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單胞結(jié)構(gòu)為正方形的高介微波復(fù)合功能材料天線的制作方法

文檔序號:6859772閱讀:299來源:國知局
專利名稱:單胞結(jié)構(gòu)為正方形的高介微波復(fù)合功能材料天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種單胞結(jié)構(gòu)為正方形的高介微波復(fù)合功能材料天線。
背景技術(shù)
通信技術(shù)的飛速發(fā)展,對通信器件的小型化、集成度的要求日益提高。具有高介電常數(shù),高熱穩(wěn)定性、低損耗的微波陶瓷材料因可滿足通信元器件小型化與集成度的要求,在各種通信元器件中的應(yīng)用越來越廣。電磁禁帶結(jié)構(gòu)材料(Electromagnetic Bandgap,(EBG)),又稱光子禁帶材料(Phototic Bandgap,PBG)或光子晶體,是二十世紀(jì)八十年代末提出的新概念與新材料,它是由不同介電常數(shù)的材料通過周期性排列或在常規(guī)介電材料中引入人工周期性結(jié)構(gòu)而形成的新型的復(fù)合功能材料。由于周期性電磁帶隙結(jié)構(gòu)的存在使電磁波在某一特定的頻率禁帶內(nèi)不能傳播。在高介微波陶瓷材料中引入光子晶體技術(shù),在保證元器件小型化與集成度要求的同時,可大大改善高介材料微波元件所存在的效率與帶寬方面的不足,全面提升產(chǎn)品的質(zhì)量。如對天線而言,可大大提高其增益,輻射效率與帶寬;對濾波器而言可提高其帶寬與頻響特性;對諧振器而言,可提高其Q值(品質(zhì)因子)??傊?,我們采用高介微波陶瓷材料與光子晶體技術(shù)開發(fā)的這種新型高介復(fù)合功能材料,在對產(chǎn)品小型化、集成度、通信帶寬與增益等要求日益提高的現(xiàn)代通信技術(shù)中有廣泛的應(yīng)用前景。
組分為Sr1-xBaxTiO3(X=0.05~0.95)的高介微波陶瓷材料是一普通的鐵電材料,它可以通過標(biāo)準(zhǔn)陶瓷制備工藝制備。其相對介電常數(shù)為200~1200,損耗角tanδ=10-2~10-3。而且其介電常數(shù)的值可通過調(diào)節(jié)鍶鋇比的值X而大幅度改變,這種材料高介、低損耗的這一特點使其在移相器,變?nèi)萜鞯任⒉ㄔ骷幸勋@得廣泛應(yīng)用。但對天線應(yīng)用而言,隨著介電常數(shù)的提高,表面波損耗不斷增大,天線的輻射效率也越來越差,而且?guī)捯脖容^窄,因此這種材料在天線中難以應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種小型化、高集成度的單胞結(jié)構(gòu)為正方形的高介微波復(fù)合功能材料天線,利用周期性電磁帶隙結(jié)構(gòu)能夠使電磁波在某一特定的頻率禁帶內(nèi)不能傳播的特性,使得高介微波復(fù)合功能材料能夠充分發(fā)揮其高介電性能。
為達(dá)上述目的,本實用新型采用如下技術(shù)方案,
一種單胞結(jié)構(gòu)為正方形的高介微波復(fù)合功能材料天線,所述高介微波復(fù)合功能材料可采用組分為Sr1-xBaxTiO3(X=0.05~0.95)的高介微波陶瓷材料,在其表面設(shè)有周期性電磁帶隙結(jié)構(gòu),這種帶周期性電磁帶隙結(jié)構(gòu)的高介微波復(fù)合功能材料既可用作各種天線的基板材料,同時也可作天線的輻射介質(zhì)使用。
本實用新型中,陶瓷表面的周期性電磁禁帶結(jié)構(gòu)可以采用標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝制備或化學(xué)電鍍方法制備。金屬可選用銅,銀,鋁,金等。
所述電磁禁帶結(jié)構(gòu)為多個正方形單胞組成的平面結(jié)構(gòu),所述單胞由設(shè)置于單胞中部互相垂直的兩彎曲導(dǎo)線和被所述導(dǎo)線分隔開的四個導(dǎo)電塊組成,所述導(dǎo)線和導(dǎo)電塊在單胞中部互聯(lián),相鄰兩個單胞之間由細(xì)縫分隔并通過所述導(dǎo)線互聯(lián)。
本實用新型通過與周期性電磁禁帶結(jié)構(gòu)結(jié)合制造的天線,在實現(xiàn)小型化的同時,確保有較高的幅射效率與增益。在GPS(頻率f=1.575GHz),2G PCS(頻率f=1.8GHz),3G PCS(頻率f=1.7~2.1GHz)、802.11藍(lán)牙通信(頻率f=2.4~2.5GHz)以及802.16 WIMAX(頻率f=3.4~3.53GHz)等無線通信領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。


圖1為本實用新型實施例天線結(jié)構(gòu)示意圖圖2為圖1實施例電磁帶隙結(jié)構(gòu)一個半單胞結(jié)構(gòu)示意圖圖3至圖5為天線應(yīng)用頻率圖具體實施方式
如圖1所示,一種單胞結(jié)構(gòu)為正方形的高介微波復(fù)合功能材料天線,所述高介微波復(fù)合功能材料采用組分為Sr1-xBaxTiO3的高介微波陶瓷材料。以該高介微波陶瓷材料為介質(zhì),通過標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝或化學(xué)電鍍方法在該介質(zhì)表面制備周期性電磁帶隙結(jié)構(gòu),圖中電磁帶隙結(jié)構(gòu)可采用金屬銅、銀、鋁或金等材質(zhì)。如圖2所示,所述電磁禁帶結(jié)構(gòu)2為多個正方形單胞組成的平面結(jié)構(gòu),所述單胞由設(shè)置于單胞中部互相垂直的兩彎曲導(dǎo)線22和被所述導(dǎo)線22分隔開的四個導(dǎo)電塊21組成,所述導(dǎo)線22和導(dǎo)電塊21在單胞中部互聯(lián),相鄰兩個單胞之間由細(xì)縫分隔并通過所述導(dǎo)線22互聯(lián)。通過調(diào)節(jié)圖2中單胞a、b、w、s各幾何尺寸的大小,實現(xiàn)調(diào)控復(fù)合功能材料的禁帶頻率及寬度。
圖1中在高介微波陶瓷材料介質(zhì)1表面制備有EBG花樣2,在其背面為金屬地板(圖中未示),EBG花樣2及金屬地板均采用銅,通過調(diào)節(jié)圖2單胞中a、b、w、s各幾何尺寸的大小,獲得圖3至圖5的天線材料性能。
圖3中,a=1500微米,w=s=30微米,b=600微米。此高介微波復(fù)合材料禁帶可滿足GPS(頻率f=1.575GHz),2G PCS(頻率f=1.8GHz)天線應(yīng)用要求。
圖4中,a=1000微米,w=s=25微米,b=375微米。此高介微波復(fù)合材料禁帶可滿足2G或3G PCS(頻率f=1.7~2.1GHz),802.11b藍(lán)牙(頻率f=2.4~2.5GHz)應(yīng)用要求。
圖5中,a=800微米,w=s=20微米,b=300微米,此高介微波復(fù)合材料禁帶可滿足802.16WIMAX天線(頻率f=3.4~3.53GHz)應(yīng)用要求。
權(quán)利要求1.一種單胞結(jié)構(gòu)為正方形的高介微波復(fù)合功能材料天線,包括表面設(shè)有周期性電磁帶隙結(jié)構(gòu)的介質(zhì),其特征在于所述電磁禁帶結(jié)構(gòu)為多個正方形單胞組成的平面結(jié)構(gòu),所述單胞由設(shè)置于單胞中部互相垂直的兩彎曲導(dǎo)線和被所述導(dǎo)線分隔開的四個導(dǎo)電塊組成,所述導(dǎo)線和導(dǎo)電塊在單胞中部互聯(lián),相鄰兩個單胞之間由細(xì)縫分隔并通過所述導(dǎo)線互聯(lián)。
專利摘要一種單胞結(jié)構(gòu)為正方形的高介微波復(fù)合功能材料天線,包括表面設(shè)有周期性電磁帶隙結(jié)構(gòu)的高介微波陶瓷材料,所述電磁禁帶結(jié)構(gòu)為多個正方形單胞組成的平面結(jié)構(gòu),所述單胞由設(shè)置于單胞中部互相垂直的兩彎曲導(dǎo)線和被所述導(dǎo)線分隔開的四個導(dǎo)電塊組成,所述導(dǎo)線和導(dǎo)電塊在單胞中部互聯(lián),相鄰兩個單胞之間由細(xì)縫分隔并通過所述導(dǎo)線互聯(lián)。本實用新型通過與周期性電磁禁帶結(jié)構(gòu)結(jié)合制造的天線,在實現(xiàn)小型化的同時,確保有較高的幅射效率與增益。在GPS(頻率f=1.575GHz),2G PCS(頻率f=1.8GHz),3G PCS(頻率f=1.7~2.1GHz)、802.11藍(lán)牙通信(頻率f=2.4~2.5GHz)以及802.16 WIMAX(頻率f=3.4~3.53GHz)等無線通信領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
文檔編號H01Q1/38GK2796141SQ20052004166
公開日2006年7月12日 申請日期2005年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月19日
發(fā)明者賀連星, 劉曉晗, 殷杰羿, 丁振宇, 資劍, 李毅 申請人:上海聯(lián)能科技有限公司, 上?;鄯铰?lián)能通信技術(shù)有限公司, 上海方盛信息科技有限責(zé)任公司
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