專利名稱：具有提高的對(duì)劃片區(qū)中切片誘導(dǎo)的裂紋和脫層的抵抗力的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于在切片期間防止裂紋擴(kuò)展的結(jié)構(gòu)。更具體地說(shuō)，涉及抵抗在半導(dǎo)體晶片上的切片誘導(dǎo)的裂紋和脫層。再具體地說(shuō)，涉及在半導(dǎo)體晶片上嵌入對(duì)準(zhǔn)特征(feature)內(nèi)的構(gòu)圖的結(jié)構(gòu)，其降低或防止通過(guò)在切割期間的切片刃對(duì)集成電路的損傷。
背景技術(shù)：
由切片引起的脫層裂紋可從邊緣到有源區(qū)向內(nèi)在整個(gè)集成電路芯片中擴(kuò)展。這些裂紋可引起電學(xué)開(kāi)路或短路，并最終引起半導(dǎo)體芯片的失效。脫層典型地允許水汽和其它雜質(zhì)深入半導(dǎo)體晶片中。典型地，由切片誘導(dǎo)的脫層部分歸因于受到切片刃的外力的材料的附著力降低或機(jī)械強(qiáng)度降低。
脫層或裂紋通常始于在切片操作期間管芯的邊緣處，并朝向管芯的中心擴(kuò)展。如果脫層或裂紋到達(dá)電互連，在管芯內(nèi)的引起脫層或裂紋擴(kuò)展的力作用于電互連，導(dǎo)致電互連在其薄弱點(diǎn)撕裂開(kāi)。
工業(yè)中已采用了各種技術(shù)以防止或控制脫層或裂紋。常規(guī)地，已將裂紋停止物(crack stop)置于管芯中或管芯的邊緣處，以防止脫層和裂紋在有源管芯區(qū)域內(nèi)擴(kuò)展。然而，很少在承受切片刃的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)處進(jìn)行控制裂紋擴(kuò)展或脫層的努力。對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)通常位于晶片的劃片區(qū)中，該劃片區(qū)一般限定為在有源管芯之間的區(qū)域。通過(guò)進(jìn)行更堅(jiān)固的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在劃片區(qū)中可以顯著減少由切片引起的缺陷，從而使向有源管芯區(qū)域擴(kuò)展的裂紋和脫層最少。
為解決切片期間裂紋擴(kuò)展和脫層的問(wèn)題，已實(shí)施了多種現(xiàn)有技術(shù)；然而，如下所述，未對(duì)對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)本身應(yīng)用這些技術(shù)。
在2002年6月4日授權(quán)給Umematsu等人的名稱為“MULTI-LAYERWIRING SUBSTRATE”的美國(guó)專利No.6,399,897中，在主襯底上層疊多層絕緣膜。這些絕緣膜具有形成在布線區(qū)上的布線圖形，以及形成在外圍區(qū)上的虛布線圖形。該結(jié)構(gòu)為多芯片模塊(MCM)封裝而設(shè)計(jì)。層疊的膜在金屬級(jí)處，且虛填充物與大的膜疊層相關(guān)。重要的是，布線圖形設(shè)計(jì)在整個(gè)襯底周圍，并且不是對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的一部分。比較而言，本發(fā)明利用在引導(dǎo)切片刃的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的內(nèi)部的層疊過(guò)孔。層疊過(guò)孔與位于對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)周圍和內(nèi)部的在金屬級(jí)處的小金屬襯墊相關(guān)。
在2000年12月19日授權(quán)給Seshan等人的名稱為“ENERGY-ABSORBING STABLE GUARD”的美國(guó)專利No.6,163,065中，將保護(hù)環(huán)設(shè)計(jì)在有源管芯區(qū)域內(nèi)。該保護(hù)環(huán)在集成電路芯片的拐角處具有Z字形部分，以吸收由脫層、薄膜裂紋和其它類型的機(jī)械和化學(xué)損傷引起的能量。與Seshan的設(shè)計(jì)不同，本發(fā)明加強(qiáng)了在劃片區(qū)中的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，以直接抑制切片刃的力。此外，本發(fā)明的層疊過(guò)孔填充物與分布在對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中心區(qū)的多個(gè)單獨(dú)的過(guò)孔填充物部件一起使用。
在2003年2月18日授權(quán)給West等人的名稱為“SCRIBE STREETSEALS IN SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD OFFABRICATION”的美國(guó)專利No.6,521,975中，在密封區(qū)內(nèi)的兩組基本上平行的結(jié)構(gòu)在各切片線的相反側(cè)沿芯片的邊緣延伸。重要的是，West的平行結(jié)構(gòu)在切片通道(lane)外部，并且不用作切片刃的對(duì)準(zhǔn)特征。此外，本發(fā)明包括結(jié)構(gòu)的相互靠近的多個(gè)層，以提供冗余保護(hù)，抵抗在對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的擴(kuò)展裂紋或脫層。
發(fā)明內(nèi)容
考慮到現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題和不足，由此本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種防止對(duì)半導(dǎo)體晶片的切片損傷的裝置。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種裝置，用于抑制脫層和裂紋擴(kuò)展的半導(dǎo)體晶片中的堅(jiān)固對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的又一個(gè)目的是在半導(dǎo)體晶片的劃片區(qū)內(nèi)的切片損傷，并同時(shí)增大芯片間隔。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一種裝置，用于在對(duì)準(zhǔn)特征上提供冗余對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)保護(hù)系統(tǒng)，以禁止或阻止在切片期間的脫層和裂紋擴(kuò)展。
通過(guò)說(shuō)明書，本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將部分明顯和部分顯而易見(jiàn)。
在本發(fā)明中實(shí)現(xiàn)了對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的上述和其它目的，本發(fā)明旨在一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，用于抵抗在晶片處理期間在半導(dǎo)體晶片上的切片誘導(dǎo)的裂紋和脫層，其包括十字形結(jié)構(gòu)，其以引導(dǎo)切片刃的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為中心；以及多個(gè)具有形狀的連接部件，其具有至少兩種不同尺寸，所述連接部件以交替的圖形設(shè)置在所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外周周圍，以使表面區(qū)域暴露最大，所述連接部件穿過(guò)所述晶片的每層被制造和互連。所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還包括制造在所述連接部件內(nèi)的多個(gè)過(guò)孔條結(jié)構(gòu)，所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述晶片的每層被互連。所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還可包括制造在所述十字形結(jié)構(gòu)內(nèi)的多個(gè)過(guò)孔條結(jié)構(gòu)，所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述晶片的每層被互連。所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)還形成平行于所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記邊緣的S形圖形，所述S形圖形具有相互近似垂直的相鄰過(guò)孔條結(jié)構(gòu)部件。所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)可以被間隔為最小設(shè)計(jì)規(guī)則間隔尺寸的約2.5倍。所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還可以包括形成在所述連接部件與所述十字形結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域內(nèi)的多個(gè)垂直結(jié)構(gòu)，所述垂直結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述晶片的每層被互連。
在第二方面，本發(fā)明旨在一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，用于抵抗在晶片處理期間在半導(dǎo)體晶片上的切片誘導(dǎo)的裂紋和脫層，其包括十字形結(jié)構(gòu)，其以引導(dǎo)切片刃的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為中心；多個(gè)具有形狀的連接部件，其具有至少兩個(gè)不同尺寸，所述連接部件以交替的圖形設(shè)置在所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外周周圍，以使表面區(qū)域暴露最大，所述連接部件穿過(guò)所述晶片的每層被制造和互連；拐角部件，其穿過(guò)所述晶片的每層被制造和互連，所述拐角部件設(shè)置在所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的每個(gè)拐角上；以及多個(gè)垂直結(jié)構(gòu)，其形成在所述連接部件與所述十字形結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域內(nèi)，所述垂直結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述晶片的每層被互連。
相信本發(fā)明的特征是新穎的，且本發(fā)明的基本特征在所附權(quán)利要求中具體闡述。附圖僅僅為了示例的目的，且未按比例繪制。然而，關(guān)于組織和操作方法，通過(guò)參考下面結(jié)合附圖給出的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明自身可以得到最好的理解。
圖1示出了具有用于切片刃的十字形結(jié)構(gòu)和在外周周圍的獨(dú)立表面結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的示意圖。
圖2示出了穿過(guò)圖1的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的切片刃切口。
圖3示出了本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記特征的示意圖。
圖4示出了用于拐角部分和直邊部分的與矩形部件結(jié)合的過(guò)孔條結(jié)構(gòu)。
圖5示出了保護(hù)的第三級(jí)，包括在十字形結(jié)構(gòu)和矩形部件之間以陣列方式對(duì)準(zhǔn)的許多部件，其中具有過(guò)孔結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
在說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例時(shí)，在此將參考附圖的圖1-5，其中相同的標(biāo)號(hào)表示本發(fā)明的相同部件。
沿芯片邊緣的有限寬度的層疊過(guò)孔填充物可以防止芯片發(fā)生將在切片期間最終發(fā)生的裂紋和脫層。優(yōu)選地，層疊過(guò)孔填充物從晶片底部連接到最頂部的氧化物層，且為電活性的或虛的過(guò)孔，但仍然獲得保護(hù)它們周圍的薄弱電介質(zhì)的堅(jiān)固結(jié)構(gòu)。
圖1示出了具有用于切片刃對(duì)準(zhǔn)的十字形結(jié)構(gòu)12和在外周周圍的獨(dú)立表面結(jié)構(gòu)14的現(xiàn)有技術(shù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10的示意圖。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10典型地寬度為約70微米，其中外周周圍的獨(dú)立表面結(jié)構(gòu)14的寬度為約2.5微米。表面結(jié)構(gòu)14被它們之間的間隙16分隔開(kāi)。表面結(jié)構(gòu)14不連接到下伏(underlying)的級(jí)。它們也不包括多個(gè)多層的過(guò)孔條結(jié)構(gòu)。它們都具有相同的尺寸和形狀，且被設(shè)計(jì)為未將其它表面區(qū)域暴露至擴(kuò)展的裂紋。
圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)的穿過(guò)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記22的切片刃切口20。示出切片刃切口20，在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記22處產(chǎn)生疊層點(diǎn)24。疊層24示出為從切口20向外延伸。
通常，十字形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記存在于管芯區(qū)域的每個(gè)拐角處。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于劃片區(qū)中，并用于確認(rèn)切片對(duì)準(zhǔn)。重要的是，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記增加了對(duì)在切片刃穿過(guò)對(duì)準(zhǔn)特征的位置處在切片操作期間的脫層和裂紋的抵抗力。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸通常按比例正比于劃片區(qū)寬度的尺寸。
在本發(fā)明中，在與切片鋸刃路徑的可能最近點(diǎn)處將連接結(jié)構(gòu)添加到半導(dǎo)體晶片。在用于引導(dǎo)切片刃的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處形成該連接結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，該連接結(jié)構(gòu)由層疊的過(guò)孔填充物制成。當(dāng)緊密間隔以填充芯片邊緣時(shí)，這些層疊的過(guò)孔填充物提供機(jī)械強(qiáng)度，以防止芯片裂紋擴(kuò)展，加強(qiáng)劃片區(qū)，并增大對(duì)脫層的抵抗力。
引入三種基本部件，以使對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記特征相對(duì)切片導(dǎo)致的失效更堅(jiān)固。圖3示出了本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記特征30的示意圖。與現(xiàn)有技術(shù)類似，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30包括十字形結(jié)構(gòu)32。然而，在本發(fā)明中，十字形結(jié)構(gòu)利用多個(gè)過(guò)孔條結(jié)構(gòu)而被加強(qiáng)。該過(guò)孔條結(jié)構(gòu)優(yōu)選為S形圖形形狀，且在整個(gè)十字形結(jié)構(gòu)32內(nèi)被冗余地采用。該第一部件對(duì)于對(duì)準(zhǔn)和對(duì)準(zhǔn)確認(rèn)工藝仍很重要，但在切片后，由于其寬度通常小于切片刃，因此該第一部件不再重要。在十字形結(jié)構(gòu)32內(nèi)的過(guò)孔條有助于減輕裂紋擴(kuò)展和脫層。該十字形結(jié)構(gòu)32和伴隨的過(guò)孔條在每個(gè)掩模級(jí)重復(fù)，且通常由用于芯片的特定金屬制成。
有助于使標(biāo)記對(duì)裂紋和脫層更堅(jiān)固的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30中的第二部件是多個(gè)金屬結(jié)構(gòu)34，其優(yōu)選為矩形，在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的外周周圍對(duì)準(zhǔn)。金屬結(jié)構(gòu)34環(huán)繞對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。由于刃穿過(guò)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的十字形結(jié)構(gòu)32橫過(guò)其路徑，一些金屬結(jié)構(gòu)34通過(guò)切片刃被切割。在優(yōu)選實(shí)施例中，部件金屬結(jié)構(gòu)34包括至少兩種交替的矩形尺寸34a和34b，但可以以與圖3所示的矩形形狀相同的方式成功地采用其它形狀。也示出了拐角部分34c。該拐角部分可以是分隔的且獨(dú)特的部件或是其它矩形結(jié)構(gòu)的結(jié)合。通過(guò)采用較小和較大的矩形的交替形狀，使更大的表面區(qū)域暴露到由切片工藝誘導(dǎo)的x和y方向上的擴(kuò)展的裂紋。雖然優(yōu)選矩形，但任何可以增大暴露到由切片刃引起的擴(kuò)展裂紋的垂直表面區(qū)域的形狀組的部件都將有助于更堅(jiān)固的保護(hù)結(jié)構(gòu)。
通過(guò)特定對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔條結(jié)構(gòu)，在整個(gè)晶片內(nèi)的矩形部件34的每個(gè)金屬級(jí)沿z軸從晶片底部垂直連接到晶片頂部。圖4A和4B示出了構(gòu)成拐角部分和直邊部分的與矩形部件34相關(guān)的拐角段(piece)42和連接段44。在各部件內(nèi)部是多個(gè)過(guò)孔條結(jié)構(gòu)，優(yōu)選為S形，并在整個(gè)矩形部件34內(nèi)冗余地采用。在拐角部分42中，S形過(guò)孔條結(jié)構(gòu)46緊貼部件的外側(cè)邊緣50。優(yōu)選地，相鄰的過(guò)孔條結(jié)構(gòu)以最小設(shè)計(jì)規(guī)則間隔尺寸的約2.5倍被間隔。例如，如果基本規(guī)則(ground rule)是0.1微米，則過(guò)孔條結(jié)構(gòu)被設(shè)置為以約0.25微米間隔。在圖4A所示的示例中，拐角部分42約為5微米寬和13.5微米長(zhǎng)。因此，在5微米寬度內(nèi)可以使多達(dá)20個(gè)S形的平行過(guò)孔條結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)間隔0.25微米。各過(guò)孔條結(jié)構(gòu)提供抵抗擴(kuò)展裂紋和脫層的防護(hù)線。該冗余幫助降低擴(kuò)展。如果一個(gè)過(guò)孔條結(jié)構(gòu)在擴(kuò)展裂紋的力作用下斷裂，則下一鄰近的過(guò)孔條結(jié)構(gòu)直接在后面以減輕該破壞性的擴(kuò)展力。
圖4B示出了連接段部件44的過(guò)孔條結(jié)構(gòu)52。優(yōu)選地，以與分布在拐角過(guò)孔條結(jié)構(gòu)42中的類似的方式，平行S形過(guò)孔條52分布在連接段部件44中?？梢砸圆煌某叽?，例如4.0×5.0微米、4.0×6.0微米、5.0×5.0微米或5.0×6.0微米等采用該連接段部件44。本發(fā)明不限于特定的矩形尺寸，也被設(shè)計(jì)為不限于僅僅兩種不同類型的矩形部件?？梢岳迷S多不同矩形尺寸的部件，只要它們位于沿z軸顯示的多個(gè)表面外周周圍，以使暴露到擴(kuò)展裂紋的表面區(qū)域最大。
通過(guò)利用在從晶片底部到頂部的各級(jí)處制造的堅(jiān)固的互連結(jié)構(gòu)來(lái)填充對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記下方的可用區(qū)域，切片刃路徑在接觸的可能最近點(diǎn)處遇到阻止裂紋擴(kuò)展和脫層的機(jī)械結(jié)構(gòu)。
第三級(jí)保護(hù)通過(guò)圖3中所示的部件36示出。部件36代表通過(guò)過(guò)孔結(jié)構(gòu)沿z軸上下連接的多個(gè)方形金屬級(jí)有形狀的結(jié)構(gòu)。部件36填充十字形結(jié)構(gòu)與金屬結(jié)構(gòu)34之間的區(qū)域?？梢詫⑺鼈兊某叽缭龃鬄樵O(shè)計(jì)規(guī)則允許的水平。這些部件還代表抵抗擴(kuò)展裂紋和脫層的機(jī)械保護(hù)。它們可以行和列的方式在被十字形結(jié)構(gòu)32分隔的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的每個(gè)象限內(nèi)陣列排列。部件36也可以在整個(gè)填充圖形中交錯(cuò)設(shè)置，以具有偏移行的列形式排列，以形成較斜(diagonal)的排列。不排除其它圖形，只要部件36在十字形結(jié)構(gòu)32與金屬結(jié)構(gòu)34之間分布填充。圖5示出了其中以具有過(guò)孔結(jié)構(gòu)60的陣列方式對(duì)準(zhǔn)的許多部件36。
本發(fā)明闡述了用于半導(dǎo)體處理以幫助阻止由切片刃的切割引起的裂紋和脫層的擴(kuò)展的堅(jiān)固的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。采用了三級(jí)保護(hù)。首先，采用十字形結(jié)構(gòu)，其典型地用作對(duì)準(zhǔn)切片刃的線位置。其次，多個(gè)矩形部件位于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的外周周圍。這些矩形部件分布有過(guò)孔條結(jié)構(gòu)，該過(guò)孔條結(jié)構(gòu)在晶片的每級(jí)均互連，并在每個(gè)部件內(nèi)以S形方式分布，以將更大的過(guò)孔條結(jié)構(gòu)表面區(qū)域暴露到擴(kuò)展裂紋。該過(guò)孔條結(jié)構(gòu)以許多相鄰的行平行于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記邊緣的方式分布，以增加機(jī)械強(qiáng)度的冗余級(jí)，以禁止裂紋擴(kuò)展。矩形部件還優(yōu)選具有不同的尺寸，以沿z軸將更大表面區(qū)域暴露到擴(kuò)展裂紋。第三，多個(gè)方形金屬級(jí)結(jié)構(gòu)分布在十字形結(jié)構(gòu)與沿外周設(shè)置的矩形部件之間的區(qū)域中。該方形金屬級(jí)結(jié)構(gòu)以陣列方式對(duì)準(zhǔn)，并具有與晶片中各下伏級(jí)的過(guò)孔連接，從而它們形成裂紋擴(kuò)展的另一阻擋層。
雖然結(jié)合具體優(yōu)選實(shí)施例具體說(shuō)明了本發(fā)明，但根據(jù)上述說(shuō)明很明顯，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員，許多替換、修改和變化將是顯而易見(jiàn)的。因此，所附權(quán)利要求預(yù)期將包含落入本發(fā)明的真正范圍和精神內(nèi)的任何這些替換、修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，用于抵抗在晶片處理期間在半導(dǎo)體晶片上的切片誘導(dǎo)的裂紋和脫層，其包括十字形結(jié)構(gòu)，其以引導(dǎo)切片刃的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為中心；以及多個(gè)具有形狀的連接部件，其具有至少兩種不同尺寸，所述連接部件以交替的圖形設(shè)置在所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外周周圍，以使表面區(qū)域暴露最大，所述連接部件穿過(guò)所述晶片的每層被制造和互連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，還包括制造在所述連接部件內(nèi)的多個(gè)過(guò)孔條結(jié)構(gòu)，所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述晶片的每層被互連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，還包括制造在所述十字形結(jié)構(gòu)內(nèi)的多個(gè)過(guò)孔條結(jié)構(gòu)，所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述晶片的每層被互連。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)形成平行于所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記邊緣的S形圖形，所述S形圖形具有相互近似垂直的相鄰過(guò)孔條結(jié)構(gòu)部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)形成平行于所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記邊緣的S形圖形，所述S形圖形具有相互近似垂直的相鄰過(guò)孔條結(jié)構(gòu)部件。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)被間隔為最小設(shè)計(jì)規(guī)則間隔尺寸的約2.5倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)被間隔為最小設(shè)計(jì)規(guī)則間隔尺寸的約2.5倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述連接部件包括不同的矩形尺寸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，還包括拐角部件，其穿過(guò)所述晶片的每層被制造和互連，所述拐角部件設(shè)置在所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的每個(gè)拐角上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述拐角部件還包括制造在所述拐角部件內(nèi)的多個(gè)過(guò)孔條結(jié)構(gòu)，所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述晶片的每層被互連。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，包括形成在所述連接部件與所述十字形結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域內(nèi)的多個(gè)垂直結(jié)構(gòu)，所述垂直結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述晶片的每層被互連。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述垂直結(jié)構(gòu)以具有行和列圖形的陣列方式對(duì)準(zhǔn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述垂直結(jié)構(gòu)以具有偏移的列或偏移的行的交錯(cuò)陣列方式對(duì)準(zhǔn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述垂直結(jié)構(gòu)包括方形金屬級(jí)結(jié)構(gòu)。
15.一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，用于抵抗在晶片處理期間在半導(dǎo)體晶片上的切片誘導(dǎo)的裂紋和脫層，其包括十字形結(jié)構(gòu)，其以引導(dǎo)切片刃的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為中心；多個(gè)具有形狀的連接部件，其具有至少兩個(gè)不同尺寸，所述連接部件以交替的圖形設(shè)置在所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外周周圍，以使表面區(qū)域暴露最大，所述連接部件穿過(guò)所述晶片的每層被制造和互連；拐角部件，其穿過(guò)所述晶片的每層被制造和互連，所述拐角部件設(shè)置在所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的每個(gè)拐角上；以及多個(gè)垂直結(jié)構(gòu)，其形成在所述連接部件與所述十字形結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域內(nèi)，所述垂直結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述晶片的每層被互連。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，還包括制造在所述連接部件和所述拐角部件內(nèi)的多個(gè)過(guò)孔條結(jié)構(gòu)，所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述晶片的每層被互連。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，還包括制造在所述十字形結(jié)構(gòu)和所述拐角部件內(nèi)的多個(gè)過(guò)孔條結(jié)構(gòu)，所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述晶片的每層被互連。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述過(guò)孔條結(jié)構(gòu)形成平行于所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記邊緣的S形圖形，所述S形圖形具有相互近似垂直的相鄰過(guò)孔條結(jié)構(gòu)部件。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述垂直結(jié)構(gòu)以具有行和列圖形的陣列方式或具有偏移的行或偏移的列的交錯(cuò)陣列方式對(duì)準(zhǔn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述垂直結(jié)構(gòu)包括方形金屬級(jí)結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種用于半導(dǎo)體處理以幫助阻止由切片刃的切割引起的裂紋擴(kuò)展和脫層的堅(jiān)固的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。十字形結(jié)構(gòu)用作對(duì)準(zhǔn)切片刃的線位置。多個(gè)矩形部件位于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的外周周圍，并分布有過(guò)孔條結(jié)構(gòu)，該過(guò)孔條結(jié)構(gòu)在晶片的每級(jí)均互連，并在每個(gè)部件內(nèi)以S形方式分布，以將更大的過(guò)孔條結(jié)構(gòu)表面區(qū)域暴露到擴(kuò)展裂紋。矩形部件由不同的尺寸形成，以將更大的表面區(qū)域暴露到擴(kuò)展裂紋。多個(gè)方形金屬級(jí)結(jié)構(gòu)形成在十字形結(jié)構(gòu)與沿外周設(shè)置的矩形部件之間的區(qū)域中。
文檔編號(hào)H01L23/544GK1967837SQ200610147080
公開(kāi)日2007年5月23日 申請(qǐng)日期2006年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日
發(fā)明者C·D·馬奇, M·萊恩, R·J·耶頓 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司