專(zhuān)利名稱(chēng)：激光誘導(dǎo)熱成像法和采用其的有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的方面涉及激光誘導(dǎo)熱成像的方法和采用激光誘導(dǎo)熱成像方法的有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法，更具體地，采用激光誘導(dǎo)熱成像方法，當(dāng)將有機(jī)膜層壓到受體基板上時(shí)，能夠利用磁力層壓供體(donor)膜和受體(acceptor)基板的激光誘導(dǎo)熱成像方法，和采用該成像方法的有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法。
背景技術(shù)：
本發(fā)明的方面涉及激光誘導(dǎo)熱成像裝置和激光誘導(dǎo)熱成像方法，以及采用該方法的有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法，更具體地，當(dāng)采用激光誘導(dǎo)熱成像方法層壓有機(jī)膜到受體基板上時(shí)，通過(guò)在該受體基板中包括第一磁體和在該供體膜中包括第二磁體來(lái)產(chǎn)生磁力，可以改進(jìn)受體基板和供體基板成像層之間的粘附特性的激光誘導(dǎo)熱成像裝置和激光誘導(dǎo)熱成像方法；以及采用該裝置和該方法的有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法。
在形成有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)膜層的方法中，其中有機(jī)膜層采用陰影掩模(shadow mask)通過(guò)真空沉積形成有機(jī)發(fā)光材料的沉積方法的缺點(diǎn)在于，由于陰影掩模變形難于形成超精細(xì)圖案等，并且難于應(yīng)用于大面積顯示器。
為了解決沉積方法中的問(wèn)題，提出了直接構(gòu)圖有機(jī)膜層的噴墨方法。該噴墨工藝是通過(guò)從噴墨打印機(jī)頭排放一排放液來(lái)形成有機(jī)膜層的方法，該排放液通過(guò)溶解或分散溶劑中的發(fā)光材料獲得。該噴墨工藝在處理上相對(duì)簡(jiǎn)單，但其缺點(diǎn)是產(chǎn)量減少，薄膜厚度不一致，并且難于應(yīng)用于大面積顯示器。
同時(shí)，提出了采用激光誘導(dǎo)熱成像技術(shù)形成有機(jī)膜的方法。該激光誘導(dǎo)熱成像方法是一種方法，其中，成像層緊密粘附到受體基板上，然后通過(guò)掃描激光而被轉(zhuǎn)移到供體膜上，該供體膜包括基板、光熱轉(zhuǎn)換層和成像層，其將通過(guò)該基板的激光在該光熱轉(zhuǎn)換層中轉(zhuǎn)換成熱，以延伸該光熱轉(zhuǎn)換層，并且延伸鄰近的成像層。該激光誘導(dǎo)熱成像方法是具有固有優(yōu)點(diǎn)的工藝，如高分辨率圖案形成、薄膜厚度一致性、層壓多層的能力和擴(kuò)展到大尺寸玻璃母板的能力。
當(dāng)實(shí)施傳統(tǒng)的激光誘導(dǎo)熱成像方法時(shí)，該方法優(yōu)選地在真空狀態(tài)下實(shí)施，以便在形成發(fā)光裝置時(shí)，其中轉(zhuǎn)移發(fā)光層的室內(nèi)能與其它沉積工藝一致，因此該方法通常在真空狀態(tài)下實(shí)施，但根據(jù)傳統(tǒng)方法在真空狀態(tài)下實(shí)施激光熱轉(zhuǎn)移時(shí)，則其缺點(diǎn)在于由于在該供體膜和該受體基板之間通常施加的耦合力減小，因此該成像層的轉(zhuǎn)移性能差。因此，在激光誘導(dǎo)熱成像方法中，層壓供體膜和受體基板的方法非常重要，因此，已經(jīng)有嘗試解決這樣的問(wèn)題。
下文中，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的激光誘導(dǎo)熱成像方法和熱轉(zhuǎn)移成像裝置。
圖1展示了根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的熱轉(zhuǎn)移成像裝置的局部截面圖。
參照?qǐng)D1，該熱轉(zhuǎn)移成像裝置100包括設(shè)置在室110內(nèi)的基板臺(tái)120和設(shè)置在該室110上部的激光發(fā)射設(shè)備130。
在該基板臺(tái)120上，受體基板140引入室110中，并且供體膜150順序設(shè)置在用于在該基板臺(tái)120中分別設(shè)置受體基板140和供體膜150的第一錨定凹槽121和第二錨定凹槽123中。第一錨定凹槽121沿著受體基板140的周邊方向形成，并且第二錨定凹槽123沿著供體膜150的周邊方向形成。一般來(lái)說(shuō)，受體基板140具有比供體膜150更小的面積，因此，第一錨定凹槽121的形成尺寸比第二錨定凹槽123的尺寸小。
同時(shí)，為了進(jìn)行層壓，而在該受體基板140和該供體膜150之間沒(méi)有外來(lái)物質(zhì)或空隙，其中產(chǎn)生激光熱轉(zhuǎn)移的室110內(nèi)處于環(huán)境壓力，并且管161、163分別連接到第一錨定凹槽121和第二錨定凹槽123的下部，并且吸入真空泵P，以將受體基板140和供體膜150彼此結(jié)合。
然而，雖然其它制造有機(jī)發(fā)光二極管的方法都保持在真空狀態(tài)下，但是，通過(guò)真空泵粘附該受體基板和該供體膜的方法不在真空狀態(tài)下在該室內(nèi)使用，因此，該方法具有產(chǎn)品的壽命和可靠性受到不利影響的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面被設(shè)計(jì)以解決傳統(tǒng)技術(shù)這樣的缺陷和/或其它問(wèn)題，因此本發(fā)明的方面是提供能夠采用磁力層壓供體膜和受體基板的激光誘導(dǎo)熱成像方法，和采用該方法的有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法，其中，激光熱轉(zhuǎn)移在真空狀態(tài)下進(jìn)行，以使在該供體膜和該受體基板之間外來(lái)物質(zhì)不會(huì)停留并且不會(huì)產(chǎn)生空隙。
本發(fā)明前述和/或其它方面通過(guò)提供激光誘導(dǎo)熱成像方法得以實(shí)現(xiàn)，所述方法包括在處理室的基板臺(tái)上設(shè)置受體基板，其中，第一磁體形成在該受體基板的一個(gè)表面中；在該受體基板上設(shè)置包括第二磁體的供體膜；采用該第一和第二磁體之間作用的磁力，層壓該供體膜和該受體基板；和通過(guò)在該供體膜上掃描激光來(lái)將成像層的至少一個(gè)區(qū)域轉(zhuǎn)移到該受體基板上。
盡管不是在所有方面所需，優(yōu)選地，該供體膜包括基底基板；形成在該基底基板上的光熱轉(zhuǎn)換層；形成在該光熱轉(zhuǎn)換層上的成像層；形成在光熱轉(zhuǎn)換層的至少一個(gè)表面上的磁體。同樣，該激光誘導(dǎo)熱成像方法還包括該光熱轉(zhuǎn)換層和該成像層之間的層間絕緣層。該磁體為電磁體或永磁體，并且至少形成為一個(gè)桿或圓柱形。該電磁體或永磁體同心設(shè)置，但是設(shè)置為平行于多個(gè)縱向和多個(gè)橫向。盡管不是在所有方面所需，該永磁體由永磁體納米顆粒制造，并且該永磁體納米顆粒采用旋轉(zhuǎn)涂布、電子束沉積或噴墨方法形成，并且在該電磁體中包括有用于施與電壓的電纜。該處理室也是真空室。
本發(fā)明前述和/或其它方面通過(guò)提供有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法予以實(shí)現(xiàn)，該有機(jī)發(fā)光二極管采用根據(jù)本發(fā)明的方面的激光誘導(dǎo)熱成像方法形成在第一電極和第二電極之間，該方法包括受體基板傳輸操作，在基板臺(tái)上設(shè)置具有像素區(qū)和包括第一磁體的受體基板；供體膜傳輸操作，在該受體基板上傳輸包括第二磁體和具有發(fā)光層的供體膜；層壓操作，采用在該受體基板中形成的該第一磁體和包括在該供體膜中的第二磁體之間的磁力彼此連接該受體基板和該供體膜；和轉(zhuǎn)移操作，其通過(guò)掃描激光到該供體膜上而將該發(fā)光層轉(zhuǎn)移到該受體基板的像素區(qū)。
本發(fā)明另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn)將部分地在下面的說(shuō)明書(shū)中陳述，部分將從說(shuō)明書(shū)中顯見(jiàn)，或可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐習(xí)之。


結(jié)合附圖，通過(guò)實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)更加明顯易懂，在附圖中圖1是展示根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的熱轉(zhuǎn)移成像裝置的局部截面圖；圖2A至2H是根據(jù)工藝操作的截面圖，其用于描述根據(jù)本發(fā)明方面的激光誘導(dǎo)熱成像方法；
圖3是展示根據(jù)本發(fā)明的用于激光轉(zhuǎn)移的供體膜的第一實(shí)施例的截面圖；圖4是展示根據(jù)本發(fā)明的用于激光轉(zhuǎn)移的供體膜的第二實(shí)施例的截面圖；圖5是展示根據(jù)本發(fā)明方面的受體基板的第一實(shí)施例的截面圖；圖6是展示根據(jù)本發(fā)明方面的受體基板的第二實(shí)施例的截面圖；以及圖7A至7E是展示根據(jù)本發(fā)明另一方面的描述有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施例，其示例圖解在附圖中，其中，全文中同樣的參考標(biāo)號(hào)代表同樣的元件。該實(shí)施例在下面描述以參考附圖解釋本發(fā)明。
參照?qǐng)D2A至2H，將在這里描述根據(jù)本發(fā)明的方面的激光誘導(dǎo)熱成像方法的一個(gè)實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明的方面，實(shí)施該激光誘導(dǎo)熱成像方法的熱轉(zhuǎn)移成像裝置包括處理室200a、傳輸室200b、基板臺(tái)220和激光振蕩器210。
如用在傳統(tǒng)的熱轉(zhuǎn)移成像裝置中的處理室可以用作處理室200a，并且處理室200a之外提供有包括機(jī)械手260和末端執(zhí)行器(end-effector)261等的傳輸室200b，其用于將供體膜280或受體基板270傳輸至處理室200a中，其中，供體膜280包括第一磁體(未示出)，受體基板270包括第二磁體271。閘閥250設(shè)置在處理室200a和傳輸室200b之間。閘閥250起絕緣傳輸室200b和處理室200a的作用。
同時(shí)，基板臺(tái)220還包括用于移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)單元(未示出)。例如，基板臺(tái)220還可以包括驅(qū)動(dòng)單元，以便當(dāng)激光在垂直方向掃描時(shí)，在水平方向平移基板臺(tái)220。
同樣，基板臺(tái)220可以包括安裝單元以容放和安裝受體基板270該供體膜280。安裝單元能夠?qū)⑹荏w基板270安裝在基板臺(tái)220上的某個(gè)位置，其中，受體基板270通過(guò)該傳輸單元，如傳輸室200b中的機(jī)械手260和末端執(zhí)行器261，傳輸?shù)教幚硎?00a中。
根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的方面，該安裝單元可以包括通孔(未示出)，導(dǎo)向桿231、241、移動(dòng)板230、240、支座(未示出)和錨定凹槽221、222。同時(shí)，導(dǎo)向桿231、241沿著移動(dòng)板230、240和該支座上下移動(dòng)，即，導(dǎo)向桿231、241向上移動(dòng)通過(guò)該通孔時(shí)容放受體基板270，然后向下移動(dòng)時(shí)在錨定凹槽221、222中錨定受體基板270。這時(shí)，錨定凹槽221、222優(yōu)選地形成為與壁面傾斜以在精確的位置錨定受體基板270和供體膜280.
盡管本發(fā)明的實(shí)施例的描述中涉及垂直設(shè)置取向的一些元件的位置，但是應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不限于此，即，這些元件可以水平取向。例如，導(dǎo)向桿231、241可以設(shè)置在處理室200a的一側(cè)并且沿著移動(dòng)板230、240和該支座左右移動(dòng)，即，導(dǎo)向桿231、241向左移動(dòng)通過(guò)該通孔時(shí)容放受體基板270，然后向右移動(dòng)時(shí)在錨定凹槽221、222中錨定受體基板270。類(lèi)似地，盡管本發(fā)明的實(shí)施例的描述中涉及水平設(shè)置取向的一些元件的位置，但是應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不限于此，即，這些元件可以垂直取向。
該通孔為形成在基板臺(tái)220中的孔，以便用于支撐供體膜280和受體基板270的導(dǎo)向桿231、241可以上下移動(dòng)。該支座用于在支撐導(dǎo)向桿231、241和移動(dòng)板230、240的同時(shí)上下移動(dòng)，并且與獨(dú)立的電機(jī)(未示出)連接。
激光振蕩器210可以安裝在處理室200a內(nèi)或外，并且優(yōu)選地安裝成激光可以向該基板臺(tái)掃描。
在應(yīng)用于制造有機(jī)發(fā)光二極管的本發(fā)明的實(shí)施例中，該激光誘導(dǎo)熱成像方法包括受體基板270的傳輸操作、供體膜280的傳輸操作、層壓步驟和轉(zhuǎn)移操作。
受體基板270的傳輸操是將受體基板270設(shè)置在熱轉(zhuǎn)移成像裝置的處理室200a中的操作，其中，包括第一磁體271的受體基板270設(shè)置在末端執(zhí)行器261上，末端執(zhí)行器261為傳輸室200b的傳輸單元(圖2A)。末端執(zhí)行器261通過(guò)機(jī)械手260引入處理室200a中，以將受體基板270設(shè)置在基板臺(tái)220的上部(圖2B)。傳輸至處理室200a中的受體基板270由向上移動(dòng)通過(guò)第一通孔的第一導(dǎo)向桿231支撐。然后，末端執(zhí)行器261滑出處理室200a并且回到傳輸室200b中(圖2C)。支撐受體基板270的第一導(dǎo)向桿231向下移動(dòng)時(shí)精確將受體基板270設(shè)置在基板臺(tái)220的第一錨定凹槽22上(圖2D)。
供體膜280的傳輸操作類(lèi)似于受體基板270的傳輸操作，其中，供體膜280通過(guò)傳輸單元，如末端執(zhí)行器261等，傳輸至處理室200a中，并且連接到設(shè)置在傳輸室200b中的機(jī)械手260上(圖2E)。同時(shí)，供體膜280優(yōu)選地通過(guò)膜托盤(pán)290傳輸。傳輸至處理室200a中的供體膜280由向上移動(dòng)通過(guò)第二通孔的第二導(dǎo)向桿241支撐。當(dāng)供體膜280由第二導(dǎo)向桿240支撐時(shí)，機(jī)械手260將末端執(zhí)行器261滑出該處理室200a之外并且將末端執(zhí)行器261返回至傳輸室200b中(圖2F)。支撐供體膜280的第二導(dǎo)向桿241向下移動(dòng)時(shí)精確將供體膜280設(shè)置在基板臺(tái)220的第二錨定凹槽22上(圖2G)。
該層壓操作是采用磁力使受體基板270和供體膜280彼此連接的操作，通過(guò)給包括在形成于受體基板270中的第一磁體271中的電纜施與電源和在供體膜280中設(shè)置第二磁體(未示出)，從而在受體基板270和供體膜280之間產(chǎn)生該磁力。同時(shí)，處理室200a內(nèi)保持為真空狀態(tài)，因此，在供體膜280和受體基板270之間產(chǎn)生的外來(lái)物質(zhì)或空隙減少，從而可以改進(jìn)轉(zhuǎn)移效率。
該轉(zhuǎn)移操作是采用激光輻射裝置210通過(guò)在層壓到受體基板270上的供體膜280上掃描激光，來(lái)將形成在供體膜280中的發(fā)光層轉(zhuǎn)移至受體基板270的像素柵(pixel barrier)的一個(gè)區(qū)域和該像素柵的開(kāi)口中的操作。當(dāng)掃描激光時(shí)，供體膜280的光熱轉(zhuǎn)換層膨脹，因此鄰近的發(fā)光層也在受體基板270的方向上膨脹，并且最后通過(guò)接觸該發(fā)光層至受體基板270上而進(jìn)行轉(zhuǎn)移(圖2H)。
在下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括磁體的激光熱轉(zhuǎn)移供體膜。該供體膜是提供有將被轉(zhuǎn)移至受體基板的成像層的膜，并且包括順序?qū)訅旱幕谆?、光熱轉(zhuǎn)換層和成像層。而且，在該光熱轉(zhuǎn)換層和該成像層之間可以還提供有緩沖層和層間層，以便改進(jìn)該激光誘導(dǎo)熱成像轉(zhuǎn)移方法的性能。
根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例的激光熱轉(zhuǎn)移供體膜包括磁體。在這種情況下，在該供體膜的多層之間至少形成有一個(gè)磁體。
圖3是展示根據(jù)本發(fā)明的用于激光轉(zhuǎn)移的供體膜的第一實(shí)施例的截面圖。參照?qǐng)D3，該供體膜由基底基板310、光熱轉(zhuǎn)換層320、磁體330、層間層340和成像層350組成。
該基底基板310是起支撐該供體膜作用的基板，其中該基板優(yōu)選地由透明聚合物制成，并且具有10至500μm的厚度。盡管不是在所有方面所需，聚酯、聚丙稀酸、聚環(huán)氧、聚乙烯、聚苯乙烯等可以被用作該透明聚合物，但是該基底基板310不限于此。
光熱轉(zhuǎn)換層320為由吸收激光以轉(zhuǎn)換成熱的光吸收材料組成的層，其中，光熱轉(zhuǎn)換層320的厚度會(huì)根據(jù)采用的該光吸收材料和制造方法而變化，采用真空沉積方法、激光束沉積方法或?yàn)R射，由金屬或金屬氧化物組成的層優(yōu)選地形成為100至5000，且采用壓涂法(extrusion coating)、凹版涂布方法、旋轉(zhuǎn)涂布方法或刀片涂布方法，由有機(jī)膜形成的層優(yōu)選地形成為0.1至2μm。
如果形成光熱轉(zhuǎn)換層320的厚度小于上述范圍，那么由于能量吸收率低，一般來(lái)說(shuō)能量水平會(huì)太低，因此只有少量的能量轉(zhuǎn)換成熱并且膨脹壓力減小，而如果光熱轉(zhuǎn)換層320的厚度超過(guò)上述范圍，那么由于在該供體膜和該受體基板之間產(chǎn)生的高度差，通常可能產(chǎn)生不良的邊緣開(kāi)口。
由金屬或金屬氧化物等組成的光吸收材料具有0.1至0.4的光學(xué)密度，并且包括金屬或氧化物，如鋁、銀、鉻、鎢、錫、鎳、鈦、鈷、鋅、金、銅、鉬、鉛及其氧化物。
而且，由有機(jī)膜組成的光合成材料包括聚合物，其中添加有碳黑、石墨或紅外染料。而且，形成聚合接合樹(shù)脂的材料例如包括(甲基)丙烯酸酯寡聚物，如丙稀酸(甲基)丙烯酸酯寡聚物、酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯寡聚物、氨酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物等，或所述寡聚物和(甲基)丙烯酸酯單體的混合物，但不限于此。
盡管不是在所有方面所需，插入該供體膜中的磁體330為插入層以與插入稍后描述的受體基板中的另一個(gè)磁體產(chǎn)生磁力。
盡管在附圖中未示出，但是該緩沖層為在磁體330和成像層350之間引入的層，以便改善成像層350的轉(zhuǎn)移性能。并且增加了轉(zhuǎn)移后的裝置的壽命。盡管不是在所有方面所需，金屬氧化物、金屬硫化物、非金屬無(wú)機(jī)化合物、或高或低分子有機(jī)材料可以用于該緩沖層。
層間層340起保護(hù)光熱轉(zhuǎn)換層320的作用，并且優(yōu)選地具有高耐熱度，并且也由有機(jī)或無(wú)機(jī)膜組成。
當(dāng)成像層350轉(zhuǎn)移到受體基板上時(shí)，其為與該供體膜分開(kāi)的層。當(dāng)成像層350被用于制造有機(jī)發(fā)光二極管時(shí)，其可以由高或低分子量有機(jī)發(fā)光材料組成以形成發(fā)光層。同樣，成像層350可以由合適的材料組成以分別形成電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)、空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL)。而且，每個(gè)成像層的材料不限于此，并且可以用任何易于獲得的材料并采用比如壓涂法、凹版涂布方法、旋轉(zhuǎn)涂布方法、刀片涂布方法、真空沉積方法、化學(xué)氣相沉積(CVD)方法、物理氣相沉積(PVD)方法等成形。
如上所述，當(dāng)磁體330插入該供體膜時(shí)，該供體膜被磁化，因此當(dāng)其設(shè)置在具有另一個(gè)磁體的該受體基板的上部時(shí)，就形成了磁吸引。因此，該供體膜和該受體基板通過(guò)磁力彼此緊密粘附在一起。
圖4是展示根據(jù)本發(fā)明的方面的第二個(gè)實(shí)施例的用于激光轉(zhuǎn)移的供體膜的截面圖。參照?qǐng)D4，與圖3中磁體330形成在光熱轉(zhuǎn)換層320和層間層340之間不同的是，磁體420形成在基板410和光熱轉(zhuǎn)換層430之間。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的供體膜包括層間層440和成像層450。每層具有與圖3中相同的功能，因此在此略去對(duì)它們的描述。
圖5是展示根據(jù)本發(fā)明的方面的第一實(shí)施例的受體基板的截面圖。參照?qǐng)D5，下面簡(jiǎn)要描述該受體基板上的結(jié)構(gòu)。緩沖層502形成在基板500的表面上，并且磁體501形成在基板500的與形成有緩沖層502的表面相對(duì)的另一表面上。
形成在基板500上的磁體501為電磁體或永磁體，并且至少形成為一個(gè)桿或圓柱的形狀。該電磁體或永磁體同心設(shè)置，或設(shè)置為平行于多個(gè)縱向和多個(gè)橫向。盡管不是在所有方面所需，該永磁體由永磁體納米顆粒制造，并且該永磁體納米顆粒采用旋轉(zhuǎn)涂布、電子束沉積或噴墨方法形成，并且在該電磁體中包括用于施與電壓的電纜。
在緩沖層502的一個(gè)區(qū)域上形成有半導(dǎo)體層，其在有源溝道層503a和歐姆接觸層503b之間包括低摻雜漏區(qū)(LDD)層(未示出)。柵極絕緣膜504和柵極505順序在該半導(dǎo)體層上被構(gòu)圖。源和漏電極507a、507b形成在層間層506的一個(gè)區(qū)域上，其中，層間層506形成在柵電極505上，這樣形成以便該半導(dǎo)體層的歐姆接觸層503b可以被暴露，并且源和漏電極507a、507b連接到該暴露的歐姆接觸層503b上。
保護(hù)層508形成在層間層506上。漏電極507b和第一電極層509通過(guò)形成在保護(hù)層508中的通孔(未示出)彼此電連接，以便漏電極507b可以通過(guò)蝕刻保護(hù)層508的一個(gè)區(qū)域來(lái)暴露。第一電極層509形成在保護(hù)層508的一個(gè)區(qū)域上，并且在保護(hù)層508上形成有像素柵510，其中形成有開(kāi)口以便至少部分暴露第一電極層509。
圖6和7A-7E是展示根據(jù)本發(fā)明的方面的受體基板的其它實(shí)施例的截面圖，因此，在此略去對(duì)與圖5中相同的結(jié)構(gòu)的描述。
圖6是展示根據(jù)本發(fā)明的方面的受體基板的第二實(shí)施例的截面圖。在圖6中，電磁體或永磁體形成在基板600和緩沖層602之間，并且至少形成為一個(gè)桿或圓柱形。該電磁體或永磁體也同心設(shè)置，但是設(shè)置為平行于多個(gè)縱向和多個(gè)橫向。盡管不是在所有方面所需，該永磁體由永磁體納米顆粒制造，并且該永磁體納米顆粒采用旋轉(zhuǎn)涂布、電子束沉積或噴墨方法形成，并且在該電磁體中包括用于施與電壓的電纜。
圖7A-7E是用于描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管制造方法的截面圖。
如圖7A所示，根據(jù)本發(fā)明的方面，當(dāng)發(fā)光層采用激光誘導(dǎo)熱成像方法形成時(shí)，首先制備包括磁體701的受體基板。如上所述，該受體基板具有形成在基板700表面上的薄膜晶體管和形成在該基板700上的相對(duì)于設(shè)置有該薄膜晶體管的表面的另一表面的磁體701。磁體701為永磁體時(shí)可以由納米顆粒組成，并且該納米顆粒采用旋轉(zhuǎn)涂布、電子束沉積、或噴墨方法形成。在該薄膜晶體管上形成有具有開(kāi)口710的像素柵711，其中，第一電極層709的至少一個(gè)區(qū)域通過(guò)該開(kāi)口暴露。
然后，如上所述和圖7B所示，將供體膜720層壓在該受體基板上。即，通過(guò)供體膜720中的磁體722和受體基板中的磁體701之間的磁力作用，增強(qiáng)了緊密粘附特性。由于供體膜720和該基板之間的緊密粘附特性顯著增強(qiáng)，因此在隨后的轉(zhuǎn)移工藝中顯著改善了轉(zhuǎn)移效率。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的供體膜720可以包括基底基板721、磁體722、光熱轉(zhuǎn)換層723、層間層724和成像層725(如發(fā)光層)，但是在此當(dāng)然可以應(yīng)用包括磁體的另一個(gè)結(jié)構(gòu)。
接下來(lái)，如圖7C所示，激光局部掃描到將轉(zhuǎn)移成像層如發(fā)光層725的一個(gè)區(qū)域上，該區(qū)域設(shè)置在供體膜720上，同時(shí)受體基板和供體膜720保持層壓。在激光掃描之處，因?yàn)楣鉄徂D(zhuǎn)換層723在該受體基板的方向上膨脹，所以該成像層725延伸，并且成像層725中激光掃描的區(qū)域與供體膜720分開(kāi)，并同時(shí)轉(zhuǎn)移到該受體基板上。
如圖7D所示，當(dāng)成像層725b轉(zhuǎn)移到該受體基板上時(shí)，該受體基板與供體膜720分開(kāi)。成像層725b至少形成在像素柵711的一個(gè)區(qū)域上，并且像素柵710的開(kāi)口形成在分開(kāi)的受體基板上，且只轉(zhuǎn)移成像層725b被激光掃描的區(qū)域，剩下的未被激光掃描的區(qū)域725a在供體膜720上仍然完整。
如圖7E所示，一旦成像層725b轉(zhuǎn)移到該受體基板上，第二電極層732就形成在成像層/發(fā)光層725b上，并且形成封裝膜730以保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管。吸收構(gòu)件731形成在密封膜730內(nèi)，并且吸收構(gòu)件731起吸收滲入至有機(jī)發(fā)光二極管中的濕氣等的作用。因此，該有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光層725b可以免受濕氣等的損傷。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的方面的激光誘導(dǎo)熱成像方法，由于激光熱轉(zhuǎn)移在真空狀態(tài)下實(shí)施，并且由于該供體膜和該受體基板通過(guò)在該供體膜中的磁體和形成在該受體基板中的另一個(gè)磁體之間產(chǎn)生的磁力來(lái)層壓，所以當(dāng)該供體膜和該受體基板采用激光誘導(dǎo)熱成像方法層壓時(shí)在該供體膜和該受體基板之間不會(huì)產(chǎn)生外來(lái)物質(zhì)和空隙，因此具有改善的緊密粘附力，并且可以改善有機(jī)發(fā)光二極管的壽命、產(chǎn)量和可靠性。
盡管已經(jīng)展示并描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，可以在這些實(shí)施例中進(jìn)行變化，而不脫離本發(fā)明的原理和精神，本發(fā)明的范圍限定在權(quán)利要求書(shū)和它們的等同物中。
本申請(qǐng)要求于2005年11月16日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)申請(qǐng)No.2005-109824的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容引入于此作為參考。
權(quán)利要求
1.一種激光誘導(dǎo)熱成像方法，包括在處理室的基板臺(tái)上設(shè)置受體基板，其中，第一磁體形成在該受體基板的至少一個(gè)表面中；在該受體基板上設(shè)置包括第二磁體的供體膜；利用作用在該第一和第二磁體之間的磁力，層壓該供體膜和該受體基板；和通過(guò)在該供體膜上掃描激光，將成像層的至少一個(gè)區(qū)域轉(zhuǎn)移到該受體基板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該供體膜包括基底基板；形成在該基底基板上的光熱轉(zhuǎn)換層；形成在該光熱轉(zhuǎn)換層上的成像層；和形成在該光熱轉(zhuǎn)換層中的至少一個(gè)表面上的第二磁體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該供體膜還包括在該光熱轉(zhuǎn)換層和該成像層之間的層間層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該第一和第二磁體形成為桿或圓柱的至少一個(gè)形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該第一和第二磁體為電磁體或永磁體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該電磁體或永磁體同心設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該電磁體或永磁體設(shè)置為平行于多個(gè)縱向和多個(gè)橫向。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該永磁體由永磁體納米顆粒制造。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該永磁體納米顆粒采用旋轉(zhuǎn)涂布、電子束沉積或噴墨方法形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該電磁體中還包括電纜以在該電磁體中施與電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該處理室是真空室。
12.一種有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法，該有機(jī)發(fā)光二極管采用激光誘導(dǎo)熱成像方法形成在第一電極和第二電極之間，該方法包括在基板臺(tái)上設(shè)置具有形成在其中的像素區(qū)和包括第一磁體的受體基板；將包括第二磁體和具有發(fā)光層的供體膜轉(zhuǎn)移到該受體基板上；利用在該第一和第二磁體之間的磁力使該受體基板和該供體膜彼此連接；并且通過(guò)對(duì)該供體膜掃描激光來(lái)將該發(fā)光層轉(zhuǎn)移到該受體基板的像素區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法，還包括在該發(fā)光層上形成第二電極層；和在該有機(jī)發(fā)光二極管上形成封裝膜以保護(hù)該有機(jī)發(fā)光二極管。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法，其中，形成該封裝薄膜包括在該第二電極層和該密封膜之間具有吸收構(gòu)件，以吸收滲入該有機(jī)發(fā)光二極管中的濕氣。
15.一種將供體膜固定到用于激光熱成像的受體基板上的方法，包括在該受體基板上支撐該供體膜，其中該受體基板具有第一磁體，而該供體膜具有第二磁體；和在該第一和第二磁體之間施加磁力以將該供體膜層壓到該受體基板上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的將供體膜固定到受體基板上的方法，還包括抽空真空室；和在該受體基板上支撐該供體膜，并且在該真空室中在該受體基板和該供體膜之間施加層壓磁力。
17.一種激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，包括受體基板上的供體膜，其中該受體基板具有第一磁體，并且該供體膜具有第二磁體以在該供體膜和該受體基板之間施加均勻的層壓力；和輻射該供體膜的至少一個(gè)區(qū)域的激光。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，還包括真空室。
19.一種生產(chǎn)有機(jī)發(fā)光二極管的方法，在該有機(jī)發(fā)光二極管中利用激光誘導(dǎo)熱成像在第一電極層和第二電極層之間形成發(fā)光層，該方法包括在該受體基板上支撐具有發(fā)光層的供體膜，其中該受體基板具有第一磁體，而該供體膜具有第二磁體，以在該供體膜和該受體基板之間施加均勻的層壓力；和通過(guò)將激光輻射到該供體膜上來(lái)將該發(fā)光層轉(zhuǎn)移到該受體基板的像素區(qū)中。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種激光誘導(dǎo)熱成像方法以及采用該方法的有機(jī)發(fā)光二極管的制造方法，其中可以利用磁力有效地層壓供體膜和受體基板。該激光誘導(dǎo)熱成像方法包括在處理室的基板臺(tái)上設(shè)置受體基板，其中第一磁體形成在該受體基板的一個(gè)表面中；在該受體基板上設(shè)置包括第二磁體的供體膜；利用作用在該第一和第二磁體之間磁力來(lái)層壓該供體膜和該受體基板；和通過(guò)在該供體膜上掃描激光將成像層的至少一個(gè)區(qū)域轉(zhuǎn)移到該受體基板上。該激光誘導(dǎo)熱成像方法改善了供體膜和受體基板之間的粘附力，從而改善了有機(jī)發(fā)光二極管的壽命、產(chǎn)量和可靠性。
文檔編號(hào)H01L51/00GK1982076SQ200610148550
公開(kāi)日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2006年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日
發(fā)明者魯碩原, 楊南喆, 李在濠, 宋明原, 郭魯敏 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社