專利名稱:用于將傳輸線的至少兩個(gè)導(dǎo)體電磁耦合的耦合元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種耦合元件,用于將傳輸線的至少兩個(gè)導(dǎo)體電磁耦合,其中該耦合元件被設(shè)置在傳輸線的第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體之間,并且具有至少一個(gè)分立元件。
背景技術(shù):
這種類型的傳統(tǒng)的耦合元件例如設(shè)置有變?nèi)荻O管,其將傳輸線的不同導(dǎo)體彼此連接并且由此實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)導(dǎo)體的可控的電容性耦合。該電容性耦合的耦合度在此可以通過被輸送給變?nèi)荻O管的控制信號(hào)來調(diào)整。
在這些傳統(tǒng)的耦合元件中不利的是,相對(duì)小的調(diào)諧范圍,該調(diào)諧范圍通過傳輸線的導(dǎo)體與變?nèi)荻O管的耦合而得出。此外,在這種裝置中始終只能實(shí)現(xiàn)傳輸線的傳播常數(shù)和特性阻抗的同時(shí)改變。
發(fā)明內(nèi)容
由此本發(fā)明的任務(wù)在于,這樣地改進(jìn)開頭所提及類型的耦合元件,使得可實(shí)現(xiàn)在傳輸線的導(dǎo)體的電磁耦合方面更大的調(diào)諧范圍并且同時(shí)可實(shí)現(xiàn)靈活的調(diào)諧。
根據(jù)本發(fā)明,該任務(wù)在開頭所提及類型的耦合元件中通過這種方式來解決,即該耦合元件具有至少一個(gè)被構(gòu)造傳輸線段的第一邊(Schenkel),其被分配給第一導(dǎo)體,并且具有一個(gè)被構(gòu)造為傳輸線段的第二邊,其被分配給第二導(dǎo)體,并且設(shè)置了至少一個(gè)分立元件用于連接第一邊和第二邊。
根據(jù)本發(fā)明的被構(gòu)造為傳輸線段的邊的應(yīng)用能夠?qū)崿F(xiàn)傳輸線的導(dǎo)體之間的電容性耦合以及電感性耦合的設(shè)置,其中相應(yīng)的耦合度可以通過傳輸線段的相應(yīng)的幾何構(gòu)造而在寬廣的范圍中改變??傊鶕?jù)本發(fā)明的傳輸線段在耦合元件方面的應(yīng)用與傳統(tǒng)的裝置相比因此能夠?qū)崿F(xiàn)在傳輸線的導(dǎo)體的電磁耦合方面增大的調(diào)諧范圍。
在本發(fā)明的一種特別有利的實(shí)施形式中,分立元件被構(gòu)造為電阻性的或電容性的元件。特別有利的是,構(gòu)造為電容性元件的分立元件具有可控的電容,這樣在本發(fā)明的耦合元件的這些邊之間的電容性耦合可以通過電容性元件的電容的調(diào)節(jié)來調(diào)諧。在此,同時(shí)非常有利地也得到在本發(fā)明的耦合元件的邊之間的電感性耦合的改變。同樣,在可控的電阻性元件中可能影響在本發(fā)明的耦合元件的邊之間的電流,通過這種方式同樣改變了在傳輸線的導(dǎo)體之間的電感性耦合。
在本發(fā)明的另一種有利的實(shí)施形式中,分立元件被構(gòu)造為變?nèi)荻O管或者晶體管、特別是被構(gòu)造為場效應(yīng)晶體管。一般地可能使用任意的電元件來用于耦合元件的邊的耦合,該耦合元件具有一個(gè)可控的電容或者也具有一個(gè)可控的歐姆電阻。同樣也可使用可配置的電容器矩陣(CDAC)用于這些邊的耦合。使用不可控的電容性或電感性元件同樣也是可能的。
在本發(fā)明的另一種非常有利的實(shí)施形式中,耦合元件的每個(gè)邊都具有至少一個(gè)與傳輸線的第一導(dǎo)體或第二導(dǎo)體平行延伸的第一段。該第一段尤其是用于建立耦合元件或者說耦合元件的所涉及的邊與傳輸線的、被分配給該耦合元件的所涉及的邊的那個(gè)導(dǎo)體的電感性耦合。所希望的耦合度可以以已知的方式通過選擇在耦合元件的邊的第一段和導(dǎo)體之間的距離、通過第一段的長度或通過確定耦合元件的幾何結(jié)構(gòu)的因子來影響。
本發(fā)明的另一種非常有利的實(shí)施形式考慮了,該耦合元件的每個(gè)邊具有至少一個(gè)、優(yōu)選垂直于該第一段延伸的第二段。這種垂直于第一段延伸的第二段在它那方面具有對(duì)傳輸線的導(dǎo)體的電感性耦合的影響,而主要也用于影響在傳輸線的導(dǎo)體之間的電容性耦合。
一方面,垂直于第一段延伸的第二段直接對(duì)于耦合元件的邊的電容性耦合作出貢獻(xiàn)并且由此也對(duì)在傳輸線的導(dǎo)體之間的電容性耦合作出貢獻(xiàn),并且另一方面,本發(fā)明的另一種特別有利的實(shí)施形式的根據(jù)本發(fā)明的耦合元件的第二段因此用于一個(gè)或多個(gè)分立元件的接觸,它們將耦合元件的兩個(gè)邊互相連接。
作為本發(fā)明的任務(wù)的另一種解決方案,說明了一種具有至少一個(gè)上述耦合元件的傳輸線。
根據(jù)本發(fā)明的傳輸線可以具有一個(gè)或多個(gè)根據(jù)本發(fā)明的耦合元件,并且由此可以在寬廣的范圍中在其傳播常數(shù)或其特性阻抗方面進(jìn)行調(diào)諧。
特別有利的是,在本發(fā)明的傳輸線的另一種實(shí)施形式中考慮了,傳輸線和一個(gè)或多個(gè)耦合元件被單片集成到一個(gè)集成電路中。
此外,對(duì)于本發(fā)明的另一種實(shí)施形式因此也可能的是,傳輸線被構(gòu)造為差分(differentielle)傳輸線。
在本發(fā)明的傳輸線的另一種有利的實(shí)施形式中考慮了,傳輸線被設(shè)置在集成電路的一個(gè)第一金屬化平面中,并且至少一個(gè)耦合元件被設(shè)置在該集成電路的另一金屬化平面中。通過這種方式可實(shí)現(xiàn),本發(fā)明的耦合元件的邊例如設(shè)置在所述被實(shí)現(xiàn)在另一金屬化平面中的傳輸線的導(dǎo)體的直接下方或上方,由此,例如在傳輸線的導(dǎo)體之間待設(shè)置的距離可以被減小,并且由此,同時(shí)在耦合元件的邊和傳輸線的導(dǎo)體之間出現(xiàn)附加的電容性耦合元件。
替代上述實(shí)施形式,此外還可能的是,不但傳輸線本身,而且一個(gè)或多個(gè)根據(jù)本發(fā)明的耦合元件都可設(shè)置在一個(gè)集成電路的相同的金屬化平面中,這樣特別是耦合元件的邊的第一段和傳輸線的相應(yīng)的導(dǎo)體彼此具有一個(gè)橫向的距離。
總之,根據(jù)本發(fā)明的耦合元件不但可以與傳統(tǒng)的、布置在為此設(shè)置的基底上的傳輸線例如微帶線或者類似的傳輸線一同使用,而且可以與被單片集成到集成電路中的傳輸線一同使用。
在根據(jù)本發(fā)明的耦合元件的合適的構(gòu)型中,與傳統(tǒng)的耦合元件不同此外還可能的是,實(shí)現(xiàn)電感性和電容性的耦合元件的同向的(gleichsinnige)可調(diào)諧性,由此雖然改變了設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)耦合元件的傳輸線的傳播常數(shù),然而并不改變?cè)搨鬏斁€的特性阻抗(Wellenwiderstand)。只要本發(fā)明的傳輸線設(shè)置有足夠多的耦合元件,該傳輸線的全部的段就可以用前述的方式在其傳播常數(shù)方面被改變。
在根據(jù)本發(fā)明的耦合元件的另一種非常有利的變形方案中,耦合元件的至少一個(gè)邊具有多個(gè)優(yōu)選與該傳輸線的導(dǎo)體平行延伸的第一段,這些段彼此可以任選地連接,例如通過可控的電容性或電阻性元件來連接。通過這種方式,可以主要地影響在傳輸線的相應(yīng)的導(dǎo)體和耦合元件之間的電容性耦合的程度。通過該電感性耦合的單獨(dú)的改變可以—類似于電容性耦合的改變—改變傳輸線的傳播常數(shù)或特性阻抗。
此外,在根據(jù)本發(fā)明的耦合元件中,通過電感性和電容性耦合元件的相反的(gegensinnige)調(diào)諧給出了這樣的可能性,即雖然改變?cè)O(shè)置有一個(gè)或多個(gè)耦合元件的傳輸線的特性阻抗,然而并不改變?cè)搨鬏斁€的傳播常數(shù)。只要本發(fā)明的傳輸線設(shè)置有足夠多的耦合元件,該傳輸線的全部的段就可以用前述的方式在其傳播常數(shù)方面被改變。
另外的優(yōu)點(diǎn)、特征和細(xì)節(jié)從以下的描述中得出,其中參照附圖示出了本發(fā)明的不同的實(shí)施例。在此,在說明書中所提及的特征可以分別獨(dú)自地或以任意組合地作為本發(fā)明的實(shí)質(zhì)。
在附圖中示出了圖1a本發(fā)明的耦合元件的第一實(shí)施例,
圖1b本發(fā)明的耦合元件的第二實(shí)施例,圖2a本發(fā)明的耦合元件的第三實(shí)施例,以及圖2b本發(fā)明的耦合元件的第四實(shí)施例,具體實(shí)施方式
圖1a示出了本發(fā)明的耦合元件10a的第一實(shí)施形式,該耦合元件10a設(shè)置在傳輸線的兩個(gè)導(dǎo)體20a、20b之間,以便使它們彼此電磁耦合并且由此改變傳輸線的特性。在圖1a中以及在另外的附圖中只示出了傳輸線的兩個(gè)導(dǎo)體20a、20b的直接位于耦合元件的區(qū)域中的段。
如從圖1a中可以看到的,本發(fā)明的耦合元件10a具有一個(gè)第一邊11a,其被分配給傳輸線的導(dǎo)體20a。此外本發(fā)明的耦合元件10a還具有一個(gè)第二邊11b,其被分配給傳輸線的第二導(dǎo)體20b。兩個(gè)邊11a、11b根據(jù)本發(fā)明都被構(gòu)造為傳輸線段,并且由此能夠?qū)崿F(xiàn)在傳輸線的導(dǎo)體20a、20b之間的、與傳統(tǒng)的耦合元件相比改進(jìn)的電感性以及電容性耦合。
特別有利的是,耦合元件10a的每個(gè)邊11a、11b都具有一個(gè)第一段11a’或11b’,其優(yōu)選與傳輸線的第一導(dǎo)體20a或第二導(dǎo)體20b平行地設(shè)置,并且由此導(dǎo)致了在本發(fā)明的耦合元件10a和傳輸線的相應(yīng)的導(dǎo)體20a、20b之間的特別好的電感性耦合。
此外,在圖1a中示出的本發(fā)明的耦合元件的實(shí)施形式中,每個(gè)邊11a、11b具有兩個(gè)分別與第一或第二段11a’、11b’垂直延伸的第二段11a”、11b”,這些第二段一方面導(dǎo)致了在耦合元件10a的邊11a、11b之間的電容性耦合,并且另一方面為了兩個(gè)邊11a、11b或者說兩個(gè)邊11a、11b的所涉及的兩個(gè)段11a”、11b”的連接而相互間分別與一個(gè)電容性元件12a、12b相連。
電容性元件12a、12b在該描述的實(shí)施例中是可控的電容性元件、例如變?nèi)荻O管,其電容可以通過將相應(yīng)的直流電壓施加到控制線、12c上而被控制。
非常有利的是,在根據(jù)圖1a的本發(fā)明的實(shí)施形式中,僅僅通過改變可控的電容12a、12b的電容就可以實(shí)現(xiàn)在傳輸線的導(dǎo)體20a、20b之間的不僅電感性耦合而且電容性耦合。例如可以通過減小元件12a、12b的電容也直接影響在這些邊11a、11b之間的電感性耦合并且由此也影響傳輸線的導(dǎo)體20a、20b之間的電感性耦合,因?yàn)橥ㄟ^改變電容,元件12a、12b的交流阻抗也相應(yīng)地改變。
同時(shí),在元件12a、12b的電容改變時(shí),在邊11a、11b之間的電容性耦合也變化。這樣,在圖1a中示出的實(shí)施例中,電容性耦合通過減小元件12a、12b的電容而同樣降低,這樣總體而言產(chǎn)生了在傳輸線的導(dǎo)體20a、20b之間的電容性耦合和電感性耦合的降低。
假設(shè)為無損耗的傳輸線的特性阻抗與傳輸線的單位長度電感L’和傳輸線的單位長度電容C’之間的商的根成比例,即Z∝L′C′]]>對(duì)于假設(shè)為無損耗的傳輸線的傳播常數(shù)γ,相應(yīng)地有γ∝L′C′]]>相應(yīng)地,在同向地減小傳輸線的導(dǎo)線20a、20b的電容性和電感性耦合時(shí),如前面所描述的那樣,并且與設(shè)置有耦合元件10a的傳輸線段的單位長度電感L’或單位長度電容C’的相應(yīng)的改變對(duì)應(yīng),不產(chǎn)生相應(yīng)的傳輸線段的特性阻抗的改變。然而相應(yīng)的傳輸線段的傳播常數(shù)γ相應(yīng)于上面說明的公式變化;即在本例中,傳播常數(shù)γ的值減小,而特性阻抗Z保持不變。
相應(yīng)地,也可以通過元件12a、12b的電容的增大實(shí)現(xiàn)在傳輸線的導(dǎo)體20a、20b之間的電感性和電容性耦合的增大,并且由此實(shí)現(xiàn)傳播常數(shù)γ的值的變大,而設(shè)置有耦合元件10a的傳輸線段的特性阻抗Z基本上保持不變。
圖1b示出了本發(fā)明的耦合元件10b的另一種實(shí)施形式,其邊11a、11b具有與在圖1a中示出的耦合元件10a的邊相同的構(gòu)造。與根據(jù)圖1a的實(shí)施形式不同的是,根據(jù)圖1b的耦合元件10b的邊11a、11b相互間設(shè)置有被構(gòu)造為場效應(yīng)晶體管13a、13b的、可控的電阻性元件,其歐姆電阻可以通過一個(gè)控制信號(hào)13c來調(diào)節(jié)。通過電阻性元件13a、13b的歐姆電阻的相應(yīng)的選擇,由此可以直接影響在耦合元件10b的邊11a、11b之間的電感性耦合并且由此也影響在傳輸線的導(dǎo)體20a、20b之間的電感性耦合。
在圖2a中示出了本發(fā)明的另一種實(shí)施形式。在該發(fā)明變形方案中,耦合元件10c也與前面描述的兩個(gè)實(shí)施形式一樣具有第一段11a’、11b’,其基本上與傳輸線的相應(yīng)的導(dǎo)體20a、20b平行地延伸,并且由此尤其是實(shí)現(xiàn)了在邊11a、11b之間的電感性耦合。
同樣給出了在導(dǎo)體20a、20b以及第一段11a’、11b’之間的電感性耦合。
與在圖1a、1b中示出的本發(fā)明的實(shí)施形式不同,耦合元件10c的在圖2a中示出的變形每個(gè)邊11a、11b僅僅具有一個(gè)第二段11a”、11b”,其優(yōu)選地大致垂直于相應(yīng)的第一段11a’、11b’延伸。
在圖2a中示出的發(fā)明變形方案中,第二段11a”、11b”的連接也通過帶有可控的電容的電容性元件12a來實(shí)現(xiàn),該電容可以通過將相應(yīng)的控制電壓施加到端子12c上來被改變。
在圖2b中示出了另一種發(fā)明變形方案。該發(fā)明變形方案與在圖2a中示出的實(shí)施形式的不同之處在于,耦合元件10d具有一個(gè)被構(gòu)造為場效應(yīng)晶體管13a的、具有可控的歐姆電阻的電阻性元件。與圖1b中的耦合元件10b類似,在圖2b中示出的耦合元件10d中,兩個(gè)邊11a、11b的電感性耦合也可以通過將一個(gè)相應(yīng)的控制信號(hào)施加到端子13c上來調(diào)節(jié)。
總之在本發(fā)明中,與傳統(tǒng)的耦合元件不同,非常有利地給出了這樣的可能性,即這樣地同時(shí)改變?cè)趥鬏斁€的導(dǎo)體20a、20b之間的電容性和電感性耦合,使得例如只有傳播常數(shù)γ改變,而傳輸線的特性阻抗Z不改變。本發(fā)明的耦合元件特別有利地不但可以在傳統(tǒng)的傳輸線中、如例如微帶線路或類似傳輸線中被使用,而且也可以在被單片集成在集成電路中的傳輸線中被使用。
原理上,在被單片集成的、具有一個(gè)或多個(gè)本發(fā)明的耦合元件的傳輸線中,給出了這樣的可能性,即在集成電路的同樣的金屬化平面中,不但實(shí)現(xiàn)傳輸線而且實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)耦合元件,由此得到一種特別簡單的構(gòu)造,并且必要時(shí)另外的存在的金屬化平面可供其它的應(yīng)用所用。然而對(duì)此替代地也可能的是,將本發(fā)明的被單片集成的傳輸線以及相應(yīng)的耦合元件分別設(shè)置在集成電路的不同的金屬化層中,使得傳輸線20a、20b的段至少部分地與本發(fā)明的耦合元件的邊11a、11b的傳輸線段重疊,由此,引入了附加的電容性耦合元件。
根據(jù)本發(fā)明的耦合元件不但可以在差分傳輸線中使用,而且也可以在非對(duì)稱的傳輸線中使用。
特別有利的是,在傳輸線內(nèi)部設(shè)置多個(gè)根據(jù)本發(fā)明的耦合元件,該傳輸線的參數(shù)例如傳播常數(shù)γ由此可以通過有關(guān)的元件12a、12b、13a、13b的簡單的控制以及其控制線路12c、13c被改變。特別有利的是,這種根據(jù)本發(fā)明的傳輸線可以用于構(gòu)造壓控振蕩器(VCO,壓控振蕩器)、濾波器和其它的元件,它們利用了在電磁波的信號(hào)傳播時(shí)在傳輸線上的渡越時(shí)間效應(yīng)(Laufzeiteffekte)。例如本發(fā)明的傳輸線特別好地適合于構(gòu)造這樣的反射振蕩器,其特性在振蕩器工作期間可以通過傳輸線的特征的相應(yīng)改變而被調(diào)諧。
根據(jù)本發(fā)明被構(gòu)造為傳輸線段的邊11a,11b的應(yīng)用能夠?qū)崿F(xiàn)—如所描述的那樣—在傳輸線的導(dǎo)體20a、20b之間設(shè)置電容性的耦合也設(shè)置電感性的耦合,其中相應(yīng)的耦合度此外也通過傳輸線段的相應(yīng)的幾何構(gòu)型可以在寬廣的范圍中變化。總之,本發(fā)明的傳輸線段的應(yīng)用因此在耦合元件中在傳輸線的導(dǎo)體20a、20b的電磁耦合方面能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)的裝置更大的調(diào)諧范圍。
在根據(jù)本發(fā)明的耦合元件的另一種非常有利的變形中,耦合元件的至少一個(gè)邊11a、11b具有多個(gè)優(yōu)選與傳輸線的導(dǎo)體20a、20b平行地延伸的第一段11a’,它們可以任選地例如通過可控的電容性或電阻性元件彼此連接。通過這種方式,主要可以影響在傳輸線的相應(yīng)導(dǎo)體和耦合元件之間的電感性耦合的程度。通過僅僅改變?cè)撾姼行择詈峡梢浴c改變電容性耦合類似地—改變傳輸線的傳播常數(shù)γ或者特性阻抗Z。
此外,在本發(fā)明的耦合元件中,通過電感性和電容性耦合元件的相反的調(diào)諧給出了這樣的可能性,即雖然改變?cè)O(shè)置有一個(gè)或多個(gè)耦合元件的傳輸線的特性阻抗Z,但是不改變?cè)搨鬏斁€的傳播常數(shù)γ。只要本發(fā)明的傳輸線被設(shè)置足夠多的耦合元件,則該傳輸線的全部段就可以以前面描述的方式在其特性阻抗方面被改變。
總之,通過本發(fā)明的耦合元件可能同時(shí)影響傳輸線的特性阻抗Z和傳播常數(shù)γ,也可以分離地影響或者特性阻抗Z或者相應(yīng)于該傳輸線的電長度的傳播常數(shù)γ。
權(quán)利要求
1.耦合元件(10a,10b,10c,10d),用于將一個(gè)傳輸線的至少兩個(gè)導(dǎo)體(20a,20b)電磁耦合,其中該耦合元件(10a,10b,10c,10d)被設(shè)置在該傳輸線的一個(gè)第一導(dǎo)體(20a)和一個(gè)第二導(dǎo)體(20b)之間并且具有至少一個(gè)分立元件(12a,12b,13a,13b),其特征在于,該耦合元件(10a,10b,10c,10d)具有至少一個(gè)被構(gòu)造為傳輸線段的第一邊(11a),其被分配給該第一導(dǎo)體(20a),并且該耦合元件具有一個(gè)被構(gòu)造為傳輸線段的第二邊(11b),其被分配給該第二導(dǎo)體(20b),并且所述至少一個(gè)分立元件(12a,12b,13a,13b)被設(shè)置用于連接所述第一邊(11a)和第二邊(11b)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的耦合元件(10a,10b,10c,10d),其特征在于,所述分立元件(12a,12b,13a,13b)被構(gòu)造為電阻性的或電容性的元件。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的耦合元件(10a,10b,10c,10d),其特征在于,所述分立元件(12a,12b,13a,13b)被構(gòu)造為變?nèi)荻O管或者晶體管、特別是場效應(yīng)晶體管。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的耦合元件(10a,10b,10c,10d),其特征在于,每個(gè)邊(11a,11b)具有至少一個(gè)優(yōu)選與該傳輸線的第一導(dǎo)體(20a)或第二導(dǎo)體(20b)平行地延伸的第一段(11a’,11b’)。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的耦合元件(10a,10b,10c,10d),其特征在于,每個(gè)邊(11a,11b)具有至少一個(gè)、優(yōu)選垂直于所述第一段(11a’,11b’)延伸的第二段(11a”,11b”)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的耦合元件(10a,10b,10c,10d),其特征在于,所述第一邊(11a)的第二段(11a”)與所述第二邊(11b)的第二段(11b”)通過所述分立元件(12a,12b,13a,13b)連接。
7.具有至少一個(gè)根據(jù)前述權(quán)利要求之一的耦合元件(10a,10b,10c,10d)的傳輸線(20a,20b)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的傳輸線(20a,20b),其特征在于,所述傳輸線(20a,20b)和所述耦合元件(10a,10b,10c,10d)被單片地集成到一個(gè)集成電路中。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8的傳輸線(20a,20b),其特征在于,所述傳輸線(20a,20b)被構(gòu)造為差分傳輸線(20a,20b)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9的傳輸線(20a,20b),其特征在于,所述傳輸線(20a,20b)設(shè)置在該集成電路的一個(gè)第一金屬化平面中,并且至少一個(gè)耦合元件(10a,10b,10c,10d)設(shè)置在該集成電路的另一個(gè)金屬化平面中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種耦合元件(10a,10b,10c,10d),用于將傳輸線的至少兩個(gè)導(dǎo)體(20a,20b)電磁耦合,其中該耦合元件(10a,10b,10c,10d)被設(shè)置在傳輸線的第一導(dǎo)體(20a)和第二導(dǎo)體(20b)之間,并且具有至少一個(gè)分立元件(12a,12b,13a,13b)。根據(jù)本發(fā)明,耦合元件(10a,10b,10c,10d)具有至少一個(gè)被構(gòu)造為傳輸線段的第一邊(11a),其被分配給第一導(dǎo)體(20a),并且具有被構(gòu)造為傳輸線段的第二邊(11b),其被分配給第二導(dǎo)體(20b)。所述至少一個(gè)分立元件(12a,12b,13a,13b)被設(shè)置用于連接第一邊(11a)和第二邊(11b)。
文檔編號(hào)H01P5/00GK101060188SQ200610148539
公開日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2006年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月15日
發(fā)明者薩米爾·英·雷, 拉爾夫·滕佩爾 申請(qǐng)人:Atmel杜伊斯堡有限責(zé)任公司