專利名稱：基板處理裝置以及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對半導體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板、PDP用玻璃基板等基板進行清洗、蝕刻等規(guī)定的處理的基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術(shù)：
到目前為止，在基板的制造工序中，公知有通過處理液對基板進行處理的基板處理裝置。圖11是表示現(xiàn)有的基板處理裝置200的通常的結(jié)構(gòu)的圖?，F(xiàn)有的基板處理裝置200具有用于積存處理液的處理槽210，通過將基板W浸漬在被積存于處理槽210的處理液中，從而對基板W進行處理。還有，基板處理裝置200具有通過循環(huán)泵221的壓力來使處理液進行循環(huán)的循環(huán)部220。處理液由設(shè)置在循環(huán)路徑中途的過濾器222來進行過濾。還有，處理液由設(shè)置在處理槽210的加熱器211、或設(shè)置在循環(huán)路徑中途的加熱器223進行加熱，而被維持在適于基板W的處理的規(guī)定的溫度。
但是，在現(xiàn)有的基板處理裝置200中，存在這樣的情況伴隨著基板W的處理，處理液的成分結(jié)構(gòu)變化，從而導致處理液的處理性能降低。例如，在利用含有磷酸的處理液對基板的表面進行蝕刻的處理時，從基板的表面溶出的氧化物或氮化物作為雜質(zhì)而混合到處理液中，會使處理液的蝕刻性能降低。因此，在現(xiàn)有的基板處理裝置200中，需要頻繁地將處理液交換為新液，導致基板處理裝置200的運轉(zhuǎn)率降低的同時，處理液的消耗量和排液量變多。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的情況而提出的，其目的在于提供一種通過處理液對基板進行處理的基板處理裝置，維持處理液的處理性能并提高基板處理裝置的運轉(zhuǎn)率的同時，能夠降低處理液的消耗量和排液量。
為解決上述問題，(1)本發(fā)明為一種通過處理液對基板進行處理的基板處理裝置，其特征在于，具有處理槽，其用于容納基板，并且積存處理液；循環(huán)路徑，其將從上述處理槽排出的處理液再次向上述處理槽供給；冷卻裝置，其在上述循環(huán)路徑中途對處理液進行冷卻；雜質(zhì)除去裝置，其在上述循環(huán)路徑中途的上述冷卻裝置的下游側(cè)，除去處理液中所包含的雜質(zhì)。
(2)如(1)所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有加熱裝置，該加熱裝置在上述循環(huán)路徑中途的上述雜質(zhì)除去裝置的下游側(cè)對處理液進行加熱。
(3)如(2)所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述處理槽具有內(nèi)槽，其用于容納基板，并且對基板進行處理；外槽，其在上述內(nèi)槽的上部外側(cè)接受從上述內(nèi)槽溢出的處理液，上述循環(huán)路徑將從上述外槽排出的處理液再次向上述內(nèi)槽供給。
(4)如(2)所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述循環(huán)路徑將從上述處理槽的底部排出的處理液再次向上述處理槽供給。
(5)如(2)所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述循環(huán)路徑具有第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑，在上述第一循環(huán)路徑和上述第二循環(huán)路徑分別設(shè)置有上述雜質(zhì)除去裝置，還具有切換上述第一循環(huán)路徑和上述第二循環(huán)路徑的循環(huán)路徑切換裝置。
(6)如(5)所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述雜質(zhì)除去裝置具有過濾除去處理液中的雜質(zhì)的過濾器，還具有對上述過濾器進行清洗的過濾器清洗裝置。
(7)如(6)所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述過濾器清洗裝置具有過濾器清洗液供給裝置，該過濾器清洗液供給裝置將使雜質(zhì)溶解的過濾器清洗液向上述過濾器供給。
(8)如(7)所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有排液路徑，其在上述循環(huán)路徑中途的上述過濾器的下游側(cè)，從上述循環(huán)路徑分支；排液切換裝置，其對上述循環(huán)路徑和上述排液路徑進行切換。
(9)如(8)所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有處理液供給裝置，該處理液供給裝置在上述循環(huán)路徑中途的上述過濾器的上游側(cè)供給處理液。
(10)如(2)所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有處理液積存槽，該處理液積存槽在上述循環(huán)路徑中途的上述雜質(zhì)除去裝置的下游側(cè)積存處理液，上述加熱裝置對被積存在上述處理液積存槽中的處理液進行加熱。
(11)一種基板處理裝置，通過處理液對基板進行處理，其特征在于，具有處理槽，其用于容納基板，并且積存處理液；循環(huán)路徑，其將從上述處理槽排出的處理液再次向上述處理槽供給；冷卻槽，其在上述循環(huán)路徑中途積存處理液，并且冷卻處理液；排出裝置，其將沉淀在上述冷卻槽中的雜質(zhì)從上述冷卻槽排出。
(12)如(11)所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有循環(huán)機構(gòu)，該循環(huán)機構(gòu)汲取被積存在上述冷卻槽中的處理液的上澄液，使處理液向下游側(cè)的循環(huán)路徑供給。
(13)如(12)所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有加熱裝置，該加熱裝置在上述循環(huán)路徑中途的上述冷卻槽的下游側(cè)對處理液進行加熱。
(14)如(13)所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述處理槽具有內(nèi)槽，其用于容納基板，并且對基板進行處理；外槽，其在上述內(nèi)槽的上部外側(cè)接受從上述內(nèi)槽溢出的處理液，上述循環(huán)路徑將從上述外槽排出的處理液再次向上述內(nèi)槽供給。
(15)如(13)所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述循環(huán)路徑將從上述處理槽的底部排出的處理液再次向上述處理槽供給。
(16)如(13)所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述循環(huán)路徑具有第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑，在上述第一循環(huán)路徑和上述第二循環(huán)路徑分別設(shè)置有上述冷卻槽，具有切換上述第一循環(huán)路徑和上述第二循環(huán)路徑的循環(huán)路徑切換裝置。
(17)如(16)所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有過濾器，該過濾器在上述循環(huán)路徑的上述冷卻槽的下游側(cè)過濾除去處理液中的雜質(zhì)。
(18)如(17)所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有處理液供給裝置，該處理液供給裝置在上述循環(huán)路徑中途的上述冷卻槽的上游側(cè)供給處理液。
(19)如(13)所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有處理液積存槽，該處理液積存槽在上述循環(huán)路徑中途的上述冷卻槽的下游側(cè)積存處理液，上述加熱裝置對積存在上述處理液積存槽中的處理液進行加熱。
(20)一種通過處理液對基板進行處理的基板處理方法，其特征在于，具有a)將處理液積存在處理槽內(nèi)的積存工序；b)將從上述處理槽排出的處理液再次向上述處理槽供給的循環(huán)工序，上述循環(huán)工序包括b-1)對循環(huán)中途的處理液進行冷卻的冷卻工序，b-2)除去處理液中所包含的雜質(zhì)的雜質(zhì)除去工序。
根據(jù)(1)～(10)所記載的發(fā)明，具有冷卻裝置，其在循環(huán)路徑中途對處理液進行冷卻；雜質(zhì)除去裝置，其在冷卻裝置的下游側(cè)除去處理液中所包含的雜質(zhì)。因此，使溶解在處理液中的雜質(zhì)析出，而能夠除去析出的雜質(zhì)。由此，能夠維持處理液的處理性能，并能夠?qū)μ幚硪哼M行再利用。還有，由于能夠降低將處理液交換為新液的頻率，所以能夠通過基板處理裝置的運轉(zhuǎn)率的同時，能夠降低處理液的消耗量和排液量。
特別是根據(jù)(2)記載的發(fā)明，還具有加熱裝置，該加熱裝置在循環(huán)路徑中途的雜質(zhì)除去裝置的下游側(cè)對處理液進行加熱。由此，維持處理槽內(nèi)的處理液的溫度，并能夠除去處理液中的雜質(zhì)。
特別是根據(jù)(3)所記載的發(fā)明，循環(huán)路徑將從外槽排出的處理液再次向內(nèi)槽供給。由此，在處理槽中使處理液溢出對基板進行處理的同時，在循環(huán)路徑中能夠除去處理液中的雜質(zhì)。由此，基板處理裝置的運轉(zhuǎn)率進一步提高。
特別是根據(jù)(4)所記載的發(fā)明，將從處理槽的底部排出的處理液再次向處理槽供給。因此，能夠迅速地回收處理液，并能除去處理液中的雜質(zhì)。由此，基板處理裝置的運轉(zhuǎn)率進一步提高。
特別是根據(jù)(5)所記載的發(fā)明，循環(huán)路徑具有第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑，在第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑分別設(shè)置有雜質(zhì)除去裝置，還具有對第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑進行切換的切換裝置。因此，當在一個雜質(zhì)除去裝置積蓄雜質(zhì)時，能夠切換循環(huán)路徑使用另一個雜質(zhì)除去裝置。由此，基板處理裝置1的運轉(zhuǎn)率進一步提高。
特別是根據(jù)(6)所記載的發(fā)明，還具有對過濾器進行清洗的過濾器清洗裝置。由此，不交換過濾器就能夠消除過濾器的網(wǎng)眼堵塞。
特別是根據(jù)(7)所記載的發(fā)明，過濾器清洗裝置具有向過濾器供給使雜質(zhì)溶解的過濾器清洗液的過濾器清洗液供給裝置。因此，能夠使積蓄在過濾器中的雜質(zhì)溶解，能夠有效地消除過濾器的網(wǎng)眼堵塞。
特別是根據(jù)(8)所記載的發(fā)明，還具有排液路徑，其在循環(huán)路徑中途的過濾器的下游側(cè)，從循環(huán)路徑分支；排液切換裝置，其對循環(huán)路徑和排液路徑進行切換。因此，在清洗過濾器時，能夠在將液體的路徑切換為排液路徑，能夠防止將過濾器清洗液供給到處理槽。
特別是根據(jù)(9)所記載的發(fā)明，還具有處理液供給裝置，該處理液供給裝置在循環(huán)路徑中途的過濾器的上游側(cè)供給處理液。由此，能夠防止過濾器清洗液附著在過濾器上而殘留。
特別是根據(jù)(10)所記載的發(fā)明，還具有處理液積存槽，該處理液積存槽在循環(huán)路徑中途的雜質(zhì)除去裝置的下游側(cè)積存處理液，加熱裝置對被積存在處理液積存槽的處理液進行加熱。因此，能夠充分加熱處理液。
特別是根據(jù)(11)～(19)所記載的發(fā)明，基板處理裝置具有冷卻槽，其在循環(huán)路徑中途積存處理液并對處理液進行冷卻；排出裝置，其從冷卻槽排出沉淀在冷卻槽的雜質(zhì)。因此，使溶解在處理液中的雜質(zhì)析出并使之沉淀到冷卻槽的底部，而能夠除去沉淀的雜質(zhì)。由此，能夠維持處理液的處理性能，并能夠?qū)μ幚硪哼M行再利用。還有，由于能夠降低將處理液交換為新液的頻率，所以基板處理裝置的運轉(zhuǎn)率提高的同時，降低處理液的消耗量和排液量。
特別是根據(jù)(12)所記載的發(fā)明，還具有循環(huán)機構(gòu)，其汲取積存在冷卻槽中的處理液的上澄液，并使處理液向下游側(cè)的循環(huán)路徑供給。因此，能夠?qū)⒊恋淼碾s質(zhì)殘留在冷卻槽內(nèi)，并僅將處理液送到循環(huán)路徑。
特別是根據(jù)(13)所記載的發(fā)明，還具有加熱裝置，該加熱裝置在循環(huán)路徑中途的冷卻槽的下游側(cè)對處理液進行加熱。由此，維持處理槽內(nèi)的處理液的溫度，并能夠除去處理液中的雜質(zhì)。
特別是根據(jù)(14)所記載的發(fā)明，將從外槽排出的處理液再次向內(nèi)槽供給。因此，在處理槽中使處理液溢出對基板進行處理，并能夠在循環(huán)路徑中除去處理液中的雜質(zhì)。由此，基板處理裝置的運轉(zhuǎn)率進一步提高。
特別是根據(jù)(15)所記載的發(fā)明，將從處理槽的底部排出的處理液再次向處理槽供給。因此，能夠迅速地回收處理液，并能夠除去處理液中的雜質(zhì)。由此，基板處理裝置的運轉(zhuǎn)率進一步提高。
特別是根據(jù)(16)所記載的發(fā)明，循環(huán)路徑具有第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑，在第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑分別設(shè)置有冷卻槽，還具有對第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑進行切換的循環(huán)路徑切換裝置。因此，當在一個冷卻槽積蓄有雜質(zhì)時，能夠切換循環(huán)路徑而使用另一個冷卻槽。由此，基板處理裝置1的運轉(zhuǎn)率進一步提高。
特別是根據(jù)(17)所記載的發(fā)明，還具有過濾器，該過濾器在循環(huán)路徑的冷卻槽的下游側(cè)，過濾除去處理液中的雜質(zhì)。因此，即使從冷卻槽將微量的雜質(zhì)送到后續(xù)的循環(huán)路徑，也能過濾并除去該雜質(zhì)。
特別是根據(jù)(18)所記載的發(fā)明，還具有處理液供給裝置，該處理液供給裝置在循環(huán)路徑中途的冷卻槽的上游側(cè)供給處理液。因此，在將雜質(zhì)從冷卻槽排出時，能夠?qū)埩粼诶鋮s槽的雜質(zhì)用處理液沖洗掉。
特別是根據(jù)(19)所記載的發(fā)明，還具有處理液積存槽，該處理液積存槽在循環(huán)路徑中途的冷卻槽的下游側(cè)積存處理液，加熱裝置對積存在處理液積存槽中的處理液進行加熱。因此，能夠充分加熱處理液。
特別是根據(jù)(20)所記載的發(fā)明，基板處理方法包括冷卻循環(huán)中途的處理液的冷卻工序、和除去處理液中所包含的雜質(zhì)的雜質(zhì)除去工序。因此，使溶解在處理液中的雜質(zhì)析出，并能夠除去析出的雜質(zhì)。由此，能夠維持處理液的處理性能，并能夠?qū)μ幚硪哼M行再利用。還有，由于能夠降低將處理液交換為新液的頻率，所以能夠降低處理液的消耗量和排液量。
圖1是表示第一實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是表示第一實施方式中的控制部和裝置各部分之間的電連接關(guān)系的框圖。
圖3是表示第一實施方式中的基板處理裝置的工作的流程的流程圖。
圖4是詳細地表示第一實施方式中的過濾器的清洗處理的流程的流程圖。
圖5是表示第一實施方式中的基板處理裝置的工作的流程的流程圖。
圖6是表示第二實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖7是表示第二實施方式中的控制部和裝置各部分之間的電連接關(guān)系的框圖。
圖8是表示第二實施方式中的基板處理裝置的工作的流程的流程圖。
圖9是詳細地表示第二實施方式中的雜質(zhì)的排出處理的流程的流程圖。
圖10是表示第二實施方式中的基板處理裝置的工作的流程的流程圖。
圖11是表示現(xiàn)有的基板處理裝置的通常的結(jié)構(gòu)的圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖來說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
<1.第一實施方式>
<1-1.基板處理裝置的結(jié)構(gòu)>
圖1是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置1的結(jié)構(gòu)的圖。該基板處理裝置1是用于通過將多張基板(以下僅稱為基板)W浸漬在被積存于處理槽10的處理液中來對基板W進行處理的裝置。基板處理裝置1主要具有處理槽10、配管部20、控制部40。在本實施方式中，針對使用磷酸(H3PO4)溶液作為處理液而對基板W的表面進行蝕刻處理的情況進行說明。
處理槽10是用于積存處理液的容器。處理槽10具有用于對基板W進行浸漬處理的內(nèi)槽11、設(shè)置在內(nèi)槽11的外側(cè)面上端的外槽12。向內(nèi)槽11供給的處理液被積存在內(nèi)槽11的內(nèi)部，不久就從內(nèi)槽11上部的開口向外側(cè)12溢出。在內(nèi)槽11的側(cè)部設(shè)置有加熱器13。當使加熱器13工作時，積存在內(nèi)槽11的內(nèi)部的處理液就被加熱，并被維持在規(guī)定的溫度(例如，160℃)。
在處理槽10的上部設(shè)置有保持基板W的未圖示的升降機。通過將基板W保持在升降機上并在上下進行搬送，從而使基板W在處理槽10上方的提起位置和內(nèi)槽11的內(nèi)部的浸漬位置(圖1的位置)之間進行移動。當在內(nèi)槽11積存有處理液而將基板W下降時，基板W被浸漬在處理液中，對基板的表面進行蝕刻處理。
配管部20由多個配管21a～21t構(gòu)成。配管21a的上游側(cè)的端部與外槽12相連接，同時下游側(cè)的端部與內(nèi)槽11相連接。在配管21a的路徑中途，從上游側(cè)開始依次設(shè)置有閥V1、循環(huán)泵22、過濾器23以及加熱器24。因此，當打開閥V1并使循環(huán)泵22工作時，從內(nèi)槽11向外槽12溢出的處理液在配管21a中流動，并被循環(huán)到內(nèi)槽11。還有，在配管21a內(nèi)流動的中途，通過過濾器23除去處理液中的雜質(zhì)。還有，當使加熱器24工作時，加熱被循環(huán)的處理液，從而處理液被維持在規(guī)定的溫度。
配管21b的上游側(cè)的端部與內(nèi)槽11的底部相連接，在其路徑中途連接有閥V2。由此，當打開閥V2時，被積存在內(nèi)槽11的處理液迅速地流出到配管21b。還有，配管21c的上游側(cè)的端部與外槽12相連接，在其路徑中途安裝有閥V3。由此，當打開閥V3時，向外槽12溢出的處理液流出到配管21c。
配管21b的下游側(cè)端部和配管21c的下游側(cè)端部匯合成為一根配管21d。在配管21d的路徑中途，設(shè)置有用于冷卻處理液的冷卻機構(gòu)25。由此，當使冷卻機構(gòu)25工作時，能夠冷卻在配管21d內(nèi)流動的處理液。
配管21d的下游側(cè)端部分支為兩根配管21e、21f。在配管21e的路徑中途從上游側(cè)開始依次設(shè)置有閥V4、過濾器26、閥V5。由此，當打開閥V4以及閥V5時，處理液在配管21e內(nèi)流動，通過過濾器26過濾除去處理液中所含的雜質(zhì)。同樣地，在配管21f的路徑中途，從上游側(cè)開始依次配置有閥V6、過濾器27、和閥V7。由此，當打開閥V6以及閥V7時，處理液在配管21f內(nèi)流動，通過過濾器27過濾除去處理液中所含的雜質(zhì)。
在配管21e、21f的下游側(cè)端部與一個備用調(diào)溫槽28相連接。在配管21e、21f內(nèi)流動的處理液流入到備用調(diào)溫槽28，被暫時積存在備用調(diào)溫槽28內(nèi)。在備用調(diào)溫槽28的底側(cè)附設(shè)有加熱器28a。由此，當使加熱器28a工作時，被積存在備用調(diào)溫槽28內(nèi)的處理液被加熱到規(guī)定的溫度。
配管21g的上游側(cè)端部與預備調(diào)溫槽28相連接的同時，下游側(cè)一端與配管21a的循環(huán)泵22的上游側(cè)相連接。還有，在配管21g的路徑中途安裝有閥V8。因此，當打開閥V8時，被積存在備用調(diào)溫槽28中的處理液通過配管21g而流入到配管21a，經(jīng)由循環(huán)泵22、過濾器23以及加熱器24而被供給到內(nèi)槽11。
過濾器清洗液供給源29是用于供給對過濾器26、27進行清洗的清洗液的液源。過濾器清洗液通過使在過濾器26、27所過濾的雜質(zhì)溶解，從而對過濾器26、27進行清洗。作為過濾器清洗液，例如使用在低溫下使SiO2或SiN3等的蝕刻殘渣溶解的稀釋氫氟酸。
在過濾器清洗液供給源29連接有配管21h，配管21h下游側(cè)的端部分支為配管21i和配管21j。在配管21i的路徑中途安裝有閥V9，配管21i的下游側(cè)端部與配管21e的過濾器26的上游側(cè)相連接。由此，當打開閥V9時，從過濾器清洗液供給源29經(jīng)過配管21h、21i、21e向過濾器26供給過濾器清洗液。同樣地，在配管21j的路徑中途安裝有閥V10，配管21j的下游側(cè)端部與配管21f的過濾器27的上游側(cè)相連接。由此，當打開閥V10時，從過濾器清洗液供給源29經(jīng)由配管21h、21j、21f向過濾器27供給過濾器清洗液。
在配管21e的過濾器26和閥V5之間，連接有配管21k，在配管21k的路徑中途安裝有閥V11。還有，在配管21f的過濾器27和閥V7之間連接有配管21l，在配管21l的路徑中途安裝有閥V12。配管21k的下游側(cè)端部和配管21l的下游側(cè)端部匯合成為一根配管21m，配管21m的下游側(cè)端部連接到排液冷卻槽30。由此，當關(guān)閉閥V5并打開V11時，通過過濾器26的處理液或過濾器清洗液經(jīng)過配管21e、21k、21m向排液冷卻槽30排出。還有，當關(guān)閉閥V7并打開閥V12時，通過過濾器27的處理液或過濾器清洗液經(jīng)過配管21f、21l、21m向排液冷卻槽30排出。
處理液供給源31是用于供給新的(即，未使用的)處理液的液源。在處理液供給源31連接有配管21n。配管21n的下游側(cè)的端部分支為配管21o和配管21p。在配管21o的路徑中途安裝有閥V13，配管21o的下游側(cè)端部與配管21e的過濾器26的上游側(cè)端部相連接。由此，當打開閥V13時，從處理液供給源31經(jīng)過配管21n、21o、21e向過濾器26供給處理液。同樣地，在配管21p的路徑中途安裝有閥V14，配管21p的下游側(cè)端部與配管21f的過濾器27的上游側(cè)相連接。由此，當打開閥V14時，從處理液供給源31經(jīng)過配管21n、21p、21f向過濾器27供給處理液。
還有，在處理液供給源31還連接有配管21q。在配管21q的路徑中途安裝有閥V15，配管21q的下游側(cè)端部與備用調(diào)溫槽28相連接。由此，當打開閥V15時，從處理液供給源31向備用調(diào)溫槽28供給新的處理液。
配管21r的上游側(cè)端部與內(nèi)槽11的底部相連接的同時，下游側(cè)的端部與排液冷卻槽30相連接。還有，在配管21r的路徑中途安裝有閥V16。由此，當打開閥V16時，被積存在內(nèi)槽11的處理液經(jīng)過配管21r迅速地排出到排液冷卻槽30。
配管21s的上游側(cè)的端部與備用調(diào)溫槽28相連接的同時，下游側(cè)的端部與排液冷卻槽30相連接。還有，在配管21s的路徑中途安裝有閥V17。由此，當打開閥V17時，被積存在備用調(diào)溫槽28內(nèi)的處理液經(jīng)過配管21s向排液冷卻槽30排出。
在排液冷卻槽30的底側(cè)附設(shè)有冷卻機構(gòu)30a。當使冷卻機構(gòu)30a工作時，被積存在排液冷卻槽30內(nèi)的處理液或過濾器清洗液被冷卻到可廢棄的溫度。還有，在排液冷卻槽30連接有配管21t。在配管21t的路徑中途安裝有閥V18，配管21t的下游側(cè)的端部與排液管相連接。由此，當打開閥V18時，將在排液冷卻槽30內(nèi)被冷卻的處理液或過濾器清洗液向排液管排出。
控制部40是用于對基板處理裝置1的各部分的工作進行控制的信息處理部。控制部40由具有CPU或存儲器的計算機構(gòu)成。圖2是表示控制部40和裝置各部分之間的電連接關(guān)系的框圖。如圖2所示，控制部40與加熱器13、升降機、閥V1～V18、循環(huán)泵22、加熱器24、冷卻機構(gòu)25、加熱器28a、冷卻機構(gòu)30a電連接，對它們的工作進行控制。
<1-2.基板處理裝置的工作(連續(xù)地除去雜質(zhì)的情況)>
接著，對具有上述結(jié)構(gòu)的基板處理裝置1的工作進行說明。首先，針對在處理槽10中處理基板W并連續(xù)地除去處理液中的雜質(zhì)的情況，參照圖3的流程圖進行說明。此外，以下說明的基板處理裝置1的工作是通過控制部40控制加熱器13、升降機、閥V1～V18、循環(huán)泵22、加熱器24、冷卻機構(gòu)25、加熱器28a、冷卻機構(gòu)30a等的工作來進行的。
首先，在基板處理裝置1中，打開閥V8以及閥V15并使循環(huán)泵22工作(步驟S11)。由此，從處理液供給源31經(jīng)過配管21q、備用調(diào)溫槽28、配管21g、配管21a向內(nèi)槽11供給處理液，將處理液積存在內(nèi)槽11。當處理液積存到內(nèi)槽11的上部時，從內(nèi)槽11的上部向外槽12溢出。
在向內(nèi)槽11積存處理液時，使備用調(diào)溫槽28的加熱器28a、配管21a上的加熱器24、以及內(nèi)槽11的加熱器13工作。由此，向內(nèi)槽11積存的處理液被加熱，維持在適于蝕刻處理的規(guī)定的溫度(例如160℃)。
下面，關(guān)閉閥V1、V2、V6、V7、V9～V18并打開V3～V5、V8。由此，將處理液的流路設(shè)定為經(jīng)由過濾器26的循環(huán)路徑(以下，稱為“第一循環(huán)路徑”)(步驟S12)。在第一循環(huán)路徑中，將從內(nèi)槽11溢出到外槽12的處理液經(jīng)由配管21c、配管21d、配管21e、備用調(diào)溫槽28、配管21g、配管21a向內(nèi)槽11循環(huán)。
然后，通過使保持基板W的升降機下降，將基板W浸漬在被積存于內(nèi)槽11的處理液中(步驟S13)。由此，對形成在基板W的表面的氧化膜或氮化膜進行蝕刻。因蝕刻而從基板W的表面溶出的氧化物或氮化物的成分(SiO2或SiN3等)作為雜質(zhì)而混合在處理液中。
含有雜質(zhì)的處理液從內(nèi)槽11的上部向外槽12溢出，并從外槽12向第一循環(huán)路徑流出。而且，在配管21d上的冷卻機構(gòu)25中，處理液被冷卻。由于雜質(zhì)相對處理液的飽和溶解濃度隨處理液的溫度降低而降低，所以當處理液被冷卻時，被溶解在處理液中的雜質(zhì)成為固體而析出。然后，在配管21e上的過濾器26中，處理液中的雜質(zhì)被過濾除去，僅處理液被回收到備用調(diào)溫槽28中。
備用調(diào)溫槽28通過加熱器28a而將回收的處理液再次加熱到規(guī)定的溫度。而且，在備用調(diào)溫槽28中被加熱的處理液經(jīng)過配管21g、21a向內(nèi)槽11供給，再次被利用于基板W的處理。此外，處理液通過配管21a上的加熱器24或內(nèi)槽11的加熱器13也能夠被加熱。由此，能夠防止在配管21g、21a的路徑中途上的處理液的溫度降低，處理液被維持在規(guī)定的溫度。
浸漬基板W后，當經(jīng)過規(guī)定時間時，就關(guān)閉閥V4并打開閥V6、V7。由此，將處理液的流路切換為經(jīng)由過濾器27的循環(huán)路徑(以下，稱為“第二循環(huán)路徑”)(步驟S14)。在第二循環(huán)路徑中，溢出到外槽12的處理液經(jīng)由配管21c、配管21d、配管21f、備用調(diào)溫槽28、配管21g、配管21a向內(nèi)槽11循環(huán)。
在第二循環(huán)路徑中，與上述第一循環(huán)路徑的情況相同，首先，在配管21d上的冷卻機構(gòu)25中，處理液被冷卻。在被冷卻的處理液中，雜質(zhì)成為固體而析出，析出的雜質(zhì)在配管21f上的過濾器27中被過濾除去。被回收到備用調(diào)溫槽28的處理液被加熱器28a加熱，經(jīng)過配管21g、21a向內(nèi)槽11供給。這樣，在第二循環(huán)路徑中也進行與第一循環(huán)路徑相同的冷卻、過濾、加熱，并循環(huán)處理液。
在使用第二循環(huán)路徑期間，在第一循環(huán)路徑中，執(zhí)行過濾器26的清洗處理(步驟S15)。圖4是詳細地表示過濾器26的清洗處理的流程的流程圖。在清洗過濾器26時，首先，關(guān)閉閥V5并打開閥V11，將液體的流路設(shè)定為朝向排液冷卻槽30的路徑(排液路徑)(步驟S21)。而且，打開閥V9，從過濾器清洗液供給源29經(jīng)過配管21h、21i、21e向過濾器26供給過濾器清洗液(步驟S22)。積蓄在過濾器26上的雜質(zhì)由過濾器清洗液再次溶解，而可以通過過濾器26。并且，含有雜質(zhì)成分的過濾器清洗液通過過濾器26之后，經(jīng)過配管21e、21k、21m向排液冷卻槽30排出。
然后，關(guān)閉閥V9并打開閥V13。由此，從處理液供給源31經(jīng)過配管21n、配管21o向配管21e供給新的處理液(步驟S23)。向配管21e供給的處理液沖洗掉附著在配管21e以及過濾器26上的過濾器清洗液，經(jīng)過配管21k、21m向排液冷卻槽30排出。在排液冷卻槽30內(nèi)，處理液和過濾器清洗液通過冷卻機構(gòu)30a進行冷卻(步驟S24)。而且，處理液和過濾器清洗液被冷卻到可排液的溫度之后，打開閥V18，將處理液和過濾器清洗液向排液管排出(步驟S25)。
返回圖3。當被切換為第二循環(huán)路徑后，當經(jīng)過規(guī)定時間時，接著就關(guān)閉閥V6并打開閥V4、V5。由此，將處理液的流路再次切換為第一循環(huán)路徑(步驟S16)。在第一循環(huán)路徑中，與上述的步驟S13時同樣，首先，通過配管21d上的冷卻機構(gòu)25冷卻處理液。在被冷卻的處理液中，雜質(zhì)成為固體而析出，析出的雜質(zhì)在配管21e的過濾器26中被過濾除去。被回收到備用調(diào)溫槽28的處理液通過加熱器28a進行加熱，經(jīng)過配管21g、21a向內(nèi)槽11供給。
還有，在使用第一循環(huán)路徑期間，在第二循環(huán)路徑中，執(zhí)行過濾器27的清洗處理(步驟S17)。過濾器27的清洗處理的流程與圖4所示的過濾器26的清洗處理的流程相同。即，首先，關(guān)閉閥V7并打開閥V12，將液體的流路設(shè)定為朝向排液冷卻槽30的路徑(排液路徑)(步驟S21)。而且，打開閥V10，從過濾器清洗液供給源29經(jīng)過配管21h、21j、21f向過濾器27供給過濾器清洗液(步驟S22)。積蓄在過濾器27上的雜質(zhì)由過濾器清洗液再次溶解，而可以通過過濾器27。并且，含有雜質(zhì)成分的過濾器清洗液通過過濾器27之后，經(jīng)過配管21f、21l、21m向排液冷卻槽30排出。
然后，關(guān)閉閥V10并打開閥V14。由此，從處理液供給源31經(jīng)過配管21n、配管21p向配管21f供給新的處理液(步驟S23)。向配管21f供給的處理液沖洗掉附著在配管21f以及過濾器27上的過濾器清洗液，經(jīng)過配管21l、21m向排液冷卻槽30排出。在排液冷卻槽30中，處理液或過濾器清洗液通過冷卻機構(gòu)30a進行冷卻(步驟S24)。而且，處理液和過濾器清洗液被冷卻到可排液的溫度之后，打開閥V18，將處理液和過濾器清洗液向排液管排出(步驟S25)。
返回圖3。當對基板W的規(guī)定時間的處理結(jié)束時，停止循環(huán)泵22(步驟S18)。由此，使用了第一循環(huán)路徑的處理液的循環(huán)被停止。并且，使升降機上升，從內(nèi)槽11提起基板W(步驟S19)。根據(jù)上述，結(jié)束基板處理裝置1中的基板W的處理。
這樣，該基板處理裝置1冷卻處理液使雜質(zhì)析出的同時，通過過濾器26、27除去析出的雜質(zhì)。由此，能夠維持處理液的處理性能，并能夠?qū)μ幚硪哼M行再利用。還有，由于將處理液交換為新液的頻率被降低，所以基板處理裝置1的運轉(zhuǎn)率提高的同時，處理液的消耗量和排液量被降低。
特別是，該基板處理裝置1使處理液循環(huán)的同時對基板W進行處理，并在其循環(huán)路徑的中途執(zhí)行處理液的冷卻、過濾、加熱。因此，不使處理槽10中的基板W的處理停止，就能夠除去處理液中的雜質(zhì)。因此，基板處理裝置1的運轉(zhuǎn)率進一步提高。
還有，該基板處理裝置1在處理液的循環(huán)路徑的過濾器26、27的下游側(cè)具有加熱處理液的備用調(diào)溫槽28。因此，維持處理槽10內(nèi)的處理液的溫度的同時，能夠除去處理液中的雜質(zhì)。
還有，該基板處理裝置1并列具有能夠同樣執(zhí)行處理液的冷卻、過濾、加熱的第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑。而且，通過控制閥V4～V7的開閉，而可以切換第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑。因此，當雜質(zhì)積蓄在一個過濾器時，切換循環(huán)路徑而能夠使用另一個過濾器。由此，進一步提高基板處理裝置1的運轉(zhuǎn)率。
還有，該基板處理裝置1在使用一個循環(huán)路徑期間，能夠清洗另一個循環(huán)路徑的過濾器。由此，消除過濾器26、27的網(wǎng)眼堵塞，并能夠連續(xù)地切換使用循環(huán)路徑。因此，基板處理裝置1的運轉(zhuǎn)率進一步提高。此外，循環(huán)路徑的切換次數(shù)，不限定于上述例子，按照基板W的處理時間而適當?shù)卦O(shè)定即可。
還有，該基板處理裝置1具有從第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑各自的路徑中途分支的排液路徑。而且，通過控制閥V5、V7、V11、V12的開閉，從而可以切換循環(huán)路徑的主路徑和排液路徑。由此，在清洗過濾器26、27時，能夠?qū)⒁后w的流路切換為排液路徑，能夠防止將過濾器清洗液供給到處理槽10。
還有，該基板處理裝置1在將過濾器清洗液供給到過濾器26、27之后，將處理液供給到配管21e、21f和過濾器26、27。因此，能夠防止過濾器清洗液在配管21e、21f和過濾器26、27上附著而殘存。
<1-3.基板處理裝置的工作(一次除去雜質(zhì)的情況)>
然后，參照圖5的流程圖，針對在上述的基板處理裝置1中，對基板W進行處理之后，一次除去處理液中的雜質(zhì)的情況進行說明。此外，以下說明的基板處理裝置1的工作也是通過控制部40控制加熱器13、升降機、閥V1～V18、循環(huán)泵22、加熱器24、冷卻機構(gòu)25、加熱器28a、冷卻機構(gòu)30a等的工作來進行的。
首先，在基板處理裝置1中，打開閥V8以及閥V15并使循環(huán)泵22工作。由此，從處理液供給源31通過配管21q、備用調(diào)溫槽28、配管21g、配管21a向內(nèi)槽11供給處理液，將處理液積存在內(nèi)槽11(步驟S31)。當處理液積存直到內(nèi)槽11的上部時，就從內(nèi)槽11的上部向外槽12溢出。
向內(nèi)槽11積存處理液時，使備用調(diào)溫槽28的加熱器28a、配管21a上的加熱器24、以及內(nèi)槽11的加熱器13工作。由此，向內(nèi)槽11積存的處理液被加熱，并被維持在適于蝕刻處理的規(guī)定的溫度(例如160℃)。
然后，關(guān)閉閥V2～V18并打開閥V1。由此，將處理液的流路設(shè)定為僅由配管21a構(gòu)成的循環(huán)路徑(以下，稱為“非冷卻循環(huán)路徑”)(步驟S32)。在非冷卻循環(huán)路徑中，從內(nèi)槽11向外槽12溢出的處理液經(jīng)由過濾器23和加熱器24向內(nèi)槽11循環(huán)。
然后，通過使保持基板W的升降機下降，從而將基板W浸漬在被積存于內(nèi)槽11的處理液中(步驟S33)。由此，對形成在基板W的表面的氧化膜或氮化膜進行蝕刻。因蝕刻而從基板W的表面溶出的氧化膜或氮化膜的成分(SiO2或SiN3等)作為雜質(zhì)混合在處理液中。而且，當對基板W的規(guī)定時間的處理結(jié)束時，使升降機上升，將基板W從內(nèi)槽11提起(步驟S34)。
將基板W提起之后，基板處理裝置1關(guān)閉閥V1的同時打開閥V2、V3、V4、V5。由此，將積存在內(nèi)槽11以及外槽12中的處理液經(jīng)由配管21b、21c、21d、21e回收到備用調(diào)溫槽28內(nèi)(步驟S35)。這時，在配管21d上的冷卻機構(gòu)中，處理液被冷卻。因此，被溶解在處理液中的雜質(zhì)成為固體而析出。然后，在配管21e上的過濾器26中，處理液中的雜質(zhì)被過濾除去，僅將處理液回收到備用調(diào)溫槽28。
備用調(diào)溫槽28通過加熱器28a再次將回收的處理液加熱到規(guī)定的溫度(步驟S36)。當處理液被加熱到規(guī)定的溫度時，基板處理裝置1打開閥V8，使循環(huán)泵22工作。由此，將備用調(diào)溫槽28內(nèi)的處理液通過配管21g、21a向內(nèi)槽11供給(步驟S37)。
然后，基板處理裝置1執(zhí)行過濾器26的清洗處理(步驟S38)。過濾器26的清洗處理的流程與圖4所示的過濾器26的清洗處理的流程同樣。即，首先，關(guān)閉閥V5并打開閥V11，將液體的流路設(shè)定為向排液冷卻槽30的路徑(排液路徑)(步驟S21)。而且，打開閥V9，從過濾器清洗液供給源29通過配管21h、21i、21e向過濾器26供給過濾器清洗液(步驟S22)。被積蓄在過濾器26的雜質(zhì)由過濾器清洗液再次溶解，而可以通過過濾器26。并且，含有雜質(zhì)成分的過濾器清洗液通過過濾器26之后，經(jīng)過配管21e、21k、21m向排液冷卻槽30排出。
然后，關(guān)閉閥V9并打開閥V13。由此，從處理液供給源31經(jīng)過配管21n、配管21o向配管21e供給新的處理液(步驟S23)。向配管21e供給的處理液沖洗掉附著在配管21e以及過濾器26上的過濾器清洗液，通過配管21k、21m向排液冷卻槽30排出。在排液冷卻槽30中，處理液和過濾器清洗液由冷卻機構(gòu)30a進行冷卻(步驟S24)。而且，處理液和過濾器清洗液被冷卻到可排液的溫度之后，打開閥V18，將處理液和過濾器清洗液向排液管排出(步驟S25)。根據(jù)上述，結(jié)束基板處理裝置1中的基板W的處理。
這樣，該基板處理裝置1冷卻處理液而使雜質(zhì)析出的同時，通過過濾器26除去析出的雜質(zhì)。由此，維持處理液的處理性能并能夠?qū)μ幚硪哼M行再利用。還有，由于降低將處理液交換為新液的頻率，所以基板處理裝置1的運轉(zhuǎn)率提高的同時，處理液的消耗量和排液量被降低。此外，在上述的例子中，使用了經(jīng)由過濾器26的循環(huán)路徑(第一循環(huán)路徑)，但是也可以使用經(jīng)由過濾器27的循環(huán)路徑(第二循環(huán)路徑)，還有，也可以同時使用第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑。
特別是，該基板處理裝置1從外槽12以及內(nèi)槽11的底部回收處理液。因此，能夠迅速地回收處理液，并能夠除去處理液中的雜質(zhì)。由此，基板處理裝置1的運轉(zhuǎn)率進一步提高。
還有，該基板處理裝置1在處理液的循環(huán)路徑的過濾器26、27的下游側(cè)具有加熱處理液的備用調(diào)溫槽28。因此，維持處理槽10內(nèi)的處理液的溫度的同時，能夠除去處理液中的雜質(zhì)。
還有，該基板處理裝置1具有從第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑各自的路徑分支的排液路徑。而且，通過控制閥V5、V7、V11、V12的開閉，而可以切換循環(huán)路徑的主路徑和排液路徑。因此，在清洗過濾器26、27時，能夠?qū)⒁后w的流路切換為排液路徑，并能夠防止將過濾器清洗液供給到處理槽10。
還有，該基板處理裝置1向過濾器26、27供給過濾器清洗液之后，向配管21e、21f和過濾器26、27供給處理液。因此，能夠防止過濾器清洗液在配管21e、配管21f和過濾器26、27上附著而殘存。
<1-4.變形例>
在上述的例子中，僅對再利用處理液的情況進行說明，但是也可以在循環(huán)的中途排出一部分處理液，并補充新的處理液。具體地說，將處理液回收到備用調(diào)溫槽28之后，打開閥V17。由此，從備用調(diào)溫槽28經(jīng)過配管21s向排液冷卻槽30排出規(guī)定量的處理液。而且，打開閥V15，從處理液供給源31經(jīng)過配管21q向備用調(diào)溫槽28補充處理液。由此，能夠防止由除雜質(zhì)以外的要因?qū)е绿幚硪旱牧踊?，并能夠維持處理液的處理性能。
還有，也可以每進行了規(guī)定次數(shù)的處理后，就將處理槽10內(nèi)的處理液全部交換一次。具體地說，規(guī)定次數(shù)的基板W的處理結(jié)束之后，打開閥V16。由此，從處理槽10通過配管21r向排液冷卻槽30回收處理液。在排液冷卻槽30內(nèi)，通過冷卻機構(gòu)30a冷卻處理液。而且，處理液被冷卻到可排液的溫度之后，打開閥V18，將處理液向排液管排出。然后，打開閥V8以及閥V15的同時，使循環(huán)泵22工作，向處理槽10供給新的處理液。由此，能夠防止由除雜質(zhì)以外的原因?qū)е碌奶幚硪旱牧踊⒛軌蚓S持處理液的處理性能。
還有，在上述的例子中，為了除去雜質(zhì)，使用了過濾器26、27，但是也可以使用除過濾器26、27以外的雜質(zhì)除去裝置。例如可以使用通過離心分離來分離除去處理液中的雜質(zhì)的裝置。
還有，在上述的例子中，針對使用含有磷酸的處理液來對基板W進行蝕刻處理的情況進行說明，但是本發(fā)明的基板處理裝置并不限于進行這種處理的裝置。例如可以使用含有過氧化氫或氨水的處理液，對基板W進行清洗處理。還有，也可以使用以IPA(異丙醇)、HFE(氫氟醚)、HFC(氫氟烴)等的有機溶劑作為主要成分的液體。
<2.第二實施方式>
<2-1.基板處理裝置的結(jié)構(gòu)>
圖6是表示本發(fā)明的第二實施方式的基板處理裝置101的結(jié)構(gòu)的圖。該基板處理裝置101是用于通過將多張基板(以下，簡稱為基板)W浸漬在積存于處理槽110的處理液中來對基板W進行處理的裝置。基板處理裝置101主要具有處理槽110、配管部120、控制部140。在本實施方式中，針對使用磷酸(H3PO4)溶液作為處理液來對基板W的表面進行蝕刻處理的情況進行說明。
處理槽110是用于積存處理液的容器。處理槽110具有用于對基板W進行浸漬處理的內(nèi)槽111、設(shè)置在內(nèi)槽111的外側(cè)面的上端的外槽112。向內(nèi)槽111所供給的處理液被積存在內(nèi)槽111的內(nèi)部，不久就從內(nèi)槽111上部的開口向外側(cè)112溢出。在內(nèi)槽111的側(cè)部設(shè)置有加熱器113。當使加熱器113工作時，加熱被積存在內(nèi)槽111的內(nèi)部的處理液并使其維持在規(guī)定的溫度(例如，160℃)。
在處理槽110的上部設(shè)置有保持基板W的未圖示的升降機?；錡通過被保持在升降機上并被上下搬送，從而在處理槽110的上方的提起位置和內(nèi)槽111的內(nèi)部的浸漬位置(圖6的位置)之間進行移動。當在內(nèi)槽111積存有處理液并使基板W下降時，基板W被浸漬在處理液中，從而對基板的表面進行蝕刻處理。
配管部120由多個配管121a～121r構(gòu)成。配管121a的上游側(cè)的端部與外槽112相連接，且下游側(cè)的端部與內(nèi)槽111相連接。在配管121a的路徑中途，從上游側(cè)開始依次設(shè)置有閥V101、循環(huán)泵122、過濾器123以及加熱器124。因此，當打開閥V101并使循環(huán)泵122工作時，將從內(nèi)槽111向外槽112溢出的處理液在配管121a中流動，向內(nèi)槽111循環(huán)。還有，在配管121a內(nèi)流動的中途，通過過濾器123除去處理液中的雜質(zhì)。還有，當使加熱器124工作時，加熱循環(huán)的處理液，從而處理液被維持在規(guī)定的溫度。
配管121b的上游側(cè)的端部與內(nèi)槽111的底部相連接，在其路徑中途連接有閥V102。由此，當打開閥V102時，積存在內(nèi)槽111的處理液迅速流出到配管121b。還有，配管121c的上游側(cè)的端部與外槽112相連接，在其路徑中途安裝有閥V103。因此，當打開閥V103時，溢出到外槽112的處理液向配管121c流出。配管121b的下游側(cè)端部和配管121c的下游側(cè)端部匯合而成為一根配管121d。
配管121d的下游側(cè)端部分支為兩根配管121e、121f。在配管121e的路徑中途安裝有閥V104，配管121e的下游側(cè)端部與冷卻槽125相連接。在配管121e內(nèi)流動的處理液流入到冷卻槽125，暫時被積存在冷卻槽125內(nèi)。在冷卻槽125的底側(cè)安裝有冷卻機構(gòu)125a。因此，當使冷卻機構(gòu)125a工作時，積存在冷卻槽125內(nèi)的處理液被冷卻。
還有，在冷卻槽125內(nèi)，連接有配管121g。在配管121g的路徑中途，從上游側(cè)開始依次設(shè)置有閥V105、汲取泵126、過濾器127。還有，配管121g的下游側(cè)端部與備用調(diào)溫槽128相連接。因此，當打開閥V105并使汲取泵126工作時，將積存在冷卻槽125內(nèi)的處理液的上澄液汲取到配管121g，經(jīng)由過濾器127向備用調(diào)溫槽128供給。
另一方面，在配管121f的路徑中途安裝有閥V106，配管121f的下游側(cè)端部與冷卻槽129相連接。在配管121f內(nèi)流動的處理液流入到冷卻槽129，暫時被積存在冷卻槽129內(nèi)。在冷卻槽129安裝有冷卻機構(gòu)129a。因此，當使冷卻機構(gòu)129a工作時，積存在冷卻槽129內(nèi)的處理液被冷卻。
還有，在冷卻槽129內(nèi)連接有配管121h。在配管121h的路徑中途，從上游側(cè)開始依次設(shè)置有閥V107、汲取泵130和過濾器131。還有，配管121h的下游側(cè)端部與備用調(diào)溫槽128相連接。因此，當打開閥V107并使汲取泵130工作時，將積存在冷卻槽129內(nèi)的處理液的上澄液汲取到配管121h，通過過濾器131向備用調(diào)溫槽128供給。
在備用調(diào)溫槽128的底側(cè)附設(shè)有加熱器128a。因此，當使加熱器128a工作時，積存在備用調(diào)溫槽128內(nèi)的處理液被加熱到規(guī)定的溫度。
配管121i的上游側(cè)端部與預備調(diào)溫槽128相連接的同時，下游側(cè)的一端與配管121a的循環(huán)泵122的上游側(cè)連接。還有，在配管121i的路徑中途安裝有閥V108。因此，當打開閥V108并使循環(huán)泵122工作時，積存在備用調(diào)溫槽128中的處理液通過配管121i而流入到配管121a，經(jīng)由過濾器123以及加熱器以及124供給到內(nèi)槽111。
在冷卻槽125的底部連接有配管121j。同樣地，在冷卻槽129的底部連接有配管121k。在配管121j、121k分別安裝有閥V109、V110，配管121j的下游側(cè)端部和配管121k的下游側(cè)端部匯合而成為一根配管121l。配管121l的下游側(cè)端部連接到排液槽132。因此，當打開閥V109時，從冷卻槽125的底部經(jīng)過配管121j、121l向排液槽132排出處理液。還有，當打開閥V110時，從冷卻槽129的底部經(jīng)過配管121k、121l向排液槽132排出處理液。
處理液供給源133是用于供給新的(即未使用的)處理液的液源。在處理液供給源133連接有配管121m。配管121m的下游側(cè)端部分支為配管121n和配管121o。配管121n的路徑中途安裝有閥V111，配管121n的下游側(cè)端部與配管121e相連接。因此，當打開閥V111時，從處理液供給源133經(jīng)過配管121m、21n、21e向冷卻槽125供給處理液。同樣地，在配管121o的路徑中途安裝有閥V112，配管121o的下游側(cè)端部與配管121f相連接。由此，當打開閥V112時，從處理液供給源133經(jīng)過配管121m、121o、121f向冷卻槽129供給處理液。
還有，在處理液供給源133還連接有配管121p。在配管121p的路徑中途安裝有閥V113，配管121p的下游側(cè)端部與備用調(diào)溫槽128相連接。因此，當打開閥V113時，從處理液供給源133向備用調(diào)溫槽128供給新的處理液。
配管121q的上游側(cè)端部與內(nèi)槽111的底部相連接，并且下游側(cè)的端部與排液槽132相連接。還有，在配管121q的路徑中途安裝有閥V114。因此，當打開閥V114時，積存在內(nèi)槽111的處理液通過配管121q迅速地排出到排液冷卻槽132。
在排液槽132附設(shè)有冷卻機構(gòu)132a。當使冷卻機構(gòu)132a工作時，積存在排液槽132內(nèi)的處理液被冷卻到可廢棄的溫度。還有，在排液槽132連接有配管121r。在配管121r的路徑中途安裝有閥V115，配管121r的下游側(cè)端部與排液管相連接。由此，當打開閥V115時，將在排液槽132內(nèi)被冷卻的處理液向排液管排出。
控制部140是用于對基板處理裝置101的各部分的工作進行控制的信息處理部?？刂撇?40由具有CPU或存儲器的計算機構(gòu)成。圖7是表示控制部140和裝置各部分之間的電連接關(guān)系的框圖。如圖7所示，控制部140與加熱器113、升降機、閥V101～V115、循環(huán)泵122、加熱器124、冷卻機構(gòu)125a、汲取泵126、加熱器128a、冷卻機構(gòu)129a、汲取泵130、冷卻機構(gòu)132a電連接，對它們的工作進行控制。
<2-2.基板處理裝置的工作(連續(xù)地除去雜質(zhì)的情況)>
接著，對具有上述結(jié)構(gòu)的基板處理裝置101的工作進行說明。首先，參照圖8的流程圖針對在處理槽110中處理基板W并連續(xù)地除去處理液中的雜質(zhì)的情況進行說明。此外，以下說明的基板處理裝置101的工作是通過控制部140控制加熱器113、升降機、閥V101～V115、循環(huán)泵122、加熱器124、冷卻機構(gòu)125a、汲取泵126、加熱器128a、冷卻機構(gòu)129a、汲取泵130、冷卻機構(gòu)132a等的工作來進行的。
首先，在基板處理裝置101中，打開閥V108以及閥V113并使循環(huán)泵122工作。由此，從處理液供給源133經(jīng)由配管121p、備用調(diào)溫槽128、配管121i、配管121a向內(nèi)槽111供給處理液，將處理液積存在內(nèi)槽111(步驟S111)。當處理液積存到內(nèi)槽111的上部時，就從內(nèi)槽111的上部向外槽112溢出。
在將處理液向內(nèi)槽111積存時，使備用調(diào)溫槽128的加熱器128a、配管121a上的加熱器124、以及內(nèi)槽111的加熱器113工作。由此，積存到內(nèi)槽111的處理液被加熱，并被維持在適于蝕刻處理的規(guī)定的溫度(例如160℃)。
下面，關(guān)閉閥V101、V102、V106、V107、V109～V115并打開閥V103～V105、V108。而且，使循環(huán)泵122以及汲取泵126工作。由此，將處理液的流路設(shè)定為經(jīng)由冷卻槽125的循環(huán)路徑(以下，稱為“第一循環(huán)路徑”)(步驟S112)。在第一循環(huán)路徑中，將從內(nèi)槽111溢出到外槽112的處理液經(jīng)由配管121c、配管121d、配管121e、冷卻槽125、配管121g、備用調(diào)溫槽128、配管121i、配管21a向內(nèi)槽111循環(huán)。
然后，通過使保持基板W的升降機下降，而將基板W浸漬在積存于內(nèi)槽111的處理液中(步驟S113)。由此，對形成在基板W的表面的氧化膜或氮化膜進行蝕刻。通過蝕刻從基板W的表面溶出的氧化物或氮化物的成分(SiO2或SiN3等)作為雜質(zhì)而混合在處理液中。
含有雜質(zhì)的處理液從內(nèi)槽111的上部向外槽112溢出，并從外槽112流出到第一循環(huán)路徑。在第一循環(huán)路徑中途，處理液被暫時積存在冷卻槽125內(nèi)，并被冷卻機構(gòu)125a冷卻。由于雜質(zhì)相對處理液的飽和溶液濃度隨著處理液的溫度降低而降低，所以當處理液被冷卻時，被溶解在處理液中的雜質(zhì)成為固體而析出，沉淀在冷卻槽125的底部。
另一方面，積存在冷卻槽125內(nèi)的處理液的上澄液被汲取到配管121g，通過過濾器127積存到備用調(diào)溫槽128。備用調(diào)溫槽128通過加熱器128a將所積存的處理液再次加熱到規(guī)定的溫度。而且，在備用調(diào)溫槽128中被加熱的處理液經(jīng)過配管121i、121a向內(nèi)槽111供給，再次利用于對基板W的處理。此外，處理液也被配管121a上的加熱器124或內(nèi)槽111的加熱器113加熱。由此，能夠防止在配管121i、121a的路徑中途的處理液的溫度降低，處理液被維持在規(guī)定的溫度。
當浸漬基板W后，經(jīng)過規(guī)定時間時，接著就關(guān)閉閥V104、V105并使汲取泵126停止。然后，打開閥V106、107V并使汲取泵130工作。由此，將處理液的流路切換為經(jīng)由冷卻槽129的循環(huán)路徑(以下，稱為“第二循環(huán)路徑”)(步驟S114)。在第二循環(huán)路徑中，將溢出到外槽112的處理液經(jīng)由配管121c、配管121d、配管121f、冷卻槽129、配管121h、備用調(diào)溫槽128、配管121i、配管121a循環(huán)到內(nèi)槽111。
從外槽112流出到第二循環(huán)路徑的處理液，首先，被暫時積存到冷卻槽129內(nèi)，通過冷卻機構(gòu)129a進行冷卻。在被冷卻的處理液中，雜質(zhì)變?yōu)楣腆w而析出，沉淀在冷卻槽129的底部。另一方面，積存在冷卻槽129內(nèi)的處理液的上澄液被汲取到配管121h，經(jīng)過過濾器131積存在備用調(diào)溫槽128。在備用調(diào)溫槽128中所積存的處理液通過加熱器128a加熱，經(jīng)過配管121i、121a供給到內(nèi)槽111。這樣，在第二循環(huán)路徑中也進行與第一循環(huán)路徑同樣的處理液的循環(huán)。
在使用第二循環(huán)路徑期間，在第一循環(huán)路徑中，排出沉淀在冷卻槽125的雜質(zhì)(步驟S115)。圖9是詳細顯示雜質(zhì)的排出處理的流程的流程圖。從冷卻槽125排出雜質(zhì)時，首先打開閥V109。由此，將沉淀在冷卻槽125的底部的雜質(zhì)和殘留在冷卻槽125內(nèi)的少量的處理液一起經(jīng)過配管121j、121l向排液槽132排出(步驟S121)。
然后，打開閥V111，從處理液供給源133經(jīng)過配管121m、121n、121e向冷卻槽125供給處理液。由此，沖洗掉殘留在冷卻槽125的底部的雜質(zhì)，經(jīng)過配管121j、121l向排液槽132排出雜質(zhì)(步驟S122)。雜質(zhì)的排出結(jié)束后，就關(guān)閉閥V111以及閥V109。在排液槽132內(nèi)，通過冷卻機構(gòu)132a進一步冷卻處理液(步驟S123)。而且，處理液被冷卻到可排液的溫度之后，打開閥V115，將處理液向排液管排出(步驟S124)。
還有，從冷卻槽125排出雜質(zhì)結(jié)束之后，將閥V113打開規(guī)定時間。由此，將與雜質(zhì)一同排出的量的處理液補充到備用調(diào)溫槽128(步驟S125)。
返回圖8。當被切換為第二循環(huán)路徑后，當經(jīng)過規(guī)定時間時，接著就關(guān)閉閥V106、V107并使汲取泵130停止。然后，打開閥V104、V105，使汲取泵126工作。由此，將處理液的流路再次切換為第一循環(huán)路徑(步驟S116)。在第一循環(huán)路徑中，與上述的步驟S113的情況同樣，首先，將從外槽112流出的處理液暫時積存在冷卻槽125內(nèi)，通過冷卻機構(gòu)125a進行冷卻。在被冷卻的處理液中，雜質(zhì)變?yōu)楣腆w而析出，沉淀在冷卻槽125的底部。另一方面，積存在冷卻槽125的處理液的上澄液被汲取到配管121g，通過過濾器127積存到備用調(diào)溫槽128。在備用調(diào)溫槽28中所積存的處理液由加熱器128a進行加熱，經(jīng)過配管121i、121a向內(nèi)槽111供給。
還有，在使用第一循環(huán)路徑期間，在第二循環(huán)路徑中，排出沉淀在冷卻槽129的雜質(zhì)(步驟S117)。雜質(zhì)的排出處理的流程與圖9所示的雜質(zhì)的排出處理的流程同樣。即，首先，打開閥V110。由此，積存在冷卻槽129的底部的雜質(zhì)與殘留在冷卻槽129內(nèi)的少量的處理液一同經(jīng)過配管121k、121l向排液槽132排出(步驟S121)。
然后，打開閥V112，從處理液供給源133經(jīng)過配管121m、配管121o、配管121f向冷卻槽129供給處理液。由此，沖洗掉殘留在冷卻槽125的底部的雜質(zhì)，經(jīng)過配管121k、121l向排液槽132排出雜質(zhì)(步驟S122)。雜質(zhì)的排出結(jié)束后，則關(guān)閉閥V112以及閥V110。在排液槽132內(nèi)，通過冷卻機構(gòu)132a進一步冷卻處理液(步驟S123)。而且，處理液被冷卻到可排液的溫度之后，打開閥V115，向排液管排出處理液(步驟S124)。
還有，從冷卻槽129排出雜質(zhì)結(jié)束之后，將閥V113打開規(guī)定時間。由此，將與雜質(zhì)一同排出的量的處理液補充到備用調(diào)溫槽128(步驟S125)返回圖8。當對基板W的規(guī)定時間的處理結(jié)束時，停止循環(huán)泵122以及汲取泵126(步驟S118)。由此，停止處理液的循環(huán)。并且，使升降機上升，從內(nèi)槽11提起基板W(步驟S119)。根據(jù)上述，基板處理裝置101中的基板W的處理結(jié)束。
這樣，該基板處理裝置101將處理液暫時積存在冷卻槽125、129中，并冷卻處理液。由此，使溶解在處理液中的雜質(zhì)析出，而使其沉淀到冷卻槽125、129的底部。然后，將積存在冷卻槽125、129內(nèi)的處理液的上澄液再次向處理槽110供給。因此，能夠維持處理液的處理性能并能夠?qū)μ幚硪哼M行再利用。還有，由于將處理液交換為新液的頻率被降低，所以基板處理裝置101的運轉(zhuǎn)率提高的同時，降低處理液的消耗量和排液量。
特別是，該基板處理裝置101循環(huán)處理液并對基板W進行處理，在其循環(huán)路徑的中途，進行處理液的冷卻以及雜質(zhì)的除去。因此，不使處理槽110中的基板W的處理停止就能夠除去處理液中的雜質(zhì)。因此，基板處理裝置101的運轉(zhuǎn)率進一步提高。
還有，該基板處理裝置101在處理液的循環(huán)路徑的冷卻槽125、129的下游側(cè)，具有加熱處理液的備用調(diào)溫槽128。因此，能夠維持處理槽110內(nèi)的處理液的溫度，并能夠除去處理液中的雜質(zhì)。
還有，該基板處理裝置101在處理液的循環(huán)路徑的冷卻槽125、129的下游側(cè)，具有過濾除去雜質(zhì)的過濾器127、131。因此，即使從冷卻槽125、129汲取微量的雜質(zhì)到配管121g、121h，也能夠過濾除去該雜質(zhì)。
還有，該基板處理裝置101并列具有具備同樣的冷卻槽的第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑。而且，通過控制閥V104～V107的開閉，而可以切換第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑。因此，當雜質(zhì)積蓄在一個冷卻槽時，能夠切換循環(huán)路徑而使用另一個冷卻槽。由此，基板處理裝置101的運轉(zhuǎn)率進一步提高。
還有，該基板處理裝置101在使用一個循環(huán)路徑期間，從另一個循環(huán)路徑的冷卻槽排出雜質(zhì)。由此，排出沉淀到冷卻槽125、129的底部的雜質(zhì)的同時，能夠連續(xù)地切換使用循環(huán)路徑。因此，基板處理裝置101的運轉(zhuǎn)率進一步提高。此外，循環(huán)路徑的切換次數(shù)，不限定于上述的例子，按照基板W的處理時間適當?shù)卦O(shè)定即可。
還有，該基板處理裝置101可以將處理液從處理液供給源133供給到冷卻槽125、129。因此，在從冷卻槽125、129排出雜質(zhì)時，能夠沖洗掉殘留在冷卻槽125、129的底部的雜質(zhì)。
<2-3.基板處理裝置的工作(一次除去雜質(zhì)的情況)>
接著，參照圖10的流程圖，針對在上述的基板處理裝置101中對基板W進行處理之后，一次除去處理液中的雜質(zhì)的情況進行說明。此外，以下所說明的基板處理裝置101的工作也是通過控制部140控制加熱器113、升降機、閥V101～V115、循環(huán)泵122、加熱器124、冷卻機構(gòu)125a、汲取泵126、加熱器128a、冷卻機構(gòu)129a、汲取泵130、冷卻機構(gòu)132a等的工作來進行的。
首先，在基板處理裝置101中，打開閥V108以及閥V113并使循環(huán)泵122工作。由此，從處理液供給源133經(jīng)過配管121p、備用調(diào)溫槽128、配管121i、配管121a向內(nèi)槽111供給處理液，而將處理液積存在內(nèi)槽111(步驟S131)。當處理液積存到內(nèi)槽111的上部時，從內(nèi)槽111的上部向外槽112溢出。
在向內(nèi)槽111積存處理液時，使備用調(diào)溫槽128的加熱器128a、配管121a上的加熱器124、以及內(nèi)槽111的加熱器113工作。由此，積存到內(nèi)槽111的處理液被加熱，被維持在適于蝕刻處理的規(guī)定的溫度(例如160℃)。
然后，關(guān)閉閥V102～V115并打開閥V101。由此，將處理液的流路設(shè)定為僅由配管121a構(gòu)成的循環(huán)路徑(以下，稱為“非冷卻循環(huán)路徑”)(步驟S132)。在非冷卻循環(huán)路徑中，使向外槽12溢出的處理液經(jīng)由過濾器123和加熱器124循環(huán)到內(nèi)槽111。
然后，通過使升降機下降，從而將基板W浸漬在積存于內(nèi)槽111的處理液中(步驟S133)。由此，對形成在基板W的表面的氧化膜或氮化膜進行蝕刻。因蝕刻而從基板W的表面溶出的氧化膜或氮化膜的成分(SiO2或SiN3等)作為雜質(zhì)而混合在處理液中。而且，當對基板W的規(guī)定時間的處理結(jié)束時，使升降機上升，將基板W從內(nèi)槽111提起(步驟S134)。
將基板W提起之后，基板處理裝置101關(guān)閉閥V101的同時打開閥V102、V103、V104。由此，將積存在內(nèi)槽111以及外槽112的處理液經(jīng)由配管121b、121c、121d、121e回收到冷卻槽125。被回收到冷卻槽125的處理液由冷卻機構(gòu)125a進行冷卻(步驟S135)。因此，被溶解在處理液中的雜質(zhì)成為固體而析出，并沉淀在冷卻槽125的底部。
然后，基板處理裝置101關(guān)閉閥V102、V103、V104并打開閥V105。還有，使汲取泵126工作，由此，將積存在冷卻槽125內(nèi)的處理液的上澄液汲取到配管121g，經(jīng)過過濾器127而積存到備用調(diào)溫槽128。積存到備用調(diào)溫槽128的處理液通過加熱器128a再次加熱到規(guī)定的溫度(步驟S136)。
當將處理液加熱到規(guī)定的溫度時，基板處理裝置101關(guān)閉閥V105并使汲取泵126停止。然后，打開泵108并使循環(huán)泵122工作。由此，將備用調(diào)溫槽128內(nèi)的處理液經(jīng)由配管121i、121a供給到內(nèi)槽111，再次利用于對基板W的處理(步驟S137)。此外，處理液通過配管121a上的加熱器124或內(nèi)槽111的加熱器113也能加熱。由此，防止配管121i、121a的路徑中途的處理液的溫度降低，使處理液維持在規(guī)定的溫度。
然后，基板處理裝置101排出沉淀在冷卻槽125的雜質(zhì)(步驟S138)。雜質(zhì)的排出處理的流程與圖9所示的雜質(zhì)的排出處理的流程同樣。即，首先，打開閥V109，由此，將沉淀在冷卻槽125的底部的雜質(zhì)與殘留在冷卻槽125內(nèi)的少量的處理液一起經(jīng)過配管121j、121l排出到排液槽132(步驟S121)然后，打開閥V111，從處理液供給源133經(jīng)過配管121m、121n、121e向冷卻槽125供給處理液。由此，沖洗掉殘留在冷卻槽125的底部的雜質(zhì)，經(jīng)過配管121j、121l向排液槽132排出雜質(zhì)(步驟S122)。雜質(zhì)的排出結(jié)束后，就關(guān)閉閥V111以及閥V109。在排液槽132內(nèi)，通過冷卻機構(gòu)132a進一步冷卻處理液(步驟S123)。而且，處理液被冷卻到可排液的溫度之后，打開閥V115，將處理液向排液管排出(步驟S124)。
還有，從冷卻槽125排出雜質(zhì)結(jié)束之后，將閥V113打開規(guī)定時間。由此，將與雜質(zhì)一同排出的量的處理液從處理液供給源經(jīng)過配管121p、備用調(diào)溫槽128a、配管121i、配管121a補充到內(nèi)槽111(步驟S125)。根據(jù)上述，基板處理裝置101中的基板W的處理結(jié)束。
這樣，該基板處理裝置101將處理液暫時積存在冷卻槽125，并對處理液進行冷卻。由此，使溶解在處理液中的雜質(zhì)析出，并使其沉淀在冷卻槽125的底部。然后，將積存在冷卻槽125內(nèi)的處理液的上澄液再次供給到處理槽110。因此，能夠維持處理液的處理性能并能夠?qū)μ幚硪哼M行再利用。還有，由于將處理液交換為新液的頻率被降低，所以基板處理裝置101的運轉(zhuǎn)率提高的同時，降低處理液的消耗量和排液量。此外，在上述例子中，使用了經(jīng)由冷卻槽125的循環(huán)路徑(第一循環(huán)路徑)，但是也可以使用經(jīng)由冷卻槽129的第二循環(huán)路徑，還可以同時使用第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑。
特別是，該基板處理裝置101從外槽112以及內(nèi)槽111的底部回收處理液。因此，能夠迅速地回收處理液并除去處理液中的雜質(zhì)。由此，基板處理裝置101的運轉(zhuǎn)率進一步提高。
還有，該基板處理裝置101在處理液的循環(huán)路徑的冷卻槽125、129的下游側(cè)，具有加熱處理液的備用調(diào)溫槽128。因此，能夠維持處理槽110內(nèi)的處理液的溫度的同時，能夠除去處理液中的雜質(zhì)。
還有，該基板處理裝置101在處理液的循環(huán)路徑的冷卻槽125、129的下游側(cè)，具有過濾除去雜質(zhì)的過濾器127、131。因此，即使從冷卻槽125、129汲取微量的雜質(zhì)到配管121g、121h，也能夠過濾除去該雜質(zhì)。
還有，該基板處理裝置101可以將處理液從處理液供給源133供給到冷卻槽125、129。因此，在從冷卻槽125、129排出雜質(zhì)時，能夠沖洗掉殘留在冷卻槽125、129的底部的雜質(zhì)。
<2-4.變形例>
在上述的例子中，僅針對再次利用處理液的情況進行說明，但是也可以在循環(huán)的中途主動地排出一部分處理液，并補充新的處理液。具體地說，將處理液回收到冷卻槽125、129之后，將閥V109、110打開規(guī)定時間。由此，從冷卻槽125、129通過配管121j、121k、121l向排液槽132排出規(guī)定量的處理液。然后，打開閥V111、V112，從處理液供給源133通過配管121m、121n、121o向冷卻槽125、129補充處理液。由此，能夠防止由除雜質(zhì)以外的原因?qū)е碌奶幚硪旱牧踊⒛軌蚓S持處理液的處理性能。
還有，也可以每進行了規(guī)定次數(shù)的處理后，就將處理槽110內(nèi)的處理液全部交換一次。具體地說，規(guī)定次數(shù)的基板W的處理結(jié)束之后，打開閥V114。由此，從處理槽110通過配管121q將處理液回收到排液槽132。在排液槽132內(nèi)，通過冷卻機構(gòu)132a冷卻處理液。并且，處理液被冷卻到可排液的溫度之后，打開閥V115，將處理液向排液管排出。然后，打開閥V108以及閥V113并使循環(huán)泵122工作，向處理槽110供給新的處理液。由此，能夠防止由除雜質(zhì)以外的原因?qū)е碌奶幚硪旱牧踊?，并能夠維持處理液的處理性能。
還有，在上述的例子中，針對使用含有磷酸的處理液來對基板W進行蝕刻處理的情況進行了說明，但是，本發(fā)明的基板處理裝置并不限于進行這種處理的裝置。例如可以使用含有過氧化氫或氨水的處理液來對基板W進行清洗處理。還有，也可以使用以IPA(異丙醇)、HFE(氫氟醚)、HFC(氫氟烴)等的有機溶劑作為主要成分的液體。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，通過處理液對基板進行處理，其特征在于，具有處理槽，其用于容納基板，并且積存處理液；循環(huán)路徑，其將從上述處理槽排出的處理液再次向上述處理槽供給；冷卻裝置，其在上述循環(huán)路徑中途對處理液進行冷卻；雜質(zhì)除去裝置，其在上述循環(huán)路徑中途的上述冷卻裝置的下游側(cè)，除去處理液中所包含的雜質(zhì)。
2.如權(quán)利要求1所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有加熱裝置，該加熱裝置在上述循環(huán)路徑中途的上述雜質(zhì)除去裝置的下游側(cè)對處理液進行加熱。
3.如權(quán)利要求2所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述處理槽具有內(nèi)槽，其用于容納基板，并且對基板進行處理；外槽，其在上述內(nèi)槽的上部外側(cè)接受從上述內(nèi)槽溢出的處理液，上述循環(huán)路徑將從上述外槽排出的處理液再次向上述內(nèi)槽供給。
4.如權(quán)利要求2所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述循環(huán)路徑將從上述處理槽的底部排出的處理液再次向上述處理槽供給。
5.如權(quán)利要求2所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述循環(huán)路徑具有第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑，在上述第一循環(huán)路徑和上述第二循環(huán)路徑分別設(shè)置有上述雜質(zhì)除去裝置，還具有切換上述第一循環(huán)路徑和上述第二循環(huán)路徑的循環(huán)路徑切換裝置。
6.如權(quán)利要求5所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述雜質(zhì)除去裝置具有過濾除去處理液中的雜質(zhì)的過濾器，還具有對上述過濾器進行清洗的過濾器清洗裝置。
7.如權(quán)利要求6所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述過濾器清洗裝置具有過濾器清洗液供給裝置，該過濾器清洗液供給裝置將使雜質(zhì)溶解的過濾器清洗液向上述過濾器供給。
8.如權(quán)利要求7所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有排液路徑，其在上述循環(huán)路徑中途的上述過濾器的下游側(cè)，從上述循環(huán)路徑分支；排液切換裝置，其對上述循環(huán)路徑和上述排液路徑進行切換。
9.如權(quán)利要求8所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有處理液供給裝置，該處理液供給裝置在上述循環(huán)路徑中途的上述過濾器的上游側(cè)供給處理液。
10.如權(quán)利要求2所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有處理液積存槽，該處理液積存槽在上述循環(huán)路徑中途的上述雜質(zhì)除去裝置的下游側(cè)積存處理液，上述加熱裝置對被積存在上述處理液積存槽中的處理液進行加熱。
11.一種基板處理裝置，通過處理液對基板進行處理，其特征在于，具有處理槽，其用于容納基板，并且積存處理液；循環(huán)路徑，其將從上述處理槽排出的處理液再次向上述處理槽供給；冷卻槽，其在上述循環(huán)路徑中途積存處理液，并且冷卻處理液；排出裝置，其將沉淀在上述冷卻槽中的雜質(zhì)從上述冷卻槽排出。
12.如權(quán)利要求11所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有循環(huán)機構(gòu)，該循環(huán)機構(gòu)汲取被積存在上述冷卻槽中的處理液的上澄液，使處理液向下游側(cè)的循環(huán)路徑供給。
13.如權(quán)利要求12所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有加熱裝置，該加熱裝置在上述循環(huán)路徑中途的上述冷卻槽的下游側(cè)對處理液進行加熱。
14.如權(quán)利要求13所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述處理槽具有內(nèi)槽，其用于容納基板，并且對基板進行處理；外槽，其在上述內(nèi)槽的上部外側(cè)接受從上述內(nèi)槽溢出的處理液，上述循環(huán)路徑將從上述外槽排出的處理液再次向上述內(nèi)槽供給。
15.如權(quán)利要求13所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述循環(huán)路徑將從上述處理槽的底部排出的處理液再次向上述處理槽供給。
16.如權(quán)利要求13所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述循環(huán)路徑具有第一循環(huán)路徑和第二循環(huán)路徑，在上述第一循環(huán)路徑和上述第二循環(huán)路徑分別設(shè)置有上述冷卻槽，具有切換上述第一循環(huán)路徑和上述第二循環(huán)路徑的循環(huán)路徑切換裝置。
17.如權(quán)利要求16所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有過濾器，該過濾器在上述循環(huán)路徑的上述冷卻槽的下游側(cè)過濾除去處理液中的雜質(zhì)。
18.如權(quán)利要求17所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有處理液供給裝置，該處理液供給裝置在上述循環(huán)路徑中途的上述冷卻槽的上游側(cè)供給處理液。
19.如權(quán)利要求13所記載的基板處理裝置，其特征在于，還具有處理液積存槽，該處理液積存槽在上述循環(huán)路徑中途的上述冷卻槽的下游側(cè)積存處理液，上述加熱裝置對積存在上述處理液積存槽中的處理液進行加熱。
20.一種基板處理方法，通過處理液對基板進行處理，其特征在于，具有a)將處理液積存在處理槽內(nèi)的積存工序；b)將從上述處理槽排出的處理液再次向上述處理槽供給的循環(huán)工序，上述循環(huán)工序包括b-1)對循環(huán)中途的處理液進行冷卻的冷卻工序，b-2)除去處理液中所包含的雜質(zhì)的雜質(zhì)除去工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種通過處理液對基板進行處理的基板處理裝置，維持處理液的處理性能并使基板處理裝置的運轉(zhuǎn)率提高的同時，能夠降低處理液的消耗量和排液量?；逄幚硌b置(1)在處理液的循環(huán)路徑的中途具有冷卻處理液的冷卻機構(gòu)(25)和除去處理液中的雜質(zhì)的過濾器(26、27)。由此，使溶解在處理液中的雜質(zhì)析出，并除去析出的雜質(zhì)。因此，能夠維持處理液的處理性能并對處理液進行再利用。還有，由于降低將處理液更換為新液的頻率，所以基板處理裝置的運轉(zhuǎn)率提高的同時，處理液的消耗量和排液量被降低。
文檔編號H01L21/306GK101013661SQ20071000790
公開日2007年8月8日 申請日期2007年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月30日
發(fā)明者基村雅洋 申請人:大日本網(wǎng)目版制造株式會社