專利名稱：晶圓缺陷的檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的檢測技術(shù)，具體地說，涉及一種晶圓缺陷的檢測 方法。
背景技術(shù)：
在高密度等離子反應(yīng)(High density plasma,簡稱"HDP")設(shè)備內(nèi)進(jìn)行沉積 步驟時(shí)， 一般是等離子體在HDP設(shè)備的反應(yīng)室(chamber)分布越均勻流動(dòng)越 穩(wěn)定，在晶圓表面形成的沉積層的厚度也越均勻。因此為了提高晶圓表面沉積 層厚度的均勻度，反應(yīng)室的頂部和側(cè)部都設(shè)有均勻分布的氣體進(jìn)氣口和射頻電壓。
采用上述結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室雖然可以使晶圓表面的沉積層厚度均勻，但是多個(gè) 進(jìn)氣口不容易控制，如果某個(gè)進(jìn)氣口的氣體流量不穩(wěn)定，很容易在晶圓.表面形 成缺陷。反應(yīng)室頂部進(jìn)氣口對應(yīng)晶圓的中心區(qū)域尤其容易受到影響。另外，如 果晶圓只有中心區(qū)域存在微小缺陷時(shí)，采用現(xiàn)有的檢測方法無法檢測到缺陷的 位置。這樣的晶圓到后續(xù)制程中會(huì)出現(xiàn)問題，嚴(yán)重時(shí)造成晶圓報(bào)廢。例如，如 果是晶圓淺溝槽沉積氧化層時(shí)出現(xiàn)缺陷，那么在后續(xù)對晶圓的氮化層進(jìn)行濕法 蝕刻中，產(chǎn)生缺陷的氧化層也會(huì)被蝕刻溶液破壞。破壞產(chǎn)生的空隙在后續(xù)沉積 多晶硅步驟中被多晶硅填充，發(fā)生短路現(xiàn)象，導(dǎo)致晶圓報(bào)廢，造成生產(chǎn)浪費(fèi)。
有鑒于此，需要提供一種新的晶圓缺陷的檢測方法以克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于提供提高產(chǎn)品良率的晶圓缺陷的檢測方法。 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種晶圓缺陷的檢測方法，其包括如下 步驟選定檢測區(qū)域，該檢測區(qū)域是以晶圓中心為圓心，半徑是晶圓半徑十分 之一至五分之一的圓形區(qū)域；在該檢測區(qū)域內(nèi)選取若干個(gè)呈反射狀均勻分布的檢測點(diǎn)，檢測點(diǎn)大于49個(gè)；對每一檢測點(diǎn)進(jìn)行分析，找出缺陷的位置。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的檢測方法通過在晶圓較小區(qū)域，設(shè)置較多的檢 測點(diǎn)，從而可以有效4企測出晶圓中心區(qū)域出現(xiàn)的細(xì)小缺陷，并及時(shí)改善晶圓的 生產(chǎn)條件，起到了提高了晶圓的成品率的有益效果。
具體實(shí)施例方式
以下對本發(fā)明公開的晶圓缺陷的檢測方法作進(jìn)一步詳細(xì)描述。 以直徑為200mm的晶圓為例，當(dāng)晶圓在HDP設(shè)備的反應(yīng)室進(jìn)行沉積步驟 后，采用本發(fā)明公開的檢測方法對該晶圓進(jìn)行缺陷檢測。首先選取檢測區(qū)域， 以晶圓的中心為圓心，半徑為10mm的圓為檢測區(qū)域。檢測區(qū)域的半徑一4殳為 晶圓半徑的十分之一與五分之一之間，即若晶圓直徑是300mm，則檢測區(qū)域的 半徑是15-30mm。
然后在檢測區(qū)域內(nèi)選取若干個(gè)檢測點(diǎn)，檢測點(diǎn)以晶圓中心為基準(zhǔn)呈放射性 均勻分布。檢測點(diǎn)分布越密集，檢測結(jié)果越準(zhǔn)確，但如果數(shù)量太多，會(huì)減低檢 測效率，所以本實(shí)施例4企測點(diǎn)最佳數(shù)量是181個(gè)。
最后對選取的檢測點(diǎn)進(jìn)行分析，確定該晶圓是否存在缺陷。且找出缺陷在 晶圓的具體位置。
采用本發(fā)明的檢測方法可以有效地檢測出沉積步驟后的晶圓是否存在缺 陷，如果存在缺陷可以及時(shí)維護(hù)HDP設(shè)備或者調(diào)整工藝條件，避免造成生產(chǎn)浪費(fèi)。
可以理解的是，上述內(nèi)容僅是對本發(fā)明的檢測方法具體實(shí)施例的描述，并 不造成任何限定，如本發(fā)明的檢測方法不限于針對進(jìn)行沉積步驟后的晶圓進(jìn)行 檢測，還可以應(yīng)用到半導(dǎo)體器件制造的其他制程。
權(quán)利要求
1. 一種晶圓缺陷的檢測方法，其特征在于，該檢測方法包括:選定檢測區(qū)域，該檢測區(qū)域是以晶圓中心為圓心，半徑是晶圓半徑十分之一至五分之一的圓形區(qū)域；在該檢測區(qū)域內(nèi)選取若干個(gè)呈反射狀均勻分布的檢測點(diǎn)，檢測點(diǎn)大于49個(gè)；對每一檢測點(diǎn)進(jìn)行分析，找出缺陷的位置。
2. 如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于檢測區(qū)域的半徑是晶圓半徑的十 分之一。
3. 如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于在該檢測區(qū)域內(nèi)選取181個(gè)檢測點(diǎn)。
4. 如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于檢測區(qū)域的半徑是10mm。
全文摘要
本發(fā)明公開了晶圓缺陷的檢測方法，涉及半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域。該晶圓缺陷的檢測方法包括如下步驟選定檢測區(qū)域，該檢測區(qū)域是以晶圓中心為圓心，半徑是晶圓半徑十分之一至五分之一的圓形區(qū)域；在該檢測區(qū)域內(nèi)選取若干個(gè)呈反射狀均勻分布的檢測點(diǎn)，檢測點(diǎn)大于49個(gè)；對每一檢測點(diǎn)進(jìn)行分析，找出缺陷的位置。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的檢測方法通過在較小區(qū)域設(shè)置較多的檢測點(diǎn)，從而可以有效檢測出晶圓中心區(qū)域出現(xiàn)的細(xì)小缺陷，從而及時(shí)改善晶圓的生產(chǎn)條件，提高了晶圓的成品率。
文檔編號H01L21/66GK101378024SQ20071004548
公開日2009年3月4日 申請日期2007年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月31日
發(fā)明者鵬 付, 玉 張, 彬 李, 洋 王, 肖春光 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司