專利名稱：薄膜晶體管陣列板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列板。
背景技術(shù)：
諸如液晶顯示器(LCD)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的有源型顯示裝置包括多個(gè)像素，該像素按矩陣排列，且包括場(chǎng)產(chǎn)生電極和開(kāi)關(guān)元件。開(kāi)關(guān)元件包括具有柵、源和漏三個(gè)端子的薄膜晶體管(TFT)。每個(gè)像素的TFT響應(yīng)于柵信號(hào)選擇性地傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)到場(chǎng)產(chǎn)生電極。
該顯示裝置還包括多個(gè)用于傳輸信號(hào)到開(kāi)關(guān)元件的信號(hào)線，該信號(hào)線包括傳輸柵信號(hào)的柵線和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線。
LCD和OLED包括設(shè)置有TFT、場(chǎng)產(chǎn)生電極和信號(hào)線的板，該板稱作TFT陣列板。
TFT陣列板具有疊層結(jié)構(gòu)(layered structure)，該結(jié)構(gòu)包括數(shù)個(gè)導(dǎo)體層和絕緣層。柵線、數(shù)據(jù)線和場(chǎng)產(chǎn)生電極由不同導(dǎo)體層構(gòu)成并被絕緣層隔開(kāi)。
當(dāng)LCD底板上的有源區(qū)太大而不能使用曝光掩模時(shí)，整個(gè)曝光通過(guò)重復(fù)分區(qū)曝光(divisional exposure)(稱作步進(jìn)重復(fù)工藝(step-and-repeat process))來(lái)完成。一個(gè)分區(qū)曝光單元或區(qū)域被稱作一照射區(qū)(shot)。因?yàn)樵谄毓馄陂g產(chǎn)生平移、旋轉(zhuǎn)和變形，因此照射區(qū)不能準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)。因此，信號(hào)線和像素電極之間產(chǎn)生的寄生電容根據(jù)照射區(qū)而不同，這引起了照射區(qū)之間的亮度差，它在位于照射區(qū)之間的邊界處的像素處被發(fā)現(xiàn)。因此，由于照射區(qū)之間的亮度不連續(xù)，在LCD屏幕上產(chǎn)生細(xì)縫缺陷。另外，寄生電容的差異引起回掃電壓的差異，從而產(chǎn)生閃爍。

發(fā)明內(nèi)容
依照本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列板包括柵電極；半導(dǎo)體層；布置在柵電極和半導(dǎo)體層之間的柵絕緣層；與半導(dǎo)體層連接的源電極；與半導(dǎo)體層連接、與源電極隔開(kāi)且包括兩條與柵電極交迭的分支(branch)的漏電極，其中漏電極的這兩條分支相互分開(kāi)且位于一條直線或者兩條平行直線上。
柵電極可以具有兩條相對(duì)的邊，其分別與兩條分支相交，并且基本互相平行。
薄膜晶體管陣列板還可包括與柵電極耦接的柵線；與漏電極耦接的數(shù)據(jù)線；與漏電極耦接的像素電極。
該兩條分支可以具有相對(duì)于中心線的對(duì)稱，該中心線經(jīng)過(guò)柵電極并與柵線或數(shù)據(jù)線平行。
源電極可以包圍兩條分支。
源電極可以具有相對(duì)于中心線的對(duì)稱，該中心線經(jīng)過(guò)柵電極并與柵線或數(shù)據(jù)線平行。
源電極可以與除去源電極以外的柵線間隔開(kāi)。
源電極可以具有字母H的形狀，或者具有旋轉(zhuǎn)約一個(gè)直角的字母H的形狀。
像素電極可以包括相對(duì)于柵線彼此對(duì)立布置的下半部和上半部。
漏電極可以具有相對(duì)于柵線的中心線的對(duì)稱。
薄膜晶體管陣列板還可以包括與像素電極和漏電極中的至少一個(gè)交迭的存儲(chǔ)電極。
存儲(chǔ)電極可以布置在像素電極的邊附近。
存儲(chǔ)電極可以布置在像素電極的邊附近。
根據(jù)另一實(shí)施例的薄膜晶體管包括柵電極，具有第一邊和與第一邊對(duì)立布置的第二邊；半導(dǎo)體層；布置在柵電極和半導(dǎo)體層之間的柵絕緣層；與半導(dǎo)體層連接的源電極；與半導(dǎo)體層連接、與源電極隔開(kāi)且包括第一分支和第二分支的漏電極，其中第一分支以預(yù)定角度與柵電極的第一邊相交，第二分支以該預(yù)定角度與柵電極的第二邊相交。
柵電極的第一邊可以與柵電極的第二邊基本平行。
根據(jù)另一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列板包括包括柵電極的柵線；與柵線交叉且包括源電極的數(shù)據(jù)線；與源電極隔開(kāi)設(shè)置且包括兩條分支的漏電極；與源電極和漏電極連接的半導(dǎo)體層；形成在柵線、數(shù)據(jù)線、漏電極和半導(dǎo)體層上的鈍化層；以及與漏電極連接的像素電極，其中源電極包括兩個(gè)彼此連接且彼此對(duì)立設(shè)置的凹入部分，這兩個(gè)凹入部分包圍漏電極的各分支。
源電極可以包括連在凹入部分和數(shù)據(jù)線之間的連接部分，該連接部分可以與柵線間隔開(kāi)。


通過(guò)參照附圖詳盡描述本發(fā)明的實(shí)施例，本發(fā)明將變得更清楚，其中圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的TFT陣列板的布圖；圖2示出圖1所示TFT陣列板的沿線II-II′截取的剖面圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于LCD的TFT陣列板的布圖；圖4示出圖3所示TFT陣列板的沿線IV-IV′截取的剖面圖；圖5示出圖3所示TFT陣列板的沿線V-V′截取的剖面圖；圖6示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于LCD的TFT陣列板的布圖；圖7示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于LCD的公共電極板的布圖；圖8示出包括圖6所示TFT陣列板和圖7所示公共電極板的LCD的剖面圖；圖9示出圖8所示LCD的沿線IX-IX′截取的剖面圖；圖10示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于LCD的TFT陣列板的布圖；圖11示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于LCD的公共電極板的布圖；圖12示出包括圖10所示TFT陣列板和圖11所示公共電極板的LCD的剖面圖；圖13示出圖12所示LCD的沿線XIII-XIII′截取的剖面圖；圖14示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的布圖；圖15示出圖12所示LCD的沿線XV-XV′截取的剖面圖；圖16示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的布圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參照附圖更充分地說(shuō)明本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)被認(rèn)為是限于此處提及的實(shí)施例。
附圖中，層的厚度和區(qū)域?yàn)榱饲宄豢浯罅?。自始至終相同的附圖標(biāo)記指示相同的元件?？梢岳斫猓?dāng)例如層、區(qū)域或者基板的元件被稱為在另一個(gè)元件“上”時(shí)，它可以直接在該另一個(gè)元件上，或者也可以存在居間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接”在另一元件“上”時(shí)，沒(méi)有居間元件。
根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的TFT陣列板將參考圖1和2被詳細(xì)描述。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的TFT陣列板的布圖，圖2示出圖1所示TFT陣列板的沿線II-II′截取的剖面圖。
多個(gè)柵線121形成在諸如透明玻璃或塑料的絕緣基板110上。
柵線121傳輸柵信號(hào)并且基本上在橫向上延伸。每個(gè)柵線121包括多個(gè)向上凸出的柵電極124、多個(gè)向下凸出的柵線凸出部127和具有大面積的用于與另一層(未示出)或外部驅(qū)動(dòng)電路(未示出)接觸的柵線末端部分129。用于產(chǎn)生柵信號(hào)的柵驅(qū)動(dòng)電路(未示出)可以安裝在柔性印刷電路(FPC)膜(未示出)上、直接安裝于絕緣基板110上、或者集成到絕緣基板110上，該膜可以附著于絕緣基板110上。柵線121可以延伸來(lái)與可以集成在絕緣基板110上的驅(qū)動(dòng)電路(未示出)連接。
柵線121優(yōu)選由諸如鋁和鋁合金的含鋁金屬、諸如銀和銀合金的含銀金屬、諸如銅和銅合金的含銅金屬、諸如鉬和鉬合金的含鉬金屬、鉻、鉭或鈦制成。然而，它們可以具有多層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括兩層具有不同物理特性的導(dǎo)電膜(未示出)。兩層膜之一優(yōu)選由低電阻率金屬制造以減小信號(hào)延遲或電壓降，該低電阻率金屬包括含鋁金屬、含銀金屬和含銅金屬。另一層膜優(yōu)選由具有良好物理特性、化學(xué)特性和與其它材料的電接觸特性的諸如含鉬金屬、鉻、鉭或鈦的材料制造，該其它材料例如是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。兩層膜結(jié)合的良好例子是下面鉻膜上面鋁(合金)膜、以及下面鋁(合金)膜上面鉬(合金)膜。然而，柵線121可以由其它金屬或?qū)w制造。
柵線121的側(cè)面(lateral side)相對(duì)于絕緣基板110的表面傾斜，且其傾斜角在約30-80度之間。
優(yōu)選由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的柵絕緣層140形成在柵線121上。
優(yōu)選由氫化非晶硅(簡(jiǎn)寫為“A-Si”)或者多晶硅制成的多個(gè)第一和第二半導(dǎo)體島151和154形成在柵絕緣層140上。第二半導(dǎo)體島154設(shè)置在柵電極124上，使得第二半導(dǎo)體島154的邊緣設(shè)置在柵電極124上，用以阻擋從背光燈發(fā)射的光入射到第二半導(dǎo)體島154上，從而減少光電流。第一半導(dǎo)體島151設(shè)置在柵線121上且覆蓋柵線121的下邊緣和上邊緣。
多個(gè)第二和第三歐姆接觸島163和165形成在第二半導(dǎo)體島154上。多個(gè)第一歐姆接觸161也形成在第一半導(dǎo)體島151上。第一、第二和第三歐姆接觸161、163和165優(yōu)選由重度摻雜諸如磷的n型雜質(zhì)的n+氫化A-Si制造，或者它們可由硅化物制造。
第一和第二半導(dǎo)體島151和154、以及第一、第二和第三歐姆接觸161、163和165的側(cè)面相對(duì)于絕緣基板110的表面傾斜，且其傾斜角優(yōu)選在約30-80度之間。
多個(gè)數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏電極175和多個(gè)存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體177形成在第一、第二和第三歐姆接觸161、163和165、以及柵絕緣層140上。
數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)并且基本上在縱向上延伸以與柵線121相交叉。每個(gè)數(shù)據(jù)線171包括多個(gè)朝柵電極124凸出并且在柵電極124上具有兩側(cè)對(duì)稱性(bilateral symmetry)的源電極173。每個(gè)源電極173包括一縱向部分和自該縱向部分的兩端在左向和右向上延伸的兩對(duì)橫向部分，具有如旋轉(zhuǎn)約90度的字母“H”的形狀。每個(gè)數(shù)據(jù)線171還包括數(shù)據(jù)線末端部分179，它具有較大的面積，用以與另一層(未示出)或外部驅(qū)動(dòng)電路(未示出)相接觸。用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路(未示出)可以安裝在FPC膜(未示出)上、直接安裝于絕緣基板110上或者集成到絕緣基板110上，該膜可以附著于絕緣基板110上。數(shù)據(jù)線171可以延伸而與可以集成在絕緣基板110上的驅(qū)動(dòng)電路(未示出)連接。
漏電極175與數(shù)據(jù)線171分隔開(kāi)，且相對(duì)于柵電極124被設(shè)置在源電極173對(duì)面。每個(gè)漏電極175包括寬的部分和兩條分支。該兩條分支位于一直線上或在兩條平行的直線上，且彼此間隔開(kāi)。所述分支形成具有兩側(cè)對(duì)稱性的鉤部分。鉤部分具有如字母“C”的形狀，且被設(shè)置成部分包圍柵電極124，鉤部分的端部經(jīng)過(guò)兩對(duì)立的縱向邊到達(dá)柵電極124的內(nèi)部部分。鉤部分的兩端設(shè)置在柵電極124上，且被源電極173部分包圍。
漏電極175相對(duì)于柵電極124的對(duì)稱布置導(dǎo)致了漏電極175和柵電極124之間的一致的交迭面積，而與掩模的諸如平移、旋轉(zhuǎn)和扭曲的形變無(wú)關(guān)。雖然，用于形成柵電極124和漏電極175的掩模移位、旋轉(zhuǎn)或扭曲，使得柵電極124和漏電極175在橫向上未對(duì)準(zhǔn)，以致柵電極124和漏電極175之間的左和右交迭區(qū)域中的一個(gè)被減小，但左和右交迭區(qū)域中的另一個(gè)被增大從而補(bǔ)償該一個(gè)交迭區(qū)域的減小。因此，柵電極124和漏電極175之間的寄生電容能被一致地保持，從而減少圖像的閃爍。另外，柵電極124和漏電極175之間的縱向的未對(duì)準(zhǔn)不影響柵電極124和漏電極175之間的交迭區(qū)域。
存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體177與柵線凸出部127交迭。
柵電極124、源電極173和漏電極175與第二半導(dǎo)體島154的凸出部一起形成TFT，該TFT具有形成在布置在源電極173和漏電極175之間的第二半導(dǎo)體島154內(nèi)的溝道。
數(shù)據(jù)線171、漏電極175和存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體177優(yōu)選由諸如鉻、鉬、鉭、鈦或其合金的難熔金屬制造。然而，它們可以具有包括難熔金屬膜(未示出)和低電阻率膜(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)的例子是包括下部鉻/鉬(合金)膜和上部鋁(合金)膜的雙層結(jié)構(gòu)、以及下部鉬(合金)膜、中間鋁(合金)膜和上部鉬(合金)膜的三層結(jié)構(gòu)。然而，數(shù)據(jù)線171、漏電極175和存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體177可以由其它金屬或者導(dǎo)體制作。
數(shù)據(jù)線171、漏電極175、存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體177具有傾斜的邊緣輪廓，且其傾斜角在約30-80度間。
第一、第二和第三歐姆接觸161、163和165僅置于下面的第一和第二半導(dǎo)體島151和154與其上的上面的數(shù)據(jù)線171和漏電極175之間，減少其間的接觸電阻。第一半導(dǎo)體島151使表面的輪廓平滑，從而防止數(shù)據(jù)線171的斷路。第一和第二半導(dǎo)體島151和154包括一些沒(méi)有被數(shù)據(jù)線171、漏電極175或者存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體177覆蓋的暴露部分，諸如位于源電極173和漏電極175之間的部分。
鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、漏電極175、存儲(chǔ)電容器電極177和第一和第二半導(dǎo)體島151和154的暴露部分上。鈍化層180優(yōu)選由無(wú)機(jī)或有機(jī)絕緣體制成，并且它可以具有平坦頂表面。無(wú)機(jī)絕緣體的例子包括氮化硅和氧化硅。有機(jī)絕緣體可以具有光敏性和低于約4.0的介電常數(shù)。鈍化層180可以包括無(wú)機(jī)絕緣體下部膜和有機(jī)絕緣體上部膜，使得其利用有機(jī)絕緣體的優(yōu)異的絕緣特性，同時(shí)防止第一和第二半導(dǎo)體島151和154的暴露部分被有機(jī)絕緣體損傷。
鈍化層180具有多個(gè)第二、第三和第四接觸孔182、185和187，它們分別暴露出數(shù)據(jù)線末端部分179、漏電極175和柵線凸出部127。鈍化層180和柵絕緣層140具有多個(gè)第一接觸孔181，其暴露出柵線末端部分129。
多個(gè)像素電極190和多個(gè)第一和第二接觸輔助物81和82形成在鈍化層180上。它們優(yōu)選由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體或者例如銀、鋁、鉻或其合金的反光導(dǎo)體來(lái)制造。
像素電極190通過(guò)第三接觸孔185與漏電極175在物理上和電學(xué)上相連接，使得像素電極190從漏電極175接收數(shù)據(jù)電壓。被供以數(shù)據(jù)電壓的像素電極190與被供以公共電壓的對(duì)立的顯示板(未示出)的公共電極(未示出)協(xié)作產(chǎn)生電場(chǎng)，所述電場(chǎng)確定設(shè)置在像素電極190和公共電極之間的LC層(未示出)的液晶(LC)分子(未示出)的取向。像素電極190和公共電極形成被稱作“液晶電容器”的電容器，它在TFT關(guān)斷之后存儲(chǔ)所施加的電壓。
此外，像素電極190和與柵線凸出部127交迭的存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體177相連接。像素電極190和與其連接的存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體177以及柵線凸出部127形成被稱作“存儲(chǔ)電容器”的附加電容器，它提高液晶電容器的電壓存儲(chǔ)容量。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于LCD的TFT陣列板將參照?qǐng)D3、4和5被詳盡描述。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于LCD的TFT陣列板的布圖，圖4示出圖3所示TFT陣列板的沿線IV-IV′截取的剖面圖，圖5示出圖3所示TFT陣列板的沿線V-V′截取的剖面圖。
參照?qǐng)D3-5，根據(jù)此實(shí)施例的TFT陣列板的疊層結(jié)構(gòu)與圖1和2所示的近似。
即，包括柵電極124的多個(gè)柵線121形成在絕緣基板110上，柵絕緣層140、多個(gè)包括多個(gè)半導(dǎo)體帶凸出部153的半導(dǎo)體帶152、以及多個(gè)包括歐姆接觸凸出部163的歐姆接觸161和多個(gè)歐姆接觸島165順序地形成在其上。多個(gè)包括源電極173的數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏電極175、多個(gè)存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體177形成在歐姆接觸帶和島161和165上，鈍化層180形成在其上。多個(gè)第一、第二、第三和第四接觸孔181、182、185和187被制備在鈍化層180和柵絕緣層140處。多個(gè)像素電極190和多個(gè)第一和第二接觸輔助物81和82形成在鈍化層180上。
在此實(shí)施例中，源電極173與柵線121間隔開(kāi)。
此外，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列板在與柵線121相同的層上提供了多個(gè)存儲(chǔ)電極線131且沒(méi)有柵線凸出部，存儲(chǔ)電極線131與柵線121間隔開(kāi)。提供諸如公共電壓的預(yù)定電壓給存儲(chǔ)電極線131，且存儲(chǔ)電極線131基本平行于柵線121延伸。每個(gè)存儲(chǔ)電極線131布置在兩個(gè)鄰近的柵線121之間，且該兩個(gè)鄰近的柵線121與它的距離幾乎相等。存儲(chǔ)電極線131與存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體177交迭，從而形成存儲(chǔ)電容器。
然而，存儲(chǔ)電極線131可以具有各種形狀和排列。例如，如果由柵線121與像素電極190的交迭所產(chǎn)生的存儲(chǔ)電容足夠，則存儲(chǔ)電極線131可以被省略掉。存儲(chǔ)電極線131可以設(shè)置在柵線121附近，以提高開(kāi)口率(apertureratio)。
此外，根據(jù)此實(shí)施例的TFT陣列板100的半導(dǎo)體帶152具有與數(shù)據(jù)線171和漏電極175以及下面的歐姆接觸帶和島161和165相似的平面形狀。然而，半導(dǎo)體帶凸出部153包括一些沒(méi)有被數(shù)據(jù)線171或漏電極175覆蓋的暴露部分，諸如位于源電極173和漏電極175之間的部分。
此外，TFT陣列板100還包括多個(gè)第五半導(dǎo)體島157和多個(gè)第五歐姆接觸島167，其布置在存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體177之下。
根據(jù)一實(shí)施例的TFT陣列板的一種制造方法，使用一道光刻工序同時(shí)形成數(shù)據(jù)線171、漏電極175、半導(dǎo)體151和歐姆接觸帶及島161和165。
用于該光刻工序的光致抗蝕劑圖案具有由位置決定的厚度，特別地，它具有厚度減小的第一和第二部分。第一部分位于將被數(shù)據(jù)線171和漏電極175占據(jù)的布線區(qū)域上，第二部分位于TFT的溝道區(qū)域上。
光致抗蝕劑的由位置決定的厚度通過(guò)幾種技術(shù)得到，例如通過(guò)在曝光掩模上提供半透明區(qū)域、以及透明區(qū)域和遮光不透明區(qū)域。該半透明區(qū)域可以具有狹縫圖案、格子圖案、有中間透射率或中間厚度的薄膜(們)。當(dāng)使用狹縫圖案時(shí)，優(yōu)選的是狹縫的寬度或狹縫之間的距離小于用于光刻的曝光機(jī)(light exposer)的分辨率。另一個(gè)例子是使用可回流的光致抗蝕劑。一旦由可回流的材料制成的光致抗蝕劑圖案通過(guò)使用僅有透光區(qū)域和不透光區(qū)域的正常曝光掩模形成，則其經(jīng)歷回流工藝，從而流到?jīng)]有光致抗蝕劑的區(qū)域上，于是形成薄的部分。
結(jié)果，通過(guò)省略光刻步驟，制造工藝被簡(jiǎn)化。
圖1和2所示的用于LCD的TFT陣列板的許多上述特征可適用于圖3-5所示的TFT陣列板。
將參照?qǐng)D6、7、8和9詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于LCD的TFT陣列板的布圖，圖7示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于LCD的公共電極板的布圖，圖8示出包括圖6所示TFT陣列板和圖7所示公共電極板的LCD的剖面圖，圖9示出圖8所示LCD的沿線IX-IX′截取的剖面圖。
參照?qǐng)D6-9，根據(jù)此實(shí)施例的一種LCD也包括TFT陣列板100、公共電極板200、置于TFT陣列和公共電極板100和200之間的液晶(LC)層3、附著在TFT陣列和公共電極板100和200的外表面上的一對(duì)偏光器12和22。
根據(jù)此實(shí)施例的TFT陣列板100的疊層結(jié)構(gòu)與圖1和2所示的疊層結(jié)構(gòu)相似。
包括柵電極124和柵線末端部分129的多個(gè)柵線121形成在絕緣基板110上，柵絕緣層140、多個(gè)第三、第四和第二半導(dǎo)體島151a、151b和154、多個(gè)歐姆接觸島161a、161b、163和165順序形成在其上。包括源電極173和數(shù)據(jù)線末端部分179的多個(gè)數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175形成在歐姆接觸島161a、161b、163和165和柵絕緣層140上，鈍化層180形成在其上。多個(gè)第一、第二和第三接觸孔181、182和185被提供在鈍化層180和柵絕緣層140處。多個(gè)像素電極190和多個(gè)第一和第二接觸輔助物81和82形成在鈍化層180上。
根據(jù)此實(shí)施例的TFT陣列板在與柵線121相同的層上設(shè)置多個(gè)存儲(chǔ)電極線131而沒(méi)有柵線凸出部，存儲(chǔ)電極線131與柵線121分隔開(kāi)。存儲(chǔ)電極線131被供以預(yù)定電壓，且每個(gè)存儲(chǔ)電極線131包括基本上平行于柵線121延伸的桿(stem)、多個(gè)從桿分枝出的第一、第二、第三和第四存儲(chǔ)電極133a、133b、133c和133d、多個(gè)存儲(chǔ)連接部133e。每個(gè)存儲(chǔ)電極線131設(shè)置在兩個(gè)相鄰的柵線121之間，且桿與兩個(gè)相鄰的柵線121中的上面的一個(gè)靠近。
第一和第二存儲(chǔ)電極133a和133b在縱向方向上延伸且彼此面對(duì)。第一存儲(chǔ)電極133a具有與桿相連接的固定末端部分、以及與該固定末端部分相對(duì)設(shè)置且具有凸出部的自由末端部分。第三和第四存儲(chǔ)電極133c和133d分別大致從第一存儲(chǔ)電極133a的中心和第二存儲(chǔ)電極133b的上端和下端傾斜延伸。每個(gè)存儲(chǔ)連接部133e在相鄰的第一到第四存儲(chǔ)電極133a-133d之間連接。然而，存儲(chǔ)電極線131可以具有各種形狀和排列。
像素電極190與包括第一到第四存儲(chǔ)電極133a-133d的存儲(chǔ)電極線131交迭。每個(gè)像素電極190被成形為大致象矩形，其具有幾乎與柵線121平行的下部和上部橫向主邊、與數(shù)據(jù)線171幾乎平行的左和右縱向主邊、倒角。像素電極190的倒角與柵線121成約45度的角。與第一和第二存儲(chǔ)電極133a和133b相比，像素電極190的左和右縱向主邊被布置成更靠近數(shù)據(jù)線171。漏電極175與之相連的像素電極190與包括第一到第四存儲(chǔ)電極133a-133d的存儲(chǔ)電極線131形成存儲(chǔ)電容器。
源電極173與柵線121間隔開(kāi)，且歐姆接觸161b布置在柵電極124和源電極173的邊緣之間。第三半導(dǎo)體島151a和歐姆接觸161a布置在柵線121和數(shù)據(jù)線171之間。
多個(gè)隔離開(kāi)的金屬片178形成在柵絕緣層140上，鈍化層180和柵絕緣層140具有多個(gè)露出存儲(chǔ)電極線131的在第一存儲(chǔ)電極133a的固定末端部分附近的部分的固定末端接觸孔183a和多個(gè)露出第一存儲(chǔ)電極133a的自由末端部分的自由末端接觸孔183b，多個(gè)上跨橋(overpass)83形成于鈍化層180上。
隔離開(kāi)的金屬片178布置在柵線121上第一存儲(chǔ)電極133a附近，上跨橋83布置在隔離開(kāi)的金屬片178上。上跨橋83跨越柵線121，且分別經(jīng)過(guò)固定末端和自由末端接觸孔183a和183b與存儲(chǔ)電極線131的暴露部分和第一存儲(chǔ)電極133a的暴露的自由末端部分相連接，其布置成關(guān)于柵線121彼此對(duì)立。存儲(chǔ)電極線131與上跨橋83一起可用于修復(fù)柵線121、數(shù)據(jù)線171或TFT中的缺陷。
每個(gè)像素電極190具有第一中心切口91、第一下切口93a和第一上切口93b，它們把像素電極190劃分成多個(gè)分區(qū)(partition)。第一中心、第一下和第一上像素電極切口91、93a和93b相對(duì)于二等分像素電極190的假想橫線具有鏡面對(duì)稱性(inversion symmetry)。
第一下和第一上像素電極切口93a和93b分別從像素電極190的右縱向主邊直角附近傾斜延伸大致至像素電極190的左縱向主邊的中心，且與第三和第四存儲(chǔ)電極133c和133d交迭。第一下和第一上像素電極切口93a和93b分別被布置于像素電極190的下半部和上半部處，該下半部和上半部可由該假想橫線劃分。第一下和第一上像素電極切口93a和93b與柵線121成大約45度的角，且基本上彼此垂直地延伸。
第一中心像素電極切口91沿該假想橫線延伸，且具有自像素電極190的右主邊起的入口，該入口具有一對(duì)基本上分別平行于第一下切口93a和第一上切口93b的斜邊。
于是，像素電極190的下半部被第一下像素電極切口93a分割成兩個(gè)下分區(qū)，像素電極190的上半部也被第一上像素電極切口93b分割成兩個(gè)上分區(qū)。分區(qū)的數(shù)量或像素電極切口的數(shù)量根據(jù)設(shè)計(jì)因素變化，該設(shè)計(jì)因素例如是像素的尺寸、像素電極190的橫向主邊與縱向主邊之比、LC層3的類型和特性。
下面參照?qǐng)D7-9描述公共電極板200。
被稱作黑矩陣的用于防止光泄露的光阻擋元件220形成在諸如透明玻璃或塑料的絕緣基板210上。光阻擋元件220有多個(gè)面對(duì)像素電極190的開(kāi)口225，它可以具有與像素電極190基本相似的平面形狀。在其它情況下，光阻擋元件220可以包括多個(gè)面對(duì)TFT陣列板100上的數(shù)據(jù)線171的直線部分和多個(gè)面對(duì)TFT陣列板100上的TFT的展寬的部分。
多個(gè)濾色器230形成在絕緣基板210上，且基本上設(shè)置在被光阻擋元件220包圍的區(qū)域內(nèi)。濾色器230可以基本上在沿像素電極190的縱向方向上延伸。濾色器230可以表現(xiàn)出諸如紅、綠或藍(lán)的原色之一。
保護(hù)層(overcoat)250形成在濾色器230和光阻擋元件220上。保護(hù)層250優(yōu)選由有機(jī)絕緣體制造。它防止濾色器230暴露且提供平坦表面。保護(hù)層250可以被省略。
公共電極270形成在保護(hù)層250上。公共電極270優(yōu)選由諸如ITO和IZO的透明導(dǎo)電材料制造。
公共電極270面對(duì)像素電極190，且包括第一中心切口71、第一下切口73a和第一上切口73b。第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b中的每一個(gè)被布置于相鄰的第一中心、第一下和第一上像素電極切口91、93a和93b之間或者在第一下或第一上像素電極切口93a或93b與像素電極190的倒角之間。每個(gè)第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b至少有基本上平行于第一下像素電極切口93a或第一上像素電極切口93b延伸的傾斜部分。第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b相對(duì)于上述的二等分像素電極190的假想橫線大致具有鏡面對(duì)稱性。
每個(gè)第一下和第一上公共電極切口73a和73b包括傾斜部分、橫向部分和縱向部分。傾斜部分大致從像素電極190的左縱向主邊大致至像素電極190的下部或上部橫向主邊延伸。每個(gè)橫向和縱向部分從傾斜部分的各末端沿著像素電極190的邊延伸，與像素電極190的邊交迭，且與傾斜部分成鈍角。
第一中心公共電極切口71包括中心橫向部分、一對(duì)傾斜部分和一對(duì)終端縱向部分。中心橫向部分大約從像素電極190的左縱向主邊沿上述橫線延伸。傾斜部分從中心橫向部分的末端大致至像素電極190的右縱向主邊延伸，且與中心橫向部分成斜角。終端縱向部分從各自的傾斜部分的末端沿像素電極190的右縱向主邊延伸，與像素電極190的右縱向主邊交迭，并與各自的傾斜部分成鈍角。
第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b的數(shù)目可以依據(jù)設(shè)計(jì)因素改變，光阻擋元件220也可以與第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b交迭，以阻擋光經(jīng)第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b泄漏。
可以同向(homeotropic)的第一和第二配向?qū)?alignment layer)11和21被涂覆在TFT陣列和公共電極板100和200的內(nèi)表面上。
該對(duì)偏光器12和22被提供在TFT陣列和公共電極板100和200的外表面上，從而它們的偏振軸可以交叉，且偏振軸中的一個(gè)可以與柵線121平行。當(dāng)偏振軸與切口71-72b和91-92b之間的角度為約45度時(shí)，光效率非常高。當(dāng)偏振軸與TFT陣列和公共電極板100和200的邊基本平行時(shí)，即與柵線121和數(shù)據(jù)線171平行時(shí)，用于該對(duì)偏光器12和22的成本非常小。當(dāng)LCD是反射式LCD時(shí)，該對(duì)偏光器12和22中的一個(gè)可省略。
LCD還可以包括至少一個(gè)用于補(bǔ)償LC層3的延遲的阻滯膜(retardationfilm)(未示出)。LCD還可以包括背光單元(未示出)，其經(jīng)過(guò)該對(duì)偏光器12和22、阻滯膜和TFT陣列和公共電極板100和200向LC層3提供光。
優(yōu)選的是，LC層3具有負(fù)的介電各向異性，且其進(jìn)行垂直排列，即LC層3中的LC分子31被排列，使得在沒(méi)有電場(chǎng)時(shí)，其長(zhǎng)軸基本上垂直于TFT陣列和公共電極板100和200的表面。因此，入射光不能經(jīng)過(guò)由該對(duì)偏光器12和22構(gòu)成的交叉偏振系統(tǒng)。
在將公共電壓應(yīng)用到公共電極270上且將數(shù)據(jù)電壓應(yīng)用到像素電極190上時(shí)，產(chǎn)生基本上垂直于TFT陣列與公共電極板100和200的表面的電場(chǎng)。像素電極191和公共電極270二者通常稱作“場(chǎng)產(chǎn)生電極”。LC分子31響應(yīng)該電場(chǎng)而易于改變其取向，從而它們的長(zhǎng)軸垂直于場(chǎng)方向。
第一中心、第一下和第一上像素電極切口91、93a和93b和第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b和像素電極190的邊使電場(chǎng)變形以具有水平分量，該水平分量基本上與第一中心、第一下和第一上像素電極切口91、93a和93b和第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b的邊緣、以及像素電極190的邊緣垂直。
參見(jiàn)圖8，第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b和第一中心、第一下和第一上像素電極切口91、93a和93b將像素電極190分成多個(gè)子區(qū)域，且每個(gè)子區(qū)域有兩主要邊，該主要邊與像素電極190的主邊成斜角。因?yàn)槊總€(gè)子區(qū)域上的大多數(shù)LC分子31垂直于該主要邊傾斜，所以傾斜方向的方位角分布局限在四個(gè)方向，由此增加LCD的基準(zhǔn)視角(referenceviewing angle)。子區(qū)域的寬度優(yōu)選從約12微米到約20微米，更優(yōu)選地從約17微米到約19微米。
第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b和第一中心、第一下和第一上像素電極切口91、93a和93b的寬度優(yōu)選等于從約9微米到約12微米，且第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b和第一中心、第一下和第一上像素電極切口91、93a和93b的形狀和排列可以被修改。
第一中心、第一下和第一上公共電極切口71、73a和73b和第一中心、第一下和第一上像素電極切口91、93a和93b中的至少一個(gè)可以被優(yōu)選具有從約5微米至約10微米的寬度的凸起(未示出)或凹陷(未示出)代替。該凸起優(yōu)選由有機(jī)或無(wú)機(jī)材料制成，并布置在像素電極190或公共電極270之上或之下。
圖1和2所示的用于LCD的TFT陣列板的許多上述特征可適用于圖6-9所示的TFT陣列板。
將參照?qǐng)D10、11、12和13詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD。
圖10示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于LCD的TFT陣列板的布圖，圖11示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于LCD的公共電極板的布圖，圖12示出包括圖10所示TFT陣列板和圖11所示公共電極板的LCD的剖面圖，圖13示出圖12所示LCD的沿線XIII-XIII′截取的剖面圖。
參見(jiàn)圖10-13，根據(jù)此實(shí)施例的LCD也包括TFT陣列板100、公共電極板200、置于TFT陣列和公共電極板100和200之間的LC層3、依附于TFT陣列和公共電極板100和200外表面的一對(duì)偏光器12和22。
根據(jù)此實(shí)施例的TFT陣列和公共電極板100和200的疊層結(jié)構(gòu)與圖6-9所示的結(jié)構(gòu)相似。
關(guān)于TFT陣列板100，多個(gè)包括柵電極124和柵線末端部分129的柵線121和多個(gè)存儲(chǔ)電極線131形成在絕緣基板110上。柵絕緣層140、多個(gè)第一和第二半導(dǎo)體島151和154和多個(gè)歐姆接觸161、163和165形成在柵線121和存儲(chǔ)電極線131上。多個(gè)包括源電極173和數(shù)據(jù)線末端部分179的數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175形成在歐姆接觸163和165和柵絕緣層140之上，鈍化層180形成在其上。多個(gè)第一、第二和第三接觸孔181、182和185被提供在鈍化層180和柵絕緣層140處。多個(gè)包括第一和第二中心和第一至第三下和上像素電極切口91-95b的像素電極190和多個(gè)第一和第二接觸輔助物81和82形成在鈍化層180上，且第一配向?qū)?1覆蓋于其上。
關(guān)于公共電極板200，光阻擋元件220、多個(gè)濾色器230、保護(hù)層250、包括第一和第二中心和第一至第三下和上公共電極切口71-75b的公共電極270和第二配向?qū)?1形成在絕緣基板210上。
在此實(shí)施例中，每個(gè)存儲(chǔ)電極線131幾乎與兩個(gè)鄰近的柵線121等距離，且包括多個(gè)向上和向下擴(kuò)展的第五存儲(chǔ)電極135。然而，存儲(chǔ)電極線131可以具有各種形狀和排列。
每個(gè)漏電極175包括寬的末端部分和兩條分支。寬的末端部分與第五存儲(chǔ)電極135交迭，寬的末端部分的邊基本上與第五存儲(chǔ)電極135的邊平行。分支形成包圍柵電極124的鉤狀部分，且分支被布置在兩條平行直線上。源電極173包圍分支的末端部分，且具有象字母“S”的形狀。
具有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性的此結(jié)構(gòu)也保持柵電極124和漏電極175之間的交迭面積一致，從而維持柵電極124和漏電極175之間的寄生電容一致。
根據(jù)此實(shí)施例的TFT陣列板100還包括布置在鈍化層180上的屏蔽電極88。屏蔽電極88被供以公共電壓，且它包括沿?cái)?shù)據(jù)線171延伸的縱向部分和沿柵線121延伸的橫向部分?？v向部分完全覆蓋數(shù)據(jù)線171，橫向部分連接相鄰的縱向部分且位于柵線121的邊界之內(nèi)。屏蔽電極88阻擋數(shù)據(jù)線171和像素電極190之間、以及數(shù)據(jù)線171和公共電極270之間產(chǎn)生的電場(chǎng)，從而減少像素電極190的電壓的失真和被數(shù)據(jù)線171傳送的數(shù)據(jù)電壓的信號(hào)延遲。因?yàn)樵谄帘坞姌O88和公共電極270之間沒(méi)有電場(chǎng)，所以屏蔽電極88上的LC分子(未示出)保持它們最初的取向，于是入射在其上的光被阻擋。因此，屏蔽電極88可以用作光阻擋元件。
中心、第一至第三下和第一至第三上像素電極切口71-74b中的每一個(gè)在其傾斜部分處具有至少一個(gè)凹陷的缺口(notch)。凹陷的缺口確定了中心、第一至第三下和第一至第三上公共電極切口71-74b上的LC分子的傾斜方向，并且凹陷的缺口可以被提供在中心、第一至第四下和第一至第四上像素電極切口91-95b處。
圖6-9所示的用于LCD的TFT陣列板的許多上述特征可適用于圖10-13所示的TFT陣列板。
將參照?qǐng)D14和15詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD。
圖14示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的布圖，圖15示出圖14所示LCD的沿線XV-XV′截取的剖面圖。
參見(jiàn)圖14和15，根據(jù)此實(shí)施例的LCD也包括TFT陣列板100、公共電極板200、插入在TFT陣列和公共電極板100和200之間的LC層3和依附于TFT陣列和公共電極板100和200的外表面上的一對(duì)偏光器12和22。
根據(jù)此實(shí)施例的TFT陣列和公共電極板100和200的疊層結(jié)構(gòu)與圖10-13所示的疊層結(jié)構(gòu)近似。
關(guān)于TFT陣列板100，多個(gè)包括柵電極124和柵線末端部分129的柵線121和多個(gè)包括第六存儲(chǔ)電極137的存儲(chǔ)電極線131形成在絕緣基板110上。柵絕緣層140、多個(gè)包括多個(gè)半導(dǎo)體帶凸出部153的半導(dǎo)體帶152、以及多個(gè)包括歐姆接觸帶凸出部163的歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165相繼形成在柵線121和存儲(chǔ)電極線131上。多個(gè)包括源電極173和數(shù)據(jù)線末端部分179的數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175形成在歐姆接觸163和165上，且鈍化層180形成在其上。多個(gè)第一、第二和第三接觸孔181、182和185被提供在鈍化層180和柵絕緣層140處。多個(gè)包括第一和第二中心和第一至第三下和上像素電極切口91-95b的像素電極190和多個(gè)第一和第二接觸輔助物81和82形成在鈍化層180上，且第一配向?qū)?1覆蓋在其上。
關(guān)于公共電極板200，光阻擋元件220、多個(gè)濾色器230、保護(hù)層250、包括第一和第二中心和第一至第三下和上公共電極切口71-75b的公共電極270和第二配向?qū)?1形成在絕緣基板210上。
在此實(shí)施例中，每個(gè)源電極173具有象勺子(scoop)的形狀布置在柵電極124上方。
此外，根據(jù)此實(shí)施例的TFT陣列板100的半導(dǎo)體帶152具有與數(shù)據(jù)線171和漏電極175以及其下的歐姆接觸161和165相似的平面形狀。然而，半導(dǎo)體帶152的半導(dǎo)體帶凸出部153包括一些沒(méi)有被數(shù)據(jù)線171或漏電極175覆蓋的暴露部分，諸如位于源電極173和漏電極175之間的部分。
如上所述，使用一個(gè)光刻步驟形成像素電極以及連接漏電極和像素電極的接觸孔。因此，用于形成像素電極的光刻步驟被省略掉，以簡(jiǎn)化制造方法，從而減少生產(chǎn)時(shí)間和成本。
將參照?qǐng)D16詳細(xì)介紹根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD。
圖16是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的布圖。
參見(jiàn)圖16，根據(jù)此實(shí)施例的LCD的布圖結(jié)構(gòu)與圖10-13所示的布圖結(jié)構(gòu)相似。
在此實(shí)施例中，像素電極190被分成通過(guò)像素電極連接部90ab彼此連接的下像素電極部分190a和上像素電極部分190b。下和上像素電極部分190a和190b具有第一至第四下和上像素電極切口93a-96b，所述切口相對(duì)于像素電極190的中心橫線具有對(duì)稱性。
公共電極270具有設(shè)置在第一至第四下和上像素電極切口93a-96b和像素電極190的倒角之間的第一至第五下和上公共電極切口73a-77b。
各柵線121被設(shè)置在下像素電極部分190a和上像素電極部分190b之間，且包括多個(gè)向上和向下凸出的柵電極124，柵電極相對(duì)于柵線121具有對(duì)稱性。
各存儲(chǔ)電極線131被布置于相鄰的像素電極190之間，且包括與下和上像素電極部分190a和190b交迭的成對(duì)第七存儲(chǔ)電極135a和135b。
各成對(duì)漏電極175a和175b與柵電極124交迭，且相對(duì)于柵線121的中心線具有鏡面對(duì)稱性。該對(duì)漏電極175a和175b包括與該對(duì)第七存儲(chǔ)電極135a和135b交迭的擴(kuò)展部分。
各源電極173包圍一對(duì)漏電極175a和175b，具有象字母“H”的形狀。
本發(fā)明可以被用于包括LCD和OLED顯示器的任何顯示裝置。
雖然以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)清楚理解，此處教導(dǎo)的基本發(fā)明構(gòu)思的對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯然的諸多變化和/或修改仍在如所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的主旨和范圍內(nèi)。
本申請(qǐng)要求2004年11月3日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2004-0088812號(hào)的優(yōu)先權(quán)，在此引用它所公開(kāi)的全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列板，包括柵電極；半導(dǎo)體層；設(shè)置于該柵電極和該半導(dǎo)體層之間的柵絕緣層；與該半導(dǎo)體層相連接的源電極；以及與該半導(dǎo)體層相連接、與該源電極間隔開(kāi)且包括與該柵電極交迭的兩條分支的漏電極，其中漏電極的該兩條分支彼此間隔開(kāi)，且位于一直線上或者兩條平行直線上。
2.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管陣列板，其中該柵電極具有兩條對(duì)立的邊，所述邊分別與該兩條分支相交且彼此基本平行。
3.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管陣列板，還包括與該柵電極耦接的柵線；與該漏電極耦接的數(shù)據(jù)線；以及與該漏電極耦接的像素電極。
4.如權(quán)利要求3的薄膜晶體管陣列板，其中該兩條分支相對(duì)于經(jīng)過(guò)該柵電極并與該柵線或者該數(shù)據(jù)線平行的中心線具有對(duì)稱性。
5.如權(quán)利要求4的薄膜晶體管陣列板，其中該源電極包圍該兩條分支。
6.如權(quán)利要求5的薄膜晶體管陣列板，其中該源電極相對(duì)于經(jīng)過(guò)該柵電極并與該柵線或者該數(shù)據(jù)線平行的該中心線具有對(duì)稱性。
7.如權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列板，其中該源電極與除該源電極以外的柵線間隔開(kāi)。
8.如權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列板，其中該源電極具有象字母“H”的形狀，或者具有象旋轉(zhuǎn)約90度的字母“H”的形狀。
9.如權(quán)利要求8的薄膜晶體管陣列板，其中該像素電極包括下半部和上半部，該下半部和上半部相對(duì)于該柵線彼此對(duì)立布置。
10.如權(quán)利要求9的薄膜晶體管陣列板，其中該漏電極相對(duì)于該柵線的中心線具有對(duì)稱性。
11.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管陣列板，還包括與該像素電極和該漏電極中的至少一個(gè)交迭的存儲(chǔ)電極線。
12.如權(quán)利要求11的薄膜晶體管陣列板，其中該存儲(chǔ)電極布置在該像素電極的邊附近。
13.如權(quán)利要求11的薄膜晶體管陣列板，其中該存儲(chǔ)電極布置在該漏電極的邊附近。
14.一種薄膜晶體管，包括柵電極，具有第一邊和對(duì)立于該第一邊布置的第二邊；半導(dǎo)體層；布置在該柵電極和該半導(dǎo)體層之間的柵絕緣層；與該半導(dǎo)體層相連接的源電極；與該半導(dǎo)體層相連接、與該源電極間隔開(kāi)且包括第一分支和第二分支的漏電極，其中該第一分支與該柵電極的該第一邊以一個(gè)預(yù)定角度相交，該第二分支與該柵電極的該第二邊以相同或者另一預(yù)定角度相交。
15.如權(quán)利要求14的薄膜晶體管，其中該柵電極的該第一邊與該柵電極的該第二邊基本上平行。
16.一種薄膜晶體管陣列板，包括包括柵電極的柵線；與該柵線相交且包括源電極的數(shù)據(jù)線；與該源電極隔開(kāi)設(shè)置且包括兩條分支的漏電極；與該源電極和該漏電極相連接的半導(dǎo)體層；形成在該柵線、該數(shù)據(jù)線、該漏電極和該半導(dǎo)體層上的鈍化層；以及與該漏電極相連接的像素電極，其中該源電極包括彼此連接且彼此對(duì)立設(shè)置的兩個(gè)凹入部分，該兩個(gè)凹入部分包圍該漏電極的各分支。
17.如權(quán)利要求16的薄膜晶體管陣列板，其中該源電極包括連接在該凹入部分和該數(shù)據(jù)線之間的連接部分，該連接部分與該柵線間隔開(kāi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及薄膜晶體管陣列板，其包括柵電極；半導(dǎo)體層；布置在柵電極和半導(dǎo)體層之間的柵絕緣層；與該半導(dǎo)體層相連接的源電極；與半導(dǎo)體層相連接、與源電極間隔開(kāi)且包括兩條與柵電極交迭的分支的漏電極，其中漏電極的該兩條分支相互分隔開(kāi)，且位于一條直線或者兩條平行直線上。
文檔編號(hào)H01L29/78GK1805147SQ200510119168
公開(kāi)日2006年7月19日 申請(qǐng)日期2005年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月3日
發(fā)明者田尚益 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社