體導流裝置，該裝置包括一真空腔體、一進氣管路與一抽氣管路，其中該抽氣管路與該進氣管路可為一雙層管路，該氣體導流裝置可藉由該雙層管路導入、導出氣體，讓氣體可于真空腔體中產生回轉的氣流，將制程中所產生的廢氣可就近隨該氣流經由抽氣管路排出，使制程中所需的反應氣體可維持一定的反應濃度，而改善電漿制程中蝕刻或鍍膜深度不均的問題。
文檔編號H01L21/3065GK101308789SQ20071010786
公開日2008年11月19日 申請日期2007年5月17日 優(yōu)先權日2007年5月17日
發(fā)明者彭光中 申請人:鈺衡科技股份有限公司