專利名稱：減小gidl效應(yīng)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種改善高壓器件漏電的方法，特別是指一種減小GIDL 效應(yīng)的方法。
技術(shù)背景由于對(duì)于高壓器，漏端采用低劑量、高能量的擴(kuò)散形成，使得漏端與 多晶硅柵極有很大的重疊處，該重疊處的有較高的柵極誘生漏電流 (Gate-induced Drain Leakage GIDL)，從而使漏電流增力口。常規(guī)的高壓P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(P channel Metal Oxide Semiconductor PM0S)如圖1所示，畫圈的位置為重疊處，所述重疊處， 在柵極加上一定電壓后，由于受到電場(chǎng)的作用，形成漏電流。如果增加該 處的濃度，可以有效降低GIDL，但是僅僅增加源漏的注入度，就會(huì)加大 橫向擴(kuò)散，使有效溝道長(zhǎng)度減小，進(jìn)一步影響到開啟電壓(Vt)，飽和電 流(Ion)等器件的關(guān)鍵特性。因此，在此技術(shù)領(lǐng)域中，需要一種減小GIDL效應(yīng)的方法，能夠有效 地減小GIDL效應(yīng)的同時(shí)有效控制漏區(qū)的橫向擴(kuò)散及對(duì)器件特性的影響。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種減小GIDL效應(yīng)的方法，能夠有 效地減小GIDL效應(yīng)，同時(shí)不影響器件的其它特性。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的減小GIDL效應(yīng)的方法，多晶硅柵極
刻蝕后，氮化硅層淀積前注入劑量為5el2 lel3cm2，角度為15度 45度，能量為30keV 60keV的硼。所述注入硼，其劑量為8el2cm2，角度為30度，能量為45keV。 本發(fā)明減小GIDL效應(yīng)的方法，在多晶硅柵極刻蝕后，氮化硅層淀積前在該處進(jìn)行高劑量、高角度、低能量的一次離子注入，可以在該重疊處形成一層濃度很高的離子注入層，從而有效地減小GIDL效應(yīng)，有效控制了漏區(qū)的橫向擴(kuò)散及其對(duì)器件特性的影響。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。 圖1是高壓PM0S的剖面圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例增加硼注入工藝程序示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例結(jié)果示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明是在多晶硅柵極刻蝕后，氮化硅層淀積前增加一次高劑量、高 角度、低能量的注入，從而有效地減小GIDL效應(yīng)，同時(shí)不影響器件的其它 特性。以P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(P channel Metal Oxide Semiconductor PM0S)的制作工藝為例，如一般的工藝流程，首先形成高壓N阱后，高溫 氧化，形成一層氧化層作為柵極氧化層。涂上光刻膠，曝光后進(jìn)行P型注入，然后去除光刻膠及氧化層，如圖 2所示，再形成新的柵極氧化層，并在柵極氧化層上淀積-一層多晶硅柵?？涛g多晶硅，形成多晶硅柵及柵極氧化層之后，增加一次與源區(qū)、漏
區(qū)同型(如麗OS采用N型，PMOS采用P型)的高劑量、高角度、低能量 的離子注入，其注入劑量為8el2cm2，角度為30度，能量為45keV的硼。如圖3所示，虛線部分為本實(shí)施例增加的一次P型高劑量、高角度、 低能量的離子注入層。其次，在現(xiàn)有工藝采用直接淀積氮化硅層，但在本發(fā)明中，去除光刻 膠，淀積一層氮化硅層。下一步工藝與現(xiàn)有工藝完全相同，刻蝕氮化硅，形成氮化硅側(cè)墻， 然后進(jìn)行源區(qū)、漏區(qū)的注入(對(duì)于PM0S而言，所述源漏注入為P型)，所 述源、漏注入經(jīng)過高溫過程后，所注入的雜質(zhì)向下擴(kuò)散，形成P型源、漏 區(qū)。經(jīng)過上述步驟，就在多晶硅柵極和漏區(qū)之間的重疊處，形成了一層濃 度較高的摻雜區(qū)域，從而可以有效降低GIDL。
權(quán)利要求
1、一種減小GIDL效應(yīng)的方法，其特征在于多晶硅柵極刻蝕后，氮化硅層淀積前增加注入硼，其劑量為5e12～1e13cm-2，角度為15度～45度，能量為30keV～60keV。
2、 如權(quán)利要求1所述的減小GIDL效應(yīng)的方法，其特征在于所述 注入硼，其劑量為8el2cm—2，角度為30度，能量為45keV。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種減小GIDL效應(yīng)的方法，在多晶硅柵極刻蝕后，氮化硅層淀積前增加注入劑量為5e12～1e13cm^-2，角度為15度～45度，能量為30keV～60keV的硼，可使在漏端與多晶硅柵極的重疊處形成一層濃度很高的離子注入層。本發(fā)明可有效地減小GIDL效應(yīng)，并有效控制漏區(qū)的橫向擴(kuò)散及其對(duì)器件特性的影響。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101150068SQ20061011640
公開日2008年3月26日 申請(qǐng)日期2006年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月22日
發(fā)明者君 胡, 郭永芳, 錢文生 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司