專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置制造用模具和半導(dǎo)體裝置，特別是涉及具有芯片尺寸封裝構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
近些年來，隨著對電子機(jī)器和裝置的小型化的要求，人們正在謀求半導(dǎo)體裝置的小型化和高密度化。因此，采用使半導(dǎo)體裝置的形狀極力接近半導(dǎo)體器件(芯片)的辦法來謀求小型化。提出了所謂芯片尺寸封裝構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的方案。
此外，當(dāng)因高密度化而使之多管腳化且使半導(dǎo)體裝置小型化時(shí)，則外部連接端子的步距將會(huì)變窄。為此，作為可以節(jié)省空間地形成比較多的外部連接端子的構(gòu)造，進(jìn)行了把突出電極用作外部端子的工作。
圖1(A)示出了在現(xiàn)有的裸片(倒裝芯片)裝配中所用的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。示于同圖的半導(dǎo)體裝置1，粗分起來，由半導(dǎo)體器件2(半導(dǎo)體芯片)和多個(gè)突出電極4等構(gòu)成。
在半導(dǎo)體器件2的下表面上，例如，矩陣狀地形成了多個(gè)將成為外部端子的突出電極4。該突出電極4由于是用焊錫等的軟金屬形成的電極，所以易于受損傷，因而難于實(shí)施裝卸和測試。同樣，半導(dǎo)體器件2由于也是裸露芯片狀態(tài)，因而易于受損傷，因此和突出電極4一樣難于實(shí)施裝卸和測試。
此外，要想把上述的半導(dǎo)體裝置1裝配到裝配基板5(例如，印刷布線基板)上去，如圖1(B)所示，首先，要在裝配基板5上形成已在半導(dǎo)體裝置1上形成的突出電極4。接著，如圖1(C)所示，在半導(dǎo)體器件2和裝配基板5之間裝填上所謂的填充區(qū)6(用帶點(diǎn)的區(qū)域表示)。
該填充區(qū)6采用把比較具有流動(dòng)性的樹脂填充到在半導(dǎo)體器件2與裝配基板5之間形成的間隙7(與突出電極的高度大致相等)中的辦法形成。
設(shè)置這樣地形成的填充區(qū)6的目的，是為了防止突出電極4與裝配基板5的電極5a之間的接合部位，或突出電極4與半導(dǎo)體器件2的電極之間的接合部位，因基于半導(dǎo)體器件2和裝配基板5之間的熱膨脹之差而產(chǎn)生的應(yīng)力，和因裝配時(shí)的熱而開放時(shí)所產(chǎn)生的加在半導(dǎo)體器件2與突出電極4之間的接合部上的應(yīng)力而被破壞。
如上所述，填充區(qū)6從防止突出電極4與裝配基板5之間的破壞(特別是電極與突出電極4之間的破壞)方面是有利的。然而，該填充區(qū)6由于必須填充到在半導(dǎo)體器件2與裝配基板5之間形成的狹窄的間隙7中去，故填充作業(yè)很麻煩，而且，均勻地把填充區(qū)6配置到整個(gè)間隙7中去是困難的。因此，存在著盡管形成了填充區(qū)6，但仍會(huì)產(chǎn)生在突出電極4與電極5a之間的接合部或者在突出電極4于半導(dǎo)體器件2的電極之間的接合部上的破壞，降低裝配中的可靠性的問題。
另外，上述半導(dǎo)體裝置1，由于半導(dǎo)體器件2在露出到外部的狀態(tài)下被配到基板5上，所以存在著強(qiáng)度弱，因而可靠性降低的問題。
再者，由于突出電極4的構(gòu)成，是直接形成于已形成在半導(dǎo)體器件2的下表面上的電極焊盤上，所以電極焊盤的布局就原封不動(dòng)地變成為突出電極4的布局。即，在上述的半導(dǎo)體裝置中，由于不能在其內(nèi)部走布線，所以存在著將成為外部連接端子的突出電極4的布局自由度低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是有鑒于上述那些問題而發(fā)明的，目的是提供一種可以提高半導(dǎo)體裝置的制造效率和可靠性的半導(dǎo)體裝置。
此外，本發(fā)明的另一目的是提供一種可以提高半導(dǎo)體裝置的端子布局的自由度，同時(shí)可以改善可靠性的半導(dǎo)體裝置及其制造方法及其裝配構(gòu)造。
為了解決上述課題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導(dǎo)體器件；以及形成在半導(dǎo)體器件的表面上、密封住除了突出電極的頂端部分的上述突出電極的樹脂層；上述突出電極具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的導(dǎo)電膜。
本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導(dǎo)體器件；在半導(dǎo)體器件的表面上形成的、密封住除了突出電極的頂端部分的上述突出電極的樹脂層；以及在從上述樹脂層中已露出來的上述突出電極的頂端部分形成的外部連接用突出電極，上述突出電極具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的導(dǎo)電膜。
本發(fā)明提供的另一種半導(dǎo)體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導(dǎo)體器件；以及在半導(dǎo)體器件的表面上形成的剩下上述突出電極的頂端部分來密封上述突出電極的樹脂層，上述半導(dǎo)體器件的外周部分比中央部分薄。
本發(fā)明提供的又一種半導(dǎo)體裝置，其特征是具備在表面上形成有至少一個(gè)突出電極的半導(dǎo)體器件；以及在半導(dǎo)體器件的上述表面上形成的剩下上述突出電極的頂端部分來密封上述突出電極的樹脂層；上述突出電極由在突出的核心部分的表面上形成的導(dǎo)電膜和上述核心部分的表面所形成。
本發(fā)明提供的再一種半導(dǎo)體裝置，其特征是具備在表面上形成有至少一個(gè)突出電極的半導(dǎo)體器件；在半導(dǎo)體器件的上述表面上形成的剩下上述突出電極的頂端部分來密封上述突出電極的樹脂層；以及在從上述樹脂層中已露出來的上述突出電極的頂端部分上形成的外部連接用突出電極，上述突出電極由突出的核心部分和在上述核心部分表面上形成的導(dǎo)電膜所形成。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，其特征是具備下述工序樹脂密封工序，用于把已形成了已配設(shè)有突出電極的多個(gè)半導(dǎo)體器件的基板裝設(shè)到模具內(nèi)，接著，向上述突出電極的配設(shè)位置上供給樹脂，把上述突出電極和上述基板用上述樹脂密封，形成樹脂層；突出電極露出工序，用于用上述樹脂使上述突出電極的至少頂端部分露出來；分離工序，用于與上述樹脂層一起切斷上述基板以分離成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體器件。
倘采用該構(gòu)成，通過實(shí)施樹脂密封工序，因?yàn)槭谴嗳醯模孰y裝卸、測試的突出電極將變成已用樹脂層進(jìn)行了密封的狀態(tài)。該樹脂層起到保護(hù)表面和緩和在半導(dǎo)體器件的電極與突出電極之間的接合部上所發(fā)生的應(yīng)力的作用。在接下來的突出電極露出工序中，進(jìn)行使突出電極的至少是頂端部分露出來的處理。因此，在突出電極露出工序結(jié)束后的狀態(tài)下，突出電極將變成可以與外部的電路基板等電連的狀態(tài)。在接下來實(shí)施的分離工序中，與樹脂層一起切斷已形成了樹脂層的基板以分離成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體器件。這樣一來，就完成了各個(gè)半導(dǎo)體器件。這樣一來，由于樹脂層是在樹脂密封工序中形成的，所以在裝配半導(dǎo)體裝置之際，不需要再進(jìn)行填充區(qū)填充處理，因此可以使裝配處理變得容易起來。還有，將成為樹脂層的密封樹脂，由于不是供給到半導(dǎo)體裝置與裝配基板之間的窄地方而是供給到基板的突出電極的配設(shè)面部上并用模具模鑄成型，所以可以在整個(gè)突出電極的配設(shè)面上確實(shí)地形成樹脂層。這樣一來，由于對于所有的突出電極，樹脂層起著保護(hù)作用，所以可以確實(shí)地防止在加熱時(shí)突出電極與裝配基板的電極之間的接合部及突出電極與半導(dǎo)體器件之間的接合部的破壞，可以改善可靠性。


圖1是用于說明作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的樹脂密封工序，和作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置制造用模具的說明圖。圖1A～圖1C是說明現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的一個(gè)例子的說明圖。
圖2是用于說明作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的樹脂密封工序的說明圖。
圖3是用于說明作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的樹脂密封工序的說明圖。
圖4是用于說明作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的樹脂密封工序的說明圖。
圖5是用于說明作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的樹脂密封工序的說明圖。
圖6是用于說明作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的突出電極露出工序的說明圖。(A)示出了樹脂密封工序結(jié)束后的基板，(B)是用(A)的箭頭A示出的部分的擴(kuò)大圖。
圖7是用于說明作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的突出電極露出工序的說明圖。(A)示出了正在剝離薄膜的狀態(tài)的基板，(B)是用(A)的箭頭B示出的部分的擴(kuò)大圖。
圖8是作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法之內(nèi)，用于說明分離工序的說明圖。
圖9是用于說明作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖10是用于說明作為本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法、和和作為本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置制造用模具的說明圖。
圖11是作為本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖12是作為本發(fā)明的實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖13是作為本發(fā)明的實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖14是作為本發(fā)明的實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖15作為密封樹脂示出了用薄片狀樹脂的例子。
圖16作為密封樹脂的供給裝置示出了用絕緣混合物澆罐(potting)的例子。
圖17示出了把密封樹脂配設(shè)到薄膜一側(cè)的例子。
圖18是作為本發(fā)明的實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖19是用于說明作為本發(fā)明的實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。(A)示出了樹脂密封工序結(jié)束后的基板，(B)是用(A)的箭頭C示出的部分的擴(kuò)大圖。
圖20是用于說明作為本發(fā)明的實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。(A)示出了正在剝離薄膜的狀態(tài)的基板，(B)是用(A)的箭頭D示出的部分的擴(kuò)大圖。
圖21是作為本發(fā)明的實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖22是作為本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置制造用模具的說明圖。
圖23是作為本發(fā)明的實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置制造用模具的說明圖。
圖24是作為本發(fā)明的實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置制造用模具的說明圖。
圖25是作為本發(fā)明的實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置制造用模具的說明圖。
圖26是作為本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖27是作為本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖28是作為本發(fā)明的實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖29是作為本發(fā)明的實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖30是作為本發(fā)明的實(shí)施例10的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖31是作為本發(fā)明的實(shí)施例11的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖32是作為本發(fā)明的實(shí)施例12的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖33是作為本發(fā)明的實(shí)施例12的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖34是作為本發(fā)明的實(shí)施例13的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖35是作為本發(fā)明的實(shí)施例14的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖36是作為本發(fā)明的實(shí)施例15的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖37是作為本發(fā)明的實(shí)施例16的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖38是作為本發(fā)明的實(shí)施例17的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖39是作為本發(fā)明的實(shí)施例18的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖40是在圖39中所用的基板的擴(kuò)大圖。
圖41是作為本發(fā)明的實(shí)施例19的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖42是作為本發(fā)明的實(shí)施例20的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖43是作為本發(fā)明的實(shí)施例21的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖44是作為本發(fā)明的實(shí)施例22的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖45是作為本發(fā)明的實(shí)施例23的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖46的斜視圖示出了已形成了定位溝的半導(dǎo)體裝置。
圖47是作為本發(fā)明的實(shí)施例24的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖48是作為本發(fā)明的實(shí)施例25的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖49是作為本發(fā)明的實(shí)施例26的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖50是作為本發(fā)明的實(shí)施例27的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖51說明了通常的突出電極的構(gòu)造。
圖52是作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的裝配方法的說明圖。
圖53是作為本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的裝配方法的說明圖。
圖54是作為本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置的裝配方法的說明圖。
圖55是作為本發(fā)明的實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置的裝配方法的說明圖。
圖56是作為本發(fā)明的實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置的裝配方法的說明圖。
圖57是作為本發(fā)明的實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置的裝配方法的說明圖。
圖58是作為本發(fā)明的實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置的裝配方法的說明圖。
圖59是作為本發(fā)明的實(shí)施例28的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖60是作為本發(fā)明的實(shí)施例29的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖61是作為本發(fā)明的實(shí)施例29的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖62是作為本發(fā)明的實(shí)施例29的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其3)。
圖63是作為本發(fā)明的實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖64是作為本發(fā)明的實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置的裝配方法的說明圖。
圖65是作為本發(fā)明的實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的裝配方法的說明圖。
圖66是作為本發(fā)明的實(shí)施例10的半導(dǎo)體裝置的裝配方法的說明圖。
圖67是作為本發(fā)明的實(shí)施例11的半導(dǎo)體裝置的裝配方法的說明圖。
圖68是另一種半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖69是另一種半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖70是另一種半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其3)。
圖71是另一種半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的說明圖。
圖72是另一種半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖73是另一種半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖74是另一種半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其3)。
圖75是另一種半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其4)。
圖76示出了本發(fā)明的實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置制造用模具的變形例。
圖77示出了本發(fā)明的實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置制造用模具的變形例。
圖78是作為本發(fā)明的實(shí)施例30的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖79是作為本發(fā)明的實(shí)施例30的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖80是作為本發(fā)明的實(shí)施例30的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖81是作為本發(fā)明的實(shí)施例31的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖82是作為本發(fā)明的實(shí)施例31的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖83是作為本發(fā)明的實(shí)施例31的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖84是作為本發(fā)明的實(shí)施例32的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖85是作為本發(fā)明的實(shí)施例33的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖86是作為本發(fā)明的實(shí)施例34的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖87是剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)的說明圖。
圖88是作為本發(fā)明的實(shí)施例35的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖89是作為本發(fā)明的實(shí)施例35的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖90是作為本發(fā)明的實(shí)施例35的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖91是作為本發(fā)明的實(shí)施例36的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖92是作為本發(fā)明的實(shí)施例37的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖93是作為本發(fā)明的實(shí)施例38的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖94是作為本發(fā)明的實(shí)施例39的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖95是作為本發(fā)明的實(shí)施例40的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖96是作為本發(fā)明的實(shí)施例41的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖97是作為本發(fā)明的實(shí)施例42的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖98是作為本發(fā)明的實(shí)施例43的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖99是作為本發(fā)明的實(shí)施例44的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖100是作為本發(fā)明的實(shí)施例45的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖101是作為本發(fā)明的實(shí)施例46的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖102是作為本發(fā)明的實(shí)施例47的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖103示出了布線基板的另一實(shí)施例(其1)。
圖104示出了布線基板的另一實(shí)施例(其2)。
圖105出了布線基板的另一實(shí)施例(其3)。
圖106示出了布線基板的另一實(shí)施例(其4)。
圖107出了布線基板的另一實(shí)施例(其5)。
圖108示出了布線基板的另一實(shí)施例(其6)。
圖109示出了布線基板的另一實(shí)施例(其7)。
圖110是示于圖106中的布線基板的變形例的說明圖。
圖111是作為本發(fā)明的實(shí)施例48的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖112是作為本發(fā)明的實(shí)施例48的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖113是作為本發(fā)明的實(shí)施例48的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖114是作為本發(fā)明的實(shí)施例49的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖115是作為本發(fā)明的實(shí)施例50的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的說明圖。
圖116是作為本發(fā)明的實(shí)施例48～53的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖117是應(yīng)用了機(jī)械突出電極的各種半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖118是作為本發(fā)明的實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖119是作為本發(fā)明的實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖120是作為本發(fā)明的實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖121是作為本發(fā)明的實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其3)。
圖122是作為本發(fā)明的實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其4)。
圖123是作為本發(fā)明的實(shí)施例55的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖124是作為本發(fā)明的實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖125是作為本發(fā)明的實(shí)施例57的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖126是作為本發(fā)明的實(shí)施例55的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖127是作為本發(fā)明的實(shí)施例55的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖128是作為本發(fā)明的實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造的說明圖。
圖129是作為本發(fā)明的實(shí)施例55的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造的說明圖。
圖130是作為本發(fā)明的實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造的說明圖。
圖131是作為本發(fā)明的實(shí)施例57的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造的說明圖。
圖132是作為本發(fā)明的實(shí)施例58的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造的說明圖。
圖133是作為本發(fā)明的實(shí)施例59的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造的說明圖。
圖134是作為本發(fā)明的實(shí)施例60的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造的說明圖。
圖135是作為本發(fā)明的實(shí)施例57的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖136是作為本發(fā)明的實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖137是作為本發(fā)明的實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖138是作為本發(fā)明的實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其3)。
圖139是作為本發(fā)明的實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其4)。
圖140是作為本發(fā)明的實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其5)。
圖141是作為本發(fā)明的實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其6)。
圖142是作為本發(fā)明的實(shí)施例59的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖143是作為本發(fā)明的實(shí)施例60的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖144是作為本發(fā)明的實(shí)施例61的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖145是作為本發(fā)明的實(shí)施例62的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖146是作為本發(fā)明的實(shí)施例63的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖147是作為本發(fā)明的實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖148是作為本發(fā)明的實(shí)施例57的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖149是作為本發(fā)明的實(shí)施例65的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖150是作為本發(fā)明的實(shí)施例58的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖151是作為本發(fā)明的實(shí)施例58的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖152是作為本發(fā)明的實(shí)施例66的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖153是作為本發(fā)明的實(shí)施例59的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖154是作為本發(fā)明的實(shí)施例67的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖155是作為本發(fā)明的實(shí)施例60的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖156是作為本發(fā)明的實(shí)施例60的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖157是作為本發(fā)明的實(shí)施例60的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其3)。
圖158是作為本發(fā)明的實(shí)施例68的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖159是作為本發(fā)明的實(shí)施例61的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖160是作為本發(fā)明的實(shí)施例69的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖161是作為本發(fā)明的實(shí)施例62的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖162是作為本發(fā)明的實(shí)施例62的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖163是作為本發(fā)明的實(shí)施例62的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其3)。
圖164是作為本發(fā)明的實(shí)施例70的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖165是作為本發(fā)明的實(shí)施例63的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖166是作為本發(fā)明的實(shí)施例71的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖167是作為本發(fā)明的實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖168是作為本發(fā)明的實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖169是作為本發(fā)明的實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其3)。
圖170是作為本發(fā)明的實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其4)。
圖171是作為本發(fā)明的實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其5)。
圖172是作為本發(fā)明的實(shí)施例72的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
圖173是作為本發(fā)明的實(shí)施例65的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其1)。
圖174是作為本發(fā)明的實(shí)施例65的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其2)。
圖175是作為本發(fā)明的實(shí)施例65的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖(其3)。
圖176是作為本發(fā)明的實(shí)施例73的半導(dǎo)體裝置的說明圖。
圖177是作為本發(fā)明的實(shí)施例66的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
具體實(shí)施例方式
其次，與附圖一起說明本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1～圖8沿著制造順序示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法，圖9則示出了用作為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置。
首先，用圖9(A)和(B)，對用示于圖1～圖8的制造方法制造的將成為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置10進(jìn)行說明。半導(dǎo)體裝置10，大體上說，被作成為由半導(dǎo)體器件11，將成為突出電極的突起12和樹脂層13等構(gòu)成的極其簡單的構(gòu)成。
半導(dǎo)體器件11(半導(dǎo)體芯片)是在半導(dǎo)體襯底上已形成了電路的器件，其裝配一側(cè)的面上配設(shè)有多個(gè)突出電極12。突出電極12可以做成為例如用復(fù)制法配設(shè)焊錫球的構(gòu)成，起著外部連接電極的作用。在本實(shí)施例中，突出電極12的構(gòu)成被做成為直接配設(shè)到已形成于半導(dǎo)體器件11上的電極焊盤(未畫出來)。
此外，樹脂層13(用帶點(diǎn)的區(qū)域表示)由例如聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂(PPS、PEK、PES和耐熱性液晶樹脂等的熱可塑性樹脂)等的熱硬化性樹脂構(gòu)成，在半導(dǎo)體器件11的整個(gè)形成側(cè)面上形成。因此已配設(shè)到半導(dǎo)體器件11上的突出電極12雖然將變成被該樹脂層密封起來的狀態(tài)，但被構(gòu)成為使突出電極的頂端部分從樹脂層中露出來。即，樹脂層13剩下頂端部分來密封突出電極12那樣地形成于半導(dǎo)體器件上。
已被做成上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置10，將變成其全體的大小大體上與半導(dǎo)體芯片11的大小相等的所謂的芯片尺寸封裝的構(gòu)造。因此，半導(dǎo)體裝置10可以充分地應(yīng)付近些年來所特別要求的小型化的需要。
此外，如上所述，半導(dǎo)體裝置10被做成為在半導(dǎo)體器件11上邊形成樹脂層13的構(gòu)造，而且，該樹脂層被做成為剩下頂端部分密封突出電極的構(gòu)造。因此，結(jié)果將變成為用樹脂層13來保持脆弱的突出電極12，因此結(jié)果將變成為該樹脂層13起著與現(xiàn)有技術(shù)中所用的填充區(qū)(參看圖78)相同的作用。
即，借助于樹脂層13，可以防止半導(dǎo)體器件11、突出電極12、裝配基板14、突出電極12與連接電極15之間的接合部位、和突出電極12與半導(dǎo)體器件11之間的接合部位的破壞。
圖9(B)是用來說明把半導(dǎo)體裝置10裝配到裝配基板14上去的方法的說明圖。要想把半導(dǎo)體裝置10裝配到裝配基板14上去，要在對已形成在裝配基板14上的連接電極15與突出電極12定好位后進(jìn)行裝配。
這時(shí)，要做成為這樣的構(gòu)成在裝配處理之前，在半導(dǎo)體裝置10中，已預(yù)先在半導(dǎo)體器件11上形成了樹脂層13。因此，在把半導(dǎo)體裝置10裝配處理到裝配基板14上之際，不需要把填充區(qū)填充處理到半導(dǎo)體器件11與裝配基板14之間，這樣可以使裝配處理變得容易起來。
此外，在把半導(dǎo)體裝置10裝配到裝配基板14上去之際，為了使焊錫突出電極12接合到連接電極15上去，雖然要進(jìn)行加熱，但由于已配設(shè)到半導(dǎo)體器件11上的突出電極12用樹脂層13進(jìn)行保持，所以即便是在半導(dǎo)體器件11與裝配基板14之間發(fā)生了熱膨脹差，也可以確實(shí)地進(jìn)行裝配處理。
再有，在已把半導(dǎo)體裝置10裝配到裝配基板14上后，即便是在進(jìn)行加熱之類的情況下，即便是發(fā)生了在半導(dǎo)體器件11與裝配基板14之間的熱膨脹差，因?yàn)橥怀鲭姌O12被樹脂層13保持，所以也不會(huì)在突出電極12與連接電極15間發(fā)生剝離。因此，可以提高半導(dǎo)體裝置10在裝配中的可靠性。
接著，用圖1～圖8對已做成為上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置10的制造方法(實(shí)施例1的制造方法)進(jìn)行說明。
半導(dǎo)體裝置10，粗略地說，采用實(shí)施半導(dǎo)體器件形成工序，突出電極形成工序，樹脂密封工序，突出電極露出工序和分離工序等的辦法形成。在該各個(gè)工序內(nèi)，半導(dǎo)體器件形成工序，是對襯底用準(zhǔn)分子激光技術(shù)等進(jìn)行電路形成等的工序，而突出電極形成工序是用復(fù)制法等在已進(jìn)行了電路形成的半導(dǎo)體器件11上邊形成突出電極12的構(gòu)成。
該半導(dǎo)體器件形成工序和突出電極形成工序是用眾所周知的技術(shù)實(shí)施的，本發(fā)明的關(guān)鍵部分是樹脂封裝以后，所以決定在以下的說明中僅僅對樹脂密封工序以下的各個(gè)工序進(jìn)行說明。
圖1～圖5示出了樹脂密封工序。
樹脂密封工序還可以細(xì)分為裝設(shè)基板工序，樹脂層形成工序，和脫模工序。設(shè)樹脂密封工序開始，首先如圖1所示，采用經(jīng)由半導(dǎo)體器件形成工序和突出電極形成工序的辦法，把已形成多個(gè)半導(dǎo)體器件11的襯底16(大圓片)裝設(shè)到半導(dǎo)體裝置制造用模具20中去。
在這里，對將成為本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置用模具20(以下，僅稱之為模具20)的構(gòu)造進(jìn)行說明。
模具20粗略地說由上模21和下模22構(gòu)成。在該上模21和下模22中，內(nèi)設(shè)有圖中沒有畫出來的加熱器，構(gòu)成為可以熔融后邊要講的密封樹脂35的構(gòu)成。
上模21被構(gòu)成為借助于未畫出的升降裝置在圖中的箭頭Z1，Z2的方向上進(jìn)行升降動(dòng)作。此外，上模21的下面被當(dāng)做空腔面21a，該空腔面21a被做成為平坦面。因此，上模21的形狀被做成為極其簡單的形狀，可以廉價(jià)地制造上模21。
另一方面，下模22由第1半個(gè)下模23和第2半個(gè)下模24構(gòu)成。第1半個(gè)下模23被做成為與襯底16的形狀相對應(yīng)的形狀，具體地說，被設(shè)定為比襯底16的直徑尺寸稍大的直徑尺寸。襯底16被裝設(shè)到已形成在該第1半個(gè)下模23的下表面上的空腔面25上。在本實(shí)施例中，該第1半個(gè)下模23已被做成為已被固定的構(gòu)成。
此外，第2半個(gè)下模24被做成為把第1半個(gè)下模23圍繞起來的大體上的環(huán)形形狀。該第2半個(gè)下模24被構(gòu)成為借助于未畫出的升降裝置在圖中的箭頭Z1，Z2的方向上進(jìn)行升降動(dòng)作。此外，第2半個(gè)下模24的內(nèi)周壁被當(dāng)做空腔面26，在該空腔面26的上部的規(guī)定范圍內(nèi)，用改善脫模性的面形成了傾斜面27。
在樹脂密封工序開始后的狀態(tài)下，如圖1所示，第2半個(gè)下模24已變成了對第1半個(gè)下模23在Z2方向上往上動(dòng)后的狀態(tài)，因此，上邊所述的襯底16已被裝設(shè)到因第1和第2半個(gè)下模23、24聯(lián)合動(dòng)作所形成的凹部(空腔)內(nèi)。這時(shí)，襯底16被裝設(shè)為使已形成了突出電極12的面變成上側(cè)，因此，在裝設(shè)狀態(tài)中在襯底16上形成的突出電極12已變成為與上模21相向的狀態(tài)。
在象上述那樣地把襯底16裝設(shè)到下模22上后，接著，在不變形地的狀態(tài)下把薄膜30裝設(shè)到上模21的下部上的同時(shí)，把密封樹脂載置到襯底16的突出電極12上邊。
薄膜30例如可以用聚酰亞胺，氯乙烯，PC，Pet，靜分解性樹脂，合成紙等的紙，金屬箔，或者它們的合金，可選定那些不會(huì)因在后邊要講的樹脂成型時(shí)所加的熱而劣化的材料。在本實(shí)施例中所用的薄膜30選定除上述的耐熱性之外，要具有彈性的材料。這里所說的彈性指的是在后邊要講的密封中，突出電極的頂端部分可以沉入薄膜30內(nèi)的那種程度的彈性。
另一方面，密封樹脂35是例如聚酰亞胺，環(huán)氧樹脂(PPS，PEEK，PES和耐熱性液晶樹脂等的熱可塑性樹脂)等的樹脂，在本實(shí)施例中，用的是把該樹脂成型為圓柱形的構(gòu)成。此外，密封樹脂35的載置位置，如圖29(下模22的平面圖)所示，選定為大體上中央位置。以上，是襯底裝設(shè)工序的處理。
此外，在上邊所說的襯底裝設(shè)工序中，配設(shè)薄膜30的時(shí)刻并不限于在把襯底16裝設(shè)到下模板22中之后，也可以做成為在把襯底16裝設(shè)到下模板2中之前先配設(shè)好薄膜30。
如上所述，在襯底裝設(shè)工序結(jié)束后，接著就實(shí)施樹脂層形成工序。樹脂層形成工序開始后，在已確認(rèn)借助于模具20的加熱已升溫到可以使密封樹脂35熔融的溫度后(若密封樹脂35的高度充分小的情況下，則不需要確認(rèn))，使上模21在Z1方向上移動(dòng)。
采用使上模21在Z1方向上移動(dòng)的辦法，首先，上模21接觸到第2半個(gè)下模24的上表面上。這時(shí)，如上所述，由于在上膜21的下部已配設(shè)了薄膜30，所以在上模21接觸到第2半個(gè)下模24的時(shí)刻，如圖3所示，薄膜30在上模21與第2半個(gè)下模24之間，變成為已被夾緊的狀態(tài)。在該時(shí)刻，在模具20內(nèi)，形成了由上述各個(gè)空腔面24a，25，26圍成的空腔28。
另外，密封樹脂35借助于在Z1方向上運(yùn)動(dòng)的上模21通過薄膜30被壓縮而具有彈性(勢能)，而且，已被升溫到可以使樹脂35熔融的溫度，所以，如該圖所示，密封樹脂35將變成為在襯底16上邊某種程度的擴(kuò)展的狀態(tài)。
當(dāng)上模21接觸到第2半個(gè)下模24后，之后，上模21和第2半個(gè)下模24邊維持夾緊薄膜30的狀態(tài)邊整體性地在Z1方向上進(jìn)行向下運(yùn)動(dòng)。即，上模21和第2半個(gè)下模24都在Z1方向上移動(dòng)。
對此，構(gòu)成下模22的第1半個(gè)下模23，由于維持被固定的狀態(tài)，所以隨著上模21和第2半個(gè)下模24在Z1方向上的運(yùn)動(dòng)而使空腔28的容積減小，因此，結(jié)果變成為密封樹脂35邊在空腔28內(nèi)壓縮邊進(jìn)行樹脂成型(該樹脂成型法叫做壓縮成型法)。
具體地說，已載置到襯底16的中央的密封樹脂35因被加熱而軟化，而且，由于因上模21的向下運(yùn)動(dòng)而被壓縮，所以，密封樹脂35因被上模21推壓展寬而從中央位置向外周延展。這樣，已配設(shè)到襯底16上的突出電極12就從中央位置向著外側(cè)順次被密封樹脂進(jìn)行密封。
這時(shí)，如果上模21和第2半個(gè)下模24的移動(dòng)速度快，則人們認(rèn)為壓縮成型所產(chǎn)生的壓縮壓變高，在突出電極12上會(huì)發(fā)生損傷，而如果上模21和第2半個(gè)下模24的移動(dòng)速度慢，則將發(fā)生制造效率的降低。因此，上模21和第2半個(gè)下模24的移動(dòng)速度應(yīng)選定不使上邊所說的問題一起發(fā)生的適當(dāng)?shù)囊苿?dòng)速度。
上邊所說的上模21和第2半個(gè)下模24的向下運(yùn)動(dòng)，將一直進(jìn)行到被壓緊的薄膜30變成為被壓接到已形成于襯底16上的突出電極12上的狀態(tài)為止。此外，在薄膜30已被壓接到突出電極12上的狀態(tài)下，密封樹脂35已構(gòu)成為把在襯底16上形成的全部的突出電極12和襯底16都密封起來。圖4示出的是樹脂層形成工序結(jié)束后的狀態(tài)。在樹脂層形成工序結(jié)束后的狀態(tài)中，由于薄膜30已被向著襯底壓接，所以突出電極12的頂端部分將變成沉入到薄膜30中去的狀態(tài)。此外，采用使密封樹脂35配設(shè)到襯底16的整個(gè)面上的辦法，在突出電極12上形成密封樹脂層13。
此外，預(yù)先對密封樹脂層35的樹脂量進(jìn)行計(jì)量，并進(jìn)行設(shè)定，使得在如圖4所示的樹脂層形成工序結(jié)束了的時(shí)刻，樹脂層13的高度變得大體上與突出電極12的高度相等。如上所述，采用把密封樹脂35的樹脂量事先計(jì)量為既不會(huì)過量也不會(huì)不足的適當(dāng)?shù)牧康霓k法，在樹脂層形成工序中，就可以防止從模具20中流出過剩的樹脂35，或者反過來，樹脂35少變成為不能確實(shí)地對突出電極12和襯底16進(jìn)行密封這樣的缺點(diǎn)。
樹脂層形成工序結(jié)束后，接著實(shí)施脫模工序。在該脫模工序中，首先，使上模21在Z2方向上移動(dòng)。這時(shí)，由于已經(jīng)接觸到在第2半個(gè)下模24上形成了樹脂層13的傾斜部分27的位置變成了已經(jīng)固定接合的狀態(tài)，故襯底16和樹脂層13變成為已被保持到下模22上的狀態(tài)。因此，在使上模21在Z2方向上移動(dòng)的狀態(tài)下，結(jié)果將變成為僅僅上模21從薄膜30上脫離并往上移動(dòng)。
接著，使第2半個(gè)下模24對第1半個(gè)下模23在Z1方向上稍微移動(dòng)。從圖5的中心線往左，示出了上模21往上移動(dòng)，而第2半個(gè)下膜24在Z1方向上少許移動(dòng)后的狀態(tài)。如上所述，采用第2半個(gè)下模24對第1半個(gè)下模23在Z1方向上移動(dòng)的辦法，就可以使上述傾斜部分27和樹脂層13脫開。
如上所述，當(dāng)傾斜部分27和樹脂層13脫開后，接下來第2半個(gè)下模24開始在Z2方向上移動(dòng)。這樣，在第2半個(gè)下模24的上表面接觸到薄膜30的同時(shí)傾斜部分27接觸到樹脂層13的側(cè)壁上，因此，隨著第2半個(gè)下模24的往上移動(dòng)，襯底16就向著Z2方向移動(dòng)而產(chǎn)生彈力。
由于薄膜30維持著與樹脂層13固定接合的狀態(tài)，故采用使薄膜30移動(dòng)而產(chǎn)生彈力的辦法，使已形成了樹脂層13的襯底16從第2半個(gè)下模23中脫開。這樣，如從圖5的中心線右側(cè)所示，已形成了樹脂層13的襯底16從模具中脫模出來。
此外，在圖5的例子中，雖然存在著使第1半個(gè)下模23與樹脂層13固定接合的部分2，但因該固定接合部分狹窄，故固定接合力弱，因此采用使第2半個(gè)下模24在Z2方向上移動(dòng)的辦法，就可以使襯底16從第1半個(gè)下模23中確實(shí)地脫模。
如上所述，在本實(shí)施例的樹脂密封工序中，樹脂層13在樹脂層形成工序中被用模具20壓縮成型。另外，將變成樹脂層13的密封樹脂35并不是象現(xiàn)有技術(shù)(參看圖78)那樣填充于半導(dǎo)體裝置1與裝配基板5之間的狹窄的地方而是被載置到襯底16的已配設(shè)有突出電極12的面上邊，形成鑄模。
為此，就可以在襯底16的已形成了突出電極12的整個(gè)面上確實(shí)地形成樹脂層13，且可以在大體上與突出電極12的高度相等的狹窄的部分上確實(shí)地形成樹脂層13。這樣，由于在已在襯底16上形成的全部的突出電極12都被樹脂層13確實(shí)地密封，所以可以用樹脂層13確實(shí)地保持全部的突出電極12。因此，在用圖9說明過的加熱時(shí)，就可以確實(shí)地防止突出電極12與裝配基板14之間的接合部分處的破壞，可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。
此外，如上所述，構(gòu)成模具20的下模22由已被固定的第1半個(gè)下模23和被構(gòu)成為對該第1半個(gè)下模23可進(jìn)行升降的第2半個(gè)下模24構(gòu)成。因此，采用在形成了樹脂層13后，使第2半個(gè)下模24對第1半個(gè)下模23進(jìn)行升降動(dòng)作的辦法，可以使模具20具有脫模功能，使得可以容易地從模具20中取出已形成了樹脂層13的襯底16。在上述的樹脂密封工序結(jié)束后，接著就實(shí)施突出電極露出工序。圖6和圖7示出了突出電極露出工序。在樹脂密封工序結(jié)束的時(shí)刻，如圖6所示，薄膜30就已變成了與樹脂層13固定接合的狀態(tài)。此外，由于薄膜30由具有彈性的材料構(gòu)成，所以在已形成了樹脂層13的狀態(tài)下，突出電極12的頂端部分就已變成沉入到薄膜30里去的狀態(tài)。即，突出電極12的頂端部分變成了未被樹脂層13覆蓋的狀態(tài)(在圖6(B)中擴(kuò)大示出了該狀態(tài))。
在本實(shí)施例的突出電極露出工序中，如圖7(A)所示，進(jìn)行使已固定接合到1層13上的薄膜30從樹脂層13上剝離的處理。采用這樣地從樹脂層13上剝離薄膜30的辦法，如在圖7(B)中擴(kuò)大示出來的那樣，結(jié)果就變成為已變成為沉入到薄膜30中的狀態(tài)的突出電極12的頂端部分從樹脂層13中露出來。因此就可以用該已經(jīng)露出來的突出電極12的頂端部分進(jìn)行裝配處理。
如上所述，本實(shí)施例的突出電極露出工序僅僅是使薄膜30從樹脂層13上剝離的簡單的處理。因此，可以容易且效率良好地進(jìn)行突出電極露出處理。
此外，在象上述那樣把薄膜30裝設(shè)到模具20中去時(shí)，薄膜30已被配設(shè)為無變形，而且，上膜21的空腔面24a已變成平坦的形狀。再有，薄膜30具有均一性的品質(zhì)，在其整個(gè)面上具有均一的彈性。因此，在樹脂密封工序中，在突出電極12沉入薄膜30中之際，其沉入量是均一的。
這樣一來，在突出電極露出工序中，在薄膜30已從樹脂層13上剝離下來之際，就可以使從樹脂層13中露出的突出電極12的露出量變成為均一，使半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)恒定化以及使裝配時(shí)與連接電極15之間的接合性均一化。
此外，在上邊的說明中，在突出電極露出工序中，在薄膜30已從樹脂層13上剝離下來之際，雖然示出的是突出電極12完全從樹脂層13中露出來的構(gòu)成，但在已剝離下薄膜30的狀態(tài)下，雖然突出電極13的頂端部分極其之薄但也可以做成為被樹脂膜(密封樹脂35)覆蓋起來的構(gòu)成。采用做成為這種構(gòu)成的辦法，由于樹脂膜保護(hù)具有脆弱的性質(zhì)的突出電極13的上端部分，所以可以防止因突出電極13與外氣接觸而發(fā)生的氧化之類的劣化。
此外，在把突出電極13裝配到裝配基板上去的時(shí)候，由于不需要該樹脂膜，故必須除去。除去該樹脂膜的時(shí)刻，只要是在裝配到裝配基板上去之前，什么時(shí)刻都行。
在上述突出電極露出工序結(jié)束后，接著就實(shí)施分離工序。
圖8示出了分離工序。如同圖所示，在分離工序中，對每一半導(dǎo)體芯片11，用切片刀具29與樹脂層13一起切斷襯底16。這樣，就制造成了先前已說明過的圖9所示的半導(dǎo)體裝置10。
此外，應(yīng)用了切片刀具29的切片處理，是在半導(dǎo)體裝置的制造工序中普通所采用的處理，不是伴隨有什么特別的困難的處理。此外，雖然在襯底16上已形成了樹脂層13，但是切片刀具29具有連樹脂層13也能夠充分切斷的能力。
接下來，用圖10對作為本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法和作為本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置制造用模具20A(以下，僅稱之為模具20A)進(jìn)行說明。還有，在圖10中，對于與先前在圖1～圖9中已說明過的實(shí)施例1的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
首先，對本實(shí)施例的模具20A進(jìn)行說明。
本實(shí)施例的模具20A，粗略地說，也由上模21和下模22A構(gòu)成，上膜21和構(gòu)成下模22A的第1半個(gè)下模23與實(shí)施例所示的有關(guān)部分的構(gòu)成相同。然而，在本實(shí)施例中，具有下述特征在第2半個(gè)下模24A上設(shè)置有除去剩余樹脂的剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)40。
剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)40，粗略地說，由窗口部分41，罐(pot)42，和壓力控制桿43等構(gòu)成。窗口部分41是在已形成于在第2半個(gè)下模24A上形成的傾斜部分27的一部分上的窗口，該窗口部分41被構(gòu)成為與罐42連通。
罐42具有圓筒構(gòu)造，在該罐42的內(nèi)部，把已做成為活塞構(gòu)造的壓力控制桿43裝設(shè)為可以滑動(dòng)。該壓力控制桿43被連接到圖中未畫出的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)上，被構(gòu)成為在圖的Z1，Z2方向上可以對第2半個(gè)下模24A進(jìn)行升降動(dòng)作。
接下來，對用具有具備已做成為上述構(gòu)成的剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)40的模具20A實(shí)施的、本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。還有，由于在實(shí)施例2中，在半導(dǎo)體制造工序內(nèi)，在樹脂密封工序上具有特征，所以決定僅僅對該樹脂密封工序進(jìn)行說明。
在本實(shí)施例的樹脂密封工序開始后，就實(shí)施襯底16裝設(shè)工序。在襯底裝設(shè)工序中，如圖10(A)所示，把襯底16裝設(shè)到模具20A中去。
如同圖所示，在樹脂密封工序剛開始后的狀態(tài)下，第2半個(gè)下模24A就變成為對于第1半個(gè)下模23在Z1方向上移動(dòng)的狀態(tài)，而構(gòu)成剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)的壓力控制桿43則已變成為已在Z2方向上的定位置上移動(dòng)。當(dāng)象這樣地把襯底16裝設(shè)到下模22A上后，接下來，在把薄膜30配設(shè)到上模21的部分24a上的同時(shí)，把密封樹脂35載置到襯底16和襯底16的突出電極12上邊。
在上述的襯底裝設(shè)工序結(jié)束后，接著實(shí)施樹脂層形成工序。樹脂層形成工序開始后，上模21變成為在Z1方向上移動(dòng)，這樣，如圖10(B)所示，就變成上模21與第2半個(gè)下模24A接觸，變成為夾緊薄膜30的狀態(tài)。
在這一時(shí)刻，雖然在模具20A內(nèi)形成了由各個(gè)空腔面24a，25，26圍起來的空腔28，但構(gòu)成上述剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)40的窗口部分41，則變成為已在該空腔28上開了窗口的狀態(tài)。
當(dāng)上膜21與第2半個(gè)下模24A接觸后，之后，上膜21和第2半個(gè)下模24A就邊維持夾緊薄膜30的狀態(tài)邊整體性的地在Z1方向上進(jìn)行移動(dòng)。這樣，樹脂35就在空腔28內(nèi)邊壓縮邊進(jìn)行樹脂成型。
這時(shí)，為了防止發(fā)生對突出電極12的損傷且為了向空腔28的整個(gè)區(qū)域內(nèi)適當(dāng)?shù)靥畛錁渲?5，必須適當(dāng)?shù)剡x定上膜21和第2半個(gè)下模板4A在Z1方向上的速度，這一點(diǎn)前邊已經(jīng)說過了。使上模21和第2半個(gè)下模24A在Z1方向上的速度適當(dāng)化這件事，換句話說，等效于使空腔28內(nèi)的樹脂35的壓縮壓力適當(dāng)化。
在本實(shí)施例中，采用在模具20A上設(shè)置剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)的辦法，做成為下述構(gòu)成除控制上模21和第2半個(gè)下模24A在Z1方向上的速度外，采用驅(qū)動(dòng)壓力控制桿43的辦法，還可以控制樹脂35的壓縮壓力。因此，采用減小壓力控制桿43作用在Z2方向上的作用力的辦法，降低空腔28內(nèi)的密封樹脂35的壓力，而采用增大壓力控制桿43作用到Z2方向上的作用力的辦法，提高空腔28內(nèi)的密封樹脂35的壓力。
例如，在密封樹脂35的樹脂量比想要形成的樹脂層13的容量還多，且因樹脂而使空腔28內(nèi)的壓力上升的情況下，有將會(huì)變成為不能進(jìn)行適當(dāng)?shù)臉渲尚偷目赡?，但在這樣的情況下，如圖10(C)所示，采用使剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)40的壓力控制桿43在Z1方向上向下運(yùn)動(dòng)的辦法，就可以通過窗口部分41在罐42內(nèi)除去剩余樹脂。
因此，采用設(shè)置剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)40的辦法，就可以在樹脂層13的形成時(shí)同時(shí)地進(jìn)行剩余樹脂的除去處理，使得總是用既定的壓縮力進(jìn)行樹脂成型成為可能，使樹脂層13的形成得以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行。還有，在可以防止剩余樹脂從模具中泄漏的同時(shí)，由于即便是密封樹脂35的計(jì)量精度比實(shí)施例1低也不要緊，所以還可以使密封樹脂35的計(jì)量容易化。
在樹脂層形成工序結(jié)束后，接著實(shí)施脫模工序。在該脫模工序中的模具20A的動(dòng)作，基本上和實(shí)施例1一樣，即，首先，在使上模21在Z2方向上移動(dòng)的同時(shí)，使第2半個(gè)下模24A對于第1半個(gè)下模23在Z1方向上少許移動(dòng)。
圖10(D)的中心線左側(cè)，示出了使上模21在Z2方向上移動(dòng)，且使第2半個(gè)下模24A在Z1方向上少許移動(dòng)后的狀態(tài)。，如上所述，采用使第2半個(gè)下模24A對第1半個(gè)下模23在Z1方向上移動(dòng)的辦法，就可以使前邊所說過的傾斜部分27與樹脂層13脫開。
此外，在本實(shí)施例的情況下，采用設(shè)置剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)40的辦法，采用在窗口部分41的形成位置上除去剩余樹脂的辦法，雖然有發(fā)生毛刺的危險(xiǎn)，但是，該毛刺也可以采用使第2半個(gè)下模24A在Z1方向上移動(dòng)的辦法除掉。
如上所述，當(dāng)傾斜部分27和樹脂層13脫開后，接著第2半個(gè)下模24A開始在Z2方向上移動(dòng)，因此，第2半個(gè)下模24A的上表面接觸到薄膜30上的同時(shí)，傾斜部分27再次接觸到樹脂層13上，襯底16在從模具20A脫開的方向上移動(dòng)而產(chǎn)生彈力。這樣，如圖10(D)的中心線右側(cè)所示，已形成了樹脂層13的襯底16從模具20A中脫模。
此外，在本實(shí)施例的制造方法中，由于在樹脂成型時(shí)可以把空腔28內(nèi)的壓力控制為既定的壓力，所以可以防止在樹脂35內(nèi)留下空氣，發(fā)生氣泡?，F(xiàn)在，若假設(shè)想像在樹脂層13中發(fā)生了氣泡的情況，則就有因加熱處理時(shí)該氣泡膨脹而在樹脂層13上發(fā)生裂紋之類的損傷的可能性。
然而，采用象上述那樣地設(shè)置剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)的辦法，由于可以防止在樹脂層13上發(fā)生氣泡，所以在加熱時(shí)沒有在樹脂層13上發(fā)生損傷的危險(xiǎn)，可以提高半導(dǎo)體裝置10的可靠性。
接下來，對本發(fā)明的第3和第4實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。
圖11示出了本發(fā)明的實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置的制造方法。在圖11中，對于與已用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明，此外，在圖12中，對于與已用圖10說明過的實(shí)施例2的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
實(shí)施例3和4的制造方法，其特征是不用薄膜30形成樹脂層13。因此，如圖11(A)和圖12(A)所示，在與上邊說過的實(shí)施例1和2不同的襯底裝設(shè)工序中，未把薄膜30配設(shè)到上模21的部分24a上。
因此，在襯底裝設(shè)工序之后接著實(shí)施的樹脂層形成工序中，如圖11(B)，(C)和圖12(B)，(C)所示，結(jié)果變成為上模21直接推壓密封樹脂35，進(jìn)行壓縮成型處理。然而，由于上模21的空腔面24a已被做成為平坦面，所以可以在良好的狀態(tài)下進(jìn)行樹脂層13的成型處理。還有，剝離工序中的處理因和前邊已說過的實(shí)施例1或2中的處理相同，故略去對其說明。
如上所述，即便是做成為不配設(shè)薄膜30的構(gòu)成，也可以形成樹脂層13。但是，在應(yīng)用實(shí)施例3和4的制造方法中，由于不設(shè)薄膜30，故在已形成了樹脂層13的狀態(tài)下，將變成為把突出電極12完全埋設(shè)到樹脂層13中去的狀態(tài)。
為此，在樹脂密封工序結(jié)束后實(shí)施的突出電極露出工序中，將變成為必須另外進(jìn)行用于僅僅使突出電極12的頂端部分露出的處理。對該僅僅使突出電極12的頂端部分露出的處理，為便于說明決定在后邊講述。
接下來，說明作為本發(fā)明的實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
圖13和圖14示出了本發(fā)明的實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置的制造方法。在圖13和圖14中，對于與已用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
在本實(shí)施例的制造方法中，其特征是在襯底裝設(shè)工序中在把襯底16裝設(shè)到模具20中去之前，如圖13(A)所示，在第1半個(gè)下模23中，已經(jīng)先裝設(shè)上了增強(qiáng)板50。該增強(qiáng)板50已選定具有規(guī)定的機(jī)械強(qiáng)度和散熱性的材料，具體說來，例如，由鋁制的板材構(gòu)成。此外，增強(qiáng)板50的直徑尺寸被設(shè)定為比襯底16的直徑尺寸稍大。此外，在該增強(qiáng)板50的表面上已涂敷上熱硬化性的粘接劑(圖中未畫出來)。
已做成為上述構(gòu)成的增強(qiáng)板50向模具20中的裝設(shè)，由于僅僅是把增強(qiáng)板50配置到第1半個(gè)下模23上邊的作業(yè)，可以極其容易地進(jìn)行，即便是設(shè)置了增強(qiáng)板50也不會(huì)使樹脂密封工序變得麻煩。
接著，對樹脂密封工序中的增強(qiáng)板50的功能進(jìn)行說明。
在襯底裝設(shè)工序結(jié)束樹脂形成工序開始后，如上所述，上模21和第2半個(gè)下模24在Z1方向上移動(dòng)，利用密封樹脂進(jìn)行的突出電極12的密封處理開始。這時(shí)，模具20已升溫到可以使密封樹脂35熔融那種程度的溫度。此外，上邊說過的熱硬化性樹脂的粘接劑已選定為在比較低的溫度下熱硬化的物質(zhì)。因此，在樹脂形成工序開始后，以比較短的時(shí)間增強(qiáng)板50就粘接到襯底16上進(jìn)行一體化。還有，增強(qiáng)板50也可以做成為預(yù)先粘接到襯底16上的構(gòu)成。
然而，如圖13(B)，(C)所示，在本實(shí)施例中，樹脂層13的形成，也可以用壓縮成型法進(jìn)行。
在用該壓縮成型法形成樹脂層13的方法中，由于用上模21推壓密封樹脂和已熔融的樹脂35，故襯底16上作用有大的壓力。
另外，要想形成樹脂層13必須使密封樹脂熔融，為此，在模具20中，已經(jīng)組裝進(jìn)了加熱器。該加熱器所發(fā)生的熱也加到已裝設(shè)到模具20中的襯底16上。因此，襯底16就有因上述壓縮形成所產(chǎn)生的壓力和加熱器所產(chǎn)生的熱而變形的可能性。然而，在本發(fā)明中，由于在襯底裝設(shè)工序中在把襯底16裝設(shè)到模具20中之前，先裝設(shè)上了增強(qiáng)板50，且已做成為把該增強(qiáng)板50接合到襯底16上的構(gòu)成，所以在樹脂形成工序中，襯底16被做成為已用增強(qiáng)板50增強(qiáng)了的構(gòu)成。因此，即便是壓縮成型所產(chǎn)生的壓力或加熱器所產(chǎn)生的熱加到襯底16上，也可以防止襯底16的變形，因而，可以提高所制造的半導(dǎo)體裝置的成品率。
圖14示出的是樹脂層13的形成結(jié)束，從模具20中脫模后的狀態(tài)的襯底16。如同圖所示，在襯底16已從模具20中脫模后的狀態(tài)下，增強(qiáng)板50仍維持著已粘接到襯底16上的狀態(tài)。接著，在樹脂形成工序結(jié)束后實(shí)施的分離工序(參看圖8)中，用切片刀具29連增強(qiáng)板50一起切斷。
這樣一來，就將變成在各個(gè)半導(dǎo)體裝置上也已配設(shè)上增強(qiáng)板50的構(gòu)成。此外，如上述那樣，由于增強(qiáng)板50已選定散熱性良好的材料，所以結(jié)果變成為在分離成各個(gè)半導(dǎo)體裝置后，增強(qiáng)板50起著散熱板的作用。為此，可以提高用本實(shí)施例的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性。
圖15～圖17示出了上邊所說的各實(shí)施例的變形例。此外，在各個(gè)圖中，對于與已用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
在上邊說過的各實(shí)施例中，作為密封樹脂用了密封樹脂35，并做成為把它載置于已裝設(shè)到模具20中的襯底16上邊進(jìn)行樹脂密封的構(gòu)成。圖15～圖17所示的變形例示出了密封樹脂的另外的供給形態(tài)。
在示于圖15的例子中，其特征是作為密封樹脂使用了薄片狀樹脂51。如上所述，采用用薄片狀樹脂51的辦法，就可以確實(shí)地在襯底16的全體上形成樹脂層13。
此外，在把密封樹脂35配置到襯底16的中央的情況下，因?yàn)橐讶廴诹说臉渲仨殢闹醒胂蚨瞬苛鳎市枰L的成型時(shí)間。對此，薄片狀樹脂51，由于被配設(shè)為覆蓋襯底16的上部，故結(jié)果變成為已熔融了的樹脂無須流動(dòng)就直接密封位于下部的突出電極12。為此，由于可以縮短樹脂密封處理所需的時(shí)間，所以可以縮短樹脂密封工序的時(shí)間。
此外，在圖16所示的例子中，其特征是作為密封樹脂使用了液態(tài)樹脂52。由于液態(tài)樹脂流動(dòng)性高，所以可以在短時(shí)間內(nèi)確實(shí)地密封突出電極12。
還有，在圖17的例子中，其特征是在樹脂密封工序?qū)嵤┲?，先用粘接?3把密封樹脂35A配設(shè)到薄膜30上。此外，也可以做成為這樣的構(gòu)成在密封樹脂已熔融后，把該密封樹脂35配設(shè)到薄膜30上，然后，再采用使之固化的辦法把密封樹脂35配設(shè)到薄膜30上。
這樣一來，就可以采用無須把密封樹脂35A先配設(shè)到襯底16上而是先配設(shè)到薄膜30上的辦法，在襯底裝設(shè)工序中，一起地進(jìn)行薄膜30的裝設(shè)作業(yè)和密封樹脂35A的裝填作業(yè)，使襯底裝設(shè)作業(yè)效率化。
接下來，對作為本發(fā)明的實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖18示出了實(shí)施例6的樹脂密封工序。此外，在圖18中，對于與已用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
在前邊，用圖17對在樹脂密封工序?qū)嵤┣霸诒∧?0上僅僅先配設(shè)上一個(gè)密封樹脂35A的方法進(jìn)行了說明。對此，在本實(shí)施例中，特征是在薄膜30上隔以規(guī)定的間隔多個(gè)連續(xù)地配設(shè)了密封樹脂35A。此外，還被做成為這樣的構(gòu)成薄膜30用未畫出來的搬運(yùn)裝置在圖中的箭頭方向上進(jìn)行搬運(yùn)。
在圖18(A)中，位于模具20左側(cè)的是已形成了樹脂層13的襯底16，采用使樹脂層13固定接合到薄膜30上的辦法，襯底16也變成了已裝設(shè)到薄膜30上的狀態(tài)。此外，位于模具20內(nèi)部的密封樹脂35A是本次要進(jìn)行密封處理的樹脂。還有位于模具20右側(cè)的密封樹脂35A是在本次樹脂密封處理中要用的樹脂。
示于圖18(A)的狀態(tài)，示出了襯底裝設(shè)工序結(jié)束后的狀態(tài)，變成了襯底16已被裝設(shè)到模具20中去了的狀態(tài)。此外，在本實(shí)施例中，舉出了在裝設(shè)襯底16之前裝設(shè)增強(qiáng)板50的方法。
當(dāng)襯底裝設(shè)工序結(jié)束，樹脂密封工序開始后，如圖18(B)所示，使上模21和第2半個(gè)下模24在Z1方向上移動(dòng)，用密封樹脂35A進(jìn)行密封突出電極12的處理。接著，再次采用使上模21和第2半個(gè)下模24在Z1方向上移動(dòng)的辦法，如圖18(C)所示，在襯底16上邊形成樹脂層13。
樹脂密封工序結(jié)束后，實(shí)施與先前用圖5所說明的同樣的脫模工序，使已形成樹脂層13的襯底16從模具20中脫模。這時(shí)，如上所述，采用使樹脂層13固定接合到薄膜30上的辦法，襯底16也已變成為已被裝設(shè)到薄膜30上的狀態(tài)。
如上述那樣，當(dāng)樹脂密封工序結(jié)束后，接著起動(dòng)薄膜30的搬運(yùn)裝置，薄膜30被搬運(yùn)到把下一個(gè)密封樹脂35A裝設(shè)到模具20中去的位置上去。此外，與該薄膜30進(jìn)行的搬運(yùn)操作的同時(shí)，對模具20把增強(qiáng)板50和襯底16(尚未形成樹脂層13的)裝設(shè)到20中(即，實(shí)施襯底裝設(shè)工序)，用這種方法，再次變成為圖18(A)所示的狀態(tài)。以后，反復(fù)實(shí)施上邊說過的處理。
如上所述，倘采用本實(shí)施例的方法，由于采用先把密封樹脂35A以在樹脂密封處理時(shí)不受影響那種程度的間隔，離開一個(gè)間隔進(jìn)行配設(shè)，在樹脂密封處理結(jié)束了的時(shí)刻，使薄膜30移動(dòng)，以把下一個(gè)要進(jìn)行樹脂密封處理的密封樹脂35A自動(dòng)地裝設(shè)到模具20中去的辦法，所以可以連續(xù)地實(shí)施樹脂密封工序，因而可以提高半導(dǎo)體裝置的制造效率。
接著，說明作為本發(fā)明的實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
圖19～圖21是作為實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖19～圖21中，對于與已用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
在上邊已說明的實(shí)施例1的制造方法中，做成為下述構(gòu)成作為薄膜30選定了可進(jìn)行彈性變形的薄膜，因此，采用在樹脂密封工序中的壓縮成型時(shí)使突出電極12的頂端部分沉入到薄膜30中去的辦法，在突出電極露出工序中僅僅使薄膜30從樹脂層13上剝離，就可使突出電極12的頂端部分露出來。但是具有使突出電極12的頂端部分以適宜的量沉入那樣的彈性的薄膜30的選定是困難的。此外，如圖18所示，在還把薄膜30用作搬運(yùn)用的載體的情況下，要是用可以進(jìn)行彈性變形的薄膜30的話，則在搬運(yùn)時(shí)就會(huì)伸縮，存在著不能妥當(dāng)?shù)剡M(jìn)行襯底16和密封樹脂35A的搬運(yùn)處理的可能性。
于是，為要解決這樣的問題，就有必要用或者不進(jìn)行彈性變形，或者幾乎不進(jìn)行彈性變形(以下，統(tǒng)一稱之為‘非彈性變形’)的薄膜30。在本實(shí)施例中，作為薄膜30A選定了非彈性變形的材質(zhì)。但是，作為薄膜30A即便是選定了非彈性變形的材質(zhì)，也可以與在圖1～圖5中說明過的一樣地實(shí)施在樹脂密封工序中進(jìn)行的處理。
圖19～圖21示出了本實(shí)施例中的突出電極露出工序。在樹脂密封工序結(jié)束了的時(shí)刻，如圖19所示，薄膜30A變成力已固定接合到樹脂層13上的狀態(tài)。但是，由于薄膜30A是用非彈性變形材料構(gòu)成的，所以在已形成了樹脂層13的狀態(tài)下，突出電極12并不變成已沉入到薄膜30中去的狀態(tài)，因此，突出電極12變成為已被樹脂層13密封其全體的狀態(tài)(在圖19(B)中擴(kuò)大示出了該狀態(tài))。
在該狀態(tài)中，如圖20(A)所示，進(jìn)行使已固定接合到樹脂層13上的薄膜30A從樹脂層13上剝離的處理。但是，即便是從樹脂層13上已剝離下薄膜30A，如在圖20(B)中擴(kuò)大示出的那樣，突出電極12的整體仍將維持被樹脂層13密封的狀態(tài)。
此外，在該圖20(B)中所示的突出電極12的整體被樹脂層13密封的狀態(tài)，即便是在先前用圖11和圖12所說明過的已實(shí)施了不用薄膜30，30A的樹脂密封工序的情況下，也會(huì)發(fā)生。
這樣一來，在突出電極12的整體已被樹脂密封的狀態(tài)下，即便是對它進(jìn)行分離處理形成了半導(dǎo)體裝置也不能進(jìn)行與裝配基板之間的電連。因此，必須進(jìn)行用于使突出電極12的頂端部分從樹脂層13中露出的處理。圖21(A)示出了用于使突出電極12的頂端部分從樹脂層13中露出的方法。
在本實(shí)施例中，如圖21(A)所示，作為使突出電極12的頂端部分從樹脂層13中露出的裝置使用了激光照射裝置60。作為激光照射裝置60，可以考慮使用例如對樹脂的加工性良好的二氧化炭激光器。
此外，用激光照射裝置60進(jìn)行的樹脂層13的切削深度，可以用適宜的設(shè)定激光照射裝置60的能量的辦法進(jìn)行調(diào)整。因此，可以以良好的精度設(shè)定從樹脂層13中露出的突出電極12的頂端量。
如圖21(A)所示，采用用激光照射裝置60在樹脂層13上邊操作激光的辦法可以使所有的突出電極12的頂端部分從樹脂層13中露出來。圖21(B)示出了激光加工處理已結(jié)束，突出電極12的頂端部分已從樹脂層13中露出來的狀態(tài)。
這樣一來，采用進(jìn)行使突出電極12的頂端部分從樹脂層13中露出來的處理的辦法，作為薄膜30A即便是用非彈性變形的材質(zhì)的薄膜，即便是已實(shí)施了不用已用圖11和圖12說明過的薄膜30，30A的樹脂密封工序的情況下，也可以制造可以對裝配基板14進(jìn)行恰當(dāng)?shù)难b配處理的的半導(dǎo)體裝置。
此外，使突出電極12的頂端部分從樹脂層13中露出來的處理，并不限定于激光照射，除此之外，還可以考慮準(zhǔn)分子激光，刻蝕，機(jī)械研磨和噴砂等的利用。在這種情況下，在用準(zhǔn)分子激光的時(shí)候，可以使突出電極12的頂端部分容易且精度良好地露出來。此外，在用刻蝕，機(jī)械研磨或噴砂的情況下，則可以廉價(jià)地使突出電極12的頂端部分露出來。
接著，用圖22～圖25對本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置用模具的另一實(shí)施例進(jìn)行說明。
圖22示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置制造用模具20C(以下，叫做模具20C)。此外，在以下要說明的圖22～圖25中，對于與圖1的實(shí)施例1的模具20相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造用模具20C的特征是在載置第1半個(gè)下模23C的襯底16的部位上，設(shè)有使該襯底16固定到第1半個(gè)下膜23C上或從第1半個(gè)下模23C脫模的固定或脫模機(jī)構(gòu)70。該固定或脫模機(jī)構(gòu)70粗分起來由多孔質(zhì)構(gòu)件71，吸排氣裝置73和管道74等構(gòu)成。多孔質(zhì)構(gòu)件71，例如由多孔質(zhì)陶瓷或者多孔質(zhì)金屬、多孔質(zhì)樹脂等構(gòu)成，且被構(gòu)成為氣體可以通過其內(nèi)部。
管道73形成于多孔質(zhì)構(gòu)件71的下部，該管道73被構(gòu)成為在集合后連接到給排氣裝置72上。給排氣裝置72是例如壓縮機(jī)和負(fù)壓發(fā)生裝置，被構(gòu)成為在對管道73供給壓縮空氣的壓送模式，和對管道73進(jìn)行吸引處理的吸引模式間進(jìn)行切換處理。
因此，采用使給排氣裝置72變成為壓送模式的辦法，壓縮空氣就通過管道73供給多孔質(zhì)構(gòu)件71，再由多孔質(zhì)構(gòu)件71噴射到外部。這時(shí)，在襯底16已載置到第1半個(gè)下模23C上的情況下，結(jié)果就變成為襯底16在脫模方向上有了彈力。這種狀態(tài)是在圖22中示于從中心線往右的狀態(tài)，以下，把該狀態(tài)叫做脫模狀態(tài)。
另一方面，采用使給排氣裝置72變成為吸引模式的辦法，排氣裝置72通過管道73給進(jìn)行吸引處理。這樣一來，由該吸引處理發(fā)生的負(fù)壓被做成為小于多孔質(zhì)構(gòu)件71。這時(shí)，在襯底16已載置到第1半個(gè)下模23C上的情況下，結(jié)果就變成為襯底16被吸向多孔質(zhì)構(gòu)件71。這一狀態(tài)在圖22中是示于中心線左側(cè)的狀態(tài)，以下把該狀態(tài)叫做固定狀態(tài)。
如上所述，采用在模具20C上設(shè)置固定或脫模機(jī)構(gòu)70的辦法，由于在固定狀態(tài)中，襯底16被固定到第2半個(gè)下模23C上，所以在樹脂密封處理中，可以防止在襯底16上發(fā)生撓曲等的變形。此外，還可以矯正襯底16所具有的固有的撓曲。再有，在已變成脫模狀態(tài)的時(shí)候，由于襯底16已具有從第1半個(gè)下模23C脫模的彈力，所以還可以提高襯底16從模具20C中脫出的脫模性。
圖23示出了本身是本發(fā)明的的實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置制造用模具20D(以下，叫做模具20D)。
在上述的實(shí)施例1的模具20中，其構(gòu)成為第1半個(gè)下模23已被固定，第2半個(gè)下模24對于第1半個(gè)下模23進(jìn)行升降動(dòng)作。對此，本實(shí)施例的模具20D的構(gòu)成的特征是第2半個(gè)下模24D已被固定，第1半個(gè)下模23對于第2半個(gè)下模24D進(jìn)行升降動(dòng)作。
如本實(shí)施例那樣，即便是做成為第1半個(gè)下模23對于第2半個(gè)下模24D進(jìn)行升降動(dòng)作的構(gòu)成，在脫模工序中，也可以使已確實(shí)地形成了樹脂層13的襯底16從模具20中脫模。此外，在圖23中，從中心線往左示出的是第1半個(gè)下模23D已上動(dòng)的狀態(tài)，而從中心線往右示出的是第1半個(gè)下模23D已向下運(yùn)動(dòng)的狀態(tài)。
圖24示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置制造用模具20E(以下叫做模具20E)在上邊說過的實(shí)施例1的模具20中，已做成為下述構(gòu)成采用在第2半個(gè)下模24的內(nèi)周側(cè)壁上形成傾斜部分27的辦法，提高脫模性。對此，本實(shí)施例的模具20E，在已經(jīng)形成了空腔28的狀態(tài)下，采用做成為具有用第2半個(gè)下模24E圍起來的面積比第1半個(gè)下模23的上部的面積還寬的部分的構(gòu)成的辦法，就可以做成為在第2半個(gè)下模24E與第1半個(gè)下模23相連接的部位上形成了矩形形狀的臺(tái)階部分74的構(gòu)成。如上所述，即便是在第2半分下模24E上形成了臺(tái)階部分74也可以提高脫模性。此外，由于臺(tái)階的形狀大體上是矩形，所以可以容易地進(jìn)行臺(tái)階部分74的形成。
還有，在圖24中，示于從中心線往左的狀態(tài)，是為了從樹脂層13脫開使第2半個(gè)下模24E從樹脂密封位置向下運(yùn)動(dòng)后的狀態(tài)，而示于從中心線往右側(cè)的，是使第2半個(gè)下模24E上動(dòng)使已形成了樹脂層13的襯底16從模具20E脫模后的狀態(tài)。
圖25示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置制造用模具20F(以下，叫做模具20F)。
本實(shí)施例的模具20F的特征是在上模21F，下模22F(第1半個(gè)下模23F，第2半個(gè)下模24F)與樹脂層13之間的接觸面上形成了附著處理膜75。該附著處理膜75因?yàn)橐堰x定為與將成為樹脂層13的樹脂不附著的材料，所以在脫模時(shí)，可以使已形成了樹脂層13的襯底16容易地從模具20F中脫模。
圖76和圖77示出了實(shí)施例6的變形例。圖76是在襯底16的面積比第2半個(gè)下模23的上表面的面積小的情況下，在第1半個(gè)下模23的上表面上配設(shè)了薄膜30D的例子。這樣，就可以減小密封樹脂35與第1半個(gè)下模23直接接觸的面積，可以提高脫模性。
還有，在本實(shí)施例中，在進(jìn)行先前已用圖22說明過的那種吸引處理的情況下，還可以在薄膜30的必要的部位上預(yù)先形成小孔(真空用孔)。
此外，圖77示出了使第1半個(gè)下模23的上表面的面積與襯底16的面積大體上相等的構(gòu)成。在上述的各個(gè)例子中，由于都構(gòu)成為襯底16的面積比第1半個(gè)下模23的上表面的面積小，所以在進(jìn)行樹脂密封處理時(shí)，就變成為樹脂層13也配設(shè)到襯底16的側(cè)部位置(側(cè)面部分)上的構(gòu)成。
對此，采用使第1半個(gè)下模23的上表面的面積與襯底16的面積大體上相等的構(gòu)成的辦法，將變成為使樹脂層13僅僅形成于襯底16的上表面上的構(gòu)成。這樣一來，根據(jù)襯底16的使用形態(tài)，可以選擇性的把樹脂層13僅僅配設(shè)到襯底16的上表面上或者除上表面外還含有側(cè)面部分的范圍內(nèi)。
還有，在圖77的構(gòu)成中，作為提高脫模性的機(jī)構(gòu)，對于上模21用了薄膜30，對于下模22則用了附著處理膜75(參看圖25)。
接下來，對作為本發(fā)明的實(shí)施例2和3的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。
圖26示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置10A，圖27示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置10B。在圖26和圖27中，對于與圖9的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置10相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置10A的構(gòu)成是在載物臺(tái)(stage)構(gòu)件80上搭載多個(gè)半導(dǎo)體器件11而形成模塊化。此外，樹脂層13的構(gòu)成為在剩下頂端部分密封突出電極12的同時(shí)，一直密封到半導(dǎo)體器件11的側(cè)部為止。再有，載物臺(tái)80由散熱性良好的材料(例如，銅或鋁)形成。
已被做成為上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置10A，由于作為載物臺(tái)80使用了散熱性良好的材料，故即便是搭載上多個(gè)半導(dǎo)體器件11也可以維持高的散熱性。
此外，實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置10B的特征是在圖26的半導(dǎo)體裝置10A中，在載物臺(tái)80的外周側(cè)部已形成了堤堰部分81。從該堤堰部分81的載物臺(tái)80的器件搭載面開始的高度H2(圖27中，用箭頭表示)被構(gòu)成為對于從半導(dǎo)體器件11的器件搭載面開始的高度H1(圖中用箭頭表示)變高。
再有，從堤堰部分81的載物臺(tái)80的器件搭載面開始的高度H2被構(gòu)成為對于從半導(dǎo)體器件11的器件搭載面開始到突出電極12的頂端部分為止的高度H3(圖中用箭頭表示)變低一個(gè)規(guī)定量。
采用做成為上述構(gòu)成的辦法，當(dāng)為了在用堤堰部分80和載物臺(tái)構(gòu)件81構(gòu)成的凹部內(nèi)形成樹脂層13而填充樹脂時(shí)，在樹脂已填充到堤堰部分81的上端部分為止的時(shí)刻，就可以剩下突出電極12的頂端部分密封突出電極12。這樣，就可以容易地形成已露出了突出電極12的頂端部分的狀態(tài)的樹脂13。
此外，在上邊說過的實(shí)施例2和3的半導(dǎo)體裝置10A，10B中，采用在樹脂層13的上表面上形成追加布線的辦法，就可以用該追加布線使多個(gè)半導(dǎo)體器件11相互連接而功能化。
接下來，對本發(fā)明的實(shí)施例8進(jìn)行說明。圖28是實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖，示出的是樹脂密封工序已結(jié)束的狀態(tài)的襯底16。此外，圖28(A)是襯底16的整體圖，圖28(B)是襯底16的局部擴(kuò)大圖。此外，在圖28中，對于與用圖1～圖9的實(shí)施例1說明過的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在上邊說過的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，其構(gòu)成為樹脂層13由單一種類密封樹脂35形成。可是，對于該樹脂層13要求種種的功能，例如從保護(hù)襯底16這一頂來說希望樹脂層13是硬質(zhì)樹脂，而從在裝配時(shí)等要緩和加到突出電極12上的應(yīng)力的角度看則希望樹脂層13是軟質(zhì)樹脂。但是，用單一種類的樹脂滿足全部要求在實(shí)際上是不可能的。
于是，本實(shí)施例的特征是作為在樹脂密封工序中所用的樹脂，用了具有不同的特性的多種密封樹脂，因此形成多種(在本實(shí)施例中是2種)的樹脂層13A，13B。在示于圖28的例子中，示出的是把樹脂層13A和樹脂層13B重疊起來進(jìn)行疊層后的構(gòu)造。
這樣一來，要想形成多種個(gè)樹脂層13A，13B，在樹脂密封工序中，首先，向模具內(nèi)裝填將成為樹脂層13A的密封樹脂以形成樹脂層13A，接著，向模具內(nèi)裝填將成為樹脂層13B的密封樹脂以形成樹脂層13B?；蛘?，也可以預(yù)先作好在將成為樹脂層13A的樹脂層的上部疊層上將成為樹脂層13B的密封樹脂的構(gòu)造的密封樹脂，用一次的樹脂密封處理一起地形成樹脂層13A和13B的方法。
采用象本實(shí)施例這樣在襯底16上疊層多層樹脂層13A，13B的辦法，就可以例如在把硬質(zhì)樹脂用作位于外側(cè)的樹脂層13B，而把軟質(zhì)樹脂用作位于內(nèi)側(cè)的樹脂層13A。在已做成這樣的構(gòu)成的情況下，襯底16將變成用由硬質(zhì)樹脂構(gòu)成的樹脂層13B確實(shí)地進(jìn)行保護(hù)的構(gòu)成，此外，在裝配時(shí)等，加在突出電極12上的應(yīng)力則可以用由軟質(zhì)樹脂構(gòu)成的樹脂層13A進(jìn)行吸收。因此，可以提高用本實(shí)施例制造的半導(dǎo)體裝置的可靠性。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例9。
圖29是用于說明實(shí)施例9的半導(dǎo)體制造方法的的說明圖，在圖29中，對于與用圖1～圖9的實(shí)施例1說明過的實(shí)施例的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在本實(shí)施例中，雖然與上邊說過的實(shí)施例一樣，其特征也是作為在樹脂密封工序中所用的密封樹脂，用了具有不同的特性的多種密封樹脂(在本實(shí)施例中是2種)，但是，在上述實(shí)施例8中是使互不相同的樹脂層13A，13B進(jìn)行疊層后的構(gòu)造，而在本實(shí)施例中，則把樹脂層13B配設(shè)到襯底16的外周位置上，把樹脂層13A配設(shè)到被樹脂層13B圍起來的位置上的構(gòu)造(參看圖29(C))。以下，對本實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。
圖29(A)示出的是本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的樹脂密封工序。在本實(shí)施例的樹脂密封工序中所用的模具20G，雖然具有對在實(shí)施例1中用圖1說明過的模具20的構(gòu)造變成了上下顛倒的構(gòu)造，但是為了便于說明，模具20G的各個(gè)構(gòu)成，用與在實(shí)施例1中說明過的模具20對應(yīng)的標(biāo)號(hào)和名稱進(jìn)行表示。此外，在本實(shí)施例中，與前邊說過的實(shí)施例5一樣，變成了具有增強(qiáng)板50的構(gòu)造。增強(qiáng)板50已被裝設(shè)于第1半個(gè)下模23上，而在增強(qiáng)板50的下表面(與襯底16相向的面)上，則已預(yù)先配設(shè)了將成為樹脂層13A的密封樹脂35A和將成為樹脂層13B的密封樹脂35B。該將成為樹脂層13B的密封樹脂35B被配設(shè)于增強(qiáng)板50的外周位置上，而將成為樹脂層13A的密封樹脂35A則被配設(shè)在其內(nèi)部，使得被密封樹脂35B圍起來。再有，已形成了突出電極12的襯底16通過薄膜30被載置于上模21上邊。
當(dāng)象上述那樣把已配設(shè)有襯底16和密封樹脂35A，35B的增強(qiáng)板50裝設(shè)到模具20G內(nèi)時(shí)，第1半個(gè)下模23就向著上模21移動(dòng)，因而實(shí)施密封樹脂35A，35B的壓縮成型，形成樹脂層13A，13B。這時(shí)，由于如上所述，密封樹脂35B被配設(shè)于增強(qiáng)板50的外周位置上，而密封樹脂35A則被配設(shè)為被密封樹脂35B圍起來，所以在樹脂已成型的狀態(tài)下，樹脂13B被形成為在襯底16的外周位置上，而樹脂層13A則被形成為被密封樹脂13B圍起來。
當(dāng)上述的樹脂密封工序結(jié)束后，如圖29(B)所示，就實(shí)施突出電極露出工序除去薄膜30，以此形成示于圖29(C)的半導(dǎo)體裝置10C。
倘采用上述的制造方法，作為將被配設(shè)到襯底16(半導(dǎo)體器件)的外周位置上的樹脂層13B，例如可以選定硬質(zhì)樹脂，而作為被該樹脂13B圍繞起來的樹脂層13A則可以選定軟質(zhì)樹脂。這樣，由于用本實(shí)施例制造的半導(dǎo)體裝置10C將變成其外周側(cè)部被由硬質(zhì)樹脂構(gòu)成的樹脂層13B圍繞起來的構(gòu)成，所以將變成為襯底16和增強(qiáng)板50被該樹脂層13B確實(shí)地進(jìn)行保護(hù)的構(gòu)造。因而，可以提高半導(dǎo)體裝置10C的可靠性。
此外，位于樹脂層13B的內(nèi)側(cè)的樹脂層13A，由于用軟質(zhì)樹脂形成，故即便是在裝配時(shí)等對突出電極12加上了應(yīng)力，由于該應(yīng)力也會(huì)在由軟質(zhì)樹脂構(gòu)成的樹脂層13A中被吸收，所以可以緩和加到突出電極12上的應(yīng)力。這樣，即便是因?yàn)檫@一點(diǎn)，也可以提高半導(dǎo)體裝置10C的可靠性。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例10和實(shí)施例11。
圖30是用于說明實(shí)施例10的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖，圖31是用于說明實(shí)施例11的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖30和圖31中，對于與用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1和用圖29說明過的實(shí)施例9的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在示于圖30的實(shí)施例10的制造方法中，與前邊說過的實(shí)施例9一樣，特征是在樹脂密封工序中，把密封樹脂35預(yù)先配設(shè)到增強(qiáng)板50上。此外，在示于圖31的實(shí)施例11的制造方法中，特征是把框架部分54一體性地設(shè)置到增強(qiáng)板50上的同時(shí)，把密封樹脂35預(yù)先配設(shè)到增強(qiáng)板50上。
這樣一來，采用在樹脂密封工序中，預(yù)先把密封樹脂35配設(shè)到增強(qiáng)板50，50A上的辦法，據(jù)可以把增強(qiáng)板50，50A用作模具20G的一部分。具體地說，就可以把增板50，50A用作第1半個(gè)下模23的一部分。
借助于此，就可以減少密封135直接觸及第1半個(gè)下模23(模具20G)上的面積，就可以不要已附著于現(xiàn)有技術(shù)中所需要的模具上的無用樹脂的除去作業(yè)，就可以簡化樹脂密封工序中的作業(yè)。
特別是在實(shí)施例11的制造方法中，采用在增強(qiáng)板50上設(shè)置框架54的辦法，就可以在與增強(qiáng)板50A的襯底16相向的位置上形成凹部55，就可以把該凹部55用作空腔。在使用了圖30所示的平板狀的增強(qiáng)板50的構(gòu)成中，密封樹脂35已經(jīng)觸及到第2半個(gè)下模24，該接觸部分上的無用樹脂的除去作業(yè)就變成為必須。
但是，若用在圖31所示的實(shí)施例11，則可以做成為使密封樹脂35完全不觸及模具20G的構(gòu)成，因此就可以完全不要已附著于模具20G上的無用樹脂的除去作業(yè)。
此外，在上述的實(shí)施例10和11中，采用用散熱性良好的材料形成增強(qiáng)板50，50A的辦法，還可以提高半導(dǎo)體裝置10D，10E的散熱特性。此外，圖30(B)示出了用實(shí)施例10的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置10D，圖31(B)示出了用實(shí)施例11的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置10E。
接著說明本發(fā)明的實(shí)施例12。
圖32和圖33是實(shí)施例12的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖32和圖33中，對于與用圖1～圖9的實(shí)施例1說明過的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
本實(shí)施例的制造方法的特征是在密封樹脂工序中，首先與前邊說過的各個(gè)實(shí)施例一樣，在已形成了突出電極12的襯底16的表面上形成了樹脂層13(第1樹脂層)之后，在襯底16的背面上形成第2樹脂層17。以下，用圖32和圖33對本實(shí)施例中的具體的樹脂密封處理進(jìn)行說明。
圖32(A)～圖32(B)示出了把第1樹脂層13壓縮成型到襯底16的已形成了突出電極12的表面上的工序。在該圖32(A)～圖32(B)中所示的處理，與在實(shí)施例1中用圖1～圖4所說明過的處理是完全相同的處理。因此，略去對第1樹脂層13的形成處理的說明。
當(dāng)采用實(shí)施圖32(A)～圖32(B)中的處理的辦法，在襯底16的表面(突出電極形成面)上形成第1樹脂層13后，從模具20中取出襯底16，上下顛倒過來后再裝設(shè)到模具20中去。即，使得襯底16的已形成了突出電極12的面與第1半個(gè)下模23相向那樣地把襯底16裝設(shè)到模具20中去。接著，如圖33(D)所示，把第2密封樹脂36載置到已被載置到第1半個(gè)下模23上邊的襯底16的上表面上。
接著，如圖33(E)所示，采用使上模21和第2半個(gè)下模24向下運(yùn)動(dòng)的辦法，壓縮成型第2密封樹脂36。借助于此，如圖33(F)所示，在襯底16的背面一側(cè)也形成第2樹脂層17。
圖33(G)示出了用本實(shí)施例的制造方法制造出來的半導(dǎo)體裝置10E。如同圖所示，半導(dǎo)體裝置10E的構(gòu)成是把第1樹脂層13壓縮成型到已形成了突出電極12的襯底16(半導(dǎo)體芯片)的表面上的同時(shí)，在襯底16的背面上壓縮成型第2樹脂層17。
如上所述，采用在樹脂密封工序中，在已配設(shè)了突出電極12的襯底16的表面上形成了第1樹脂層13之后，形成第2樹脂層17使得把該襯底16的背面覆蓋起來的辦法，就可以使所制造的半導(dǎo)體裝置10E的平衡變得良好。
即，由于襯底16(半導(dǎo)體器件)與密封樹脂熱膨脹率不同，在僅在襯底16的表面(已形成了突出電極12)上配設(shè)第1樹脂層13的構(gòu)成中，就會(huì)有因在襯底16的表面和背面上發(fā)生熱膨脹率差而在襯底16上發(fā)生撓曲的可能性。然而，象本實(shí)施例的制造方法那樣，采用把襯底16的表面和背面都用樹脂層13，17覆蓋起來的辦法，就可以使半導(dǎo)體裝置10E的平衡變得良好。這樣，就可以防止在加熱時(shí)等在半導(dǎo)體裝置10E上發(fā)生撓曲。
此外，在本發(fā)明的制造方法中，還可以把在襯底16的表面上配設(shè)的第1樹脂層13和在襯底16的背面配設(shè)的第2樹脂層17選定為具有不同的特性的樹脂。例如，采用把軟質(zhì)樹脂選定為第1樹脂層13的辦法，就可以緩和加到突出電極12上的應(yīng)力。
此外，采用把硬質(zhì)樹脂選定為配設(shè)于背面的第2樹脂層17的辦法，就可以在加上了外力的情況下確實(shí)地保護(hù)襯底16。再有，采用把散熱性良好的樹脂選定為第2樹脂層17的辦法，就可以提高半導(dǎo)體裝置10E的散熱性。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例13。
圖34是實(shí)施例13的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖34中，對于與用圖1～圖9說明過的的實(shí)施例1，用圖32，圖33說明過的實(shí)施例12相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在本實(shí)施例的制造方法中也是在已形成了突出電極12的襯底16的表面上形成了第1樹脂層13的同時(shí)，在襯底16的背面上形成第2樹脂層17。但是在用圖32和圖33說明過的實(shí)施例的制造方法中，首先，采用實(shí)施圖32(A)～圖32(C)的工序的辦法，形成第1樹脂層13，其次，采用從模具20中取出已形成了第1樹脂層13的襯底16并使之上下顛倒過來，再在其上邊實(shí)施圖32(D)～圖32(F)的工序的辦法，形成第2樹脂層17。因此，在實(shí)施例12的制造方法中，需要進(jìn)行2次的壓縮成型，不能說半導(dǎo)體裝置10E的制造效率是良好的。
于是，本實(shí)施例的制造方法的特征是使得用一次的壓縮成型就可以同時(shí)形成第1和第2樹脂層13和17。為此，在本實(shí)施例中，做成為下述構(gòu)成在樹脂密封工序中，在把襯底16裝設(shè)到模具20中去之際，如圖34(A)所示，首先在把第2密封樹脂36裝設(shè)到襯底16上后，再裝設(shè)襯底16使得載置于第2密封樹脂36上，再在其上部配設(shè)第1密封樹脂35。這時(shí)，使第2密封樹脂36與襯底16的背面接觸，而把第1密封樹脂35載置于襯底16的已形成了突出電極12的表面上。
圖34(B)示出了正在實(shí)施壓縮成型的狀態(tài)。如同圖所示，由于襯底16是被第1密封樹脂35與第2密封樹脂36夾在中間的狀態(tài)，所以，在襯底16的表面和背面上，可以同時(shí)壓縮成型密封樹脂35，36。此外，圖34(C)示出了壓縮成型結(jié)束，在襯底16的表面上已形成了第1樹脂層13，在襯底16的背面上已形成了第2樹脂層17的狀態(tài)。
此外，圖34(D)是用本實(shí)施例的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置，其構(gòu)成與在實(shí)施例1中所制造的半導(dǎo)體裝置10E的構(gòu)成相同(用本實(shí)施例的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置也用標(biāo)號(hào)10E表示)。如上所述，由于在本實(shí)施例的制造方法中，不需要象實(shí)施例12的制造方法那樣使襯底16上下顛倒的作業(yè)，可以用一次的壓縮成型處理一起地形成第1樹脂層13和第2樹脂層17，所以可以提高半導(dǎo)體裝置10E的制造效率。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例14。
圖35是實(shí)施例14的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖35中，對于與用圖9說明過的的實(shí)施例1相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在前邊說過的各個(gè)實(shí)施例中，作為突出電極舉出了球狀突出電極的例子進(jìn)行了說明，但在本實(shí)施例中，其特征是作為突出電極應(yīng)用了直立突出電極18。該直立突出電極18具有圓柱形狀，可以用例如電鍍法形成。如上所述，由于直立突出電極18具有圓柱形狀，所以與被做成為球狀的突出電極12比，其頂端部分的面積變寬。
象本實(shí)施例那樣，即便是把突出電極的構(gòu)造作成為直立突出電極18也可以用和上邊說過的各個(gè)實(shí)施例一樣的處理，進(jìn)行樹脂密封工序和突出電極露出工序。圖35(A)，(B)示出了在樹脂密封工序中，把已形成了直立突出電極18的襯底16已裝設(shè)到模具20(未畫出來)中的狀態(tài)。此外，圖35(B)是圖35(A)的局部擴(kuò)大圖。在該裝設(shè)狀態(tài)中，將在直立突出電極18的頂端部分上裝設(shè)薄膜30A。
該薄膜30A與圖9所示的薄膜的構(gòu)成相同，被構(gòu)成為不容易進(jìn)行彈性變形。采用對于這種狀態(tài)的襯底16實(shí)施樹脂密封處理的辦法，在薄膜30A與襯底16的表面間壓縮成型樹脂層13。
當(dāng)樹脂密封工序結(jié)束后，如圖35(C)所示，進(jìn)行從樹脂層13(用帶點(diǎn)的區(qū)域表示)上剝離已固定接合到樹脂層13上的薄膜30A的處理。但是，即便是從樹脂層13上剝離下了薄膜30A，如在圖35(D)中擴(kuò)大示出的那樣，直立突出電極18除去其頂端部分外，仍維持已被埋設(shè)在樹脂層13中的狀態(tài)。
可是，在用圖19～圖21先前已說明過的實(shí)施例7中，由于突出電極12已被做成為球狀，故在其全體已被密封于樹脂層13中的狀態(tài)下，從樹脂層13中露出的面積小，因此要進(jìn)行圖21所示的那種使突出電極12從樹脂層13中露出來的處理。
對此，在本實(shí)施例中由于用的是具有圓柱形狀的直立突出電極18所以從樹脂層13中露出的頂端部分的面積變寬。因此，如圖35(D)所示，即便是僅保持把薄膜30A從樹脂層13上剝離下來的狀態(tài)不變，也可以進(jìn)行充分的電連。這樣，就不再需要在用球狀的突出電極12的情況下所必須的使突出電極12從樹脂層13中露出的處理，可以簡化半導(dǎo)體裝置的制造工序。
此外，在本實(shí)施例中，在需要進(jìn)一步提高電連性的情況下，也可以實(shí)施使直立突出電極18從樹脂層13中露出的處理。還有，在以下的說明中，規(guī)定在僅僅說突出電極12的情況下，指的是球狀突出電極12與直立突出電極18的總稱，在需要進(jìn)行個(gè)別地說明的情況下，則分開來稱之為球狀突出電極12，直立突出電極18。
接下來，對本發(fā)明的實(shí)施例15進(jìn)行說明。
圖36是實(shí)施例15的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖36中，對于與用圖1～圖9說明過的的實(shí)施例1，用圖35說明過的實(shí)施例14相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在本實(shí)施例的制造方法中，特征是在采用實(shí)施突出電極露出工序的辦法，使突出電極12的至少是頂端部分從樹脂層13中露出來之后，在該突出電極12(在本實(shí)施例中用的是直立突出電極18)的頂端部分上還形成作為另一突出電極的外部連接用突出電極(以下，稱之為外部連接用突出電極)90。
該外部連接用突出電極90采用實(shí)施外部連接用突出電極形成工序的辦法形成。該外部連接用突出電極形成工序，可以應(yīng)用普通實(shí)施的突出電極形成技術(shù)，可以應(yīng)用復(fù)制法，電鍍法，或凹痕平板(dimpleplate)法等。這樣，在實(shí)施了突出電極露出工序后，實(shí)施該外部連接用突出電極形成工序的辦法，就可以在直立突出電極18的頂端部分上形成外部連接用突出電極90。
如本實(shí)施例所示，采用在實(shí)施了突出電極露出工序之后，實(shí)施外部連接用突出電極形成工序，在直立突出電極18的頂端部分上形成外部連接用突出電極90的辦法，就可以提高在把半導(dǎo)體裝置裝配到裝配基板上去時(shí)的裝配性。
即，由于突出電極12形成在已形成與襯底16(半導(dǎo)體芯片)上的電極上邊，所以必然地其形狀將變小。這樣一來，在該小的突出電極12用作電連到裝配基板上的外部連接端子的情況下，就存在著裝配基板與突出電極12不能確實(shí)地連接的可能性。
然而，在本實(shí)施例中設(shè)置的外部連接用突出電極90，由于和已形成在襯底16上的突出電極12是分開的，所以可以自由地進(jìn)行設(shè)計(jì)而不會(huì)影響襯底16和突出電極12(但是需要與突出電極12電連)，可以應(yīng)用到裝配基板的構(gòu)成上去。這樣一來，采用在突出電極12的頂端部分上配設(shè)外部連接用突出電極90的辦法，就可以提高已設(shè)置了外部連接用突出電極90的半導(dǎo)體裝置與裝配基板之間的裝配性。
其次，說明本發(fā)明的實(shí)施例16。
圖37是實(shí)施例16的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖37中，對于與用圖1～圖9說明過的的實(shí)施例1，用圖36說明過的實(shí)施例15相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在本實(shí)施例中，特征是在形成外部連接用突出電極90的外部連接用突出電極形成工序中，用具有應(yīng)力緩和功能的接合材料91(以下，叫做應(yīng)力緩和材料)使突出電極12與外部連接用突出電極接合。此外，在本實(shí)施例中，另一特征是作為外部連接用突出電極使用了柱(pole)狀電極92。
應(yīng)力緩和接合材料91，可以使用具有比例如在裝配時(shí)所加的溫度還高的熔融點(diǎn)的焊錫。此外，作為柱狀電極92例如可以用鈀絲。突出電極12與柱狀電極92用應(yīng)力緩和接合材料91接合。此外，由于焊錫是比較軟質(zhì)的金屬，所以在突出電極12與柱狀電極92之間的接合位置上，采用使構(gòu)成應(yīng)力緩和接合材料91的焊錫變形的辦法，就可以吸收加在柱狀電極92上的應(yīng)力。
倘采用本實(shí)施例，由于突出電極12和柱狀電極92用具有應(yīng)力緩和功能的應(yīng)力緩和接合材料進(jìn)行接合，所以即便是在柱狀電極92上加上了外力，發(fā)生了應(yīng)力，該應(yīng)力也可以被應(yīng)力緩和接合材料緩和，可以防止傳遞到突出電極12上去。這樣，就可以用外部應(yīng)力防止在襯底16(半導(dǎo)體器件)上發(fā)生損傷，因此可以提高所制造的半導(dǎo)體裝置的可靠性。
此外，采用把柱狀電極92用作外部連接用突出電極的辦法，與球狀的電極比，就可提高與外部連接端子(裝配基板一側(cè)或者試驗(yàn)裝置一側(cè)的外部連接端子)之間的連接狀態(tài)變得良好。
此外，球狀的電極難于形成，且在高度(直徑)上易于產(chǎn)生不均一，但是要用細(xì)絲狀的柱狀電極的話，則可以以良好的精度得到同一長度的電極，因而可以防止不均一的發(fā)生。再有，柱狀電極92由于可以彈性地進(jìn)行縱彎曲變形，故柱狀電極92本身也具有緩和應(yīng)力的功能。因此，可以更為確實(shí)地進(jìn)行外力輸入時(shí)的應(yīng)力的緩和。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例17。
圖38是實(shí)施例17的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖38中，對于與用圖1～圖9說明過的的實(shí)施例1相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在上邊說過的實(shí)施例1中，為了使突出電極12從樹脂層13中露出來，作為薄膜30選定了有彈性的材質(zhì)，并在已把薄膜30配設(shè)到突出電極12上的時(shí)刻，使突出電極12的頂端部分沉入薄膜30中去，這樣一來，如圖7所示，在剝離下薄膜30的時(shí)刻，使突出電極12的頂端部分從樹脂層13中露出來。但是，在該實(shí)施例1的方法中，存在著從樹脂層13中露出的突出電極12的頂端部分變小，降低與裝配基板之間的電氣連接性的可能性。
另一方面，在前邊說過的實(shí)施例7中，作為薄膜30A，選定了硬質(zhì)的材質(zhì)，做成為在已剝離下薄膜30A的時(shí)刻，突出電極12的頂端部分不從樹脂層13中露出來的狀態(tài)，為使突出電極12的頂端部分從樹脂層13中露出來，如圖7所示，使用了用激光照射裝置60等使之露出的方法。然而，用實(shí)施例7的方法的話，為了使突出電極12從樹脂層13中露出來，需要有龐大的設(shè)備。
于是，在本實(shí)施例中，如圖38(A)所示，特征是在樹脂密封序中，作為薄膜30B選定硬質(zhì)材料的薄膜的同時(shí)，使用了在與該薄膜30B的突出電極12相向的位置上形成了凸部19的薄膜。以下，對應(yīng)用了已形成有該凸部19的薄膜30B的樹脂密封工序進(jìn)行說明。在圖38中，未畫出模具。
圖38(B)示出了已把襯底16，密封樹脂35和薄膜30B裝設(shè)到模具中的狀態(tài)。在該狀態(tài)中，已形成了薄膜30B的凸部19被定位為與已形成于襯底16上突出電極12相向。此外，薄膜30B由硬質(zhì)的樹脂材料形成，凸部19由比較軟質(zhì)的樹脂材料形成。即，在本發(fā)明中，薄膜30B和凸部19由不同的材料構(gòu)成(此外，也可以做成為用同一材料的一體化的構(gòu)成)。
圖38(C)示出了正對密封樹脂35進(jìn)行壓縮成型處理的狀態(tài)。在該壓縮成型處理時(shí)已形成于薄膜30B上的凸部19變成了被推壓到突出電極12上的狀態(tài)。因此，對凸部19推壓突出電極12的區(qū)域來說，密封樹脂35不會(huì)附著到突出電極12上。而且，由于凸部19用軟質(zhì)樹脂構(gòu)成，采用使凸19進(jìn)行可撓變形的辦法，就可以使突出電極12與凸部19之間的接觸面積邊寬。
圖38(D)示出了突出電極露出工序，示出的是從襯底16上去除了薄膜30B的狀態(tài)。如前所述，在凸部19推壓突出電極12的區(qū)域中，由于密封樹脂不附著于突出電極12上，所以在已去除了薄膜30B的狀態(tài)下，該區(qū)域?qū)⒆兂梢褟臉渲瑢?3中露了出來的狀態(tài)。而且，在本實(shí)施例中，突出電極12從樹脂層13中露出的面積與前邊說過的實(shí)施例1的方法比已經(jīng)變寬。
因此，倘采用本實(shí)施例的制造方法，不必用龐大的設(shè)備就可以容易且確實(shí)地使突出電極12從樹脂層13中露出來。此外，由于可從樹脂層13中露出的面積寬，例如，如圖38(E)所示，即便是在在突出電極12的頂端部分上設(shè)置外部電極連接用突出電極90的情況下，也可以確實(shí)地使突出電極12與外部連接用突出電極90進(jìn)行接合。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例18。
圖39和圖40是實(shí)施例18的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖39和圖40中，對于與用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在本實(shí)施例中，特征在于將要形成于襯底16上的突出電極12A的形成方法及其構(gòu)造。該突出電極12A形成于已設(shè)于襯底16的表面上的連接電極98上邊。要想形成突出電極12A，首先要在連接電極98的上部上形成核心部分99(用帶點(diǎn)的區(qū)域表示)。該核心部分99由有彈性的樹脂(例如，聚酰亞胺等)形成。
作為在連接部分98上邊形成核心部分99的具體的方法，首先，在襯底16的整個(gè)面上涂敷將成為核心部分99的樹脂(感光性的聚酰亞胺)，使之變成規(guī)定的厚度，接著用光刻技術(shù)除去連接電極98以外的位置的樹脂。這樣，就可在連接電極98上邊形成核心部分99。
接下來，形成導(dǎo)電膜100，使得把該核心部分99的全部表面都覆蓋起來。該導(dǎo)電膜100可用電鍍法和濺射法等的薄膜形成技術(shù)形成，其基板一側(cè)端部與連接電極98電連。作為導(dǎo)電膜100的材質(zhì)，可選定具有某種程度的彈性的同時(shí)，還具有低的電阻的金屬。采用實(shí)施以上的處理的辦法，就可形成突出電極12A。此外，圖中的102是絕緣膜。
就象從上述的說明中所看出的那樣，突出電極12A的構(gòu)成是在核心部分99的表面上形成了導(dǎo)電膜100。如上所述，核心部分99具有彈性，且導(dǎo)電膜100也由具有某種程度的彈性的材料形成，所以在例如裝配時(shí)等外力作用到突出電極12A上發(fā)生了應(yīng)力，該應(yīng)力也會(huì)借助于核心部分99和導(dǎo)電膜100進(jìn)行彈性變形而被吸收。因此，可以防止該應(yīng)力加到襯底16上，可以抑制在襯底16上發(fā)生損傷。
在此，對突出電極12A對樹脂層13的高度進(jìn)行說明。圖39(A)示出的是突出電極12A的頂端部分比樹脂層13還往外突出的構(gòu)成。在該構(gòu)成中，由于由于突出電極12A從樹脂層13中露出的寬，所以在已設(shè)置了外部連接用突出電極90的情況下，突出電極12A與外部連接用突出電極90之間的接合面積變寬，使得可以確實(shí)地使突出電極12A與外部連接用突出電極90進(jìn)行接合。
此外，圖39(B)示出了把突出電極12A和樹脂層13的表面做成為同一平面的構(gòu)成。具有該構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置，可以用作LCC(無引線芯片載體，Wireless Chip Carrier)構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置，可以提高裝配密度。
此外，圖39(C)示出了突出電極12A的頂端部分處于比樹脂層13還低的位置上的構(gòu)成。因此，在樹脂層13上形成了用于使突出電極12A露出的凹部101。在該構(gòu)成中，在已設(shè)置了外部連接用突出電極90的情況下，由于凹部101起著進(jìn)行外部連接用突出電極90的定位的作用，所以與示于圖39(A)的構(gòu)成比，可以容易地進(jìn)行突出電極12A與外部連接用突出電極90之間的定位處理。
另一方面，在本實(shí)施例中，如圖40所示，已變成了使已設(shè)于襯底16(半導(dǎo)體芯片)上的電極焊盤97和將形成突出電極12A的連接電極98分開的構(gòu)成，變成為用引出布線96連接電極焊盤97和連接電極98的構(gòu)成。
如圖39所示，在突出電極12A的頂端部分上已設(shè)置有外部連接用突出電極90的構(gòu)成中，從改善裝配性方面來看，一般把外部連接用突出電極90設(shè)定得比突出電極12A大。因此，在突出電極12A的相鄰的步距間距離小的情況下，存在著會(huì)使相鄰配置的外部連接用突出電極90彼此接觸的危險(xiǎn)。
于是，在示于圖40的例子中，采用用引出布線96連接電極焊盤97和連接電極98的辦法，加大了將要形成的連接電極98的步距。這樣一來，就可以避免在相鄰的外部連接用突出電極90件發(fā)生干擾。
接下來，說明本發(fā)明的實(shí)施例19。
圖41是實(shí)施例19的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖41中，對于與用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在實(shí)施例19的制造方法中，如圖41(A)所示，在實(shí)施樹脂密封工序之前，在后邊實(shí)施的分離工序中要切斷基板的位置(圖中，用虛線X表示。以下，叫做切斷位置)上，先形成下寬度比較寬的切斷位置溝105。該切斷位置溝105的寬度尺寸被設(shè)定為至少要比后邊要講的切片刀具29的寬度尺寸大。
此外，在接著實(shí)施的樹脂密封工序中，在形成樹脂層13的同時(shí)，向該切斷位置溝105內(nèi)也填充密封樹脂35形成切斷位置樹脂層106。接著，在樹脂密封工序結(jié)束后實(shí)施的分離工序中，如圖41(B)所示，在已填充了切斷位置樹脂層106的切斷位置溝105內(nèi)的切斷位置X處，用切片刀具29切斷襯底16。
倘采用上邊所說的本實(shí)施例的制造方法，則在分離工序中，可以防止在襯底16和樹脂層13上發(fā)生裂紋。其理由如下。
現(xiàn)在假定想像一種不形成切斷位置溝的構(gòu)成，則結(jié)果將變成在分離工序中，切斷已形成了比較薄的膜狀的樹脂層13的襯底16。使用了切片刀具29的切斷處理將把大的應(yīng)力加到襯底16上。因此，若用該切斷方法，則會(huì)存在有使薄的樹脂層13從襯底16上剝離下來，或者在樹脂層13和襯底16上產(chǎn)生裂紋的危險(xiǎn)。對此，若用本實(shí)施例的制造方法，采用在切斷位置X處形成寬度寬的切端位置溝105的辦法，結(jié)果將變成為在芯片分離工中，在已形成了切斷位置樹脂層106的切斷位置溝105內(nèi)進(jìn)行切斷處理。這時(shí)，切斷位置樹脂層106的厚度變得比在其它的位置上形成的樹脂層13的厚度后，其機(jī)械強(qiáng)度變強(qiáng)。而且，由于切斷位置樹脂層106與襯底16比具有柔性，所以起著吸收所發(fā)生的應(yīng)力的作用。
這樣一來，由于因切斷處理而發(fā)生的應(yīng)力在被切斷位置樹脂層106的吸收而減弱的狀態(tài)下，加到襯底16上，所以可以防止在樹脂層13和襯底16上發(fā)生裂紋，可以提高半導(dǎo)體裝置的制造成品率。
此外，如圖41(C)所示，在分離工序結(jié)束的時(shí)刻，將變成在襯底16的側(cè)面上切斷位置樹脂層106已露出來的構(gòu)成。因此，變成為用切斷位置樹脂層106保護(hù)襯底16的側(cè)部的構(gòu)成，可以抑制襯底16直接受外部環(huán)境的影響的情況。
還有，在半導(dǎo)體裝置的搬運(yùn)處理中，使用了裝卸裝置，該裝卸裝置也可以構(gòu)成為使得可以把持切斷位置樹脂層106的已露出的部分，這樣，就可以防止因裝卸處理而傷及襯底16。
接下來，說明本發(fā)明的實(shí)施例20。
圖42是實(shí)施例20的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖42中，對于與用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1，和用圖41說明過的實(shí)施例19相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在上述實(shí)施例19的制造方法中，雖然做成為在切斷位置X處已形成了切斷位置溝105的構(gòu)成，但在本實(shí)施例的制造方法中，如圖42(A)所示，特征是把要切斷襯底16的切斷位置X夾在中間形成了一對應(yīng)力緩和溝110a、110b。因此，結(jié)果變成為在分離工序中，在一對應(yīng)力緩和構(gòu)110a、110b之間的位置上切斷襯底16。
此外，采用形成一對應(yīng)力緩和溝110a、110b的辦法，在樹脂密封工序中，如圖42(B)所示，在應(yīng)力緩和溝110a、110b的內(nèi)部形成應(yīng)力緩和樹脂層111a、111b。該應(yīng)力緩和樹脂層111a、111b比在其它部分上形成的樹脂層13的厚度變厚，其機(jī)械強(qiáng)度變強(qiáng)。而且，由于應(yīng)力緩和樹脂層111a、111b與襯底16比具有柔性，所以具有吸收所發(fā)生的應(yīng)力的功能。
在上述構(gòu)成中，在分離工序中，若在一對應(yīng)力緩和溝110a、110b之間的位置上切斷襯底16，則將在位于應(yīng)力緩和溝110a、110b之間的襯底16(以下，把該部分叫做襯底切斷部分16a)上加上大的應(yīng)力。因此，就有可能在襯底切斷部分16a和已在其上部形成的樹脂層13上發(fā)生裂紋。但是，由于在該襯底切斷部分16a的形成位置上沒有形成突出電極12和電子電路等的重要的構(gòu)成要素，所以即便是發(fā)生了裂紋也不會(huì)成為問題。
另一方面，因切斷襯底切斷部分16a而發(fā)生的應(yīng)力雖然向側(cè)方傳達(dá)，但由于在襯底切斷部分16a的兩側(cè)部分上形成了已填充后的應(yīng)力緩和溝110a、110b，所以切斷時(shí)發(fā)生的應(yīng)力，將在應(yīng)力緩和溝110a、110b中被吸收。
這樣一來，就可以防止在突出電極12和已形成了電子電路等的區(qū)域上發(fā)生裂紋，而不會(huì)使在襯底切斷部分16a處發(fā)生的應(yīng)力影響到從應(yīng)力緩和構(gòu)110a、110b的形成位置往外的外側(cè)(襯底16的已形成了電子電路的一側(cè))。此外，圖42(C)示出的是分離工序已結(jié)束的狀態(tài)。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例21。
圖43是實(shí)施例21的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖43中，對于與用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1，和用圖41說明過的實(shí)施例19相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在本實(shí)施例的制造方法中，在實(shí)施樹脂密封工序前，采用實(shí)施第1分離工序的辦法，把襯底16分離成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體器件112。在該一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體器件112上，已分別形成有突出電極112和電子電路(未畫出來)。
該第1分離工序結(jié)束后，接著實(shí)施樹脂密封工序。在該樹脂密封工序中，如圖43(A)所示，把在第1分離工序中已經(jīng)分離的半導(dǎo)體器件112排列搭載到將成為基底材料的薄膜構(gòu)件113上。這時(shí)，半導(dǎo)體器件112用粘接劑搭載到薄膜構(gòu)件113上。此外，如圖43(A)所示，排列為使得在相鄰的半導(dǎo)體器件112之間形成間隙部分114。
如上所述，當(dāng)把半導(dǎo)體器件112搭載在薄膜構(gòu)件113上邊后，就進(jìn)行樹脂的壓縮成型處理，在各個(gè)半導(dǎo)體器件112的表面上形成樹脂層13的同時(shí)，在間隙部分114上形成切斷位置樹脂層106。接著，實(shí)施使突出電極12的至少頂端部分露出來的突出電極露出工序。圖43(B)示出了以上的各個(gè)處理已結(jié)束后的狀態(tài)。
當(dāng)以上的處理結(jié)束后，接著實(shí)施第2分離工序。在該第2分離工序中，在相鄰的半導(dǎo)體器件112之間的位置，即在已形成了切斷位置樹脂層106的位置上進(jìn)行切斷處理，與薄膜113一起切斷切斷位置樹脂層106。這樣，如圖43(C)所示，已形成了樹脂層13的半導(dǎo)體器件112就被分離開，接著如圖43(D)所示，除去薄膜構(gòu)件113。
在上邊說過的本實(shí)施例的制造方法中，由于采用在第1分離工序中預(yù)先切斷襯底16的辦法，分離成各個(gè)半導(dǎo)體器件112，所以在樹脂密封工序中把半導(dǎo)體器件112搭載到基底構(gòu)件113上之際，可以把不同種類的半導(dǎo)體器件112搭載到基底構(gòu)件上去。因此，在把多個(gè)半導(dǎo)體器件配設(shè)到同一樹脂層13內(nèi)的情況下，可以組合配設(shè)不同的種類和特性的半導(dǎo)體器件112，可以提高設(shè)計(jì)的自由度。此外，即便是在本實(shí)施例中，當(dāng)然也可以得到已用圖41說明過的實(shí)施例19的效果。
接著說明本發(fā)明的實(shí)施例22。
圖44是實(shí)施例22的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖44中，對于與用圖43說明過的實(shí)施例21相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。本實(shí)施例的制造方法，雖然大體上與用圖43說明過的實(shí)施例21相同，但不同之處是在實(shí)施例21中在樹脂密封工序中作為基底構(gòu)件用的是薄膜構(gòu)件113，對此，在本實(shí)施例中，作為基底構(gòu)件用的是散熱板115。
因此，在樹脂密封工序中，半導(dǎo)體器件112被搭載到該散熱板115上，在第2分離工序中，與切斷位置樹脂層106一起切斷散熱板115。然而，在實(shí)施例21中，在第2分離工序結(jié)束后除去薄膜構(gòu)件113，但在本實(shí)施例中，卻做成為在第2分離工序結(jié)束后不進(jìn)行除去散熱板115的處理的構(gòu)成。這樣一來，將變成為在所制造的半導(dǎo)體裝置上殘留下散熱板115的構(gòu)成，因此可以提高半導(dǎo)體裝置的散熱性。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例23。
圖45和圖46是實(shí)施例23的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖45和圖46中，對于與用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
本實(shí)施例的制造方法的特征是至少在樹脂密封工序的實(shí)施后，而且在實(shí)施分離工序前，如圖46所示，在樹脂層13上形成定位溝120。
如上所述，采用在樹脂層13上形成定位溝120的辦法，在例如對已制造好了的半導(dǎo)體裝置10F進(jìn)行試驗(yàn)處理之際，可以以該定位溝120為基準(zhǔn)裝設(shè)到試驗(yàn)裝置中去。此外，采用在實(shí)施分離工序前形成定位溝120的辦法，就可以一起地對多個(gè)半導(dǎo)體裝置10F形成定位溝120，可以提高定位溝120的形成效率。
要形成該定位溝120，例如如圖45所示，可以采用用切片刀具29在樹脂層13上進(jìn)行半劃片的辦法形成。如上所述，采用借助于半劃片形成定位溝120的辦法，由于用在分離工序中通常所使用的劃片技術(shù)就可以形成定位溝120，所以可以容易且精度良好地形成定位溝。
接著。說明本發(fā)明的實(shí)施例24。
圖47是實(shí)施例24的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖47中，對于與用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
本實(shí)施例的制造方法的特征是至少在樹脂密封工序的實(shí)施后，而且在實(shí)施分離工序前，如圖47所示，在襯底16的背面上形成定位溝121。
如上所述，采用在襯底16的背面上形成定位溝121的辦法，就可以與實(shí)施例23一樣，以定位溝121為基準(zhǔn)進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的定位。特別是在裝配時(shí)的定位由于突出電極12朝向裝配基板一側(cè)，即便是在樹脂層13上形成了定位溝120也不能從上部對之進(jìn)行識(shí)別。
但是，采用象本實(shí)施例這樣在襯底16的背面上先形成定位溝121的辦法，則即便是在半導(dǎo)體裝置的裝配時(shí)也可以識(shí)別定位溝121，可以進(jìn)行高進(jìn)度的裝配處理。此外，定位溝121的形成，可以與實(shí)施例23一樣采用在襯底16的背面上用切片刀具29進(jìn)行半劃片的辦法形成。
接下來，說明本發(fā)明的實(shí)施例25和26。
圖48是實(shí)施例25的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖，圖49是實(shí)施例26的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖48和圖49中，對于與用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
實(shí)施例25的制造方法的特征是與上邊說過的實(shí)施例23、24一樣，形成定位溝122。圖48(C)示出了用本實(shí)施例在樹脂層13上形成的定位溝122。
要形成定位溝122，首先要如圖48(A)所示，應(yīng)用在樹脂密封工序中作為薄膜30C在與突出電極12不妨礙的位置上形成了凸部31的薄膜。圖48(B)示出了在樹脂密封工序中，已把具有凸部31的薄膜30C相向配置到襯底16上的狀態(tài)。如同圖所示，凸部31位于和突出電極12不相向的位置上。因此，在樹脂密封工序結(jié)束后，用該凸部31在樹脂層13上形成定位122。
另一方面，實(shí)施例26的制造方法的特征是在樹脂層13上形成定位突起123。圖49(C)示出了用本實(shí)施例在樹脂層13上形成的定位突起123。
要形成定位突起123，首先要如圖49(A)所示，應(yīng)用在樹脂密封工序中作為薄膜30C在與突出電極12不妨礙的位置上形成了凹部32的薄膜。圖49(B)示出了在樹脂密封工序中，已把具有凹部32的薄膜30C相向配置到襯底16上的狀態(tài)。如同圖所示，凹部32位于和突出電極12不相向的位置上。因此，在樹脂密封工序結(jié)束后，用該凹部32在樹脂層13上形成定位突起123。
倘采用上邊說過的實(shí)施例25和26，在樹脂密封工序中，采用應(yīng)用在與突出電極12不妨礙的位置上形成了凸部31或者凹部32的薄膜30C的辦法，就可以在樹脂層13上形成將成為定位基準(zhǔn)的定位溝122或定位突起123。這樣一來，在例如對半導(dǎo)體裝置進(jìn)行試驗(yàn)和進(jìn)行裝配處理時(shí)，就可以以該定位溝122或定位突起123為基準(zhǔn)進(jìn)行定位處理，可以簡化定位處理。
接下來，說明本發(fā)明的實(shí)施例27。
圖50是實(shí)施例27的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。在圖50中，對于與用圖1～圖9說明過的實(shí)施例1相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
本實(shí)施例的制造方法的特征是在配設(shè)多個(gè)的突出電極12之內(nèi)，先設(shè)定下將成為定位基準(zhǔn)的突出電極12(以下，把該突出電極12叫做定位突出電極12B)，在樹脂密封工序結(jié)束后，采用對該定位用的突出12B的形成位置上的樹脂層13進(jìn)行加工的辦法，使得可以識(shí)別通常的突出電極12和定位用突出電極12B。此外，定位用突出電極12B本身的構(gòu)成，和通常的突出電極12一樣。
圖50(A)示出了樹脂密封工序和突出電極露出工序結(jié)束后狀態(tài)的襯底16。在該狀態(tài)下，樹脂層13在襯底16上邊以均一的膜厚形成，因此不能識(shí)別突出電極12和定位用突出電極12B。
但是，在本實(shí)施例中，如圖50(B)所示，已對定位用突出電極12B的近旁位置上的樹脂層13的膜厚進(jìn)行了使之變薄的加工。因此，就可以識(shí)別通常的突出電極12和定位用突出電極12B。此外，用于使定位用突出電極12B識(shí)別化的加工，例如可以利用在上邊說過的突出電極露出工序中所用的準(zhǔn)分子激光、刻蝕、機(jī)械研磨或噴砂等，因此，不會(huì)因進(jìn)行樹脂加工而大大變更半導(dǎo)體裝置的制造設(shè)備。
在此，對識(shí)別突出電極12和定位用突出電極12B的方法進(jìn)行說明。圖50(C)擴(kuò)大示出的定位用突出電極12B，而圖50(D)示出的則是從上部看的定位用突出電極12B。另一方面，圖51(A)擴(kuò)大示出的是通常的突出電極12，而圖51(B)示出的則是從上部看的通常的突出電極12。
如上所述，由于定位用突出電極12B與通常的突出電極12的構(gòu)成相同，故僅僅用各個(gè)突出電極12，12B的構(gòu)成的話，就不能進(jìn)行識(shí)別。然而，由于各個(gè)突出電極12，12B具有球狀或橄欖球狀的形狀，所以從上部看的直徑尺寸因埋設(shè)到樹脂層13中的深度而變化。
即，由于通常的突出電極12深深地埋設(shè)于樹脂層13中，露出來的面積小，，如圖51(B)所示，從上部看的直徑尺寸L2變小。對此，定位用突出電極12B借助于進(jìn)行上邊說過的樹脂加工從樹脂層13中露出來的面積大，因此，如圖50(D)所示，從上部看的直徑尺寸L1變大(L1＞L2)。
這樣，采用檢測從上部看的各個(gè)突出電極12，12B的直徑尺寸的辦法，就可以識(shí)別通常的突出電極12和定位用突出電極12B。于是，可以以定位用突出電極12B為基準(zhǔn)進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的定位處理。
接著，對用上邊說過的各實(shí)施例制造的半導(dǎo)體裝置的裝配方法進(jìn)行說明。
圖52示出了作為實(shí)施例1的裝配方法。圖52(A)示出了用上邊所說的實(shí)施例1的制造方法制造出來的半導(dǎo)體裝置10的裝配方法，其構(gòu)造是用焊錫膏等的接合材料125把突出電極12接合到裝配基板14上去。圖52(B)示出了用上邊所說的實(shí)施例14的制造方法制造出來的半導(dǎo)體裝置10G的裝配方法，其構(gòu)造是用焊錫膏等的接合材料125把直立突出電極18接合到裝配基板14上去。圖52(C)示出了用上邊所說的實(shí)施例15的制造方法制造出來的半導(dǎo)體裝置10H的裝配方法，其構(gòu)造是用已配設(shè)到突出電極12的頂端部分上的外部連接用突出電極90接合到裝配基板14上去。
圖53示出了作為實(shí)施例2的裝配方法。示于同圖的裝配方法的特征是在把半導(dǎo)體裝置10裝配到裝配基板14上之后，配設(shè)上填充區(qū)126。
圖53(A)的構(gòu)成是在把已形成在半導(dǎo)體裝置10上的突出電極12直接裝配到裝配基板14上后，再配設(shè)填充區(qū)126，而圖53(B)的構(gòu)成是在通過接合材料125把突出電極12接合到裝配基板14上之后，再配設(shè)填充區(qū)126。
如上所述，由于用上邊說過的個(gè)實(shí)施例制造的半導(dǎo)體裝置10、10A～10H，在襯底16的表面上已形成了樹脂層13、13A、13B，所以襯底16的保護(hù)可以用該樹脂層13、13A、13B確實(shí)地進(jìn)行。
然而，突出電極12、18、90在與裝配基板14接合的部位上卻有因各個(gè)突出電極12、18、90已露了出來而氧化的危險(xiǎn)。此外，在各個(gè)裝配基板14與襯底16的熱膨脹率存在著大的差異的情況下，存在著對各個(gè)突出電極12、18、90和裝配基板14之間的接合位置加上大的應(yīng)力的危險(xiǎn)。因此，為了防止在上述位置上發(fā)生的氧化和緩和應(yīng)力，也可以做成為配設(shè)填充區(qū)的構(gòu)成。
圖54示出了作為實(shí)施例3的裝配方法(舉出了具有外部連接用突出電極90的半導(dǎo)體裝置10H的例子)。本實(shí)施例的裝配方法的特征是在裝配時(shí)把散熱電風(fēng)扇配設(shè)到半導(dǎo)體裝置10H上。
圖54(A)的構(gòu)成是對于一個(gè)半導(dǎo)體裝置10H設(shè)置了散熱電風(fēng)扇127，而圖54(B)的構(gòu)成是對于多個(gè)(圖中是2個(gè))半導(dǎo)體裝置10H配設(shè)了散熱電風(fēng)扇128。此外，向裝配基板14上裝配半導(dǎo)體裝置10H的步驟，既可以定為在把半導(dǎo)體裝置10H固定到散熱電風(fēng)扇127、128上之后再裝配到裝配基板14上去，也可以在把半導(dǎo)體裝置10H裝配到裝配基板14上后再固定到散熱電風(fēng)扇上去。
圖55示出了作為實(shí)施例4的裝配方法。在本實(shí)施例中采用了用插入器基板130把多個(gè)半導(dǎo)體裝置10裝配到裝配基板14上去的方法。其構(gòu)成為半導(dǎo)體裝置10已用突出電極12接合到插入器基板130上，而各個(gè)插入器基板130用基板接合用突出電極129分別電連。因此，其構(gòu)成為插入器基板130，其上表面和下表面上已分別形成了連接電極130A、130b，而各個(gè)連接電極130a、130b已用內(nèi)部布線連接。
倘采用本發(fā)明的裝配方法，由于使半導(dǎo)體裝置10在多個(gè)疊層的狀態(tài)下進(jìn)行配設(shè)，所以可以提高裝配基板14的單位面積上的半導(dǎo)體裝置10的裝配密度。特別是在本實(shí)施例的構(gòu)成在半導(dǎo)體裝置10是存儲(chǔ)器的情況下是有效的。
圖56示出了作為實(shí)施例5的裝配方法。在本實(shí)施例中，示出了把先前用圖26說明過的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置10A搭載到插入器基板131上去之后，再把該插入器基板131裝配到裝配基板14上去的方法。本實(shí)施例中所用的插入器基板131是多層布線基板，在其上表面上將形成連接半導(dǎo)體裝置10A的上部電極的同時(shí)，在下表面上還配設(shè)有用于與裝配基板14接合的裝配用突出電極136。
圖57示出了作為實(shí)施例6的裝配方法。在本實(shí)施例中，示出了把實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置10A搭載到第1插入器基板131上，再把它與其它的電子部件135一起搭載到第2插入器基板132上去之后，把該第2插入器基板132裝配到裝配基板14上去的方法。第1插入器基板132也是多層布線板，在其上表面上將形成連接第1插入器基板131和電子部件135的上部電極的同時(shí)，在下表面上還配設(shè)有用于與裝配基板14接合的裝配用突出電極137。
此外，圖58示出了作為實(shí)施例7的裝配方法。在示于圖57的作為實(shí)施例6的裝配方法中，其構(gòu)成為僅在第2插入器基板132的上表面上配設(shè)已搭載上半導(dǎo)體裝置10A的第1插入器基板131和電子部件135，在下表面上配設(shè)裝配用突出電極137。
對此，在本實(shí)施例中，在第2插入器基板132的上表面和下表面這兩面上都配設(shè)有已搭載上半導(dǎo)體裝置10A的第1插入器基板131和電子部件135。此外，與外部之間的電連，被做成為用已形成在第2插入器基板132的側(cè)端部分(圖中是左端部分)上的電路板邊沿接插件138進(jìn)行。
用圖55～圖58說明的各裝配方法的構(gòu)成為在半導(dǎo)體裝置10、10A和裝配基板14(或電路板邊沿接插件所連接的接插件)之間，存在著插入器基板131～133。因?yàn)樵摬迦肫骰?31～133是多層布線板，所以基板內(nèi)的布線的走線得以容易且具有自由度地進(jìn)行，可以容易地謀求半導(dǎo)體裝置10、10A的突出電極12(外部連接用突出電極90)與裝配基板14(或接插件)一側(cè)的電極之間的匹配性。
接下來，對作為實(shí)施例28的半導(dǎo)體裝置的制造方法和作為本發(fā)明的實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。
首先，用圖63對作為實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置10J進(jìn)行說明。在圖63中，對于與用圖9說明過的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置10相同的構(gòu)成僅賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置10J，粗略地說，由襯底16(半導(dǎo)體器件)，樹脂層13，和外部連接電極40等構(gòu)成。襯底16起著半導(dǎo)體器件的作用，在器表面上已形成了電子電路的同時(shí)還形成了與外部端子電連的外部連接電極140。此外，樹脂113被形成為把襯底16的表面覆蓋起來，因此外部連接電極140也被構(gòu)成為已被樹脂層13密封。
然而，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置10J的特征是該外部電極140被構(gòu)成為在襯底16與樹脂層13之間的交界面上外部連接電極140已向側(cè)方露了出來。即，半導(dǎo)體裝置10J的構(gòu)成為不具有突出電極，不用突出電極而代之以用已在半導(dǎo)體裝置10J的側(cè)部露出來的外部連接電極140與裝配基板電連。
如上所述，由于本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置10J無須形成突出電極，就可以用外部連接電極140裝配半導(dǎo)體裝置10J，所以可以簡化半導(dǎo)體裝置10J的構(gòu)成和制造工序，可以降低造價(jià)和提高制造效率。另外，外部連接電極140的構(gòu)成是已露出到半導(dǎo)體裝置10J的側(cè)部，所以，如后邊將詳細(xì)講述的那樣，可以以對于裝配基板14站立的狀態(tài)裝配半導(dǎo)體裝置10J。
接著，對作為實(shí)施例28的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。實(shí)施例28的制造方法是制造示于圖63的半導(dǎo)體裝置10J的方法。
在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，不實(shí)施突出電極形成工序，在實(shí)施了半導(dǎo)體器件形成工序后，立即實(shí)施樹脂密封工序。在半導(dǎo)體器件形成工序中，在襯底16的表面上形成規(guī)定的電子電路的同時(shí)，還如先前用圖40說明過地那樣地形成引出布線96和連接98等。接著，在半導(dǎo)體器件形成工序中，在外部連接電極98上形成外部連接電極140。
圖59示出了半導(dǎo)體器件形成工序已結(jié)束了的狀態(tài)的襯底16。如同圖所示，在本實(shí)施例中，外部連接電極140的形成位置被匯集起來配設(shè)于相當(dāng)于一個(gè)半導(dǎo)體器件的矩形區(qū)域(圖中用實(shí)線圍起來的區(qū)域)的一邊上。
當(dāng)上述的基板形成工序結(jié)束后，接著就實(shí)施樹脂密封工序。在該樹脂密封工序中，襯底16被裝設(shè)于模具中進(jìn)行樹脂層13的壓縮成型。此外，樹脂密封工序由于進(jìn)行和上邊說過的實(shí)施例1相同的處理，故略去其說明。
采用結(jié)束樹脂密封工序的辦法，在襯底16的整個(gè)面上都將形成樹脂層13。因此，變成為在基板形成工序中所形成的引出布線96和連接電極98等被樹脂密封的構(gòu)成。這樣一來，當(dāng)樹脂密封工序結(jié)束后，由于在本實(shí)施例中不形成突出電極，所以無須進(jìn)行突出電極露出工序，就可以實(shí)施分離工序。
在本實(shí)施例中，特征是在該分離工序中所形成的位置處切斷襯底16。在圖59中，虛線所示的位置就是襯底16的切斷位置。采用在該切斷位置上與樹脂層13一起進(jìn)行切斷的辦法，外部電極140的一部分就被切斷，因而，可以制造其構(gòu)成為外部電極140在襯底16與樹脂層13之間的交界面上向側(cè)方露出來的半導(dǎo)體裝置10J。
如上所述，倘采用本實(shí)施例的制造方法，則在上邊所說的各實(shí)施例中所需要的突出電極形成工序和突出電極露出工序都不再需要，僅僅在已形成了外部連接電極140的位置處切斷已形成了樹脂層13的襯底16，就可以使該外部連接電極140從樹脂層13中露出到外部，可以容易地制造半導(dǎo)體裝置10J。
接下來，用圖60～圖62說明作為實(shí)施例29的半導(dǎo)體裝置的制造方法。實(shí)施例29的制造方法也是制造已示于圖63的半導(dǎo)體裝置10J的方法。此外，在圖60～圖62中，對于與示于圖59的構(gòu)成相同的構(gòu)成賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。
如上所述，若用用圖59說明過的實(shí)施例28的制造方法，可以容易的制造半導(dǎo)體裝置10J。但是，若用實(shí)施例28的制造方法，則在分離工序中，必須在圖59的虛線所示的位置和實(shí)線所示的位置這兩個(gè)位部位上進(jìn)行切斷處理，此外，圖中用箭頭W表示的部分已變成為不要的部分(該不要的部分已被扔掉)。因此，在實(shí)施例28的制造方法中，存在有分離工序中的切斷效率不好，且在襯底16的有效利用方面也不利的缺點(diǎn)。
對此，在本實(shí)施例中，與先前說明過的實(shí)施例28比，有分離工序的簡化和襯底16的有效利用等優(yōu)點(diǎn)。以下，說明本實(shí)施例的制造方法。
圖60示出了在本實(shí)施例中半導(dǎo)體器件形成工序已結(jié)束后的狀態(tài)的襯底16。圖60(A)是襯底16的整體圖，圖60(B)在已形成于襯底16上的多個(gè)半導(dǎo)體器件之內(nèi)，擴(kuò)大示出了在圖60中以標(biāo)號(hào)11a、11b表示的半導(dǎo)體器件。如圖60(B)所示，在本實(shí)施例中，雖然也把外部連接電極140的形成位置匯集配設(shè)于已做成為矩形的半導(dǎo)體器件11a、11b的一邊上，但在是本實(shí)施例中，特征是在相鄰的半導(dǎo)體器件11a、11b之間外部連接電極140已被共有化。
當(dāng)上述的襯底形成工序結(jié)束后，接著就實(shí)施樹脂密封工序，如圖61所示在襯底16的表面上形成樹脂13。這樣，就將變成為在襯底形成工序這所形成的引出布線96和連接電極98也被樹脂層13密封的構(gòu)成。
在樹脂密封工序結(jié)束后，接著實(shí)施分離工序，在已形成了外部連接電極140的位置處切斷襯底16。圖61(B)中，虛線所示的位置就是襯底16的切斷位置。采用在該切斷位置上，與樹脂層13一起切斷襯底16的辦法，外部連接電極140就在大體上中央位置上被切斷，如圖62所示，就可以制造外部電極140在襯底16與樹脂層13之間的交界面上向側(cè)方露出來的半導(dǎo)體裝置10J。
這時(shí)，如上所述，在本實(shí)施例中，在相鄰的半導(dǎo)體器件11a、11b之間外部連接電極40已共有化。因此，采用進(jìn)行一次切斷處理的辦法，就可以在相鄰的2個(gè)半導(dǎo)體器件11a、11b中分別使外部連接電極140露出到外部。
這樣一來，就可以提高半導(dǎo)體裝置10J的制造效率，此外，倘采用本實(shí)施例的制造方法，還可以有效地利用襯底16而不會(huì)發(fā)生在圖59中用箭頭W表示的不要的部分。
接著說明作為本發(fā)明的實(shí)施例8～實(shí)施例11的半導(dǎo)體裝置的裝配方法。此外，實(shí)施例8～實(shí)施例11的半導(dǎo)體裝置的裝配方法，是把示于圖63的半導(dǎo)體裝置10J裝配到裝配基板14上去的方法。圖64示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置10J的裝配方法。本實(shí)施例的裝配方法是把單一的半導(dǎo)體裝置10J裝配到裝配基板上。
如上所述，半導(dǎo)體裝置10J的構(gòu)成是在其外側(cè)外部連接電極140已露了出來。因此，采用使得該外部連接電極140已露出來的側(cè)面141與裝配基板14相向那樣地進(jìn)行裝配的辦法，就可以使半導(dǎo)體裝置10J以對裝配基板14站立的狀態(tài)進(jìn)行裝配。在圖64的例子中，是用焊錫膏之類的接合材料142使外部連接電極140與裝配基板14接合，用這種辦法，使半導(dǎo)體裝置10J以對裝配基板14站立的狀態(tài)進(jìn)行裝配。此外，在圖64(B)的例子中，已預(yù)先把外部連接用突出電極143配設(shè)到外部連接電極140上，再采用使該外部連接用突出電極143接合到裝配基板14上的辦法，使半導(dǎo)體裝置10J以對裝配基板14站立的狀態(tài)進(jìn)行裝配。
如上所述，采用使半導(dǎo)體裝置10J以對裝配基板14站立的狀態(tài)進(jìn)行裝配的辦法，與使半導(dǎo)體裝置10J在躺著的狀態(tài)下裝配到裝配基板14上的構(gòu)成比，可以減小半導(dǎo)體裝置10J的裝配面積，因而，可以提高半導(dǎo)體裝置10J的裝配密度。
圖65和圖66示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例9和實(shí)施例10的半導(dǎo)體裝置10J的裝配方法。各實(shí)施例的裝配方法，是把22(在本實(shí)施例中是4個(gè))半導(dǎo)體裝置10J裝配到裝配基板14上的方法。
在示于圖65的實(shí)施例9中，特征是使半導(dǎo)體裝置10J多個(gè)站立的同時(shí)把它們裝配為并列狀態(tài)，且用粘接劑144使相鄰的半導(dǎo)體裝置10J接合。該相鄰的半導(dǎo)體裝置10J間的粘接，雖然在本實(shí)施例中被構(gòu)成為在接合到裝配基板14上去之前進(jìn)行，但是也可以構(gòu)成為與使半導(dǎo)體裝置10J接合到裝配基板上去之際一致起來進(jìn)行半導(dǎo)體裝置10J間的粘接處理。
半導(dǎo)體裝置10J與裝配基板14之間的接合，與圖64(B)一樣，使用采用先把外部連接用突出電極143配設(shè)到外部連接電極140上，再把該外部連接用突出電極143接合到裝配基板14上的辦法進(jìn)行裝配的方法。然而，半導(dǎo)體裝置10J與裝配基板14之間的接合也可以采用用示于圖64(A)的接合材料142的方法。
另一方面，在圖66所示的實(shí)施例10中，特征是使多個(gè)半導(dǎo)體裝置10J立裝的同時(shí)，使之裝配成并列的狀態(tài)，且用支持構(gòu)件145把相鄰的半導(dǎo)體裝置10J支持為立裝的狀態(tài)。此外，本實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置10J與裝配基板14間的接合與實(shí)施例9的裝配方法一樣，采用了使用外部連接用突出電極143的方法。
支持構(gòu)件145由散熱性良好的金屬構(gòu)成，形成了隔離相鄰的半導(dǎo)體裝置10J的隔離壁146。各個(gè)半導(dǎo)體裝置10J用粘接劑粘接到一對隔離壁146上，這樣一來，半導(dǎo)體裝置10J就被固定到支持構(gòu)件145上。
此外，把半導(dǎo)體裝置10J固定到支持構(gòu)件145上的方法，不限于粘接，例如也可以構(gòu)成為采用使一對隔離壁146把半導(dǎo)體裝置10J夾在中間的辦法進(jìn)行固定。倘采用上邊所說的實(shí)施例9和10的半導(dǎo)體裝置10J的裝配方法，則可以使多個(gè)半導(dǎo)體裝置10J部件化后來處理。因此在裝配時(shí)可以把多個(gè)半導(dǎo)體裝置10J一起地以部件為單位進(jìn)行向裝配基板14上的裝配處理，因而可以提高半導(dǎo)體裝置10J的裝配效率。
圖67示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例11的半導(dǎo)體裝置10J的裝配方法。在本實(shí)施例的裝配方法中，特征是通過插入器基板147把多個(gè)(在本實(shí)施例中是4個(gè))半導(dǎo)體裝置10J裝配到裝配基板14上。
在本實(shí)施例中，示出了在把應(yīng)用了先前用圖65說明過的實(shí)施例9的裝配方法的多個(gè)半導(dǎo)體裝置10J搭載到插入器基板147上之后，再把插入器基板147裝配到裝配基板14上去的方法。在本實(shí)施例中所用的插入器基板147是多層布線基板，在其上表面上將形成連接各個(gè)半導(dǎo)體裝置10J的上部電極148的同時(shí)，在下表面上形成的下部電極149上已配設(shè)有用于與裝配基板14接合的裝配用突出電極136。此外，上部電極148和下部電極149，已用在插入器基板147的內(nèi)部形成的內(nèi)部布線150進(jìn)行連接。
倘采用本實(shí)施例的裝配方法，由于將變成在半導(dǎo)體裝置10J與配基板14之間存在有插入器基板147的構(gòu)成，所以可以提高把半導(dǎo)體裝置10J裝配到裝配基板14上去的自由度。
接著，對與前邊所說的各個(gè)半導(dǎo)體裝置10、10A～10J不同的其它的半導(dǎo)體裝置160的構(gòu)成及其制造方法進(jìn)行說明。圖68和圖69是半導(dǎo)體裝置160的制造方法的說明圖，圖70則示出了半導(dǎo)體裝置160的構(gòu)成。
如圖70所示，粗略地說，半導(dǎo)體裝置160由多個(gè)半導(dǎo)體器件161，插入器基板162，外部連接用突出電極163和樹脂層164等構(gòu)成。
多個(gè)半導(dǎo)體器件161與電子元件165一起已被搭載到插入器進(jìn)板162的上表面上。在插入器基板162的上表面上形成有上部電極166，該上部電極166和半導(dǎo)體器件161已用金屬絲168進(jìn)行連接。
此外，在插入器基板162的下表面上，已形成有下部電極167，該下部電極167上，已連接有外部連接用突出電極163。在該插入器基板162上已形成了通孔169，用該通孔169電連上部電極166和下部電極167。這樣一來，變成為半導(dǎo)體器件161與外部連接用突出電極163已電連的構(gòu)成。再有，樹脂層164已用上邊所說的壓縮成型技術(shù)形成，已形成為使得把插入器基板162的上表面覆蓋起來。
這樣一來，即便是用金屬絲把半導(dǎo)體器件161電連到外部(插入器基板162)上的構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置160中，也可以用壓縮成型技術(shù)形成樹脂層64。
另一方面，要想制造已做成上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置160，如圖68所示，首先，要把半導(dǎo)體器件161用粘接劑搭載到插入器基板162的上表面上。這時(shí)，如有必要，也一起搭載附屬的電子元件165。接著，實(shí)施金屬絲鍵合把金屬絲168配設(shè)于已形成在插入器基板162的上表面上的上部電極166與已形成在半導(dǎo)器件161的上部的焊盤之間。其次，把已形成在插入器基板162的下表面上的下部電極167，例如用復(fù)制法配設(shè)到外部連接用突出電極163上。
如上所述，在把半導(dǎo)體器件161，外部連接用突出電極163和金屬絲配設(shè)到插入器基板162上后，把該插入器基板162裝設(shè)到樹脂密封用的模具中去，用壓縮成型法，在插入器基板162的表面上形成樹脂層164。接著，在圖69中用虛線所示的規(guī)定位置上切斷該插入器基板162，用這種辦法，就可以形成圖70所示的半導(dǎo)體裝置160。
此外，圖71～圖75也是說明與前邊一直說的半導(dǎo)體裝置10、10A～10J不同的其它的半導(dǎo)體裝置170、170A的構(gòu)成及其制造方法的說明圖。圖71是半導(dǎo)體裝置170的構(gòu)成的說明圖，圖72和圖73是半導(dǎo)體裝置170的制造方法的說明圖，圖74是半導(dǎo)體裝置170A的的構(gòu)成的說明圖，圖75是半導(dǎo)體裝置170A的制造方法的說明圖。
半導(dǎo)體裝置170的構(gòu)成極其簡單，粗略的說，由半導(dǎo)體器件171，樹脂封裝172和金屬膜173構(gòu)成。半導(dǎo)體器件171的上表面上形成了多個(gè)電極焊盤174。此外，樹脂封裝172的構(gòu)成是用前邊說過的壓縮成型技術(shù)使例如環(huán)氧樹脂成型。在該樹脂封裝172的裝配面175上一體性地形成了樹脂突起177。
此外，金屬膜173被形成為把已形成于樹脂封裝172上的樹脂突起175覆蓋起來。在該金屬膜173和前邊說的電極焊盤174之間配設(shè)有金屬絲178，變成為用該金屬絲178把金屬膜173和半導(dǎo)體器件171電連起來的構(gòu)成。
已被做成為上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置170不再需要現(xiàn)有的SSOP那樣的內(nèi)引線和外引線，用來進(jìn)行從內(nèi)引線向外引線走線的走線面積和內(nèi)引線本身的面積不再需要，可以使半導(dǎo)體裝置170小型化。
此外，由于已不再需要為了形成象現(xiàn)有的BGA那樣的焊錫球而使用搭載基板，所以還可以降低半導(dǎo)體裝170的造價(jià)。再者，由于樹脂突起177和金屬膜173進(jìn)行聯(lián)合動(dòng)作起著與BGA型的半導(dǎo)體裝置的焊錫突出電極同等的作用，所以可以提高裝配性。
其次，用圖72和圖73說明半導(dǎo)體裝置170的制造方法。制造半導(dǎo)體裝置170，要先準(zhǔn)備圖72所示的引線框架180。該引線框架180例如由銅(Cu)形成，在與上邊所說的樹脂突起177的形成位置對應(yīng)的位置上，形成了與樹脂突起177的形狀對應(yīng)的凹部181。再在該凹部181的表面上形成金屬膜173。
在已做成為上述構(gòu)成的引線框架180上，首先，搭載上半導(dǎo)體器件171。半導(dǎo)體器件171被搭載到引線框架180上。接著，引線框架180被裝設(shè)到金屬絲鍵合裝置上把金屬絲178配設(shè)到已形成在半導(dǎo)體器件171上的電極焊盤174與已形成于引線框架180上的金屬膜173之間。這樣，就變成為半導(dǎo)體期間171和金屬膜173已電連的構(gòu)成。圖72示出了以上所說的處理結(jié)束后的狀態(tài)。
當(dāng)上述的金屬絲178的配設(shè)結(jié)束后，接著在引線180的上邊形成樹脂封裝172使得把半導(dǎo)體器件171密封起來。在本實(shí)施例中，已用壓縮成型法形成了樹脂封裝172。圖73示出了已形成了樹脂封裝172的引線框架180。
當(dāng)上邊所說的樹脂封裝172的形成處理結(jié)束后，就在圖71中用虛線示出的位置上進(jìn)行切斷處理，同時(shí)，實(shí)施從引線180上分離樹脂封裝172以形成半導(dǎo)體裝置170的分離工序。該分離工序采用使引線框架180浸泡于腐蝕液中進(jìn)行溶解的辦法進(jìn)行。在該分離工序中所用的腐蝕液已選定具有只腐蝕引線280，不腐蝕金屬膜173的性質(zhì)的腐蝕液。
因此，采用引線框架180完全被溶解的辦法，把樹脂封裝172從引線框架180上分離下來。這時(shí)，由于金屬膜173將變成為已配設(shè)到樹脂突起177上的狀態(tài)，所以將形成圖71所示的半導(dǎo)體裝置170。這樣一來，采用借助于溶解引線框架使樹脂封裝172從引線框架180上分離下來的辦法，就可以確實(shí)而容易地進(jìn)行使樹脂封裝172從引線框架180上分離的分離處理，可以提高成品率。
另一方面，圖74所示的半導(dǎo)體裝置170A的構(gòu)成是已把多個(gè)半導(dǎo)體器件171配設(shè)到一個(gè)樹脂封裝172內(nèi)。這樣一來，采用在一個(gè)樹脂封裝172內(nèi)配設(shè)多個(gè)半導(dǎo)體器件171的辦法，就可以使半導(dǎo)體裝置170A多功能化。此外，該半導(dǎo)體裝置170A的制造方法與用圖72和圖73說明的制造方法大體上相同，差異僅僅是圖75所示的切斷部位不同。為此略去對半導(dǎo)體裝置170A的制造方法的詳細(xì)說明。
圖78～圖80示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例30的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。首先，用圖78對作為本發(fā)明的實(shí)施例30的半導(dǎo)體裝置210進(jìn)行說明。在以下說明的各實(shí)施例中，雖然舉出T-BGA(帶載球柵陣列，Tape-Ball Grid Array)構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置來說明本發(fā)明，但對于其它的BGA構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置也可以應(yīng)用本發(fā)明。
半導(dǎo)體裝置210，粗分起來，由半導(dǎo)體器件211，布線基板212，框架213，突出電極216和樹脂封裝215等構(gòu)成。半導(dǎo)體器件211是所謂的裸片，在其下表面上已形成了多個(gè)突出電極216。該半導(dǎo)體器件211采用進(jìn)行倒裝芯片鍵合的辦法，已電氣性地且機(jī)械性地連接到布線基板212上。
布線基板212由基底薄膜217(柔性基底材料)，引線218和絕緣膜219(阻焊劑(層))等構(gòu)成。基底薄膜217是例如聚酰亞胺等的具有柔性的絕緣性薄膜，在該基底薄膜217上例如用銅箔等的導(dǎo)電性金屬已形成了規(guī)定圖形的引線218。
此外，基底薄膜217與引線218和絕緣膜219比其厚度大，其機(jī)械強(qiáng)度也被設(shè)定得高。因此，就做成為引線218和絕緣膜219被保持到基底薄膜217上的構(gòu)成。此外，如上所述，由于基底薄膜217具有柔性，而且，引線218和絕緣膜219的膜厚薄，所以，布線基板被構(gòu)成為可以彎曲的構(gòu)成。還有，在該基底薄膜217的大體上中央的位置上，已形成了用于裝設(shè)半導(dǎo)體器件211的裝設(shè)孔217a。
另一方面，引線218被做成為下述構(gòu)成與已配設(shè)到半導(dǎo)體器件211上的突出電極216的個(gè)數(shù)相對應(yīng)地形成了多個(gè)，且已一體性地形成了內(nèi)引線部分220和外引線部分221。內(nèi)引線部分220是位于引線218的內(nèi)側(cè)的部分，外引線部分221是對于內(nèi)引線部分220位于外周的部分，是連接突出電極214的部分。
絕緣膜219是聚酰軋亞胺等的絕緣性的樹脂膜，在突出電極214的形成位置上，已形成了連接孔219a。被做成為通過該連接孔219a把引線218和突出電極214電連起來的構(gòu)成。變成為用該絕緣膜219保護(hù)引線218的構(gòu)成。
另一方面，框架213由例如銅或鋁之類的金屬材料形成。在該框架213的中央部分上，已形成了構(gòu)成為使得與已形成在上述基底薄膜217上的裝設(shè)孔217a相向的空腔223。在本實(shí)施例中，空腔被構(gòu)成為上下貫通框架213的洞。該框架213被做成為在頂視的狀態(tài)下是一矩形，因此，采用形成空腔223的辦法，框架213就變成了具有矩形形狀的構(gòu)造。
用粘接劑222把前邊所說的布線基板212接合到已做成上述構(gòu)成的框架213的下表面上，于是就變成為把具有柔性的布線基板212固定到框架213上的構(gòu)成。在布線基板212已被配設(shè)到框架213上的狀態(tài)下，前邊所說的引線218的內(nèi)引線部分220被構(gòu)成為延伸到空腔223內(nèi)。半導(dǎo)體器件211被倒裝接合到已延伸到該空腔223內(nèi)的內(nèi)引線部分220上，因此，變成了半導(dǎo)體器件211已位于空腔223內(nèi)部的構(gòu)成。
此外，引線218的外引線部分221則被配設(shè)為位于框架213的下表面一側(cè)，且在該外引線部分221上將配設(shè)突出電極214。在本實(shí)施例中，把焊錫球用作突出電極214，該突出電極214采用通過已形成于絕緣膜219上的連接孔219接合到外引線部分221上的辦法來形成焊錫球。
這時(shí)，如上所述，將配設(shè)突出電極214的外引線部分221已位于框架213的下表面一側(cè)，即便是用具有柔性的布線基板212，外引線部分221也可用框架213來限制其可撓變形。因此，即便是用具有柔性的布線基板212，在將要配設(shè)的突出電極214的位置上也不會(huì)有發(fā)生不均一的那樣的可能，所以可以提高裝配性。
此外，在已裝設(shè)了半導(dǎo)體器件211的空腔223內(nèi)，已配設(shè)了密封樹脂215。該密封樹脂215如后所述，用壓縮成型法形成。采用在空腔223內(nèi)配設(shè)密封樹脂215的辦法，因?yàn)榘雽?dǎo)體器件211，突出電極216，和引線218的內(nèi)引線部分220將變成已被樹脂密封的構(gòu)成，所以可以確實(shí)地保護(hù)半導(dǎo)體211和引線218的內(nèi)引線部分220。
接著，用圖79對已做成為上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置210的制造方法(實(shí)施例30的制造方法)進(jìn)行說明。
半導(dǎo)體器件210，粗分起來，可用實(shí)施下述工序的辦法制造。這些工序是形成半導(dǎo)體器件211的半導(dǎo)體器件形成工序；形成布線基板212的布線基板形成工序；形成突出電極214的突出電極形成工序；把半導(dǎo)體器件211搭載到布線基板212上的器件搭載工序；用密封樹脂215對半導(dǎo)體器件211等進(jìn)行樹脂密封的樹脂密封工序；進(jìn)行各種可靠性試驗(yàn)的試驗(yàn)工序等的種種的工序。
在上述各個(gè)工序內(nèi)，半導(dǎo)體器件形成工序，布線基板形成工序，突出電極形成工序，器件搭載工序和試驗(yàn)工序，是用眾所周知的技術(shù)進(jìn)行的，因?yàn)楸景l(fā)明的關(guān)鍵在樹脂密封工序以后，所以，在以下的說明中，僅對樹脂密封工序進(jìn)行說明。
圖79示出了樹脂密封工序的實(shí)施例30。
當(dāng)樹脂密封工序開始后，首先，如圖79所示，采用經(jīng)由半導(dǎo)體器件形成工序，布線基板形成工序和器件搭載工序等的辦法，把已搭載上半導(dǎo)體器件211的布線基板212裝設(shè)到半導(dǎo)體裝置制造用模具224(以下，僅稱之為模具)中去。在這里，對模具224的構(gòu)造進(jìn)行說明。粗略地分，模具224由上模225和下模226構(gòu)成。在該上模225和下模226中都已內(nèi)設(shè)圖中未畫出來的加熱器，構(gòu)成為可以對后邊要講的成型前狀態(tài)的密封樹脂進(jìn)行加熱熔融。
上模225的構(gòu)成為可用圖中未畫出來的升降裝置在圖中的箭頭Z1，Z2方向上進(jìn)行升降動(dòng)作。此外，上模225的下表面被當(dāng)做空腔面225，該空腔面225已被做成為平坦面。因此，上模225的形狀已被做成為極其簡單的形狀，可以廉價(jià)地制造上模225。
另一方面，下模226由第1半個(gè)下模228和第2半個(gè)下模229構(gòu)成，第1半個(gè)下模228的構(gòu)成是已被配設(shè)于第2半個(gè)下模229的內(nèi)部。該第1和第2半個(gè)下模228和229被做成為可以分別用圖中未畫出來的升降機(jī)構(gòu)在Z1，Z2方向上獨(dú)立地進(jìn)行移動(dòng)的構(gòu)成。
此外，在本實(shí)施例中，在已形成于第1半個(gè)下模228的上表面上的空腔面230上配設(shè)樹脂薄膜231，把密封樹脂227載置到該樹脂薄膜231的上部后進(jìn)行樹脂密封處理。這里所用的樹脂薄膜231可以用例如聚酰亞胺、氯乙烯、PC、Pet、靜分解性樹脂，可以選定那些不會(huì)因在后述的樹脂成型時(shí)所加的熱惡劣化的材料。
在樹脂密封工序中，首先，把已搭載上半導(dǎo)體器件211的布線基板212裝設(shè)到模具224中。具體地說，先使上模225與第2半個(gè)下模229分開，在兩者之間裝設(shè)布線基板212。接著，使上模225和第2半個(gè)下模229移動(dòng)為相互靠近，用上模225和第2半個(gè)下模229把布線基板212夾在中間。圖79示出了采用使布線基板212被夾在上模225和第2半個(gè)下模229之間的辦法，已把布線基板212裝設(shè)到模具224中的狀態(tài)。
此外，已搭載到第1半個(gè)下模228上邊的密封樹脂227是例如聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂(PPS、PEEK、PES和耐熱性液晶樹脂等的熱可塑性樹脂)等的樹脂，在本實(shí)施例中，用的是已使該樹脂成型為圓柱形狀的構(gòu)成的樹脂。密封樹脂的227的搭載位置已被選定為第1半個(gè)下模228的大體上中央位置，使得與已搭載到布線基板212上的半導(dǎo)體器件211相向。
如上所述，當(dāng)把布線基板212裝設(shè)到模具224中后，接著，就實(shí)施密封樹脂227的壓縮形成處理。壓縮形成處理開始后，在已確認(rèn)借助于由模具224所產(chǎn)生的熱密封樹脂227已升溫到可以熔融的溫度之后，使第2半個(gè)下模228在Z2方向上上動(dòng)。
借助于使第2半個(gè)下模228在Z2方向上上動(dòng)，過熱熔融后的密封樹脂227也上動(dòng)，很快密封樹脂227將達(dá)到布線基板212處。接著，采用使第1半個(gè)下模228進(jìn)一步上動(dòng)的辦法，壓縮密封樹脂227，密封樹脂227從內(nèi)引線部分220與半導(dǎo)體器件211之間的離開的部分進(jìn)入空腔223內(nèi)。
這時(shí)，如上所述，密封樹脂227借助于第1半個(gè)下模228的推壓進(jìn)一步被壓縮，密封樹脂227就以該壓縮率向空腔223內(nèi)前進(jìn)。采用進(jìn)行上述樹脂密封處理的辦法，如圖78所示，在空腔223內(nèi)和半導(dǎo)體器件211的上部形成密封樹脂215，這樣就變成半導(dǎo)體器件211、突出電極216和內(nèi)引線部分220已被密封樹脂215保護(hù)的狀態(tài)。
如上所述，在本實(shí)施例的樹脂密封工序中，結(jié)果變成為密封樹脂227邊在模具224內(nèi)壓縮邊進(jìn)行樹脂成型(該樹脂成型法叫做壓縮成型法)。這樣一來，采用用壓縮成型法形成密封樹脂227的辦法，也可以向形成于半導(dǎo)體器件211與布線基板212之間的狹窄的間隙部分中填充樹脂。
此外，由于用壓縮成型的話成型壓力可低，所以還可以防止在樹脂成型時(shí)在布線基板224上產(chǎn)生變形，或防止負(fù)載加到半導(dǎo)體器件211與布線基板212之間的電連部位(即，突出電極216與內(nèi)引線部分220之間的連接部位)上。這樣，就可以防止在樹脂密封工序中，切斷半導(dǎo)體器件211和布線基板212之間的連接，就可以進(jìn)行可靠性高的樹脂密封處理。
此外，在進(jìn)行上述樹脂密封工序之際，若第1半個(gè)下模228的移動(dòng)速度快，則因壓縮成型所產(chǎn)生的成型壓力件急劇地增大，在戲電極216與內(nèi)引線部分220之間的連接位置等處，就有發(fā)生損傷的危險(xiǎn)。而若第1半個(gè)下模228的移動(dòng)速度慢，則人們認(rèn)為由于成型壓力低，所以或者是產(chǎn)生不能填充密封樹脂227的部位，或者是由于樹脂密封時(shí)費(fèi)時(shí)間而降低制造效率。于是，第1半個(gè)下模228的移動(dòng)速度選定為上述相反的問題都不發(fā)生的適當(dāng)?shù)乃俣取?br> 當(dāng)如上述那樣地形成了密封樹脂215時(shí)，接著就實(shí)施把布線基板212從模具224中取出來的處理。要想把布線基板212從模具224中取出來，首先，使第1半個(gè)下模229在Z1方向上向下運(yùn)動(dòng)。這時(shí)，由于在第1半個(gè)下模228的空腔面230上已配設(shè)有脫模性良好的樹脂薄膜231，所以第1半個(gè)下模228易于從密封樹脂215離開。當(dāng)如上述那樣地第1半個(gè)下模228從密封樹脂215離開后，該上模225和第2半個(gè)下模229互相在離開的方向上移動(dòng)，這樣一來，就可以把布線基板212從模具224中取出來。此外，使第1半個(gè)下模228移動(dòng)的時(shí)刻，即便是與使第得半個(gè)下模229和上模225移動(dòng)的時(shí)刻為同一時(shí)刻，也不會(huì)特別發(fā)生什么問題。
當(dāng)象上述那樣地把布線基板212從模具224中取出來后，接著在布線基板212上形成突出電極214。該突出電極214的形成方法雖然有多種，但是在本實(shí)施例中，采用的是預(yù)先制造好焊錫球，在把該焊錫球復(fù)制到已形成在布線基板212上的連接孔219a上之后，進(jìn)行熱處理，使之接合到引線218上的方法。采用經(jīng)過上述一連串的制造方法的辦法，就可以制造圖78的半導(dǎo)體裝置。
另一方面，圖80示出了在制造圖78的半導(dǎo)體裝置210時(shí)實(shí)施的樹脂密封工序的實(shí)施例31。在圖80中，對與圖79的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
在圖78的樹脂密封工序中，用于提高脫模性的樹脂薄膜31構(gòu)成為僅僅配設(shè)在第1半個(gè)下模228的空腔面230上。但是，如圖79所示，在上模225的空腔面225a上也有與密封樹脂接觸的部位。
因此，在本實(shí)施例的樹脂密封工序中，特征是在上模225的空腔面225a上也配設(shè)有脫模性良好的樹脂薄膜232。該樹脂薄膜232的材質(zhì)也可以與上邊說過的樹脂薄膜231的材質(zhì)相同。此外，要配設(shè)樹脂薄膜232，應(yīng)在把布線基板212裝設(shè)到模具224中之前，先把樹脂薄膜232配設(shè)到上模225的空腔面225a上，然后，再用上模225和第12半個(gè)下模229夾持密封樹脂215。
接著，說明作為本發(fā)明的實(shí)施例31的半導(dǎo)體裝置210A。
圖81示出了作為實(shí)施例31的半導(dǎo)體裝置210A。在圖81中，對與圖78的實(shí)施例30的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210A的特征是在密封樹脂215的裝配一側(cè)設(shè)有散熱板233。該散熱板233用例如鋁之類的散熱性良好的金屬形成。這樣，把散熱板233配設(shè)到密封半導(dǎo)體器件211的密封樹脂215上的辦法，就可以通過散熱板233以良好的效率散掉在半導(dǎo)體器件211中所發(fā)生的熱。因此可以抑制半導(dǎo)體器件211的溫度上升，可以提高半導(dǎo)體裝置210A工作時(shí)的可靠性。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210A，相對于前邊說的實(shí)施例30的半導(dǎo)體裝置210來說，布線基板212的配設(shè)朝向變成為上下顛倒。即，變成為在最下層上配設(shè)基底薄膜217，在其上邊依次疊層上引線218，絕緣膜219的構(gòu)成。
因此，用粘接劑222把絕緣膜219粘接到框架213上，在基底薄膜217上形成了將要配設(shè)突出電極214的連接孔217b。這樣一來，采用適當(dāng)?shù)剡x定連接孔217a、217b的辦法，布線基板212的配設(shè)朝向，定為以基底薄膜217為上側(cè)，或反過來以絕緣膜219為上側(cè)都不要緊。
圖82和圖83是在圖81的半導(dǎo)體裝置210A的制造工序之內(nèi)樹脂密封工序的說明圖。在圖81和圖83中，對與圖79和圖80的構(gòu)成相同的構(gòu)成賦予相同的標(biāo)號(hào)而略去說明。
在圖82的樹脂密封工序中，特征是取代圖79的樹脂薄膜231，把散布233配設(shè)到第1半個(gè)下模228的空腔面230上。因此，密封樹脂227已被載置到散熱板233的上部。此外，由于散熱板233的大小被設(shè)定為比空腔面230的大小稍小，所以不會(huì)因配設(shè)散熱板233而妨礙第1半個(gè)下模228的移動(dòng)。
如上所述，應(yīng)用了已配設(shè)了散熱板233的模具224的密封樹脂227的壓縮成型處理，基本上與用圖79說明的壓縮成型處理是一樣的。但是密封樹脂227伴隨著第1半個(gè)下模228的上動(dòng)，被推壓到進(jìn)行上動(dòng)的散熱板223上進(jìn)行壓縮成型。
這時(shí)，由于散熱板223與密封樹脂227的脫模性并不良好，而且，散熱板233僅僅載置到金屬制的第1半個(gè)下模228上，所以當(dāng)在密封述215成型后，使第1半個(gè)下模228向下運(yùn)動(dòng)時(shí)，散熱板233將變成已附著到密封樹脂215上的狀態(tài)。即，采用實(shí)施樹脂密封工序的辦法，可以同時(shí)進(jìn)行把散熱板233配設(shè)到密封樹脂215上的處理，因而可以容易地制造具有散熱板233的半導(dǎo)體裝置210A。
在圖83的樹脂密封工序中，特征是在把散熱板233配設(shè)到第1半個(gè)下模228的空腔面230上邊的同時(shí)，與圖80中所示的一樣把散熱性良好的樹脂薄膜232配設(shè)到上模225的空腔面225a上。
因此，即便是用本實(shí)施例的樹脂密封工序，也可以容易地制造具有散熱板233的半導(dǎo)體裝置210A，而且，可以使密封樹脂215容易地從上模225的空腔面225a上離開。
接著說明作為本發(fā)明的實(shí)施例32的半導(dǎo)體裝置210B。
圖83示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例32的半導(dǎo)體裝置210B。在圖84中，對與示于圖78的實(shí)施例30的半導(dǎo)體裝置210相同的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210B與實(shí)施例31的半導(dǎo)體裝置210A一樣，特征是把第1散熱板233配設(shè)到密封樹脂215的裝配側(cè)面(圖中的下表面)上的同時(shí)，在框架213的上表面一側(cè)設(shè)置第2散熱板234。該第2散熱板234也與第1散熱板233一樣，由例如鋁之類的散熱性良好的金屬形成。
這樣一來，采用把半導(dǎo)體器件211夾在中間在其上部和下部分別設(shè)置散熱板233和234的辦法，就可以更有效地散發(fā)在半導(dǎo)體器件211中發(fā)生的熱，可以提高半導(dǎo)體裝置210B的散熱特性。
另一方面，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210B中，作為使半導(dǎo)體器件211與布線基板212電連的方法，用的是金屬絲235。因此，作為半導(dǎo)體器件211與布線基板212進(jìn)行連接的方法，其構(gòu)成為首先把第2散熱板234用例如粘接劑(圖中未畫出)粘接到框架213的上表面上，然后在已形成在框架213上的空腔223上形成由第2散熱板234構(gòu)成的底部。
接著，用粘接劑236把半導(dǎo)體器件211粘接到該空腔223內(nèi)的第2散熱板234上的同時(shí)，把布線基板212粘接到框架213的圖中的下表面上。接著，在框架213上配設(shè)第2散熱板234和布線基板212之后，在布線基板212的引線218和半導(dǎo)體器件211之間用金屬絲鍵合法配設(shè)金屬絲235。
接著，在該金屬絲鍵合處理結(jié)束后，與上邊說過的實(shí)施例一樣，用壓縮成型法形成密封樹脂215。由于在該壓縮成型之際，在半導(dǎo)體器件211和框架213的上部已配設(shè)了散熱板234，所以密封樹脂215無須和上模225直接接觸，因而可以提高脫模性。
此外，上邊所說的實(shí)施例中的散熱板234，在在半導(dǎo)體器件211發(fā)熱不那么大的情況下，就不一定非選定散熱性高的材質(zhì)，也可以用散熱性低的材質(zhì)。
接著說明作為本發(fā)明的實(shí)施例33的半導(dǎo)體裝置210C。
圖85示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例33的半導(dǎo)體裝置210C。在圖85中對與示于圖84的實(shí)施例32的半導(dǎo)體裝置210B相同的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
已設(shè)置到本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210C上的框架213A已被做成為使已用圖84說明的半導(dǎo)體裝置210B中的散熱板234和框架213形成為一體化的構(gòu)成。因此將在框架213A上形成的空腔223A已變成為有底部237的有底形狀。半導(dǎo)體器件211用粘接劑236固定到該底部237上，而基板212則配設(shè)到框架213A的圖中的下表面上。因此，即便是用本實(shí)施例的構(gòu)成，也可以進(jìn)行在半導(dǎo)體器件211與布線基板212之間的金屬絲鍵合。
在上述本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210C的構(gòu)成中，由于與實(shí)施例32的半導(dǎo)體裝置210B比可以減少元器件個(gè)數(shù)和制造工序，所以可以減低半導(dǎo)體裝置210C的造價(jià)。此外，即便是在本實(shí)施例的構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置210C中，作為密封樹脂215的形成方法，也可以用壓縮成型法。
接著說明作為本發(fā)明的實(shí)施例34的半導(dǎo)體裝置圖86示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例34的半導(dǎo)體裝置210D。在圖86中對與示于圖7的實(shí)施例32的半導(dǎo)體裝置210B相同的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210D的特征是采用做成為把半導(dǎo)體器件211搭載到布線板212A的上部的構(gòu)成辦法，使得在半導(dǎo)體器件211的正下邊的位置上也形成了突出電極214。因此，本實(shí)施例的布線基板212A與在前邊說過的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210～210C不同，沒有形成裝設(shè)孔217a。
如本實(shí)施例所述，采用把半導(dǎo)體器件211搭載到布線基板212A的上部，在半導(dǎo)體器件211的正下邊的位置上也形成突出電極214的辦法，可以使得在突出電極214的配設(shè)位置上有自由度，還、可以使半導(dǎo)體裝置210D小型化。此外，即便是在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210D中，作為密封樹脂215的形成方法，也可以用壓縮成型法。
接下來，用圖87說明樹脂密封工序的其它實(shí)施例。在圖87中，與先前用圖79說過的模具224相同的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略說明。
粗分起來，本實(shí)施例中所用的模具224A也由上模225和下模226A構(gòu)成。但是，本實(shí)施例所用的模具224A是可以一起地形成多個(gè)(在本實(shí)施例中是2個(gè))密封樹脂215的所謂可以多個(gè)連續(xù)處理的的構(gòu)成的模具。
上模225的構(gòu)成與已設(shè)置于在圖79中所示的模具224中的上模大體上相同。然而，如上所述，由于本實(shí)施例的模具224A的構(gòu)成是可以進(jìn)行多個(gè)連續(xù)處理，所以其形狀被形成得大。此外，下模226A由第1和第2半個(gè)下模228，229A構(gòu)成，已被做成為2個(gè)第1半個(gè)下模228配設(shè)于第2半個(gè)下模229A的內(nèi)部的構(gòu)成。
此外，在本實(shí)施例中，在第2半個(gè)下模229A的中央位置上還設(shè)有除去剩余樹脂的剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)240。該剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)240粗略地說由窗口部分241，罐242和壓力控制桿243等構(gòu)成。窗口部分241是已在第2半個(gè)下模229A上形成的壁部238上形成的窗口，該窗口241已做成為與罐242連通的構(gòu)成。
罐242具有圓筒構(gòu)造，該罐242的內(nèi)部可滑動(dòng)地裝設(shè)有已做成為活塞構(gòu)造的壓力控制桿243。該壓力控制桿243已連接到未畫出來的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)上，其構(gòu)成為對于第2半個(gè)下模229A可以Z1，Z2方向上進(jìn)行升降動(dòng)作。
接著，對使用了具備已做成為上述構(gòu)成的剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)240的模具224A的樹脂密封工序進(jìn)行說明。
當(dāng)本實(shí)施例的樹脂密封工序開始后，首先，實(shí)施基板裝設(shè)工序，在基板裝設(shè)工序中，把布線基板212裝設(shè)到模具224A中去。在樹脂密封工序剛開始后的狀態(tài)下，下模226A變成為對上模225在Z1方向上已向下運(yùn)動(dòng)的狀態(tài)，而構(gòu)成樹脂密封除去機(jī)構(gòu)240的壓力控制桿243則變成為已移動(dòng)到上動(dòng)極限位置的狀態(tài)。
對于該狀態(tài)的模具224A，首先，在已把樹脂薄膜231配設(shè)到各個(gè)第1半個(gè)下模228的上部之后，載置密封樹脂227。接著，在把布線基板212搭載到第2半個(gè)下模229A的上部上之后，使上模225和下模226A移動(dòng)，使得互相靠近，把布線基板212夾緊在上模225和下模226A之間。圖87示出了把布線基板212夾緊在上模225和下模226A之間的狀態(tài)。在該時(shí)刻，在模具224A內(nèi)的第1半個(gè)下模228的上部，雖然可形成空腔部分239(空間部分)，但構(gòu)成上邊說過的剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)240的罐242已變成為通過窗口部分241連通到空腔部分239上的構(gòu)成。
如上所述，當(dāng)把布線基板212夾緊在上模225和下模226A之間時(shí)，各個(gè)第1半個(gè)下模228都開始在Z1方向上上動(dòng)。這樣，密封樹脂227在空腔部分239內(nèi)部邊壓縮邊進(jìn)行樹脂成型。這時(shí)，為了確實(shí)地對半導(dǎo)體器件211進(jìn)行樹脂密封，必須把各第1半個(gè)下模228的移動(dòng)速度設(shè)定為適當(dāng)?shù)乃俣?。使?半個(gè)下模228的移動(dòng)速度適當(dāng)化，換句話說，與等效于使空腔部分239內(nèi)的密封樹脂227的壓力適當(dāng)化。
在本實(shí)施例中，采用在模具224A中設(shè)置剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)240的辦法，就做成為除第1半個(gè)下模228的移動(dòng)速度外，還可以用上下驅(qū)動(dòng)壓力控制桿243的辦法，控制密封樹脂227的壓縮壓力的構(gòu)成。具體地說，采用使壓力控制桿243向下運(yùn)動(dòng)的辦法，空腔部分239內(nèi)的密封樹脂的壓力將變低，而采用使壓力控制桿243上動(dòng)的辦法，空腔部分239內(nèi)的密封樹脂的壓力將變高。
例如，在密封樹脂227的樹脂量比想形成的密封樹脂215的容積大，空腔部分239內(nèi)的壓力因剩余樹脂而已上升的情況下，就有不能進(jìn)行適當(dāng)?shù)臉渲尚偷奈ｋU(xiǎn)。因此，在這樣的情況下，采用使剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)240的壓力控制桿243在Z1方向上向下運(yùn)動(dòng)的辦法，通過窗口部分241把剩余樹脂除去到罐242內(nèi)。
這樣，即便是假定已發(fā)生了剩余樹脂，也可以使空腔部分239內(nèi)的壓力降低。
這樣一來，采用設(shè)置剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)240的辦法，就可以在密封樹脂成型時(shí)同時(shí)進(jìn)行剩余樹脂的除去處理，就可以永遠(yuǎn)以適當(dāng)?shù)貕毫M(jìn)行樹脂成型，就可以良好地進(jìn)行密封樹脂215的成型處理。此外，在可以防止剩余樹脂從模具224A泄漏的同時(shí)，由于即便是密封樹脂227的計(jì)量精度比上述各實(shí)施例的低也沒關(guān)系。所以還可以使密封樹脂227的計(jì)量容易化。
此外，當(dāng)形成了密封樹脂215后，接著實(shí)施脫模工序，使已形成了密封樹脂215的布線基板212從模具224A中脫模。
如上所述，倘采用本實(shí)施例的樹脂密封工序，由于在樹脂成型是可以把空腔部分239內(nèi)的壓力控制為最佳壓力，所以可以防止在密封樹脂內(nèi)殘留下空氣，發(fā)生氣泡。
現(xiàn)在假定想像一種在密封樹脂215中已發(fā)生了氣泡的情況，在樹脂密封工序后進(jìn)行加熱處理的情況下，就會(huì)存在因該氣泡膨脹而在密封樹脂215上發(fā)生裂紋等的損傷的危險(xiǎn)。然而，如上述那樣，采用設(shè)置剩余樹脂除去機(jī)構(gòu)240的辦法，由于可以防止在密封樹脂215內(nèi)發(fā)生氣泡，所以就不存在在加熱時(shí)在密封樹脂215內(nèi)發(fā)生氣泡的危險(xiǎn)，因而可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例35～47的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在圖88～圖102中，對于那些與示于圖78和圖90的實(shí)施例30的半導(dǎo)體裝置210的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖88示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例35的半導(dǎo)體裝置210E，圖89和圖90示出了半導(dǎo)體裝置210的制造方法。實(shí)施例35的半導(dǎo)體裝置210E的特征是在布線基板245上，在半導(dǎo)體器件211的側(cè)方，形成長長地延伸出來的延伸部分246(參看圖89(A))，采用沿著框架213彎曲的辦法，把該延伸部分246引出到框架213的上表面一側(cè)，同時(shí)，在位于框架213的上表面的延伸部分246上形成了突出電極214。
在本實(shí)施例中所用的布線基地板245與實(shí)施例30中的半導(dǎo)體裝置210中所用的布線基板212一樣，由基底薄膜217，引線218和絕緣膜219構(gòu)成。但是本實(shí)施例的布線基板245的基底薄膜217與實(shí)施例30中所用的基底薄膜的材質(zhì)比，選定了更易于進(jìn)行可撓變形的材質(zhì)。
此外，布線基板245的與框架213的下表面相向的部分，與實(shí)施例30一樣，用粘接劑222固定到框架213上。因此，即便是把延伸部分246做成為已延伸到框架213的上表面上的構(gòu)成，也不會(huì)有延伸部分246從框架213上剝離下來之類的現(xiàn)象發(fā)生。
倘采用已做成為上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置210E，由于突出電極214將變成為配設(shè)于框架213的上表面一側(cè)的構(gòu)成，且框架213的上表面上不配設(shè)散熱板233等的其它的構(gòu)成物，所以，可以具有自由度地設(shè)定突出電極214的形成位置。此外，與把突出電極214配設(shè)到框架213的下表面一側(cè)的實(shí)施例30的半導(dǎo)體裝置210比，可以使裝置形狀小型化。
接下來，說明已做成為上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置210E的制造方法。要想制造半導(dǎo)體裝置210E，首先要做成如圖89(A)和圖103所示的那樣的布線基板245。該布線基板245的構(gòu)成為在將搭載半導(dǎo)體器件211的矩形形狀的基部251的外周四邊上已形成了延伸部分246。
此外，在基部251的中央部分上已形成了裝設(shè)半導(dǎo)體器件211的裝設(shè)孔248(示于圖103中)，在從該裝設(shè)孔248到已形成于要配設(shè)延伸部分246的突出電極214的位置上的地面(land)部分249之間，已形成了引線218。此外，延伸部分246的形狀被做成為臺(tái)形形狀，使得在進(jìn)行彎曲之際，相鄰的延伸部分246彼此間不會(huì)勾在一起。
還有，引線218雖然已用絕緣膜219進(jìn)行保護(hù)，(參看圖90(E))，但已變成為在地面的形成位置，即在突出電極214的形成位置上絕緣膜219已被除去，引線218已經(jīng)露了出來的構(gòu)成。此外，圖103擴(kuò)大示出了圖89(A)所示的布線基板245。
在已做成為上述構(gòu)成的布線基板245的上表面一側(cè)，倒裝焊接上半導(dǎo)體器件211的同時(shí)，用粘接劑222粘接框架213。這時(shí)，在本實(shí)施例中所用的框架213由于如上所述已在其外周配設(shè)上延伸部分246，所以已被做成為比實(shí)施例30中所用的框架213小的形狀。此外，圖89(A)示出了已搭載上半導(dǎo)體器件211的狀態(tài)的布線基板245。
接著，如圖89(A)，(B)所示，把已配設(shè)有半導(dǎo)體器件211和框架213的布線基板245裝設(shè)到模具224B中。在本實(shí)施例中所用的模具224B，在上模225A中已形成了收納半導(dǎo)體器件211和框架213的空腔250。
當(dāng)把布線基板245裝設(shè)到模具224B中后，則如圖89(C)所示，通過散熱板233使在其上部已載置上密封樹脂227的第1半個(gè)下模228上動(dòng)，密封樹脂被壓縮成型。這樣一來，如圖89(D)所示，就變成為半導(dǎo)體器件211和布線基板245的規(guī)定的范圍被密封樹脂密封的構(gòu)成。同時(shí)，還變成為散熱板215已被粘接到密封樹脂上的構(gòu)成。
當(dāng)如上所述在布線基板245上形成了密封樹脂245后，布線基板245將從模具224B中脫模。圖90(E)示出了已從模具224B脫模后的布線基板245。如同圖所示，布線基板245已變成為形成了從已搭載上半導(dǎo)體器件211的基部251向側(cè)方長長地延伸出來的延伸部分246的構(gòu)成。在該剛脫模后的狀態(tài)下，基部251與延伸部分246已變成為在同一平面上的狀態(tài)。在本實(shí)施例中，在該延伸部分246的上表面上將涂敷第2粘接劑247。
如上所述，當(dāng)在已形成于布線基板245上的延伸部分246的上表面上涂敷第1粘接劑247后，接著就實(shí)彎曲延伸部分246的彎曲工序。在彎曲工序中，在同圖中用箭頭表示的方向上進(jìn)行對延伸部分246的彎曲處理，把該已彎曲后的延伸部分246用第2粘接劑247粘接到框架21的上表面上。
圖90(G)示出了彎曲工序結(jié)束后的狀態(tài)的布線基板245。如同圖所示，采用做成為彎曲形成延伸部分246并引出到框架213的上表面上的辦法，結(jié)果將變成為作為突出電極214的形成位置的地面部分249的形成位置，位于框架213的上部。
接著，實(shí)施突出電極形成工序，在位于上邊說過的213的上部的地面部分249上例如用復(fù)制法形成突出電極214，形成如圖88所示的半導(dǎo)體裝置210E。如上所述，由于本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210E的制造方法和在實(shí)施例30中所說明的制造方法一樣，也可以用壓縮成型法進(jìn)行密封樹脂215的形成，所以可以制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置210E。此外，把延伸部分246引出到框架213的上表面上的處理，由于也可以僅僅進(jìn)行延伸部分246的彎曲形成，故可以容易地進(jìn)行。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例36的半導(dǎo)體及其制造方法。圖91是作為本發(fā)明的實(shí)施例36的半導(dǎo)體裝置210F及其制造方法的說明圖。此外，在圖91中，對與示于圖88～圖90的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖91(D)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例36的半導(dǎo)體裝置210F。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210F的構(gòu)成與上邊說過的實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置210E的構(gòu)成相同。但是，在其制造方法中，如圖91(A)，(B)所示，不是把第2粘接劑247先涂到布線基板245上而是涂到框架213上這一點(diǎn)是不同的。這樣，第2粘接劑247的涂敷位置，不論是象實(shí)施例35那樣，涂到布線基板245上，或是象本實(shí)施例那樣涂到框架213上都行。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例37的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖92是作為本發(fā)明的實(shí)施例37的半導(dǎo)體裝置210G及其制造方法的說明圖。在圖92中，對與示于圖88～圖90的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖92(D)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例37的半導(dǎo)體裝置210G。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210G的構(gòu)成，在對于上邊所說過的實(shí)施例35和36的半導(dǎo)體裝置210E、210F，布線基板245的配置已變成為上下顛倒過來的構(gòu)成這一點(diǎn)上不同。即，如圖92(A)所示，布線基板245已變成為從下層開始順次疊層基底薄膜217，引線218，絕緣膜219的構(gòu)成。因此，在進(jìn)行彎曲形成，延伸部分246已位于框架213的上部時(shí)，在基底薄膜217上已形成了用于使突出電極214與引線218相連的連接孔217b。如本實(shí)施例所示，即便是做成為對于實(shí)施例35和實(shí)施例36的半導(dǎo)體裝置210E、210F上下顛倒地配設(shè)布線基板245的構(gòu)造，也可以實(shí)現(xiàn)具有與實(shí)施例35和36的半導(dǎo)體裝置210E、210F同樣的效果的半導(dǎo)體裝置210G。此外，在本實(shí)施例的構(gòu)成中，不一定非要形成絕緣膜219不可，采用把框架213和各粘接劑222、247的材質(zhì)定為具有電絕緣性的材質(zhì)的辦法，就可以不要絕緣膜219。在這種情況下，可以降低布線基板245的造價(jià)。
接下來，說明本發(fā)明的實(shí)施例38的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖93是作為本發(fā)明的實(shí)施例38的半導(dǎo)體裝置210H及其制造方法的說明圖。在在圖93中，對與示于圖88～圖90的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖93(D)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例38的半導(dǎo)體裝置210H。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210H的特征是與在前邊說過的實(shí)施例35～實(shí)施例37的半導(dǎo)體裝置210E、210F、210G中使延伸部分246彎曲到框架213一側(cè)不同，使延伸部分246彎曲到散熱板233一側(cè)。如圖93(A)所示，本實(shí)施例中所用的布線基板245的構(gòu)成是，從上層開始順次疊層基底薄膜217，引線218和絕緣膜219。因此，在已把延伸部分246彎曲形成到散熱板233一側(cè)的情況下，將變成如下狀態(tài)基底薄膜217在半導(dǎo)體裝置210H的下表面上露出，絕緣膜219與散熱板233相向。為此，在基底薄膜217上已形成了用于連接突出電極214和引線218的連接孔217b。此外，由于要把延伸部分246固定到散熱板233上，所以在絕緣膜219上已涂上了第2粘接劑247。
如上所述，已配設(shè)上連接孔217b和第2粘接劑247的布線基板245如圖93(B)所示，延伸部分246如箭頭所示被彎曲到散熱板233一側(cè)。這樣，延伸部分246用粘接劑247固定到散熱板233上的同時(shí)，連接孔217b變成了在下方開了窗口的狀態(tài)。接著，用復(fù)制法等在連接孔217b中形成已與引線218電連的狀態(tài)的突出電極214。這樣，就可制造圖93(D)所示的半導(dǎo)體裝置210H。
用上述制造方法制造的半導(dǎo)體裝置210H，由于將變成為延伸部分246位于散熱板233的下部的構(gòu)成，所以變成為半導(dǎo)體器件211已露出到外部的構(gòu)成。因此，可以以良好的效率散發(fā)半導(dǎo)體器件211所發(fā)生的熱，可以提高半導(dǎo)體裝置210H的散熱特性。
此外，即便是在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，由于延伸部分246被彎曲，在該彎曲部分上將形成突出電極214，所以可以使半導(dǎo)體裝置小型化。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例39的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖94是作為本發(fā)明的實(shí)施例39的半導(dǎo)體裝置210I及其制造方法的說明圖。在圖94中，對與示于圖88～圖90的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖94(D)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例39的半導(dǎo)體裝置210I。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置210I的構(gòu)成與上述實(shí)施例38的半導(dǎo)體裝置210H的構(gòu)成相同。但是有一點(diǎn)不相同不是把第2粘接劑247涂到布線基板245上而是涂到散熱板233上。這樣，第2粘接劑247的涂敷位置，不論是象實(shí)施例38那樣，涂到布線基板245上，或是象本實(shí)施例那樣涂到框架213上都行。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例40的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖95是作為本發(fā)明的實(shí)施例40的半導(dǎo)體裝置210J及其制造方法的說明圖。在圖95中，對與示于圖88～圖90的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖95(D)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例40的半導(dǎo)體裝置210J。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210J的特征是具有把散熱電風(fēng)扇252配設(shè)到前邊用圖94說明過的半導(dǎo)體裝置210I上的構(gòu)造。該散熱電風(fēng)扇252的構(gòu)成是用例如粘接劑等固定到半導(dǎo)體器件211和框架213上。如上所述，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210J由于具有與圖94所示的半導(dǎo)體裝置210I相同的布線基板構(gòu)造，故即便是在本實(shí)施例中，也可被做成為使延伸部分246彎曲到已配設(shè)在半導(dǎo)體器件211的下部上的散熱板233一側(cè)的構(gòu)成。這樣一來，采用使延伸部分246彎曲到散熱板233一側(cè)的辦法，半導(dǎo)體器件211的上表面就變成為已露了出來的狀態(tài)。
因此，采用把散熱電風(fēng)扇252配設(shè)到半導(dǎo)器件211的露出部分上的辦法，與圖94所示的使半導(dǎo)體器件211的上表面露出的構(gòu)成比，可以以良好的效率散掉在半導(dǎo)體器件211中發(fā)生的熱。
此外，由于半導(dǎo)體器件211的上表面被散熱電風(fēng)扇252覆蓋，所以，散熱電風(fēng)扇還起著保護(hù)半導(dǎo)體器件211的保護(hù)構(gòu)件的作用。因此，采用設(shè)置散熱電風(fēng)扇252的辦法，就可以提高半導(dǎo)體裝置210J的可靠性。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例41的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖96是作為本發(fā)明的實(shí)施例41的半導(dǎo)體裝置210K及其制造方法的說明圖。在圖96中，對與示于圖84和圖88～圖90的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖96(D)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例41的半導(dǎo)體裝置210K。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210K與前邊用圖84說明的實(shí)施例32的半導(dǎo)體裝置210B有類似的構(gòu)造。具體地說，其特征是把第2散熱板234設(shè)置到框架213的上表面一側(cè)。該第2散熱板234也與第1散熱板232一樣，由例如鋁等的散熱性良好的金屬形成。
這樣一來，采用把半導(dǎo)體器件211夾在中間在其上部和下部分配設(shè)散熱板233、234的辦法，就可以以更好的效率散掉在半導(dǎo)體器件211中所發(fā)生的熱，可以提高半導(dǎo)體裝置210K的可靠性。
接著，說明半導(dǎo)體裝置210K的制造方法。在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210K中，作為連接半導(dǎo)體器件211和布線2板245的方法用的是金屬絲235。因此，為了對半導(dǎo)體器件211和布線基板245進(jìn)行金屬絲連接，首先，要用例如粘接劑(圖中未畫出來)把第2散熱板234粘接到框架213的上表面上使之一體化，做成為在已形成于框架213上的空腔223上形成利用第2散熱板234形成的底部的構(gòu)成。
接下來，用粘接劑236把半導(dǎo)體器件211粘接到該空腔223內(nèi)的第2散熱板234上的同時(shí)，把布線基板245粘接到框架213的圖中的下表面上。接著，在把第2散熱板234和布線基板245配設(shè)到框架213上之后，用金屬絲鍵合法把金屬絲235配設(shè)到布線基板245的引線218與半導(dǎo)體器件211之間。
接著，在該金屬絲鍵合處理結(jié)束后，與上邊所述的實(shí)施例一樣，用壓縮成型法形成密封樹脂215。在進(jìn)行該壓縮成型之際，如上所述，由于在半導(dǎo)體器件211和框架213的上部配設(shè)散熱板234，所以密封樹脂215無須直接與上模225接觸，因而可以提高脫模性。圖96(A)示出了經(jīng)上述那樣地處理已配設(shè)上散熱板234、金屬絲235和密封樹脂215的布線基板245。此外，在本實(shí)施例中，雖然做成為使用了散熱板234的構(gòu)成，但是也可以不用散熱板234而代之以用散熱特性低的板材。
接著，如圖98(B)，(C)所示，使已形成于布線基板245上的延伸部分246彎向上邊所說的散熱板234一側(cè)，并用第2粘接材料247固定到散熱板234上。這樣一來，采用用復(fù)制法把突出電極214設(shè)置到已在延伸部分246上3露出來的地面部分249上的辦法，就可以制造示于圖96(D)的半導(dǎo)體裝置210K。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例42和實(shí)施例43的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖97是作為本發(fā)明的實(shí)施例42的半導(dǎo)體裝置210L及其制造方法的說明圖。圖98是作為本發(fā)明的實(shí)施例43的半導(dǎo)體裝置210M及其制造方法的說明圖。在圖97和圖98中，對與示于圖88～圖90和圖96的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖97(D)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例42的半導(dǎo)體裝置210L。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210L，與上邊已說過的作為實(shí)施例41的半導(dǎo)體裝置210K一樣，其構(gòu)成為在框架213的上表面一側(cè)已設(shè)置了散熱板234。但是本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210L對于作為實(shí)施例41的半導(dǎo)體裝置210K，其布線基板245的配置已變成為上下顛倒過來的構(gòu)成。
即，如圖97(A)所示，布線基板245變成為從下層開始順次疊層基底217，引線219和絕緣膜219的構(gòu)成。這樣一來，即便是對于作為實(shí)施例41的半導(dǎo)體裝置210K布線基板245變成了上下顛倒過來的狀態(tài)，也可以實(shí)現(xiàn)與作為實(shí)施例41的半導(dǎo)體裝置210K相同的效果的半導(dǎo)體裝置210L。
此外，在本實(shí)施例的構(gòu)成中，延伸2246被構(gòu)成為向著第2散熱板234一側(cè)被彎曲到上側(cè)的構(gòu)成。此外，在本實(shí)施例的構(gòu)成中，不一定非要形成絕緣膜219不可，采用把框架213和各粘接劑222、247的材質(zhì)定為具有電絕緣性的材質(zhì)的辦法，就可以不要絕緣膜219。
圖98(D)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例43的半導(dǎo)體裝置210M。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210M也與上邊已說過的作為實(shí)施例41的半導(dǎo)體裝置210K一樣，其構(gòu)成為在框架213的上表面一側(cè)已設(shè)置了散熱板234。但是，特征是對于在前邊說過的實(shí)施例41和42的半導(dǎo)體裝置210K、210L中，使延伸部分246彎曲到第2散熱板234一側(cè)，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210M中，則使延伸部分246彎曲到散熱板233一側(cè)。此外，使延伸部分246彎曲并粘接到散熱板233上的方法，與先前用圖93說明過的實(shí)施例38的半導(dǎo)體裝置210H相同，故略去其說明。
倘采用本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210M，由于延伸部分246被構(gòu)成為位于散熱板233的下部，所以變成為第2散熱板233已露出到外部的構(gòu)成。為此，就可以以良好的效率散掉在半導(dǎo)體器件211中所發(fā)生的熱，因而可以提高半導(dǎo)體裝置210M的散熱特性。還有，即便是在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210M中，由于延伸部分246被彎曲，并在該彎曲部分上形成突出電極214，故可以使半導(dǎo)體裝置210M小型化。
接下來，說明本發(fā)明的實(shí)施例44的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖99是作為本發(fā)明的實(shí)施例44的半導(dǎo)體裝置210N及其制造方法的說明圖。在圖99中，對與示于圖37和圖88～圖90的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖99(D)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例44的半導(dǎo)體裝置210N。將配設(shè)到本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210N上的框架213A的構(gòu)成是已使用圖96說明的半導(dǎo)體裝置中的第2散熱板234與框架213一體化。因此將形成于框架213A上的空腔223A已變成為具有底部237的有底形狀。
半導(dǎo)體器件211被用粘接劑236固定到底部237上，而布線基板245則被配設(shè)到框架213A的圖中下表面上。因此，即便是用本實(shí)施例的構(gòu)成，也可以進(jìn)行半導(dǎo)體器件211和布線基板245之間的金屬絲鍵合。此外，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210N的構(gòu)成中，由于與實(shí)施例41的半導(dǎo)體裝置210K比，可以減少元器件個(gè)數(shù)和制造工序，所以可以降低半導(dǎo)體裝置210N的造價(jià)。
接著，說明半導(dǎo)體裝置210N的制造方法。在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210N的制造方法中，作為使半導(dǎo)體器件211與布線基板245電連的方法，也應(yīng)用了金屬絲235。為此，首先，用粘接劑236把半導(dǎo)體器件211粘接到已在框架213上形成的底部237上，同時(shí)，把布線基板245粘接到框架213A的圖中下表面上，然后，用金屬絲鍵合法把金屬絲235配設(shè)到布線基板245的引線218與半導(dǎo)體器件211之間。
當(dāng)該金屬絲鍵和結(jié)束后，與上邊說過的各實(shí)施例一樣，用壓縮成型法形成密封樹脂215。
在進(jìn)行該壓縮成型之際，采用形成底部237的辦法，框架213A變成為同一平面的狀態(tài)，密封樹脂215無須直接接觸上模225，因而可以提高脫模性。圖99(A)示出了經(jīng)上述那樣地處理后已配設(shè)上散熱板234，金屬絲235和密封樹脂215后的布線基板245。
接著，如圖96(B)，(C)所示，把已形成在布線基板245上的延伸部分246彎曲到框架213A的上表面一側(cè)，用第2粘接劑247固定到散熱板234上。然后，用復(fù)制法等把突出電極214設(shè)置到已在延伸部分246上露出來的狀態(tài)的地面部分249上的辦法，制造圖99(D)所示的半導(dǎo)體裝置210N。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例45和實(shí)施例46的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖100是作為本發(fā)明的實(shí)施例45的半導(dǎo)體裝置210P及其制造方法的說明圖。圖101是作為本發(fā)明的實(shí)施例46的半導(dǎo)體裝置210Q及其制造方法的說明圖。在圖100和圖101中，對與示于圖88～圖90和圖99的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖100(D)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例45的半導(dǎo)體裝置210P。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210P，與上邊已說過的作為實(shí)施例44的半導(dǎo)體裝置210N一樣，其構(gòu)成為在框架213A上已一體性地形成了底部237。但是本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210P的構(gòu)成是變成了對于作為實(shí)施例44的半導(dǎo)體裝置210N，布線基板245的配置上下顛倒了過來。
即，如圖100(A)所示，布線基板245變成為從下層開始順次疊層基底薄膜217，引線219和絕緣膜219的構(gòu)成。這樣一來，即便是對于作為實(shí)施例44的半導(dǎo)體裝置210N，布線基板245變成了上下顛倒過來的狀態(tài)，也可以實(shí)現(xiàn)與作為實(shí)施例44的半導(dǎo)體裝置210N相同的效果的半導(dǎo)體裝置210P。
此外，在本實(shí)施例的構(gòu)成中，延伸部分246被構(gòu)成為向著框架213A的上表面一側(cè)被彎曲到上側(cè)的構(gòu)成。此外，在本實(shí)施例的構(gòu)成中，不一定非要形成絕緣膜219不可，采用把框架213A和各粘接劑222、247的材質(zhì)定為具有電絕緣性的材質(zhì)的辦法，就可以不要絕緣膜219。
圖101(D)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例46的半導(dǎo)體裝置210Q。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210Q也與上邊已說過的作為實(shí)施例44的半導(dǎo)體裝置210N一樣，其構(gòu)成為在框架213A上已一體性地形成了底部237。但是，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210Q中，特征是對于在前邊說過的實(shí)施例44和45的半導(dǎo)體裝置210N、210P中，使延伸部分246彎曲到框架213A的上表面一側(cè)，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210Q中，則使延伸部分246彎曲到散熱板233一側(cè)。此外，使延伸部分246彎曲并粘接到散熱板233上的方法，與先前用圖93說明過的實(shí)施例38的半導(dǎo)體裝置210H相同，故略去其說明。
倘采用本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210Q，由于延伸部分246被構(gòu)成為位于散熱板233的下部，且將在該位置上形成突出電極214，所以可以使半導(dǎo)體裝置210Q小型化。此外，由于在框架213A的上部不配設(shè)任何構(gòu)成物，所以采用把框架213A的材質(zhì)選定為散熱性良好的材質(zhì)的辦法，就可以以良好的效率散掉在半導(dǎo)體器件211中所發(fā)生的熱，因而可以提高半導(dǎo)體裝置210Q的散熱特性。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例47的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖102是作為本發(fā)明的實(shí)施例47的半導(dǎo)體裝置210R及其制造方法的說明圖。在圖102中，對與示于圖88～圖90和圖99的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖102(F)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例47的半導(dǎo)體裝置210R。已配設(shè)到本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210R上的框架213A，具有與用圖99說明的半導(dǎo)體裝置210N中的框架213A相同的構(gòu)成。即框架213A的構(gòu)成為具有已一體化地形成的底部237。
然而，在本實(shí)施例中所用的布線基板245A與示于圖89(A)和圖103中的布線板245不同，在基部251A上未形成用于裝設(shè)半導(dǎo)體器件211的裝設(shè)孔248。在這里，在圖106中擴(kuò)大示出了在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210R中所用的布線基板245A。
如同圖所示，在后邊要配設(shè)突出電極214的地面部分249已形成在布線基板245A的基部251A上，在已延伸形成在基部251A的外周四邊上的各延伸部分的外側(cè)緣部分上，已形成了與半導(dǎo)體器件211金屬絲鍵合的連接電極253。該連接電極253和地面部分249用已形成在延伸部分246和基部251A上的引線218進(jìn)行了電連。
已做成為上述構(gòu)成的布線基板245，如圖102(A)所示，基部251A定位于框架213A的底部237上，用粘接劑(圖中未畫出來)等固定到該側(cè)部237上。在該狀態(tài)下，延伸部分246變成為已延伸到框架213A的外周往外的外側(cè)的狀態(tài)。此外，在已形成于框架213A上的空腔223A的內(nèi)部，已用粘接劑236搭載上半導(dǎo)體器件211，在框架213A的下表面上，還涂上了用于把延伸部分246固定到框架213A上的粘接劑247A。
當(dāng)向上述那樣地把布線基板245A的基部251A固定到框架213A的底部237上后，在本實(shí)施例中，與上邊說過的各實(shí)施例不同，首先實(shí)施彎曲形成延伸部分246的彎曲工序而無須實(shí)施樹脂密封工序。具體地說，如在圖102(B)中用箭頭所示，彎曲延伸部分246，用粘接劑247A固定到框架213A上。
采用進(jìn)行上述的彎曲工序的辦法，如圖102(C)所示，已在延伸部分246上形成的連接電極253和半導(dǎo)體器件211變成為已靠近了的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，用金屬絲鍵合法把金屬絲235配設(shè)到連接電極253和半導(dǎo)體器件211之間。圖102(D)示出了已把金屬絲235配設(shè)到連接電極253和半導(dǎo)體器件211之間的狀態(tài)。
在本實(shí)施例中，已做成為下述構(gòu)成在彎曲上述延伸部分246的彎曲工序和配設(shè)金屬絲235的金屬絲鍵合工序結(jié)束后，實(shí)施樹脂密封工序以形成密封樹脂215。圖102(E)示出了已形成了密封樹脂215的布線基板245。該樹脂密封工序可以用上述模具224進(jìn)行，因而，可以用壓縮成型法形成密封樹脂215。此外，在本實(shí)施例中，在與密封樹脂215的形成的同時(shí)，還應(yīng)用了配設(shè)散熱板233的方法(參看圖82)。
在向上述那樣形成了密封樹脂215時(shí)，接著就用例如復(fù)制法在地面部分249上形成突出電極214，制造示于圖102的半導(dǎo)體裝置210R。這樣一來，所制造的半導(dǎo)體裝置210R由于將形成突出214的位置是框架213A的底部237一側(cè)，在該位置上沒有形成空腔223A，所以可以把底部237的整個(gè)區(qū)域當(dāng)做突出電極214的形成區(qū)域。為此，可以把突出電極214的配設(shè)步距設(shè)定得寬，或者可以增多突出電極214的個(gè)數(shù)。
接著，用圖104～圖110說明上邊說過的各實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210E～210R中所用的布線基板245的其他實(shí)施例。在圖104～圖110中，對與先前用圖103說明過的布線基板245的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
示于圖104的布線基板245B是倒裝接合半導(dǎo)體器件211型(以下叫做TAB型)的布線基板。因此，內(nèi)引線部分220被做成為已突出到裝設(shè)孔243的內(nèi)部的構(gòu)成。本實(shí)施例的布線基板245B的特征是在彎曲工序中，已除去了被彎曲部位的基底薄膜217。采用除去基底薄膜217的辦法，由于引線218將變成露出的狀態(tài)，強(qiáng)度變?nèi)?，所以在該基底薄?17的除去位置上已配設(shè)上易于撓曲的阻焊劑(層)245。
倘采用已做成上述構(gòu)成的布線基板245B，則可以防止在彎曲位置上布線基板245B的鼓包的發(fā)生，可以提高布線基板245與框架213、213A，散熱板233、234等之間的貼緊性。這樣一來，由于可以防止布線基板245B從框架213、213A，散熱板233、234上剝離，所以可以提高半導(dǎo)體裝置210E～210R的可靠性。此外，如上述那樣，采用使布線基板245B與框架213、213A，散熱板233、234等變成已貼緊的狀態(tài)的辦法，還可以使半導(dǎo)體裝置210E～210R小型化。
此外，示于圖105的布線基板245C的特征是用金屬絲鍵合法使半導(dǎo)體器件211與引線218接合型(以下，叫做金屬絲連接型)的布線基板。因此，與示于圖103和圖104的TAB型的布線基板245、245A不同，內(nèi)引線部分220沒有突出到裝設(shè)孔248的內(nèi)部。
此外，示于圖106中的布線基板245A，由于前邊已經(jīng)說過，在這里略去其說明。
此外，示于圖107的布線基板245D是TAB型的布線基板，在本實(shí)施例中，其特征是各延伸部分246A的形狀是三角形。這樣一來，采用把延伸部分246A做成為三角形形狀的辦法，就可以沿著構(gòu)成三角形的斜邊配設(shè)焊盤部分249。
這樣一來，就可以相鄰的焊盤部分249的(即，突出電極249的)配設(shè)步距加寬，可以用以進(jìn)行焊盤部分249的形成，同時(shí)，還可以使半導(dǎo)器件211高密度化，使得即便是增加突出電極214的個(gè)數(shù)，也可以對此充分地進(jìn)行應(yīng)付。此外，在示于圖107的實(shí)施例中，雖然示出的是把延伸部分246A的形狀做成為三角形的形狀的例子，但是延伸部分246A的形狀不受限于三角形，只要是能加寬焊盤部分249的配設(shè)步距的形狀，也可以是其他的形狀。
此外，示于圖108的布線基板245E是TAB型的布線基板，其特征是延伸部分246A的形狀已做成為三角形的同時(shí)，已經(jīng)除去了基底薄膜217的被彎曲的部位。倘采用本實(shí)施例的布線基板245E，由于可以防止布線基板245B從框架213、213A，散熱板233、234等上剝離，所以可以提高裝置的小型化和可靠性，而且，還可以使焊盤249的形成容易化和可以應(yīng)付半導(dǎo)體器件211的高密度化。此外，即便是在本實(shí)施例中，在基底薄膜217的除去位置上也已配設(shè)上用來保護(hù)引線218的阻焊劑(層)254。
此外，示于圖109的布線基板245F、245G、245H是TAB型的布線基板，特征是采用在基底薄膜217(圖中用帶點(diǎn)的區(qū)域表示)上形成連接孔的辦法，形成地面部分249。示于圖109(A)的布線基板245F的構(gòu)成為把延伸部分246與基部251做成為一個(gè)整體，而示于圖109(B)布線基板245G的構(gòu)成為在除去了被彎曲部分的基底薄膜217后已配設(shè)上了阻焊劑(層)，示于圖109(C)的布線基板245H，則在基部251A上已形成了地面部分249。
本實(shí)施例的布線基板245F、245G可以應(yīng)用到先前已說明過的半導(dǎo)體裝置210G(參看圖92)，210H(參看圖93)，210I(參看圖94)，210J(參看圖95)210L(參看圖97)，210M(參看圖98)，210P(參看圖100)，210Q(參看圖101)中去。此外，本實(shí)施例的不線基板245H可以應(yīng)用到先前已說明的半導(dǎo)體裝置210R(參看圖102)中去。
圖109示出了先前用圖106說明過的作為布線基板245A的變形例的布線基板245I，具體地說，擴(kuò)大示出了連接電極253(圖中用帶點(diǎn)的區(qū)域表示)的形成部分。
在本實(shí)施例的布線基板245I中，特征是把連接電極253配設(shè)為使之變成為鋸齒狀的同時(shí)，使各連接電極253的拐角部分253a形成為具有曲線形狀。采用把做成為鋸齒狀的辦法，由于可以擴(kuò)大各連接電極253的面積，所以在與半導(dǎo)體器件211之間配設(shè)金屬絲235之際，可以簡化金屬絲鍵合處理(電連處理)。
此外，采用使各連接電極253的拐角部分253a形成為具有曲線形狀的辦法，在例如使半導(dǎo)體器件211與連接電極253進(jìn)行金屬絲鍵合之際，可以分散在接觸到在金屬絲235與連接電極253之間的接合中所用的鍵合工具(超聲波鍵合工具)時(shí)所發(fā)生的應(yīng)力，因而可以確實(shí)地進(jìn)行金屬絲235與連接電極253之間的電連處理。
接著，用圖111～圖118說明本發(fā)明的實(shí)施例48的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在圖111～圖118中，對與示于圖88～圖90的實(shí)施例35的半導(dǎo)體裝置210E的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖111示出了本發(fā)明的實(shí)施例48的半導(dǎo)體裝置210S，圖112和圖113示出了半導(dǎo)體裝置210S的制造方法。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210S的特征是作為突出電極使用了所謂的機(jī)械突出電極255。機(jī)械突出電極255的構(gòu)成是采用對已形成于布線基板245J上的引線218進(jìn)行塑性加工的辦法，使之從布線基板245J上突出出來以形成突出電極。
如上所述，由于機(jī)械突出電極255采用對引線218進(jìn)行塑性加工的辦法形成，所以如在前邊所說明過的各實(shí)施例中所說明的那樣，可以不要在用復(fù)制法的情況下所必須的球形材料，因此可以減少元器件個(gè)數(shù)和使工序簡化。還有作為塑性加工方法，由于可以用例如用沖床(工具)對引線218僅僅進(jìn)行沖壓加工的簡單的處理，所以可以形成價(jià)格低廉且容易形成的機(jī)械突出電極255(突出電極)。
其次，說明半導(dǎo)體裝置210S的制造方法。圖112(A)示出了在已形成了機(jī)械突出電極255的布線基板245J上實(shí)施了樹脂密封工序后的狀態(tài)。如同圖所示，在本實(shí)施例中，機(jī)械突出電極255已形成于布線基板245J的延伸部分246上。
在這里，在圖112(B)～112(D)這擴(kuò)大示出了在圖112(A)中用箭頭A表示的部分(機(jī)械突出電極255的形成部分)。如各圖所示，機(jī)械突出電極255的構(gòu)成可以做成為種種的形態(tài)。以下，對各個(gè)構(gòu)成進(jìn)行說明。
示于圖112(B)的機(jī)械突出電極255A，其特征是采用對引線218進(jìn)行使之與絕緣膜219一體性地沖壓加工(塑性加工)的辦法，使之從已形成在基底薄膜217上的連接孔217b中突出出來，再采用使引線218和絕緣膜219突出出來的辦法，把核心(core)256配設(shè)到將在機(jī)械突出電極255A的背面一側(cè)形成的凹部內(nèi)。
上述構(gòu)成的機(jī)械突出電極255A，由于是引線218與絕緣膜219一起進(jìn)行沖壓加工，所以不需要絕緣膜219的除去處理，因而可以簡化機(jī)械突出電極255A的形成工序。此外，由于在機(jī)械突出電極255A的背面一側(cè)必然地要形成的凹部中將配設(shè)核心155A，所以在裝配半導(dǎo)體裝置210S時(shí)，即便是在機(jī)械突出電極255A已被推壓的情況下，機(jī)械突出電極255A也不會(huì)發(fā)生變形之類的事情。
在圖112(C)所示的構(gòu)成中，采用在除去了絕緣膜219之后，對引線218進(jìn)行沖壓加工(塑性加工)的辦法，形成機(jī)械突出電極255B。此外，在本實(shí)施例中，也在將形成在機(jī)械突出電極255B的背面一側(cè)的凹部內(nèi)配設(shè)核心部分256。
上述構(gòu)成的機(jī)械突出電極255B，由于僅對引線218進(jìn)行沖壓加工，所以與絕緣膜219一起進(jìn)行沖壓加工的圖112(B)的構(gòu)成比，可以以良好的精度形成機(jī)械突出電極255B的形狀。即，雖然人們認(rèn)為這會(huì)對于被形成為在絕緣膜219的厚度上存在著不均一的機(jī)械突出電極255B的形狀有影響，但在本實(shí)施例的構(gòu)成中，卻不會(huì)影響絕緣膜219的厚度，因此可以形成精度高的機(jī)械突出電極255B。
示于圖112(D)的構(gòu)成的特征是在上述圖112(B)所時(shí)的構(gòu)成中，不用核心部分256，把第2粘接劑247填充到將形成于機(jī)械突出電極255C的背面一側(cè)的凹部內(nèi)。
如上所述，第2粘接劑247雖然起著把延伸部分246固定到框架213等上的作用，但采用進(jìn)行固化的辦法，使該第2粘接劑247變成為具有規(guī)定的硬度。因此，采用使第2粘接劑247填充到上述凹部中去的辦法，可以使第2粘接劑247起著與核心部分256同等的作用。
這樣一來，采用把第2粘接及247用作核心256的辦法，與示于圖112(B)，(C)的構(gòu)成比，在可以減少元器件個(gè)數(shù)的同時(shí)，還可以簡化機(jī)械突出電極255C的形成工序。
當(dāng)不論用上述的各形成方法中的哪一個(gè)在布線基板245J上形成了機(jī)械突出電極255后，就把半導(dǎo)體器件211倒裝接合到該布線基板245J上，接著，用壓縮成型法實(shí)施樹脂密封工序，變成圖113所示的狀態(tài)。接著，如圖113所示，實(shí)施彎曲工序，把延伸部分246彎曲到框架213的上表面一側(cè)，用第2粘接劑247固定到框架213上。以此，制造圖111所示的半導(dǎo)體裝置210S。
圖114時(shí)出了作為本發(fā)明的實(shí)施例49的半導(dǎo)體裝置210T及其制造方法。在先前用圖111～圖113說明的半導(dǎo)體裝置210S及其制造方法中，作為半導(dǎo)體器件211和布線基板245J之間的連接方法，使用了倒裝接合法。
對此，在本實(shí)施例中，如圖114所示，特征是用金屬絲235把半導(dǎo)體器件211和布線基板245J連接起來。這樣一來，即便是應(yīng)用了機(jī)械突出電極255的構(gòu)成，也可以用TAB法或金屬絲鍵合法中的不論哪一種方法。此外，對于已用圖111～圖113說明過的半導(dǎo)體裝置210S及其制造方法，由于本實(shí)施例僅僅是半導(dǎo)體器件211與布線基板245J之間的連接構(gòu)造不同，其他的構(gòu)成都相同，所以略去其說明。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例50的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖115是作為本發(fā)明的實(shí)施例50的半導(dǎo)體裝置210U及其制造方法的說明圖。在圖115中，對與示于圖102和圖111～圖112的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖115(F)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例50的半導(dǎo)體裝置210U。已配設(shè)到本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210U上的框架213A與用圖102說明過的半導(dǎo)體裝置210R具有相同的構(gòu)成。即，框架213A的構(gòu)成為具有已一體性地形成的底部237。此外，在本實(shí)施例中所用的布線基板245K的構(gòu)成為在基部251A上已形成了突出電極255。
已做成為上述構(gòu)成的布線基板245K，如圖115(A)所示，基部251A定位于框架213A的底部分237上邊，并用已配設(shè)到圖中布線基板245K的下表面上的第2粘接劑247固定到該側(cè)部237上。在該狀態(tài)下，延伸部分246變成為已從框架213A的外周延伸到外側(cè)的狀態(tài)。此外，已形成于框架213A上的空腔223A的內(nèi)部已用粘接劑236搭載上半導(dǎo)體器件211。
當(dāng)向上述那樣地把布線基板245A的基部251A固定到框架213A的底部237上后，無須實(shí)施樹脂密封工序，如圖115(B)，(C)所示，彎曲延伸部分246，用粘接劑247A固定到框架213A上。接著，用金屬絲鍵合法，在半導(dǎo)體器件211和連接電極253間配設(shè)金屬絲235。圖114(D)示出了已把金屬絲235配設(shè)到連接電極253與半導(dǎo)體器件211之間的狀態(tài)。
當(dāng)象上述那樣地配設(shè)了金屬絲235后，接著就實(shí)施樹脂密封工序。圖115(E)示出了已把布線基板245K裝設(shè)到模具224C中的狀態(tài)。在本實(shí)施例中，由于在實(shí)施樹脂密封工序之前，已在布線基板245K上形成了機(jī)械突出電極255，所以在模具224C的上模225B中已形成了插入機(jī)械突出電極255的插入孔257。
在本實(shí)施例中，在密封樹脂的形成中也用了壓縮成型法。還有，在本實(shí)施例中，與密封樹脂215的形成的同時(shí)，還應(yīng)用了配設(shè)散熱板233的方法。接著，采用形成密封樹脂215的辦法，制造圖形115(F)所示的半導(dǎo)體裝置210U。
如上述那樣地制造的半導(dǎo)體裝置210U，與示于圖102的半導(dǎo)體裝置210R一樣，機(jī)械突出電極255的形成位置將變成框架213A的底部237，由于在該位置上沒有形成空腔223A，所以可以把底部237的整個(gè)區(qū)域都當(dāng)做機(jī)械突出電極255的形成區(qū)域。因此，或者是可以把機(jī)械突出電極255的配設(shè)步距設(shè)定得寬，或者是可以增多機(jī)械突出電極255的配設(shè)個(gè)數(shù)。
圖116示出了應(yīng)用了機(jī)械突出電極255的各種半導(dǎo)體裝置。圖116(A)是在先前已用圖81說明過的實(shí)施例31的半導(dǎo)體裝置10A中，作為突出電極應(yīng)用了機(jī)械突出電極255構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置210V。圖116(B)是在先前已用圖84說明過的實(shí)施例32的半導(dǎo)體裝置10B中，作為突出電極應(yīng)用了機(jī)械突出電極255構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置210W。還有，圖116(C)是在先前已用圖89說明過的實(shí)施例34的半導(dǎo)體裝置10D中，作為突出電極應(yīng)用了機(jī)械突出電極255構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置210X。
如在各圖中所示，即便是在不彎曲形成延伸部分246的半導(dǎo)體裝置下210V～210X中，也可以應(yīng)用機(jī)械突出電極255。此外，在示于圖116中的各半導(dǎo)體裝置210V～210X中，機(jī)械突出電極255以外的構(gòu)成與上述半導(dǎo)體裝置210A，210B，210D是一樣的，故略去其說明。
接著，說明本發(fā)明的實(shí)施例51的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖117是作為本發(fā)明的實(shí)施例51的半導(dǎo)體裝置210Y及其制造方法的說明圖。在圖117中，對與示于圖115的構(gòu)成相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
圖117(E)示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例51的半導(dǎo)體裝置210Y。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置210Y的特征是對于前邊所說的各實(shí)施例，已做成了不設(shè)置框架213，213A的構(gòu)成。因此，半導(dǎo)體器件211就變成了僅僅用密封樹脂保持的構(gòu)成。這樣一來，采用做成為去除框架213，213A，僅僅用密封樹脂保持半導(dǎo)體器件211的構(gòu)成的辦法，可以是半導(dǎo)體裝置210Y進(jìn)一步小型化，同時(shí)，還可以因減少元器件個(gè)數(shù)而得以降低造價(jià)和使組裝作業(yè)簡化。
接著說明已做成為上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置210Y的制造方法。在以下的說明中作為突出電極雖然舉出的是應(yīng)用了機(jī)械突出電極255的例子，但是對于應(yīng)用了機(jī)械突出電極以外的突出電極的半導(dǎo)體裝置，以下的半導(dǎo)體制造方法也是適用的。
圖117(A)示出了把預(yù)先形成了機(jī)械突出電極255的同時(shí)，還已搭載上半導(dǎo)體器件211的布線基板246L裝設(shè)于模具中的狀態(tài)。在本實(shí)施例中，已用金屬絲235使半導(dǎo)體器件211和布線基板245L電連。此外，在本實(shí)施例所用的模具224C與示于圖115(B)的模具一樣，在上模225B中已形成了插入機(jī)械突出電極255的插入孔257。
當(dāng)把布線基板246L裝設(shè)到模具24C中后，移動(dòng)上模225B和下模226使之靠近，如圖117(B)所示，將變成為把布線基板246L夾緊在上模225B與下模226之間的狀態(tài)。
接著，如圖117(C)所示，使第1上模228上動(dòng)，密封樹脂以規(guī)定的壓力密封半導(dǎo)體器件211，金屬絲235等。即，在本實(shí)施例中，在密封樹脂215的形成中，也可以用壓縮成型法。在本實(shí)施例中，由于已做成為在已把散熱板233載置到第1半個(gè)下模228的上部的狀態(tài)下進(jìn)行樹脂密封的構(gòu)成，所以可以在密封樹脂的形成的同時(shí)配設(shè)散熱板233。
圖117(D)示出了使象上述那樣地形成了密封樹脂215的布線基板245L已從模具224C中脫模的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，布線基板245L變成了已形成了在所形成的密封樹脂215的側(cè)部上延伸出來的不需要的延伸部分258的狀態(tài)。該不需要的延伸部分258在進(jìn)行完脫模處理后就切斷除去，以此制造圖117(E)所示的半導(dǎo)體裝置210Y。圖118示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置310A。圖118(A)是半導(dǎo)體裝置310A的剖面圖，圖118(B)是半導(dǎo)體裝置310A的側(cè)視圖。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置30A的構(gòu)成極其簡單，粗略地分，由半導(dǎo)體器件312，電極板314A，密封樹脂316A和突出端子318構(gòu)成。半導(dǎo)體器件312(半導(dǎo)體芯片)是已在半導(dǎo)體襯底上形成了電子電路的器件，在其裝配面一側(cè)已形成了多個(gè)突出電極322。該多個(gè)突出電極322的構(gòu)成是用復(fù)制法配設(shè)上例如焊錫球，并已用倒裝鍵合法接合到電極板314上。此外，還可以用回流焊等。
如上所述，采用使半導(dǎo)體器件312與電極板314進(jìn)行倒裝接合的辦法，與用金屬絲連接的構(gòu)成比，可以使接合所需要的空間小空間化，可以使半導(dǎo)體裝置310A小型化。此外，由于可以縮短接合部分處的布線長度，所以還可以降低阻抗，可以提高電學(xué)特性。再有，由于可以使相鄰的突出電極322間的步距窄步距化，故還可以應(yīng)付多管腳化。
此外，上述的電極板314起著所謂的插入器的作用，由例如銅合金之類的導(dǎo)電性金屬形成。該電極板314，如圖119(A)所示，由具有規(guī)定的圖形形狀的多個(gè)金屬板圖形326構(gòu)成(如后述那樣，圖119(A)示出了引線框架狀態(tài)的電極板314)。
該金屬板圖形326，在把半導(dǎo)體器件312的突出電極322接合到圖中下表面上的同時(shí)，把突出端子318接合到與作為圖中上表面的半導(dǎo)體器件312的配設(shè)面不同的面上。因此，金屬板圖形326起著電連突出電極322和突出端子318的作用。此外，如圖118(B)所示，金屬板圖形326的端部已從密封樹脂316A的側(cè)面露出來，形成了側(cè)部端子320。
突出端子318是例如由焊錫構(gòu)成的球狀突出(突出電極)，如上所述，已接合到電極板314上。該突出端子318通過金屬板圖形電連到對應(yīng)的既定的突出電極322上。
密封樹脂316A形成為對半導(dǎo)體器件312，電極板314和突出電極318的一部分進(jìn)行密封。該密封樹脂316A，是例如聚酰亞胺，環(huán)氧樹脂等具有絕緣性的樹脂，形成為足以覆蓋保護(hù)半導(dǎo)體器件312的最小的大小。因此，可以使半導(dǎo)體裝置小型化。
此外，在已形成了密封樹脂316A的態(tài)下，半導(dǎo)體器件312的背面328的構(gòu)成為已從密封樹脂316A中露出來。由于半導(dǎo)體器件312的背面328沒有形成電子電路等，且是強(qiáng)度比較高的部位，所以即便是使背面328從密封樹脂316A中露出來也不會(huì)產(chǎn)生什么特別的不合適。此外借助于使背面從密封樹脂316A中露出來，由于在半導(dǎo)體器件312中所發(fā)生的熱從該背面328向外部散熱，所以，反而會(huì)提高半導(dǎo)體裝置310A的散熱效率。
如上所述，在已形成了密封樹脂316A的狀態(tài)下，電極板314的端部已從密封樹脂316A的側(cè)面露出來，形成了側(cè)部端子320。如上所述，采用構(gòu)成為使側(cè)部端子320從中密封樹脂316A的側(cè)面露出來的辦法，就可以把側(cè)部端子320用作突出端子的同時(shí)，還可以用作與別的基板或裝置進(jìn)行連接的外部連接端子。
圖28示出了作為本發(fā)明的實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造，示出了已把上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置210A裝配到裝配基板332上的狀態(tài)。如同圖所示，在裝配狀態(tài)下，結(jié)果變成為突出端子318位于密封樹脂316A的底面與裝配基板32之間，不能從外部進(jìn)行觀察或連接探針等的測試工具。
但是，在半導(dǎo)體裝置310A中，由于其構(gòu)成是使側(cè)部端子320從密封樹脂316A中露出來，所以即便是在已把半導(dǎo)體器件312裝配到裝配基板332上之后，也可以用該側(cè)部端子320進(jìn)行半導(dǎo)體裝置310A的動(dòng)作試驗(yàn)。因而，可以容易地進(jìn)行不合格半導(dǎo)體裝置的發(fā)現(xiàn)，可以提高裝配時(shí)的成品率和可靠性。
再返回到圖118，繼續(xù)說明半導(dǎo)體裝置310A。
上述的密封樹脂316A，不僅覆蓋半導(dǎo)體器件312，還形成與電極板314的已接合上突出端子318的面上。因此，突出端子318還起著用密封樹脂316A進(jìn)行保護(hù)的作用。因而，可以防止由于加上外力等而使突出端子318從半導(dǎo)體裝置310A脫離。此外，由于密封樹脂有絕緣性，所以即便是在突出端子318的配設(shè)密度高的情況下(即，已窄步距化了的情況下)，也可以防止在裝配時(shí)相鄰的突出端子間發(fā)生短路。
還有，突出端子318，在已形成了密封樹脂316A的狀態(tài)下，其構(gòu)成為從密封樹脂316A中露出來。因此，在裝配時(shí)，可以把突出端子318確實(shí)地連接到裝配基板332上，此外，如圖128所示，可以與BGA(Ball Grid Array)一樣的對待半導(dǎo)體裝置310A，可以提高裝配性。
在這里，注目于已設(shè)置到半導(dǎo)體裝置310A上的電極板314A。
如上所述，由于電極板314A是金屬板，所以采用使該電極板314A設(shè)于保護(hù)半導(dǎo)體器件312的密封樹脂316A內(nèi)的辦法，就可以使電極板下314A起到增強(qiáng)密封樹脂316A的增強(qiáng)構(gòu)件的作用。因此，可以更為確實(shí)地進(jìn)行半導(dǎo)體器件312的保護(hù)，因而可以提高半導(dǎo)體裝置310A的可靠性。此外，電極板314A位于作為外部連接端子起作用的突出端子318和側(cè)部端子320與半導(dǎo)體器件312之間。因此，與象現(xiàn)有技術(shù)那樣把外部連接端子直接連接到半導(dǎo)體器件上的構(gòu)成不同，在半導(dǎo)體裝置310A的內(nèi)部，用電極板314A，可以在半導(dǎo)體器件312和突出端子318，側(cè)部端子320之間進(jìn)行布線的走線。因此，采用設(shè)置電極板314A的辦法，就可以提高半導(dǎo)體器件312和外部連接端子(突出端子318，側(cè)部端子320)的端子的布局的自由度。
還有，由于電極板314A由導(dǎo)電性金屬構(gòu)成，且一般地說，導(dǎo)電性金屬(在本實(shí)施例的情況下，是銅或金)的導(dǎo)熱性比密封樹脂316A好，所以在半導(dǎo)體器件312中所發(fā)生的熱通過電極板314A向外部散熱。因此，可以以良好的效率散掉在半導(dǎo)體器件312中所發(fā)生的熱，可以擔(dān)保半導(dǎo)體器件312的穩(wěn)定地工作。
接著，說明上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置310A的制造方法。
圖119～圖122是半導(dǎo)體裝置310A及其制造方法的說明圖。在圖119～圖122中，對與示于圖118的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。
本實(shí)施例的制造方法具有電極板形成工序；芯片搭載工序；突出端子形成工序；密封樹脂形成工序和切斷工序。在電極板形成工序中，采用對例如由作為引線材料的銅合金(例如，Cu-Ni-Sn系)構(gòu)成的金屬板進(jìn)行圖形成形處理的辦法，形成具有多個(gè)電極板314的引線框架324A。在該電極板形成工序中實(shí)施的圖形成形處理，用刻蝕法或沖壓加工法進(jìn)行。該刻蝕法或沖壓加工法，在一般的半導(dǎo)體制造工序，該引線框架形成法是普通常用的手法。因此，采用用刻蝕法或沖壓加工法的辦法，無須增加設(shè)備，就可以形成引線框架324。
圖119(A)擴(kuò)大示出了引線框架324A的局部，示出了4個(gè)電極板314A。在本實(shí)施例的制造方法中，由于已構(gòu)成為進(jìn)行多個(gè)同時(shí)處理，所以如同圖所述，在引線324A上形成了多個(gè)電極板314A。
該電極板314A，如上所述，由多個(gè)金屬板圖形326構(gòu)成。該金屬板圖形326由于可以在上述的圖形成形處理中可以設(shè)定任意的布線圖形，所以，可以用電極板314A進(jìn)行布線的走線，因此，可以使將在電極板314A上形成的外部連接端子的端子布局上具有自由度。
另一方面，圖119(B)示出了已搭載上述的電極板314A(引線框架324A)上的半導(dǎo)體器件312(312A～312C)。在本實(shí)施例中，已做成為在一個(gè)電極板314A上搭載3個(gè)半導(dǎo)體器件312A～312C的構(gòu)成。此外，在各個(gè)半導(dǎo)體器件312A～312C中，還分別配設(shè)有用于與電極板314A電連的突出電極322。
如同圖所示，半導(dǎo)體器件312A～312C的大小，不一定非一樣不可。此外，已形成于各電極板314A上的金屬板圖形326被構(gòu)成為與已形成在各半導(dǎo)體器件312A～312C上的突出電極322的形成位置對應(yīng)。
在上述的電極板形成工序結(jié)束后，接著就實(shí)施芯片搭載工序。在該芯片搭載工序中，把半導(dǎo)體器件312A～312C搭載到電極板214A上，進(jìn)行電連處理。圖120(A)，(B)示出了已把半導(dǎo)體器件312A～312C搭載到電極板314A上的狀態(tài)。
在本實(shí)施例中，作為把半導(dǎo)體器件312A～312C接合到電極板314A上的方法，采用了把電極322直接接合到電極板314A上的倒裝接合法。采用用該倒裝接合法的辦法，如上所述，可以使半導(dǎo)體器件312A～312C與電極板314A之間的接合面積小空間化的同時(shí)，還可以降低連接阻抗。
在上述芯片搭載工序結(jié)束后，接著就實(shí)施突出端子形成工序。該突出端子形成工序在構(gòu)成電極板314A的金屬板圖形326的規(guī)定位置上形成突出端子318。突出端子318用焊錫球構(gòu)成，用例如復(fù)制法接合到金屬板圖形326上。圖121示出了已配設(shè)上突出端子318的電極板314A。該突出端子318，如上所述，采用適當(dāng)選定金屬板圖形316的布線圖形的辦法，已被配設(shè)為矩陣狀。
在上述的突出端子形成工序結(jié)束后，接著實(shí)施密封樹脂形成工序。在該密封樹脂形成工序中，把已配設(shè)了半導(dǎo)體器件312(312A～312C)和突出端子318的引線框架324A裝設(shè)到模具中，用壓縮成型法形成密封樹脂316A。采用形成密封樹脂316A的辦法，把半導(dǎo)體器件312和電極板314A密封起來。因此，半導(dǎo)體器件312和電極板314A被密封樹脂316A保護(hù)，因而，可以提高半導(dǎo)體裝置310A的可靠性。
圖122示出了已形成了密封樹脂316A的引線框架324A。如同圖所示，在已形成了密封樹脂316A的狀態(tài)下，半導(dǎo)體器件312(312A～312C)的背面已從密封樹脂316A中露出來，而突出端子318被構(gòu)成為使其頂端規(guī)定部分從密封樹脂316A中突出出來。這樣一來，采用使半導(dǎo)體器件312的背面從密封樹脂316A中露出的辦法，可以提高散熱效率的同時(shí)，采用使突出端子318的頂端部分從密封樹脂316A中突出出來的辦法，可以提高裝配性。
當(dāng)上述密封樹脂形成工序結(jié)束后，接著實(shí)施切斷工序。在該切斷工序中，為了進(jìn)行多個(gè)匯總處理，在多個(gè)一塊形成的半導(dǎo)體裝置的各個(gè)交界位置(圖122中用A-A表示的虛線位置)上切斷密封樹脂316A和引線框架324A(電極板314A)。以此，形成圖118所示的半導(dǎo)體裝置310A。
如上所述，采用與密封樹脂316A一起切斷引線框架324A(電極板314A)的辦法，結(jié)果就變成為電極板314A的切斷位置必然從密封樹脂316A的側(cè)面露出來，形成側(cè)部320。因此，可以把該側(cè)部320用作外部連接端子。
接著，說明實(shí)施例55的半導(dǎo)體裝置310B的制造方法。
圖123(A)示出了半導(dǎo)體裝置310B的剖面圖，圖123(B)示出了半導(dǎo)體裝置310B的底面圖。在圖123中，對與已用圖118說明過的實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置310A相同的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去說明。在以下要說明的各實(shí)施例中也進(jìn)行同樣的處理。
上述實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置310A的構(gòu)成是在電極板314A上形成突出端子318，使該突出端子318從密封樹脂316A中露出來。對此，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310B的特征是不設(shè)置突出端子318，使電極板314A直接從密封樹脂316B中露出來。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310B，由于沒有設(shè)置突端子318，所以可以減少元器件個(gè)數(shù)和可以簡化制造工序。此外，由于電極板314A除從密封樹脂316B的側(cè)面露出之外，還從底面露出來，形成外部連接端子，所以可以在側(cè)面和底面這兩方進(jìn)行裝配。
圖130示出了已把半導(dǎo)體裝置310B裝配到裝配基板332上的構(gòu)造。如同圖所示，半導(dǎo)體裝置310B已用焊錫336面朝下裝配到裝配基板332上。這時(shí)，焊錫336不僅在電極板314A的底面部分上，在側(cè)面部分上也已圍繞著側(cè)部端子320進(jìn)行了焊接。
此外，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310B還可以與后面要講的實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置310C一樣，僅僅用側(cè)部端子320進(jìn)行裝配，因而可以改善裝配構(gòu)造的自由度。
接著，說明實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置310C的制造方法。
圖124是實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置310C的說明圖，圖124(A)示出了半導(dǎo)體裝置310C的剖面，圖124(B)示出了半導(dǎo)體裝置310C的上面。
上述實(shí)施例55的半導(dǎo)體裝置310B的構(gòu)成是使電極板314A的底面和側(cè)端部都從密封樹脂316B中露出來，但本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310C的特征是僅僅使電極板314A的側(cè)端部分從密封樹脂316C中露出來，形成側(cè)部端子320。
在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310C中，由于其構(gòu)成為剩下側(cè)部端子320，把電極板314A埋設(shè)到密封樹脂316C中，所以可以防止因外力或熱應(yīng)力把電極板314A從密封樹脂316C上剝離下來，可以提高半導(dǎo)體裝置310C的可靠性。
接著，說明實(shí)施例57的半導(dǎo)體裝置310D的制造方法。
圖125是實(shí)施例57的半導(dǎo)體裝置310D的說明圖，圖125(A)示出了半導(dǎo)體裝置310D的剖面，圖125(B)示出了半導(dǎo)體裝置310D的上面，圖125(C)示出了半導(dǎo)體裝置310D的底面。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310D的特征是在電極板314B上已形成了突出狀端子(突出端子)330。該突出狀端子330采用對電極板314B進(jìn)行塑性加工(例如，沖壓加工)的辦法形成，因此其構(gòu)成為使突出狀端子330與電極板314B一體化。此外，還可以代之以做成為安裝上導(dǎo)電性的另外的物體的構(gòu)成。
此外，突出狀端子330的形成處理可以在上述的電極形成工序中一起地形成。因此，采用形成突出狀端子330的辦法，不會(huì)使制造工序變得復(fù)雜，此外，與用另外的構(gòu)件形成突出狀端子330的構(gòu)成比，可以減少元器件個(gè)數(shù)。
上述構(gòu)成的突出狀端子330，如圖125(A)，(B)所示，其構(gòu)成為從密封樹脂316D的底面露出來。這樣一來，采用使突出狀端子330從密封樹脂316D的底面露出來的辦法，就可以使突出狀端子330起到外部連接端子的作用。
圖134示出了已把上述半導(dǎo)體裝置310D裝配到裝配基板332上的狀態(tài)。如同圖所示，雖然半導(dǎo)體裝置310D用焊錫354裝配到裝配基板332上，但這時(shí)突出狀端子330的構(gòu)成為已從密封樹脂316D的底面和側(cè)面露了出來，所以，可以增大與焊錫354之間的接合面積，因而，可以確實(shí)地把突出狀端子330連接到配基板332上。
此外，由于電極板314B的構(gòu)成為除突狀端子330和側(cè)部端子320外都被埋設(shè)于密封樹脂316D中，可以用密封樹脂316D使相鄰的突出狀端子330絕緣。為此，在裝配時(shí)不會(huì)因焊錫354在突出狀端子330間發(fā)生短路之類的事情，可以提高裝配的可靠性。圖126和圖127示出了實(shí)施例55的半導(dǎo)體裝置的制造方法，示出了上述半導(dǎo)體裝置310D的制造方法。
本實(shí)施例的制造方法，由于對于已用圖119～圖122說明過的實(shí)施例54的制造方法，僅僅電極板形成工序，密封樹脂形成工序和切斷工序不同，其他的工序都一樣，所以在以下的說明中，僅對電極板形成工序進(jìn)行說明。
在本實(shí)施例的電極板形成工序中，在形成已具有電極板314B的引線框架324B之際，對突出狀端子330也一起進(jìn)行塑性加工。之所以象這樣地一起地進(jìn)行用于形成電極板314B的切斷加工和用于進(jìn)行突出狀端子330的塑性加工，是因?yàn)椴捎眠m當(dāng)設(shè)定形成引線框架324B的模具的構(gòu)成的辦法，可以容易的實(shí)現(xiàn)。
圖126示出了采用實(shí)施電極板形成工序的辦法形成的引線框架324B。在該圖中，用陰影表示的部分就是突出狀端子330，該突出狀端子330具有對于電極板314B突出出來的形狀。這樣一來，倘采用本實(shí)施例，由于可以在與電極板314B的形成的同時(shí)一起地進(jìn)行突出狀端子330的形成，所以可以簡化半導(dǎo)體裝置310D的制造工序。
此外，如圖127所示，在密封樹脂形成工序中，把密封樹脂316D形成為使突出狀端子330從密封樹脂316D中露出來。為了象這樣地使突出狀端子330從密封樹脂316D中露出來，采用做成為使在密封樹脂形成工序中所用的模具的空腔面接觸到突出狀端子330上的狀態(tài)的辦法，就可以容易地實(shí)現(xiàn)。
此外，在切斷工序中的切斷位置定位在圖127中用A-A表示的虛線位置，選定為使突出狀端子330的側(cè)面從密封樹脂316D的側(cè)面露出來。因此，如圖134所示，在裝配時(shí)，焊錫354可以一直圍繞到突出狀端子330的側(cè)面，可以確實(shí)地進(jìn)行焊接。
接著，說明把上述各實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310A～310D裝配到裝配基板332上去的裝配構(gòu)造。
圖128～圖134示出了作為實(shí)施例54～60的半導(dǎo)體裝置310A～310D的裝配構(gòu)造。對于裝配示于圖128的半導(dǎo)體裝置310A的實(shí)施例54的裝配構(gòu)造，裝配示于圖130的半導(dǎo)體裝置310B的實(shí)施例56的裝配構(gòu)造，和裝配示于圖134的半導(dǎo)體裝置310D的實(shí)施例60的裝配構(gòu)造已經(jīng)說明過了。所以在這里略去其說明。
圖129示出了實(shí)施例55的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造。
本實(shí)施例的裝配構(gòu)造是以實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置310A為例的裝配構(gòu)造，其特征是把裝配用突出電極334配設(shè)到要形成外部端子的突出端子318上，再通過該裝配用突出電極334使半導(dǎo)體裝置310A接合到裝配基板332上。
這樣一來，做成為采用通過裝配用突出電極334把半導(dǎo)體裝置310A接合到裝配基板332上的構(gòu)造的辦法，就可以與BGA(Ball GridArray)同樣地裝配半導(dǎo)體裝置310A，就可以提高裝配性和應(yīng)付多管腳化。
此外，由于突出端子318形成于電極板314A上，所以加大其體積是有限制的，但是裝配用突出電極334的體積可以任意地設(shè)定。因此，采用在相鄰的裝配用突出電極334間不發(fā)生短路的范圍內(nèi)使裝配用突出電極334的體積變?yōu)樽畲蟮霓k法，就可以增大半導(dǎo)體裝置310A與裝配基板332之間的接合力，因而可以提高裝配的可靠性。本合例的裝配構(gòu)造對于其他的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310A，310B，310D也可以應(yīng)用。
圖131示出了實(shí)施例57的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造。
本實(shí)施例的裝配構(gòu)造是以實(shí)施例55的半導(dǎo)體裝置310B為例的裝配構(gòu)造，其特征是用裝配構(gòu)件338把半導(dǎo)體裝置310B接合到裝配基板332上。
裝配構(gòu)件338由連接插針340和定位構(gòu)件342構(gòu)成。連接管腳340由例如可撓導(dǎo)電性金屬材料(例如，有導(dǎo)電性的彈簧材料)構(gòu)成，被配設(shè)在與電極板314A的作為外部連接端子起作用的位置對應(yīng)的位置上。此外，定位構(gòu)件342由硅膠等的具有柔性和絕緣性的材料形成，起著使連接插針340定位于上述的規(guī)定位置上的作用。
已做成為上述構(gòu)成的裝配構(gòu)件338，在已經(jīng)裝配后的狀態(tài)下，連接插針340的上端部分接合(例如焊錫接合)到半導(dǎo)體裝置310B的電極板314A上，而連接插針340的下端部分則接合到裝配基半332上。
因此，在本實(shí)施例的裝配構(gòu)造中，將變成為外部連接端子與裝配基板之間存在有連接插針的構(gòu)成。連接插針340由于如上所述是柔性構(gòu)成，所以即便是例如在加熱時(shí)等在半導(dǎo)體裝置310B與裝配基板332之間發(fā)生了起因于熱膨脹差的應(yīng)力，該應(yīng)力也可以借助于使連接插針340可撓而被吸收。此外，在非可撓的插針的情況下，則可以用定位構(gòu)件342吸收應(yīng)力。
因此，即便是加上了上述應(yīng)力也可以確實(shí)地維持半導(dǎo)體裝置310B與裝配基板322之間的接合狀態(tài)，可以提高裝配的可靠性。這時(shí)，由于已做成為使保持連接插針340的定位構(gòu)件342也具有柔性，所以，無須進(jìn)行阻止連接插針340的柔性，就可以確實(shí)地進(jìn)行應(yīng)力的吸收。
還有，由于連接插針340已由定位構(gòu)件342定好了位，所以裝配時(shí)，無須進(jìn)行各個(gè)連接插針340與半導(dǎo)體裝置310B(電極板314A)，或各個(gè)連接插針340與裝配基板332之間的定位處理，可以使裝配作業(yè)容易化。此外，本實(shí)施例的構(gòu)造對于其他實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310A，310B，310D也可以應(yīng)用。
圖132示出了實(shí)施例58的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造。
本實(shí)施例的裝配構(gòu)造，舉出的是以實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置310C為例的構(gòu)造，其特征是用插座344把半導(dǎo)體裝置310C裝配到裝配基板332上。插座344的構(gòu)成是具有設(shè)置為使將要裝設(shè)半導(dǎo)體裝置310C的裝設(shè)部分346和已在密封樹脂316C的側(cè)面露出來的側(cè)部端子320連接起來的引線部分348。接著，把半導(dǎo)體裝置310C裝設(shè)到裝設(shè)部分346上，在對引線部分348的上部和半導(dǎo)體裝置310C的側(cè)部端子320進(jìn)行電連之后，把引線部分348的下部接合(例如焊錫接合)到裝配基板332上。于是，通過插座344把半導(dǎo)體裝置310C裝配到裝配基板332上。
這樣一來，采用做成為用插座344把半導(dǎo)體裝置310C裝配到裝配基板332上的構(gòu)成的辦法，由于半導(dǎo)體裝置310C對裝配基板332的裝卸，只需使半導(dǎo)體裝置310C對插座344進(jìn)行裝卸即可，所以可以用以進(jìn)行半導(dǎo)體裝置310C的裝卸。為此，即便是在例如維修等需要交換半導(dǎo)體裝置310C之類的情況下，也可以容易地進(jìn)行交換處理。
此外，已設(shè)于插座344上的引線部分348的構(gòu)成是已被配設(shè)到裝設(shè)部分346的側(cè)部，而半導(dǎo)體裝置310C的側(cè)部端子320則已露出到密封樹脂316C的側(cè)面上。因此，在已把半導(dǎo)體裝置310C裝設(shè)到裝設(shè)部分346上的狀態(tài)下，由于引線部分348與側(cè)部端子320相向，所以無須使引線348繞行就可以進(jìn)行引線部分348和半導(dǎo)體裝置310C之間的連接，因而可以簡化插座344的構(gòu)造。
圖133示出了實(shí)施例59的半導(dǎo)體裝置的裝配構(gòu)造。
本實(shí)施例的裝配構(gòu)造與上述實(shí)施例58的裝配構(gòu)造相同，也是用引線部分350把半導(dǎo)體裝置310C裝配到裝配基板332上。但是，特征是用芯片載置臺(tái)(Die Stage)352代替了裝設(shè)部分346。
本實(shí)施例的插座351由用引線框架材料一體性地形成的引線部分350和芯片載置臺(tái)352構(gòu)成。芯片載置臺(tái)352是裝設(shè)半導(dǎo)體裝置310C的部分，在其外周上形成有多個(gè)引線部分350。該引線部分350的構(gòu)成為其與半導(dǎo)體裝置310C相向的部分的一部分被彎向直角上方，與側(cè)部端子320電連。
即便是采用應(yīng)用已做成上述構(gòu)造的插座351，也可以與實(shí)施例58的裝配構(gòu)造一樣容易地進(jìn)行半導(dǎo)體裝置310C的裝卸。此外，由于構(gòu)成插座351的引線部分350和芯片載置臺(tái)352是一體性的構(gòu)成，所以在可以減少元器件個(gè)數(shù)的同時(shí)，還使得可以容易地制造插座。
接著，說明作為實(shí)施例58的半導(dǎo)體裝置310E。
圖135是作為實(shí)施例58的半導(dǎo)體裝置310E的剖面圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310E，對于上述實(shí)施例54的半導(dǎo)體裝置310A，其特征是在其上表面上設(shè)置有散熱板(散熱構(gòu)件)356。
散熱板356已選定了例如鋁等的導(dǎo)熱率良好且重量輕的材質(zhì)。該散熱板356已用導(dǎo)熱率高的粘接劑粘接到半導(dǎo)體器件312和密封樹脂316A上。這樣一來，采用把散熱板356配設(shè)到密封樹脂316A的靠近半導(dǎo)體器件312的位置上的辦法，就可以以良好的效率散掉在半導(dǎo)體器件312中所發(fā)生的熱。特別是在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件312的背面328已做成為從密封樹脂316A中露出來的構(gòu)成，散熱板356的構(gòu)成為直接粘接到該已露了出來的背面328上。因此，在散熱板356與半導(dǎo)體器件312之間不存在導(dǎo)熱性不好的密封樹脂316A，所以可以做成為散熱特性更好的構(gòu)成。
接著，對已做成為上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置310E的制造方法(實(shí)施例56的制造方法)進(jìn)行說明。
圖136～圖141是半導(dǎo)體裝置310E的制造方法的說明圖。此外，在圖136～圖141中，對于與在實(shí)施例54的制造方法中所用的圖119～圖122中所示的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。
本實(shí)施例的制造方法對于實(shí)施例54的制造方法，其特征是至少在實(shí)施芯片搭載工序之前，實(shí)施把半導(dǎo)體器件312定位并安裝到散熱板356上的安裝工序。
此外，電極板形成工序，芯片搭載工序，突出端子形成工序，密封樹脂形成工序和切斷工序基本上進(jìn)行與實(shí)施例54同樣的處理。
圖136是采用實(shí)施電極板形成工序形成的引線框架324A的局部擴(kuò)大圖，圖中用虛線圍成的區(qū)域是與一個(gè)半導(dǎo)體裝置310E對應(yīng)的區(qū)域(以下，把該區(qū)域叫做接合區(qū)域358)。
圖137是芯片安裝工序的說明圖。在芯片安裝工序中，先形成與上述接合區(qū)域358具有相同的面積的散熱板356，再在該散熱板356上邊把半導(dǎo)體器件312(312A～312C)定位并接合到與向電極板314A上配設(shè)的配設(shè)位置對應(yīng)的位置上。于是，各半導(dǎo)體器件312(312A～312C)就被固定到向電極板314A上配設(shè)的配設(shè)位置上，而且，可以把3個(gè)半導(dǎo)體器件312A～312C一起地進(jìn)行處理。在圖137的例子中，各個(gè)散熱板356分離成與接合區(qū)域358對應(yīng)的大小，被做成為分開的構(gòu)成，但是也可以如圖138所示，用聯(lián)結(jié)部分360把個(gè)散熱板360聯(lián)結(jié)為與引線框架324A的各接合區(qū)域358的形成位置對應(yīng)起來。
在上述的芯片安裝工序結(jié)束后，接著實(shí)施芯片搭載工序和突出端子形成工序。圖139和圖140示出了芯片搭載工序和突出端子形成工序結(jié)束后的狀態(tài)的引線框架324A。圖139擴(kuò)大示出了已把散熱板356安裝到引線框架324A上的局部，而圖140則示出了其全體。
在芯片搭載工序中，采用把已安裝上半導(dǎo)體器件312(312A～312C)的散熱板356配設(shè)到引線框架324A上的辦法，把半導(dǎo)體器件312(312A～312C)搭載到電極板314A上進(jìn)行電連處理。如上所述，在本實(shí)施例中，在實(shí)施芯片搭載工序之前，已實(shí)施了把半導(dǎo)體器件312(312A～312C)定位安裝到散熱板356上的芯片安裝工序。因此在芯片搭載工序中，采用把散熱板356定位安裝到引線框架324A的接合部分358上的辦法，就可以一起地把多個(gè)半導(dǎo)體器件312(312A～312C)搭載到電極板314A上。
這樣一來，由于在芯片搭載工序中已不再需要進(jìn)行每一個(gè)半導(dǎo)體器件312(312A～312C)的定位，只要對形狀大的散熱板356和電極板314A(引線框架324A)定位即可，所以可以使定位處理容易化。
此外，采用使用用圖138所示的聯(lián)結(jié)部分360把多個(gè)散熱板356與接合區(qū)域?qū)?yīng)起來設(shè)置的構(gòu)造的辦法，可以把更多的半導(dǎo)體器件312一起地定位搭載到電極板314A(引線框架324A)上，使處理更為容易化，提高半導(dǎo)體裝置310E的制造效率。當(dāng)上述的芯片搭載工序結(jié)束后，接著實(shí)施密封樹脂形成工序。在該密封樹脂形成工序中，把已配設(shè)上半導(dǎo)體器件312(312A～312C)和突出端子318的引線框架324A裝設(shè)到模具中去，用壓縮成型法形成密封樹脂316A。這時(shí)，在本實(shí)施例中，由于已變成為在各個(gè)電極板314A上已配設(shè)上散熱板356的狀態(tài)，所以可以把該散熱板356用作下模的一部分。
圖141示出了已形成了密封樹脂316A的引線框架324A。如同圖所示，由于密封樹脂316A形成于從散熱板356往內(nèi)的內(nèi)側(cè)，所以可以提高脫模時(shí)的脫模性。然后，在上述密封樹脂形成工序結(jié)束后，接著實(shí)施切斷工序，采用在圖141中用A-A虛線表示的位置處進(jìn)行切斷處理的辦法，形成圖135所示的半導(dǎo)體裝置310E。
接下來，說明作為實(shí)施例59的半導(dǎo)體裝置310F。
圖142是作為實(shí)施例59的半導(dǎo)體裝置310F的剖面圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310F，對于上述的實(shí)施例58的半導(dǎo)體裝置310E，其特征是在散熱板356的上部還配設(shè)了散熱電風(fēng)扇362。
散熱電風(fēng)扇362采用在設(shè)置多個(gè)電風(fēng)扇部分361的辦法，使其散熱面積變大。此外，散熱電風(fēng)扇362已用導(dǎo)熱性良好的粘接劑粘接到散熱板356的上部上。這樣一來，采用把散熱電風(fēng)扇362配設(shè)到風(fēng)扇形狀的散熱板356上的辦法，就可以進(jìn)一步提高散熱效率，可以更有效的冷卻半導(dǎo)體器件312。
接著，說明實(shí)施例60～63的半導(dǎo)體裝置310G～310J。該各個(gè)半導(dǎo)體裝置310G～310J的特征是都構(gòu)成為采用配設(shè)散熱板356的辦法，使得從半導(dǎo)體器件312發(fā)生的熱以良好的效率散掉。
圖143示出了作為實(shí)施例60半導(dǎo)體裝置310G。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310G的構(gòu)成是在上述實(shí)施例55的半導(dǎo)體裝置310B(參看圖123)上配設(shè)了散熱板356。圖144示出了作為實(shí)施例61的半導(dǎo)體裝置310H。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310H的構(gòu)成為具有在上述實(shí)施例57的裝配構(gòu)造中所用的裝配構(gòu)件338(按看圖131)，而且，在半導(dǎo)體器件312的上部，已配設(shè)上散熱板356。
此外，圖145示出了作為實(shí)施例62的半導(dǎo)體裝置310I。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310I的構(gòu)成為在上述的實(shí)施例56的半導(dǎo)體裝置310C(參看圖124)上配設(shè)了散熱板356。此外，圖146示出了作為實(shí)施例63的半導(dǎo)體裝置310J。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310J的構(gòu)成為在上述的實(shí)施例57的半導(dǎo)體裝置310D(參看圖125)上配設(shè)了散熱板356。這樣一來，采用分別在各半導(dǎo)體裝置310G～310J上配設(shè)散熱板356的辦法，就可以提高散熱效率。
圖147是實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置310K的說明圖，圖147(A)是半導(dǎo)體裝置310K的剖面圖，圖147(B)是半導(dǎo)體裝置310K的底面圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310K，粗分起來，由半導(dǎo)體裝置本體370，插入器372，各向異性導(dǎo)電膜374和外部連接端子376等構(gòu)成。
半導(dǎo)體裝置本體370由半導(dǎo)體器件378，突出電極380和樹脂層382等構(gòu)成。半導(dǎo)體器件378(半導(dǎo)體芯片)是已在半導(dǎo)體襯底上形成了電子電路的器件，在其裝配一側(cè)的面上已配設(shè)了多個(gè)突出電極380。突出電極380被做成為用例如復(fù)制法配設(shè)焊錫球的的構(gòu)成，起著外部連接電極的作用。
樹脂層382(用帶點(diǎn)的區(qū)域表示)由例如聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂(PPS、PEK、PES和耐熱液晶樹脂等的熱可塑性樹脂)等的熱硬化性樹脂構(gòu)成，已形成于半導(dǎo)體器件378的突出電極形成側(cè)面的整個(gè)面上。因此，已配設(shè)于半導(dǎo)體器件378上的突出電極380的構(gòu)成為雖然已變成被該密封樹脂382密封的狀態(tài)，但突出電極380的頂端部分卻從密封樹脂層382這露出來。即，樹脂層382已形成于半導(dǎo)體器件378上，使得剩下頂端部分對突出電極380進(jìn)行密封。
已做成上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置本體370，其全體的大小將變成為大體上與半導(dǎo)體器件378的大小相等的所謂芯片尺寸的封裝構(gòu)造。此外，如上所述，半導(dǎo)體裝置本體370的構(gòu)成是在半導(dǎo)體器件378上邊已形成了樹脂層382，且該樹脂層382剩下頂端部分對突出電極380進(jìn)行密封。因此結(jié)果就變成為用樹脂層382保持脆弱的突出電極380，因而，該樹脂層382變成為起著與填充區(qū)306相同的作用。
此外，插入器372A起著使半導(dǎo)體裝置本體370與外部連接端子376進(jìn)行連接的中間構(gòu)件的作用，由布線圖形384A和基底構(gòu)件386A構(gòu)成。在本實(shí)施例中，特征是作為插入器372利用了TAB(Tape AutomatedBonding，帶載自動(dòng)鍵合)帶。這樣一來，采用把TAB帶用作插入器372的辦法，由于一般說，TAB帶可以作為半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成元件廉價(jià)地供給，所以可以降低半導(dǎo)體裝置310K的造價(jià)。構(gòu)成插入器372A的布線圖形384A已被做成為對銅進(jìn)行印刷布線的構(gòu)成?；讟?gòu)件386例如由聚酰亞胺系的絕緣性樹脂構(gòu)成，在與已形成于半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上已貫通形成了孔388。
此外，各向異性導(dǎo)電膜374是已向具有粘接性的柔性樹脂內(nèi)混入了導(dǎo)電性填充劑的膜。因此各向異性導(dǎo)電膜374同時(shí)具有粘接性和對推壓方向的導(dǎo)電性。該各向異性導(dǎo)電膜374，如圖所示，存在于半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A之間。
于是，半導(dǎo)體裝置本體370和插入器372A借助于各向異性導(dǎo)電膜374所具有的粘接性進(jìn)行粘接。此外，在進(jìn)行該粘接時(shí)，由于半導(dǎo)體裝置本體370被向著插入器372A推壓，所以半導(dǎo)體裝置本體370和插入器372A，借助于各向異性導(dǎo)電膜374進(jìn)行電連。
此外，外部連接端子376由焊錫球構(gòu)成，并通過已形成于基底構(gòu)件336A上的孔388與布線圖形384相連。該外部連接端子376被配設(shè)于與半導(dǎo)體裝置本體370的搭載面相反的一側(cè)的面上，使得不妨礙半導(dǎo)體裝置本體370的搭載。
還有，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310K的構(gòu)成為使已形成于半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的配設(shè)步距和已配設(shè)到插入器372A上的外部連接端子376的配設(shè)步距變成同一步距。與此同時(shí)，還做成為使各向異性導(dǎo)電膜374和插入器372A的頂視時(shí)的面積與半導(dǎo)體裝置本體370的頂視時(shí)的面積大體上相等。
如上所述，采用已形成在半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的配設(shè)步距和已配設(shè)到插入器372A上的外部連接端子376的配設(shè)步距變成同一步距的辦法，就可以減小各向異性導(dǎo)電膜374和插入器372A的形狀，就可以使半導(dǎo)體裝置310K小型化。然而，由于上述的插入器372A的構(gòu)成為形成于基底構(gòu)件386A上，所以可以在該基底構(gòu)件386A上邊形成任意的圖形。即，在基底構(gòu)件386A上可以進(jìn)行布線圖形384A的走線。
采用象這樣地在基底構(gòu)件386A上邊進(jìn)行布線圖形384的走線的辦法，就可以與已設(shè)置于半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的形成位置無關(guān)地設(shè)定外部連接端子376的的配設(shè)位置。因此，在設(shè)定外部連接端子376的端子布局時(shí)，由于可以提高其自由度，所以可以使半導(dǎo)體裝置本體370的設(shè)計(jì)和將要裝配半導(dǎo)體裝置310K的裝配基板的布線設(shè)計(jì)容易化。
此外，如上所述，由于各向異性導(dǎo)電膜374具有粘接性和對于推壓方向有導(dǎo)電性，所以可以用該各向異性導(dǎo)電膜374使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A進(jìn)行接合。這時(shí)，用各向異性導(dǎo)電膜374所具有的粘接性使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A機(jī)械性地接合，用所具有的各向異性導(dǎo)電性使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A進(jìn)行電接合(連接)。
這樣一來，由于各向異性導(dǎo)電膜374具有粘接性和導(dǎo)電性這雙方的特性所以與用不同的構(gòu)件進(jìn)行各個(gè)功能的構(gòu)成比，可以減少元器件個(gè)數(shù)和減少組裝工時(shí)數(shù)。
還有，由于各向異性導(dǎo)電膜374具有柔性，而且，存在于在半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A之間，所以可以使該各向異性導(dǎo)電膜374起緩沖膜的作用。因此，半導(dǎo)體裝置本體370與插入器72A之間所發(fā)生的應(yīng)力(例如熱應(yīng)力等)可以用各向異性導(dǎo)電膜374進(jìn)行緩和，可以提高半導(dǎo)體裝置310K的可靠性。
接著，說明半導(dǎo)體裝置310K的制造方法。
圖148示出了半導(dǎo)體裝置310K的制造方法(實(shí)施例57的制造方法)。如圖所示，要想制造半導(dǎo)體裝置310K，要先形成半導(dǎo)體裝置本體370，各向異性導(dǎo)電膜374，和插入器72A。接著，如圖所示，在進(jìn)行了半導(dǎo)體裝置本體370與插入器72A的定位之后，把向異性導(dǎo)電膜374夾裝在半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A之間，向著插入器372A推壓半導(dǎo)體裝置本體370。
于是，如上所述，各向異性導(dǎo)電膜374所具有的粘接性使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器72A機(jī)械性地接合，用所具有的各向異性導(dǎo)電性使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A進(jìn)行電接合。因此，倘采用本實(shí)施例的制造方法，由于可以一起地進(jìn)行半導(dǎo)體裝置本體370與插入器72A之間的機(jī)械性接合處理和電氣接合處理，所以可以簡化半導(dǎo)體裝置310K的制造工序。
如上所述，當(dāng)半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A之間的接合處理結(jié)束后，接著用復(fù)制法把由焊錫球構(gòu)成的外部連接端子376接合到插入器372A上。這時(shí)，由于外部連接端子376的復(fù)制在加熱氣氛中進(jìn)行，所以外部連接端子376熔融后進(jìn)入孔388內(nèi)，再與插入器372A的布線圖形384A電連。
這時(shí)，如上所述，由于外部連接端子376要進(jìn)入已形成在插入器372A上的孔388內(nèi)，所以外部連接端子376與插入器372A之間的接合力變強(qiáng)。因此，可以防止外部連接端子376從插入器372A上脫開，可以提高半導(dǎo)體裝置310K的可靠性。
接著說明作為實(shí)施例65的半導(dǎo)體裝置310L。
圖149擴(kuò)大示出了實(shí)施例65的半導(dǎo)體裝置310L的關(guān)鍵部位。在圖149中，對于與已用圖147說明過的實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置310K的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310L的特征是把具有規(guī)定的厚度的絕緣構(gòu)件394配設(shè)到插入器372A上邊。該絕緣構(gòu)件394是例如聚酰亞胺系的絕緣樹脂，在與已設(shè)置到上的突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上已形成有連接孔396。
倘采用已做成上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置310L，當(dāng)把半導(dǎo)體裝置本體370裝設(shè)到插入器372A中之際，向著插入器372A推壓半導(dǎo)體裝置本體370時(shí)，借助于該推壓力，各向異性導(dǎo)電膜374變形而有了彈力。這時(shí)，特別是在連接孔396的形成位置處，各向異性導(dǎo)電膜374企圖進(jìn)入狹窄的連接孔396內(nèi)，因此，連接孔396內(nèi)的內(nèi)壓將變高。
這樣一來，由于連接孔396內(nèi)的各向異性導(dǎo)電膜374的壓力集中性地變高，所以已混入到各向異性導(dǎo)電膜374中的導(dǎo)電性填充劑的密度也將變高。因此，各向異性導(dǎo)電膜374的連接孔396內(nèi)的導(dǎo)電率改善，因而可以確實(shí)地進(jìn)行半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A之間的電連。
圖150和圖151示出了半導(dǎo)體裝置310L的制造方法(實(shí)施例58的制造方法)。在圖150和圖151中，對于與為說明實(shí)施例57的制造方法所用的圖148所示的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。此外，在以下的制造方法中，對處理多個(gè)半導(dǎo)體裝置310L的方法進(jìn)行說明要制造半導(dǎo)體裝置310L要預(yù)先用另外的工序先制造好已形成了多個(gè)半導(dǎo)體裝置本體370，各向異性導(dǎo)電膜374和插入器272A的TAB帶392。
在形成該TAB帶392之際，在其上表面的(要裝設(shè)大圓片390的面)的與半導(dǎo)體裝置本體370相向的位置上形成絕緣構(gòu)件394。該絕緣構(gòu)件394，可以利用例如光刻膠的形成技術(shù)形成。此外，在形成該絕緣構(gòu)件394之際，在突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上要先形成連接孔396。
接著，如圖150所示，在進(jìn)行了突出電極380和連接孔396的定位后，把各向異性導(dǎo)電膜374裝設(shè)在大圓片390和TAB帶392之間，并向著TAB帶392推壓大圓片390。
借助于此，用各向異性導(dǎo)電膜374所具有的粘接性使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A機(jī)械性地接合，用所具有的各向異性導(dǎo)電性使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A進(jìn)行電接合。這時(shí)，如上所述，由于在連接孔396內(nèi)各向異性導(dǎo)電膜374的導(dǎo)電性改善，所以可以確實(shí)的進(jìn)行突出電極380與布線圖形384之間的電連。
圖151示出了大圓片390與TAB帶392接合后的狀態(tài)。當(dāng)象這樣地使大圓片390與TAB帶392的接合處理結(jié)束后，接著，在圖151中用A-A表示的虛線位置處進(jìn)行切斷處理。于是，形成各個(gè)半導(dǎo)體器件370和插入器372A，形成圖149所示的半導(dǎo)體裝置310L。
因此，倘采用本實(shí)施例的制造方法，由于可以一起地進(jìn)行半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A之間的機(jī)械接合處理和電氣接合處理，所以可以簡化半導(dǎo)體裝置310L的制造工序。此外，由于在本實(shí)施例中可以進(jìn)行所謂的多個(gè)同時(shí)處理，所以可以提高半導(dǎo)體裝置310L的制造效率。
再有，一般說在應(yīng)用了各向異性導(dǎo)電膜374的電連構(gòu)造中，存在著電連的成品率降低的問題，但在本實(shí)施例中，采用在與半導(dǎo)體裝置本體370(絕緣突出電極380)相向的位置上配設(shè)已形成了連接孔396的絕緣構(gòu)件394的辦法，可以確實(shí)地進(jìn)行突出電極380和布線圖形384之間的電連。因此，可以提高半導(dǎo)體裝置310L的可靠性。
接著，說明作為實(shí)施例66的半導(dǎo)體裝置310M。
圖152示出了實(shí)施例66的半導(dǎo)體裝置310M，圖152(A)示出的是半導(dǎo)體裝置310M的剖面，圖152(B)示出的是半導(dǎo)體裝置310M的底面。在圖152中，對于與用圖147說明過的實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置310K的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。
在上述的實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置310K中，為了謀求小型化，其構(gòu)成為使已形成于半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的配設(shè)步距和已配設(shè)到插入器372A上的外部連接端子376的配設(shè)步距變成同一步距。
對此，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310M中，特征是相對于已形成在半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的配設(shè)步距來說，把已配設(shè)到插入器372B上的外部連接端子376的配設(shè)步距設(shè)定得大。與此同時(shí)，插入器372B的面積，相對于半導(dǎo)體裝置本體370來說已變寬。
這樣一來，采用把外部連接端子376的配設(shè)步距設(shè)定得比突出電極380的配設(shè)步距大的辦法，可以進(jìn)一步提高插入器372B上邊的布線圖形384B的走線的自由度。具體地說，如圖152(B)所示，可以使配設(shè)突出電極380的連接孔396的形成位置和外部連接端子376的配設(shè)位置離開，用布線圖形384B連接該連接孔396和外部連接端子376。
因此，可以提高外部連接端子376的端子布局的自由度，可以使端子設(shè)計(jì)容易化。此外，即便是由于半導(dǎo)體裝置本體370的高密度化而使突出電極380的電極間步距窄步距化，由于可以使突出電極380與外部連接端子376的配設(shè)位置不同，所以也可以容易地應(yīng)付上述的窄步距化。
圖153示出了上述半導(dǎo)體裝置310M的制造方法(實(shí)施例59的制造方法)。在該圖中，示出的不是多個(gè)同時(shí)處理的方法，而是一個(gè)一個(gè)地形成半導(dǎo)體裝置310M的方法。
在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310M的制造方法中，預(yù)先用另外的工序形成了半導(dǎo)體裝置本體370，各向異性導(dǎo)電膜374和插入器372B。接著，在進(jìn)行了突出電極380和連接孔396的定位后，把各向異性導(dǎo)電膜374夾裝在半導(dǎo)體裝置本體370和插入器372B之間并向著插入器372B推壓半導(dǎo)體裝置本體370。
借助于此，用各向異性導(dǎo)電膜374所具有的粘接性使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372B機(jī)械性地接合，用所具有的各向異性導(dǎo)電性使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372進(jìn)行電接合。借助于此，形成示于圖152的半導(dǎo)體裝置310M。
因此，即便用本實(shí)施例的制造方法，由于可以一起地進(jìn)行半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372B之間的機(jī)械接合處理和電氣接合處理，所以可以簡化半導(dǎo)體裝置310M的制造工序。
接著，說明作為實(shí)施例67的半導(dǎo)體裝置310N。
圖154的剖面圖示出了作為實(shí)施例67的半導(dǎo)體裝置310N。在圖154中，與已用圖147說明過的實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置310K的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。上述實(shí)施例64的半導(dǎo)體裝置310K的構(gòu)成是在半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A之間的接合中用了各向異性導(dǎo)電行膜374，做成為使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A一起的進(jìn)行電氣性和機(jī)械性接合。
對此，本實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置310N的特征是設(shè)置粘接劑398和導(dǎo)電性膏3100(導(dǎo)電性構(gòu)件)來代替各向異性導(dǎo)電行膜374。
粘接劑398是例如聚酰亞胺系的絕緣樹脂，選定了即便是在硬化后也具有規(guī)定的柔性的材質(zhì)。該粘接劑398存在于半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A之間，起著使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A粘接固定的作用。此外，在粘接劑398的與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上已形成了通孔3120。
另一方面，導(dǎo)電性高3100具有規(guī)定的粘接性，因此構(gòu)成為也將進(jìn)入上述的通孔3120之內(nèi)。
該導(dǎo)電性膏3100采用存在于通孔3100內(nèi)的辦法，起著使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A進(jìn)行電連的作用。具體地說，用導(dǎo)電性膏3100使突出電極380與布線圖形384A電連，借助于此，使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A電連。
如上所述，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310N中，粘接劑398使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A進(jìn)行機(jī)械性接合，而導(dǎo)電性膏3100則使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A進(jìn)行電氣性接合(連接)。這樣一來，采用不同的構(gòu)件(粘接劑398，導(dǎo)電性膏3100)進(jìn)行在使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A接合時(shí)進(jìn)行的機(jī)械性接合和電氣性接合的辦法，就可以選定對各個(gè)功能(機(jī)械性接合，電氣性接合)最佳的構(gòu)件。因此，就可以同時(shí)確實(shí)地進(jìn)行半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A之間的機(jī)械性接合和電氣性接合，可以提高半導(dǎo)體裝置310N的可靠性。
還有，由于粘接劑398即便是在硬化后也具有規(guī)定的柔性，而且，存在于半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A之間，所以該粘接劑398還起著緩沖膜的作用。因此，借助于粘接劑398可以緩和在半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A之間所發(fā)生的應(yīng)力。此外，由于本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310N的構(gòu)成為把突出電極380的配設(shè)步距和外部連接端子376的配設(shè)步距設(shè)定為相等，所以可以使半導(dǎo)體裝置310N小型化。
圖155～圖157示出了半導(dǎo)體裝置310N的制造方法(實(shí)施例60的制造方法)。在圖155～圖157中對于與說明實(shí)施例58的制造方法所用的圖150和圖151中所示的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。此外，在以下的說明中，對同時(shí)處理多個(gè)半導(dǎo)體裝置310N的方法進(jìn)行說明。
為要制造該半導(dǎo)體裝置310N，要預(yù)先在另外的工序中形成已形成有多個(gè)半導(dǎo)體裝置本體370的大圓片390，粘接劑398和已形成了多個(gè)插入器372B的TAB帶392。
在形成該半導(dǎo)體裝置本體370之際，在已形成了多個(gè)的突出電極380上，已分別涂上了導(dǎo)電性膏3100。此外，在粘接劑398的與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上，已預(yù)先穿設(shè)上了通孔3120。此外，在形成TAB帶392時(shí)，在其上表面(裝設(shè)大圓片390的面)的與半導(dǎo)體裝置本體370相的位置上形成絕緣構(gòu)件。
該絕緣構(gòu)件394可以例如利用光刻膠的形成技術(shù)來形成。此外，在形成該絕緣構(gòu)件394之際，要先在與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上形成連接孔396。
接著，在進(jìn)行了突出電極380與連接孔396的定位后，把粘接劑398夾裝在大圓片390與TAB帶392之間，把大圓片390粘接到TAB帶392上，這樣，在用粘接劑398使大圓片390和TAB帶392進(jìn)行機(jī)械性粘接的同時(shí)，使導(dǎo)電性膏3100進(jìn)入通孔3102和連接孔396內(nèi)，使大圓片390與布線圖形384A電連。圖156示出了大圓片390與TAB帶392接合后的狀態(tài)。
這樣一來，當(dāng)大圓片390與TAB帶392的接合處理結(jié)束后，接著在圖156中用A-A表示的位置處進(jìn)行切斷處理。于是，就可以形成半導(dǎo)體裝置本體370和插入器372B，可以形成示于圖154的半導(dǎo)體裝置310N(示于圖154的半導(dǎo)體裝置310N示出了沒有設(shè)置絕緣構(gòu)件394的構(gòu)成)。
在上述的制造方法中，雖然說的是同時(shí)處理多個(gè)半導(dǎo)體裝置310N的方法，但如圖157所示，也可以一個(gè)一個(gè)地制造半導(dǎo)體裝置310N。
接著，說明實(shí)施例168的半導(dǎo)體裝置310P。
圖158的剖面圖示出了實(shí)施例68的半導(dǎo)體裝置310P。在圖158中，對于已用圖154說明過的實(shí)施例67的半導(dǎo)體裝置310N的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。
在上述的實(shí)施例67的半導(dǎo)體裝置310N中，為了謀求小型化，已構(gòu)成為使已形成在半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的配置設(shè)步距與已配設(shè)到插入器372A上的外部連接端子376的配設(shè)步距為同一步距。
對此，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310P，對于已形成在半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的配置設(shè)步距，其特征是把已配設(shè)到插入器372A上的外部連接端子376的配設(shè)步距設(shè)定得大。與此相應(yīng)，插入器372B的面積對于半導(dǎo)體裝置本體370的面積已變寬。
這樣一來，采用對于突出電極380的配置設(shè)步距，使外部連接端子376的配設(shè)步距設(shè)定得大的辦法，就可以進(jìn)一步提高插入器372B上的布線圖形374B的走線的自由度。于是，可以提高外部連接端子376的端子布局的自由度，使端子設(shè)計(jì)容易化的同時(shí)，即便是突出電極380間的步距已狹窄化也可以容易地對之進(jìn)行應(yīng)付。
圖159示出了上述半導(dǎo)體裝置310P的制造方法(實(shí)施例61的制造方法)。在該圖中，舉例示出的不是同時(shí)進(jìn)行多個(gè)處理的方法，而是形成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體裝置310P的方法。
在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310P的制造方法中，也是預(yù)先在另外的工序中先形成了半導(dǎo)體裝置本體370，粘接劑398和插入器372B。在形成半導(dǎo)體裝置本體370時(shí)，在已形成為多個(gè)的突出電極380上已分別先涂上了導(dǎo)電性膏3100。在粘接劑398的與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上，已預(yù)先穿好了通孔3102。此外，在絕緣構(gòu)件394的與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上也已形成了連接孔396。
接著，在進(jìn)行了突出電極380與連接孔396的定位后，把粘接劑398夾裝在大圓片390與插入器372B之間，把大圓片390粘接到插入器372B上，這樣，在用粘接劑398使大圓片390和插入器372B進(jìn)行機(jī)械性粘接的同時(shí)，使導(dǎo)電性膏3100進(jìn)入通孔3102和連接孔396內(nèi)，使大圓片390與布線圖形384A電連。采用實(shí)施以上的處理的辦法，形成示于圖158的半導(dǎo)體裝置310P。
接著，說明作為實(shí)施例69的半導(dǎo)體裝置310Q。
圖160的剖面圖示出了實(shí)施例69的半導(dǎo)體裝置310Q。在圖160中，對于已用圖154說明過的實(shí)施例67的半導(dǎo)體裝置310N的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。
上述的實(shí)施例67的半導(dǎo)體裝置310N，作為導(dǎo)電性構(gòu)件用的是導(dǎo)電性膏3100，并做成為用該導(dǎo)電性膏3100使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A電氣接合(連接)的構(gòu)成，對此，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310Q的特征是設(shè)置立柱突出電極3104(導(dǎo)電性構(gòu)件)來代替導(dǎo)電性膏3100。
立柱突出電極3104被配設(shè)到已形成在插入器372A上的布線圖形384A上的規(guī)定位置(與突出電極380對應(yīng)的位置)上。此外，該立柱突出電極3104用金屬絲鍵合技術(shù)形成。具體說來，用金屬絲鍵合裝置，首先在從空腔中延伸出來的金絲的頂端部分上形成金球，接著，把該金球推壓到布線圖形384A的上述規(guī)定位置上。
接著，使毛細(xì)管進(jìn)行超聲波振動(dòng)把金球超聲熔接到布線圖形384A上。然后，在夾緊金絲后使毛細(xì)管往上動(dòng)切斷金絲。借助于進(jìn)行上述處理，在布線圖形384A上形成立柱突出電極3104。該立柱突出電極3104通過通孔3102連接到突出電極380上，因此，起著電連半導(dǎo)體裝置本體370和插入器372A的作用。
如上所述，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310Q中，粘接劑398機(jī)械性接合半導(dǎo)體裝置本體370和插入器372A，立柱突出電極3104電氣接合(連接)半導(dǎo)體裝置本體370和插入器372A。采用象這樣地用不同的構(gòu)件(粘接劑398，立柱突出電極3104)進(jìn)行機(jī)械性接合和電氣性結(jié)合的辦法，可以確實(shí)的進(jìn)行半導(dǎo)體裝置本體370和插入器372A之間的機(jī)械性接合和電氣性結(jié)合，可以提高半導(dǎo)體裝置310Q的可靠性。
此外，由于在連接狀態(tài)下，立柱突出電極3104在被突出電極380吃進(jìn)去的狀態(tài)下進(jìn)行連接，所以可以確實(shí)地進(jìn)行立柱突出電極3104與突出電極380之間的電連。還有，由于本實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置310Q的構(gòu)成為是突出電極380的配設(shè)步距與外部連接端子376的配設(shè)步距設(shè)定為相等，所以可以使半導(dǎo)體裝置310Q小型化。
圖161～圖163示出了半導(dǎo)體裝置310Q的制造方法(實(shí)施例62的制造方法)。在圖161～圖163中對與已為了說明實(shí)施例60的制造方法所用的圖155～圖157中所示的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。在以下的制造方法中，對同時(shí)處理多個(gè)半導(dǎo)體裝置310Q的方法進(jìn)行說明。
要想制造半導(dǎo)體裝置310Q，就要先用另外的工序形成已形成了多個(gè)半導(dǎo)體裝置本體370的大圓片390，粘接劑398和已形成了多個(gè)插入器372B的TAB帶392。
在形成該TAB帶392時(shí)，在其上表面(裝設(shè)大圓片390的面)的與半導(dǎo)體裝置本體370相向的位置上形成絕緣構(gòu)件394。在形成絕緣構(gòu)件394時(shí)，在與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上形成連接孔396，再在連接孔396的內(nèi)部的布線圖形384A上邊形成立柱突出電極3104。
接著，在進(jìn)行了突出電極380與連接孔396的定位后，把粘接劑398夾裝在大圓片390與插入器372B之間，邊把大圓片390向TAB帶392上推壓，邊進(jìn)行固定。于是，在用粘接劑398機(jī)械性接合大圓片390和TAB帶392的同時(shí)，立柱突出電極3104通過通孔3102和連接孔396變成為被突出電極380吃進(jìn)去的狀態(tài)，因此突出電極380和布線圖形384A就用立柱突出電極3104進(jìn)行電氣接合。圖162示出了大圓片390和TAB帶392接合后的狀態(tài)。
這樣一來，當(dāng)大圓片390和TAB帶392的接合處理結(jié)束后，接著，在圖162中用A-A表示的虛線位置處進(jìn)行切斷處理。借助于此，形成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體裝置本體370和插入器376B，形成半導(dǎo)體裝置310Q(示于圖160的半導(dǎo)體裝置310N示出了沒有設(shè)置絕緣構(gòu)件394的構(gòu)成)。
在上述的制造方法中，雖然說明的是同時(shí)處理多個(gè)半導(dǎo)體裝置310Q的方法，但如圖163所示，也可以制造一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體裝置310Q。
接著，說明作為實(shí)施例70的半導(dǎo)體裝置310R。
圖164的剖面圖示出了實(shí)施例70的半導(dǎo)體裝置310R。在圖164中，對于已用圖160說明過的實(shí)施例69的半導(dǎo)體裝置310Q的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。
在上述的實(shí)施例69的半導(dǎo)體裝置310Q中，為了謀求小型化，已構(gòu)成為使已形成在半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的配置設(shè)步距與已配設(shè)到插入器372A上的外部連接端子376的配設(shè)步距為同一步距。
對此，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310R，對于已形成在半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的配置設(shè)步距，其特征是把已配設(shè)到插入器372B上的外部連接端子376的配設(shè)步距設(shè)定得大。與此相應(yīng)，插入器372B的面積對于半導(dǎo)體裝置本體370的面積已變寬。
這樣一來，采用對于突出電極380的配置設(shè)步距使外部連接端子376的配設(shè)步距設(shè)定得大的辦法，就可以件一步提高插入器372B上的布線圖形374B的走線的自由度。于是，可以提高外部連接端子376的端子布局的自由度，使端子設(shè)計(jì)容易化的同時(shí)，即便是突出電極380間的步距已狹窄化也可以容易地對之進(jìn)行應(yīng)付。
圖165示出了上述半導(dǎo)體裝置310Q的制造方法(實(shí)施例63的制造方法)。在該圖中，舉例示出的不是同時(shí)進(jìn)行多個(gè)處理的方法，而是形成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體裝置310Q的方法。
在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310Q的制造方法中，也是預(yù)先在另外的工序中先形成了半導(dǎo)體裝置本體370，粘接劑398和插入器372B。這時(shí)，在粘接劑398的與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上，已預(yù)先穿好了通孔3102。此外，插入器372B上形成絕緣構(gòu)件394的同時(shí)，在絕緣構(gòu)件394的與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上也已形成了連接孔396。再者，在已露出到連接孔396內(nèi)的布線圖形384A上已用上述金屬絲鍵合技術(shù)先形成了立柱突出電極3104。
接著，在進(jìn)行了突出電極380與連接孔396的定位后，把粘接劑398夾裝在大圓片390與插入器372B之間，邊把大圓片390向TAB帶392上推壓，邊進(jìn)行固定。于是，在用粘接劑398機(jī)械性接合大圓片390和TAB帶392的同時(shí)，立柱突出電極3104通過通孔3102和連接孔396變成為被突出電極380吃進(jìn)去的狀態(tài)，采用進(jìn)行以上的處理的辦法，突出電極380和布線圖形384A就用立柱突出電極3104進(jìn)行電氣接合，于是，形成圖164所示的半導(dǎo)體裝置310R。
接著，說明作為實(shí)施例71的半導(dǎo)體裝置310S。
圖166的剖面圖示出了實(shí)施例71的半導(dǎo)體裝置310S。在圖166中，對于已用圖154說明過的實(shí)施例67的半導(dǎo)體裝置310N的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。
前邊說過的實(shí)施例67～70的半導(dǎo)體裝置310N～310R，作為導(dǎo)電性構(gòu)件，用的是電性膏3100或立柱突出電極3104，并做成為用該電性膏3100或立柱突出電極3104使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A電氣接合(連接)的構(gòu)成。對此，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310S的特征是設(shè)置跨引線3106(導(dǎo)電性構(gòu)件)來取代上述電性膏3100或立柱突出電極3104。
跨引線3106與已形成在插入器372C上的布線圖形384C形成為一個(gè)整體，被構(gòu)成為從插入器372的外周緣部分往斜上向(向著半導(dǎo)體裝置本體370的方向)延伸出去。此外，該跨引線3106的形成位置已被設(shè)定為與突出電極380的形成位置相對應(yīng)。
要想形成跨引線3106，要預(yù)先用干蝕法等除去與已形成了的插入器372C的跨引線3106的形成部分對應(yīng)的基底構(gòu)件386C，借助于此使之變成為單體，把布線圖形337C向著上述的斜上方向彎曲形成。于是，在插入器372C的外周緣部分位置上形成跨引線3106。該跨引線3106繞過粘接劑398的配設(shè)位置連接到突出電極380上，因此，起著使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A電連的作用。此外，突出電極380與跨引線3106之間的連接位置用保護(hù)層(cover)樹脂密封起來。這樣，就可以防止因加上外力等使跨引線變形，可以提高半導(dǎo)體裝置310S的可靠性。
如上所述，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310S中，粘接劑398機(jī)械性接合半導(dǎo)體裝置本體370和插入器372A，立柱突出電極3104電氣接合(連接)半導(dǎo)體裝置本體370和插入器372A。采用象這樣地用不同的構(gòu)件(粘接劑398，立柱突出電極3104)進(jìn)行機(jī)械性接合和電氣性結(jié)合的辦法，可以確實(shí)的進(jìn)行半導(dǎo)體裝置本體370和插入器372A之間的機(jī)械性接合和電氣性結(jié)合，可以提高半導(dǎo)體裝置310S的可靠性。
此外，由于在跨引線3106與突出電極380之間不存在有絕緣性的粘接劑398，所以可以提高跨引線3106與突出電極380之間的電連的可靠性。再有，由于跨引線3106具有彈性，因此在連接時(shí)，跨引線3106具有彈性力地壓接到突出電極380上。因此，即便用這種辦法也可以提高跨引線3106與突出電極380之間的電連的可靠性。
圖167～圖171示出了半導(dǎo)體裝置310S的制造方法(實(shí)施例64的制造方法)。在圖167～圖171中對與已為了說明實(shí)施例60的制造方法所用的圖155～圖157中所示的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。在以下的制造方法中，對同時(shí)處理多個(gè)半導(dǎo)體裝置310S的方法進(jìn)行說明。
要想制造半導(dǎo)體裝置310S，如圖167所示，要預(yù)先在另外的工序中先形成已形成了多個(gè)半導(dǎo)體裝置本體370的大圓片390，粘接劑398和插入器372C。另外，在形成該插入器372C時(shí)，先用上述形成方法形成跨引線3106。
接著，在進(jìn)行了突出電極380與跨引線3106的定位后，把粘接劑398夾裝在大圓片390與插入器372C之間，邊把各個(gè)插入器372C向大圓片390上推壓邊進(jìn)行固定。于是，如圖168所示，大圓片390和插入器372C就被用粘接劑398接合起來。此外，跨引線3106，采用推壓到突出電極380上的辦法，用所產(chǎn)生的彈性力壓接到突出電極380上，因而，突出電極380和跨引線3106可以確實(shí)地進(jìn)行電連。
如上所述，當(dāng)用粘接劑398使大圓片390和插入器372C機(jī)械性接合，且突出電極380和跨引線3106電連后，接著至少在包括突出電極380與跨引線3106之間的連接位置在內(nèi)的大圓片390和插入器372C之間形成保護(hù)層樹脂3108。該保護(hù)層樹脂3108既可以構(gòu)成為用鑄封(potting)法形成，也可以用鑄模成型法形成。
這樣一來，當(dāng)保護(hù)樹脂層3108的形成處理結(jié)束后，接著在圖169中用A-A表示的位置處進(jìn)行切斷處理。于是，可以形成示于圖154的半導(dǎo)體裝置310S。在上述的制造方法中，雖然說的是同時(shí)處理多個(gè)半導(dǎo)體裝置310S的方法，但如圖171和圖173所示，也可以一個(gè)一個(gè)地制造半導(dǎo)體裝置310S。
接著，說明作為實(shí)施例72的半導(dǎo)體裝置310T。
圖172(A)的剖面圖示出了作為實(shí)施例72的半導(dǎo)體裝置310T。在圖172中，對于已用圖154說明過的實(shí)施例67的半導(dǎo)體裝置310N的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。前邊說過的實(shí)施例67～71的半導(dǎo)體裝置310N～310S，作為導(dǎo)電性構(gòu)件，用的是電性膏3100或立柱突出電極3104或跨引線3106，并做成為用該電性膏3100或立柱突出電極3104或或跨引線3106使半導(dǎo)體裝置本體370與插入器372A，372B電氣接合(連接)的構(gòu)成。
對此，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310T的特征是做成為下述構(gòu)成作為導(dǎo)電性構(gòu)件把連接插針3110和定位構(gòu)件3112組裝到插入器327D上，來取代上述導(dǎo)電性膏3100或立柱突出電極3104。
本實(shí)施例的插入器372D，粗分起來，由連接插針3110，定位構(gòu)件3112，粘接劑3114，基底構(gòu)件3116等構(gòu)成。連接插針3110被配設(shè)于與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上，在已組裝完的狀態(tài)下，使其上端部分接合到突出電極380上的同時(shí)，使下端部分接合到突出電極380上。此外，定位構(gòu)件3112具有把該連接插針3110定位于突出電極380的形成位置上的作用，由硅橡膠等的柔性材料形成。
如上所述，保持連接插針3110的定位構(gòu)件3112，被粘接劑3114粘接固定到基底構(gòu)件3116上。這時(shí)，在與基底構(gòu)件3116的突出電極380的形成位置相向的位置上已形成了孔388，連接插針3110通過該2388與外部連接端子376相連。圖172(B)擴(kuò)大示出了連接插針3110和外部連接端子376之間的連接位置。如同圖所示，連接插針3110以已被吃進(jìn)的狀態(tài)連接到外部連接端子376上，因而可以進(jìn)行確實(shí)地電連。
在已做成為上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置310T中，由于在把連接插針3110的上端部分結(jié)合到突出電極380上的同時(shí)，下端部分已接合到外部連接端子376上，所以已變成為連接插針3110存在于突出電極380和外部連接端子376之間的構(gòu)成。
由于該連接插針3110是柔性的構(gòu)成，例如即便是在加熱時(shí)等在半導(dǎo)體裝置本體370與插入器37D2之間以因熱膨脹率差而發(fā)生了應(yīng)力，該應(yīng)力也會(huì)因該連接插針3110具有柔性而被吸收。因此，即便是加上了應(yīng)力，也可以確實(shí)地維持外部連接端子376與突出電極380之間的連接。
此外，連接插針3110已由定位構(gòu)件定位于與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上。因此，在裝配時(shí)，無須再進(jìn)行各個(gè)連接插針3110和突出電極380或外部連接端子376之間的定位處理，可以容易地進(jìn)行裝配作業(yè)。
再有，由于定位構(gòu)件由柔性構(gòu)件形成，如上所述，即便是連接插針3110可撓，定位構(gòu)件3112也可以追隨著它可撓，所以也可以用定位構(gòu)件3112吸收在半導(dǎo)體裝置本體370與插入器37D2之間所發(fā)生的應(yīng)力。
圖173～圖175示出了半導(dǎo)體裝置310T的制造方法(實(shí)施例65的制造方法)。在圖173～圖175中對與已為了說明實(shí)施例60的制造方法所用的圖155～圖157中所示的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。在以下的制造方法中，對同時(shí)處理多個(gè)半導(dǎo)體裝置310T的方法進(jìn)行說明。
要想制造半導(dǎo)體裝置310T，如圖173所示，要預(yù)先在另外的工序中先形成已形成了多個(gè)半導(dǎo)體裝置本體370的大圓片390，保持連接插針3110的定位構(gòu)件3112，粘接劑3114和基底構(gòu)件3116。在粘接劑3114和基底構(gòu)件3116的與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上已先形成了孔388和通孔3102。
接著，在進(jìn)行了突出電極380與定位插振3110的定位后，邊加熱邊把大圓片390向插入器372D(連接插針3110，定位構(gòu)件3112，粘接劑3114，基底構(gòu)件3116)推壓。借助于此，如圖174所示，連接插振3110的上端部分嵌入到突出電極380內(nèi)，且下端部分嵌入到外部連接端子376內(nèi)。因此，突出電極380和外部連接端子376就通過連接插針3110電連。
這樣一來，當(dāng)突出電極380和外部連接端子376之間的連接處理結(jié)束后，接著，在圖174中用A-A表示的虛線位置處進(jìn)行切斷處理。借助于此，形成示于圖172(A)的半導(dǎo)體裝置310T。在上述的制造方法中，雖然說明的是同時(shí)處理多個(gè)半導(dǎo)體裝置310T的方法，但如圖175所示，也可以制造一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體裝置310T。
接著，說明作為實(shí)施例73的半導(dǎo)體裝置310U。
圖176的剖面圖示出了作為實(shí)施例73的半導(dǎo)體裝置310U。在圖176中，對于已用圖172說明過的實(shí)施例72的半導(dǎo)體裝置310T的構(gòu)成對應(yīng)的構(gòu)成，僅賦予同一標(biāo)號(hào)而略去其說明。
在上述的實(shí)施例72的半導(dǎo)體裝置310T中，為了謀求小型化，已構(gòu)成為使已形成在半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的配置設(shè)步距與已配設(shè)到插入器372D上的外部連接端子376的配設(shè)步距為同一步距。
對此，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310U，對于已形成在半導(dǎo)體裝置本體370上的突出電極380的配置設(shè)步距，其特征是把已配設(shè)到插入器372B上的外部連接端子376的配設(shè)步距設(shè)定得大。與此相應(yīng)，插入器372B的面積對于半導(dǎo)體裝置本體370的面積已變寬。
這樣一來，采用對于突出電極380的配置設(shè)步距使外部連接端子376的配設(shè)步距設(shè)定得大的辦法，就可以件一步提高插入器372B上的布線圖形384B的走線的自由度。于是，可以提高外部連接端子376的端子布局的自由度，使端子設(shè)計(jì)容易化的同時(shí)，即便是突出電極380(連接插振3110)的電極間的步距已狹窄化也可以容易地對之進(jìn)行應(yīng)付。
圖177示出了上述半導(dǎo)體裝置310T的制造方法(實(shí)施例66的制造方法)。在該圖中，舉例示出的不是同時(shí)進(jìn)行多個(gè)處理的方法，而是形成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體裝置310T的方法。
在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置310T的制造方法中，要預(yù)先在另外的工序中先形成半導(dǎo)體裝置本體370，保持連接插針3110的定位構(gòu)件3112，粘接劑3114和插入器372B。這時(shí)，在粘接劑3114的與突出電極380的形成位置對應(yīng)的位置上已先形成了通孔3102。
接著，在進(jìn)行了突出電極380與定位插針3110的定位，以及定位插針3110和連接孔396之間的定位后，邊加熱邊把半導(dǎo)體裝置本體370向插入器372B中推壓。這樣一來，連接插振3110的上端部分嵌入到突出電極380內(nèi)，且下端部分嵌入到外部連接端子376內(nèi)。因此，突出電極380和外部連接端子376就通過連接插針3110電連。采用進(jìn)行以上的處理的辦法，就可以形成如圖176所示的半導(dǎo)體裝置310U。
以上，說明了本發(fā)明的實(shí)施例，但是本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施例，還包括其他的實(shí)施例和變形例等。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導(dǎo)體器件；以及形成在半導(dǎo)體器件的表面上、密封住除了突出電極的頂端部分的上述突出電極的樹脂層；上述突出電極具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的導(dǎo)電膜。
2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是安置有上述半導(dǎo)體器件的一側(cè)上的導(dǎo)電膜的頂端部分電連接于上述半導(dǎo)體器件。
3.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述核心部分包括彈性樹脂。
4.權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述彈性樹脂是聚酰亞胺。
5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導(dǎo)體器件；在半導(dǎo)體器件的表面上形成的、密封住除了突出電極的頂端部分的上述突出電極的樹脂層；以及在從上述樹脂層中已露出來的上述突出電極的頂端部分形成的外部連接用突出電極，上述突出電極具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的導(dǎo)電膜。
6.權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是安置有上述半導(dǎo)體器件的一側(cè)上的導(dǎo)電膜的頂端部分電連接于上述半導(dǎo)體器件。
7.權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述核心部分包括彈性樹脂。
8.權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述彈性樹脂是聚酰亞胺。
9.一種半導(dǎo)體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導(dǎo)體器件；以及在半導(dǎo)體器件的表面上形成的剩下上述突出電極的頂端部分來密封上述突出電極的樹脂層，上述半導(dǎo)體器件的外周部分比中央部分薄。
10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征是具備在表面上形成有至少一個(gè)突出電極的半導(dǎo)體器件；以及在半導(dǎo)體器件的上述表面上形成的剩下上述突出電極的頂端部分來密封上述突出電極的樹脂層；上述突出電極由在突出的核心部分的表面上形成的導(dǎo)電膜和上述核心部分的表面所形成。
11.權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是安置有上述半導(dǎo)體器件的一側(cè)的上述導(dǎo)電膜的頂端部分電連接于上述半導(dǎo)體器件。
12.權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述核心部分由彈性樹脂形成。
13.權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述彈性樹脂是聚酰亞胺。
14.一種半導(dǎo)體裝置，其特征是具備在表面上形成有至少一個(gè)突出電極的半導(dǎo)體器件；在半導(dǎo)體器件的上述表面上形成的剩下上述突出電極的頂端部分來密封上述突出電極的樹脂層；以及在從上述樹脂層中已露出來的上述突出電極的頂端部分上形成的外部連接用突出電極，上述突出電極由突出的核心部分和在上述核心部分表面上形成的導(dǎo)電膜所形成。
15.權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是安置有上述半導(dǎo)體器件的一側(cè)的上述導(dǎo)電膜的頂端部分電連接于上述半導(dǎo)體器件。
16.權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述核心部分由彈性樹脂形成。
17.權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述彈性樹脂是聚酰亞胺。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導(dǎo)體器件；以及形成在半導(dǎo)體器件的表面上、密封住除了突出電極的頂端部分的上述突出電極的樹脂層；上述突出電極具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的導(dǎo)電膜。
文檔編號(hào)H01L23/485GK1783470SQ200510118900
公開日2006年6月7日 申請日期1997年7月10日 優(yōu)先權(quán)日1996年7月12日
發(fā)明者深澤則雄, 川原登志實(shí), 森岡宗知, 大澤滿洋, 松木浩久, 小野寺正德, 河西純一, 丸山茂幸, 竹中正司, 新間康弘, 佐久間正夫, 鈴木義美 申請人:富士通株式會(huì)社