專利名稱：共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電容，特別是涉及一種利用同層金屬線與線之間的側(cè)向電 場以構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今片上系統(tǒng)(soc)技術(shù)發(fā)展日趨成熟，IC電路整合復(fù)雜，單位面積所容納的組件數(shù)量隨之增加，許多以往因面積過大而需外接的被動組件，如電容、 電感等，必須被整合進(jìn)單一芯片中。在集成電路布局，使用不同層金屬來形成平板電容，此種利用垂直方向電 場，隨著有效線寬越來越小，其所占用的芯片面積也會隨之上升。此外，在線 寬縮小的情況下，在有限的面積或體積中，要達(dá)到相同的電容量，也是集成電 路布局的一大技術(shù)問題，因此公知技術(shù)公開了許多的解決方案。例如美國第5208725號專利公開一種電容結(jié)構(gòu)，該電容結(jié)構(gòu)具有第一導(dǎo)電 層與第二導(dǎo)電層，每一導(dǎo)電層由數(shù)條條狀結(jié)構(gòu)組成，每一條狀結(jié)構(gòu)相互平行。 其主要的技術(shù)特征在于使用指狀結(jié)構(gòu)，并利用側(cè)向與垂直電場，提高電容密度。美國第6037621號專利公開一種電容結(jié)構(gòu)，具有上金屬層與下金屬層，上 下金屬層之間配置有一島狀金屬陣列，每一金屬島連接到上金屬層與下金屬層 其中之一，其主要的技術(shù)特征利用金屬與金屬間的導(dǎo)孔(Via)實(shí)現(xiàn)金屬島狀 陣列，并利用側(cè)向與垂直電場，提高電容密度。美國第6297524號專利所公開的電容結(jié)構(gòu)，由第一導(dǎo)電層與至少一第二導(dǎo)電層組成，該導(dǎo)電層為可導(dǎo)電的同心環(huán)狀線，并以同心環(huán)狀的方式堆棧，每一 導(dǎo)電層則由可導(dǎo)電的導(dǎo)孔(VIA)連接。該專利的主要技術(shù)特征利用同心環(huán)狀 結(jié)構(gòu)，并使用側(cè)向電場，并借助導(dǎo)孔(Via)貫穿上下層金屬，以提高電容密 度。美國第6410954號專利所公開的電容結(jié)構(gòu)，由第一導(dǎo)電層與至少一第二導(dǎo) 電層組成，該導(dǎo)電層為開環(huán)狀結(jié)構(gòu)的同心線，第二導(dǎo)電層覆蓋于第一導(dǎo)電層。該專利的主要技術(shù)特征同樣利用同心環(huán)狀結(jié)構(gòu)，并借助上下金屬交錯(cuò)，利用側(cè) 向與垂直電場，以提高電容密度。美國早期公開第20040036143號申請案提出一種電容結(jié)構(gòu)，其在一基板上 以內(nèi)外兩片垂直板，并以外垂直板定義出一網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，同時(shí)設(shè)置一水平板，以 避免基板與內(nèi)外垂直板之間所產(chǎn)生的寄生電容。其主要的技術(shù)特征在于采用網(wǎng) 格結(jié)構(gòu)，利用側(cè)向電場，以提高電容密度。美國第6737698號專利所公開的電容結(jié)構(gòu)，其主要的技術(shù)特征在于使用屏 蔽結(jié)構(gòu)，將電場限制在兩個(gè)屏蔽之間。美國第6765778號專利所公開的電容結(jié)構(gòu)，其由數(shù)組堆棧組成，其中第二 堆棧最靠近第一堆棧，而第三堆棧為第二靠近第一堆棧，這三個(gè)堆棧定義了一 個(gè)等邊三角形的頂點(diǎn)，這個(gè)三角形形成于一與該堆棧垂直的平面中。其主要的 技術(shù)特征在于以六角垂直堆棧結(jié)構(gòu)，并使用側(cè)向電場，以提高電容密度。美國早期公開第20040174655號申請案公開一種電容結(jié)構(gòu)，其主要由兩層 指狀結(jié)構(gòu)相互交錯(cuò)組成，其主要的技術(shù)特征在于使用指狀結(jié)構(gòu)，借助使上下層 指狀成直角交錯(cuò)，降低層間金屬的不匹配狀態(tài)，以提高電容密度。美國早期公開第20050280060號申請案提出一種電容結(jié)構(gòu)，其由內(nèi)盒狀電 容與外盒狀電容以同心巢狀方式配置，其主要的技術(shù)特征在于利用同心環(huán)狀結(jié) 構(gòu)，利用側(cè)向電場以提高電容密度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，利用同層金屬線與線的 側(cè)向電場來實(shí)現(xiàn)電容,在有效線寬降低的情況下，可以提高單位體積的電容量， 借以提高電容密度。為了實(shí)U:述目的，本發(fā)明提供了一種共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其一實(shí)施例 由第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層以及第四金屬層組成。第一金屬層相 鄰于第二金屬層，第三金屬層相鄰于第一金屬層，第四金屬層相鄰于第二金屬 層，且第一金屬層對稱于第四金屬層，第二金屬層對稱于第三金屬層。其中每 一金屬層均具有兩組金屬線，每一組分別具有數(shù)條金屬線，每一組的每一金屬 線以相互交錯(cuò)方式配置。本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的一實(shí)施例由第一金屬層與第二金屬層組成，第二金屬層以對稱于該第一金屬層的方式配置。其中每一金屬層均 具有兩組金屬線，每一組分別具有數(shù)條金屬線，每一組的每一金屬線以相互交 錯(cuò)方式配置。但第二金屬層的交錯(cuò)方式與第一金屬層不同。根據(jù)本發(fā)明所公開的電容結(jié)構(gòu)，可在有限體積下達(dá)到最有效率的利用，改 善一般采用平板電容在芯片中所占用體積或面積過大的問題。此外，本發(fā)明所公開的對稱電容結(jié)構(gòu)，除了有助于布局時(shí)的匹配(match) 外，還能夠借助對稱的相反電流產(chǎn)生反向磁場，進(jìn)而降低電感，使自振頻率提 高，以增進(jìn)電容的效能。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的 限定。


圖1為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為應(yīng)用本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的一實(shí)施例； 圖4A和圖4B為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示 意圖；圖5A和圖5B為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示 意圖；圖6為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為應(yīng)用本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的一實(shí)施例；圖9A和圖9B為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示 意圖；圖IOA和圖IOB為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu) 示意圖；圖UA至圖IIG為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的制造流程； 圖12A至圖12G為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的制造流程。 其中，附圖標(biāo)記100 共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容110 第一金屬層111 第一組金屬線112 第二組金屬線120 第二金屬層121 第三組金屬線122 第四組金屬線130 第三金屬層131 第五組金屬線132 第六組金屬線140 第四金屬層141 第七組金屬線142 第八組金屬線151 金屬層152 金屬層153 金屬層154 連接層155 連接層156 金屬層157 金屬層158 金屬層200 共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容210 第一金屬層220 第二金屬層211 第一組金屬線212 第二組金屬線221 第三組金屬線222 第四組金屬線251 金屬層252 金屬層253 金屬層254連接層255連接層256金屬層257金屬層258金屬層300基板310第一金屬層320連接層330金屬層400基板410第一金屬層420連接層430金屬層具體實(shí)施方式
請參考圖1，為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容100由第一金屬層110、 第二金屬層120、第三金屬層130以及第四金屬層140組成。第一金屬層110 相鄰于第二金屬層120,第三金屬層130相鄰于第一金屬層110，第四金屬層 140相鄰于第二金屬層120，且第一金屬層110對稱于第四金屬層140，第二 金屬層120對稱于第三金屬層130。第一金屬層IIO，具有第一組金屬線111與第二組金屬線112，分別具有 數(shù)條金屬線，第一組金屬線111的每一金屬線與第二組金屬線112的每一金屬 線以交錯(cuò)方式配置。第二金屬層120相鄰于第一金屬層110，具有第三組金屬線121與第四組 金屬線122，分別具有數(shù)條金屬線，第三組金屬線121的每一金屬線與第四組 金屬線122的每一金屬線以交錯(cuò)方式配置。第三金屬層130相鄰于第一金屬層110，具有第五組金屬線131與第六組 金屬線132，分別具有數(shù)條金屬線，第五組金屬線131的每一金屬線與第六組 金屬線132的每一金屬線以交錯(cuò)方式配置。第四金屬層140相鄰于第二金屬層120，具有第七組金屬線141與第八組 金屬線142，分別具有數(shù)條金屬線，第七組金屬線141的每一金屬線與第八組 金屬線142的每一金屬線以交錯(cuò)方式配置。本發(fā)明所公開的電容結(jié)構(gòu)，在同一層金屬層中，以共質(zhì)心對稱的方式配置 電極以構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)，以圖1為例，第一金屬層110與第四金屬層140以對稱 于一對角線的方式配置，也就是第一金屬層110與第四金屬層140對稱于一矩 形的質(zhì)心。第二金屬層120與第三金屬層130以對稱于一對角線的方式配置， 也就是第二金屬層120與第三金屬層130對稱于一矩形的質(zhì)心。而第一金屬層 110與第四金屬層140的每一金屬線以直角的部分相對，第二金屬層120與第 三金屬層130的每一金屬線以直角的部分相對。在圖1中的實(shí)施例，每一金屬層的金屬線大致為L形。但是其它形狀，例 如弧形，也可應(yīng)用于本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。請參考圖2，為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示 意圖。其與圖1類似，由第一金屬層110、第二金屬層120、第三金屬層130 以及第四金屬層140組成，每一金屬層同樣具有數(shù)條金屬線，每一金屬層的金 屬線大致為L形，然而第一金屬層110與第四金屬層140的每一金屬線以L 形的開口部分相對，第二金屬層120與第三金屬層130的每一金屬線以L形的 開口部分相對。重復(fù)排列圖l或圖2的結(jié)構(gòu)，可形成圖3的電容結(jié)構(gòu)陣列。請參考圖4A和圖4B，為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施 例結(jié)構(gòu)示意圖。在圖1或圖2的實(shí)施例中，第一金屬層110、第二金屬層120、 第三金屬層130以及第四金屬層140位于同一層金屬層中，且僅具有一金屬層， 而在圖4A和圖4B的實(shí)施例中，其具有數(shù)層金屬層，每一金屬層具有圖l或圖 2的結(jié)構(gòu)，每一金屬層則由連接層連接。如圖4A和圖4B所示，其由三層金屬層151、 152、 153形成電容結(jié)構(gòu)，連 接層154連接金屬層151與金屬層152，連接層155連接金屬層152與金屬層 153。通過圖4A和圖4B所示的實(shí)施例，可將位于不同金屬層的電容串聯(lián)起來， 以增加電容量。連接層154與連接層155分別具有數(shù)個(gè)導(dǎo)孔(VIA)，以連接 不同金屬層間相對應(yīng)的金屬線。請參考圖5A和圖5B，為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。其由三層金屬層156、 157、 158形成電容結(jié)構(gòu)，每一金屬層具 有圖1或圖2的結(jié)構(gòu)，除了在同一層金屬層可形成電容效應(yīng)外，不同層金屬間也可形成電容效應(yīng)。金屬層156、 157、 158均具有如圖l所示的第一金屬層llO、第二金屬層 120、第三金屬層130以及第四金屬層140，不同的是，金屬層156與金屬層 157上的金屬線的交錯(cuò)配置方式相反。請參考圖6，為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示 意圖。如圖所示，本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容200由第一金屬層210 以及第二金屬層220組成，第一金屬層210對稱于第二金屬層220。第一金屬層210具有第一組金屬線211與第二組金屬線212，分別具有數(shù) 條金屬線，第一組金屬線211的每一金屬線與第二組金屬線212的每一金屬線 以交錯(cuò)方式配置。第二金屬層220具有第三組金屬線221與第四組金屬線222，分別具有數(shù) 條金屬線，第三組金屬線221的每一金屬線與第四組金屬線222的每一金屬線 以交錯(cuò)方式配置，但與第一金屬層21的交錯(cuò)方式不同。在圖6中的實(shí)施例，每一金屬層的金屬線大致為U形。但是其它形狀，例 如弧形，也可應(yīng)用于本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。第一金屬層210以對稱于第二金屬層220的方式配置，在圖6中的實(shí)施例， 第一金屬層210的U形開口與第二金屬層220的U形開口相對。在圖7中的實(shí) 施例，第一金屬層210的U形底部與第二金屬層220的U形底部相對。重復(fù)排列圖6或圖7的結(jié)構(gòu)，可形成圖8的電容結(jié)構(gòu)陣列。請參考圖9A和圖9B，為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí)施 例結(jié)構(gòu)示意圖。其具有數(shù)層金屬層，每一金屬層具有圖6或圖7的結(jié)構(gòu)，每一 金屬層由連接層連接。如圖9A和圖9B所示，其由三層金屬層251、 252、 253形成電容結(jié)構(gòu)，連 接層254連接金屬層251與金屬層252，連接層255連接金屬層252與金屬層 253。通過圖9A和圖9B所示的實(shí)施例，可將位于不同金屬層的電容串聯(lián)起來， 以增加電容量。連接層254與連接層255分別具有數(shù)個(gè)導(dǎo)孔(VIA)，以連接 不同金屬層間相對應(yīng)的金屬線。請參考圖IOA和圖IOB，為本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容的另一實(shí) 施例結(jié)構(gòu)示意圖。其由三層金屬層256、 257、 258形成電容結(jié)構(gòu)，每一金屬層 具有圖6或圖7的結(jié)構(gòu)，除了在同一層金屬層可形成電容效應(yīng)外，不同層金屬 間也可形成電容效應(yīng)。請參考圖10A和圖IOB，為圖4A和圖4B所示的實(shí)施例的制造方法。本發(fā)明所公開的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，可利用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝來完成， 請參考圖IIA至圖IIG，為本發(fā)明所公開的面心立方結(jié)構(gòu)電容的示例性工藝。 圖llA至圖llG以圖4A的n，線的剖面為例作說明。請參考圖11A，此電容形成于一基板300上，在一實(shí)施例中，基板300上 可能形成有其它的組件或線路，為簡化說明，這些組件或線路不加入說明與圖 示。先形成第一金屬層310，其具有圖l所示的結(jié)構(gòu)，第一金屬層110、第二 金屬層120、第三金屬層130以及第四金屬層140組成。第一金屬層110相鄰 于第二金屬層120，第三金屬層130相鄰于第一金屬層110，第四金屬層140 相鄰于第二金屬層120，且第一金屬層110對稱于第四金屬層140，第二金屬 層120對稱于第三金屬層130。接著在第一金屬層310的空隙中填入介電材料。在另一實(shí)施例，也可先形成一介電層，并在此介電層上以相應(yīng)于圖4A和 圖4B的掩模進(jìn)行曝光顯影，將要形成第一金屬層110、第二金屬層120、第三 金屬層130以及第四金屬層140的部分蝕刻出來，再將金屬材料沉積到相對應(yīng) 的位置。接著形成連接層320，請參考圖IIC至圖IIE，先形成一介電層，并將對 應(yīng)于第一金屬層110、第二金屬層120、第三金屬層130以及第四金屬層140 的位置蝕刻掉，再填入金屬。最后在重復(fù)圖11A與圖11B的步驟，以形成一金 屬層330。請參考圖12A至圖12G，為本發(fā)明所公開的面心立方結(jié)構(gòu)電容的示例性工 藝。圖12A至圖12G是以圖9A的n，線的剖面為例作說明，請參考圖12A，此電容形成于一基板400上，在一實(shí)施例中，基板400上 可能形成有其它的組件或線路，為簡化說明，這些組件或線路不加入說明與圖示。先形成第一金屬層410，其具有圖l所示的結(jié)構(gòu)，第一金屬層210與第二金屬層220。接著在第一金屬層410的空隙中填入介電材料。在另一實(shí)施例，也可先形成一介電層，并在此介電層上以相應(yīng)于圖8的掩 模進(jìn)行曝光顯影，將要形成第一金屬層210與第二金屬層220的部分蝕刻出來， 再將金屬材料沉積到相對應(yīng)的位置。接著形成連接層420，請參考圖12C至圖12E，先形成一介電層，并將對 應(yīng)于第一金屬層210與第二金屬層220的位置蝕刻掉，再填入金屬。最后再重 復(fù)圖12A與圖12B的步驟，以形成一金屬層430。本發(fā)明所公開的電容結(jié)構(gòu)，借助同層金屬線與線之間側(cè)向電場來實(shí)現(xiàn)電 容，因此，隨著有效線寬的降低，將可提升單位面積下的電容量。也就是，在 相同的電容值下，本發(fā)明所公開的電容結(jié)構(gòu)可有效減少布局所需要的面積，進(jìn) 而降低芯片制造所需的成本。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這 些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，包括有一第一金屬層，具有一第一組金屬線與一第二組金屬線，該第一與該第二組分別具有數(shù)條金屬線，且該第一組金屬線的每一金屬線與該第二組金屬線的每一金屬線以交錯(cuò)方式配置；一第二金屬層，相鄰于該第一金屬層，具有一第三組金屬線與一第四組金屬線，該第三與該第四組分別具有數(shù)條金屬線，且該第三組金屬線的每一金屬線與該第四組金屬線的每一金屬線以交錯(cuò)方式配置；一第三金屬層，相鄰于該第一金屬層，具有一第五組金屬線與一第六組金屬線，該第五與該第六組分別具有數(shù)條金屬線，該第五組金屬線的每一金屬線與該第六組金屬線的每一金屬線以交錯(cuò)方式配置，其中該第二金屬層與該第三金屬層以對稱于一對角線的方式配置；以及一第四金屬層，相鄰于該第二金屬層，具有一第七組金屬線與一第八組金屬線，該第七與該第八組分別具有數(shù)條金屬線，且該第七組金屬線的每一金屬線與該第八組金屬線的每一金屬線以交錯(cuò)方式配置，其中該第一金屬層與該第四金屬層以對稱于另一對角線的方式配置。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，該第一組 至該第八組金屬線的每一條金屬線為L形。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，該第一金 屬層與該第四金屬層的每一金屬線以直角的部分相對，該第二金屬層與該第三 金屬層的每一金屬線以直角的部分相對。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，該第一金 屬層與該第四金屬層的每一金屬線以L形的開口部分相對，該第二金屬層與該 第三金屬層的每一金屬線以L形的開口部分相對。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，該第一組 至該第八組金屬線的每一條金屬線為弧形。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，該第一金 屬層與該第四金屬層的每一金屬線以弧形的凸出部分相對，該第二金屬層與該 第三金屬層的每一金屬線以弧形的凸出部分相對。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，該第一金 屬層與該第四金屬層的每一金屬線以弧形的開口部分相對，該第二金屬層與該 第三金屬層的每一金屬線以弧形的開口部分相對。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，還包括有 --層以上個(gè)金屬層，其中每一金屬層具有該第一金屬層、該第二金屬層、該第 三金屬層與該第四金屬層；以及一層以上個(gè)連接層，用以連接每一該金屬層。
9、 一種共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，包括有 一第一金屬層，具有一第一組金屬線與一第二組金屬線，該第一與該第二組分別具有數(shù)條金屬線，且該第一組金屬線的每一金屬線與該第二組金屬線的 每一金屬線以交錯(cuò)方式配置；以及一第二金屬層，以對稱于該第一金屬層的方式配置，具有第三組金屬線與 第四組金屬線，該第三與該第四組分別具有數(shù)條金屬線，且該第三組金屬線的 每一金屬線與該第四組金屬線的每一金屬線以交錯(cuò)方式配置，與該第一金屬層 的該金屬線的交錯(cuò)方式不同。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，該第一組 與該第二組金屬線的每一條金屬線為U形。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，該第一金屬層的U形開口與該第二金屬層的U形開口相對，該第一金屬層的U形底部 與該第二金屬層的U形底部相對。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，其特征在于，還包括有 一層以上個(gè)金屬層，其中每一金屬層具有該第一金屬層與該第二金屬層；以及一層以上個(gè)連接層，用以連接每一該金屬層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種共質(zhì)心對稱結(jié)構(gòu)電容，由第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層以及第四金屬層組成。第一金屬層相鄰于第二金屬層，第三金屬層相鄰于第一金屬層，第四金屬層相鄰于第二金屬層，且第一金屬層對稱于第四金屬層，第二金屬層對稱于第三金屬層。其中每一金屬層均具有兩組金屬線，每一組分別具有數(shù)條金屬線，每一組的每一金屬線以相互交錯(cuò)方式配置。
文檔編號H01L27/00GK101241896SQ20071000044
公開日2008年8月13日 申請日期2007年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月7日
發(fā)明者鄭鍵樺, 陳以勛, 鮮思康 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院