專利名稱：有機(jī)薄膜晶體管及使用其的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，更具體地講，涉及一種包括用作像素電極的漏電極的有機(jī)薄膜晶體管，以及使用該有機(jī)薄膜晶體管的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)被公認(rèn)為是下一代顯示裝置，而且已經(jīng)進(jìn)行了大量關(guān)于OTFT的研究。OTFT包括由有機(jī)化合物替代硅形成的半導(dǎo)體層。有機(jī)化合物可以是低分子量有機(jī)材料或聚合物有機(jī)材料。低分子量有機(jī)材料可包括低聚噻吩、并五苯等。聚合物有機(jī)材料可包括聚噻吩等。
圖1是包括傳統(tǒng)OTFT的柔性有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置10的像素的平面圖。
參照圖1，在傳統(tǒng)的柔性有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置10中，像素位于由柵極線110、數(shù)據(jù)線120和電源線130限定的像素區(qū)域15內(nèi)。位于像素區(qū)域15內(nèi)的像素包括開關(guān)OTFT 140、驅(qū)動OTFT 160、電容器150和有機(jī)發(fā)射元件，其中，有機(jī)發(fā)射元件包括用作像素電極的下電極180。像素區(qū)域15包括發(fā)生光發(fā)射的發(fā)射區(qū)域和不發(fā)生光發(fā)射的非發(fā)射區(qū)域。發(fā)射光的有機(jī)場致發(fā)光(EL)裝置位于發(fā)射區(qū)域內(nèi)。開關(guān)OTFT 140、驅(qū)動OTFT 160和電容器150位于非發(fā)射區(qū)域內(nèi)。
開關(guān)OTFT 140包括連接至柵極線110的柵電極141、半導(dǎo)體層170、源電極143和漏電極145。電容器150包括下電極151和上電極155，其中，下電極151連接至開關(guān)OTFT 140的漏電極145，上電極155與下電極151交迭并且連接至電源線130。
驅(qū)動OTFT 160包括連接至電容器150的下電極151的柵電極161、半導(dǎo)體層170、連接至電源線130的源電極163和通過過孔167連接至下電極180的漏電極165。
圖2是沿圖1的II-II線截取的剖視圖。圖2僅示出了有機(jī)發(fā)射元件、用來驅(qū)動有機(jī)發(fā)射元件的驅(qū)動OTFT 160和像素的電容器150，其中，有機(jī)發(fā)射元件包括陽極電極180、有機(jī)層190和陰極電極195。
參照圖2，柵電極161和電容器150的下電極151形成在基板100上。柵極絕緣層101覆蓋柵電極161、電容器150的下電極151和基板100。源電極163、漏電極165和電容器150的上電極155形成在柵極絕緣層101上，半導(dǎo)體層170形成在基板100之上。
用作像素電極的下電極180形成在保護(hù)層103上，并且通過過孔167連接至漏電極165，下電極180將交替地用來表示陽極電極。在像素隔離層105內(nèi)形成的開口185暴露部分下電極180。有機(jī)層190在開口185的內(nèi)部形成在下電極180上。于是，用作陰極電極的上電極195形成在基板100之上。
正如上面所提到的，當(dāng)傳統(tǒng)的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置具有后發(fā)射結(jié)構(gòu)時，其中，在后發(fā)射結(jié)構(gòu)中從有機(jī)層發(fā)射的光朝著基板發(fā)射，用作陽極的下電極是透射電極，用作陰極的上電極是非透射電極。此外，為了允許光從有機(jī)層190透射到基板100，中間層(103、170、101)由透光材料形成。
但是，因為需要許多掩模工藝以形成柵電極、源電極、漏電極、過孔、陽極電極、像素隔離層等，所以這種傳統(tǒng)有機(jī)EL裝置的制造工藝復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個實施例提供了i)一種薄膜晶體管，包括具有像素電極材料的漏電極，使得制造工藝被簡化；ii)有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，包括TFT。
在一個實施例中，TFT包括i)基板；ii)柵電極，形成在基板上；iii)源電極，與柵電極的第一側(cè)部交迭；iv)漏電極，與柵電極的第二側(cè)部交迭；v)柵極絕緣體，形成在源電極和柵電極之間以及漏電極和柵電極之間；vi)半導(dǎo)體層，與源電極和漏電極接觸，具有暴露源電極和漏電極中的一個的一部分的開口，并且形成在基板之上。在該實施例中，源電極和漏電極中的一個由透明電極材料形成，另一個由具有比半導(dǎo)體層的功函數(shù)更高的功函數(shù)的電極材料形成。
在一個實施例中，柵極絕緣體可由有機(jī)絕緣材料形成，半導(dǎo)體層可由有機(jī)半導(dǎo)體材料形成。
在一個實施例中，從源電極和漏電極中選擇的電極可包括由ITO或IZO形成的透明導(dǎo)電層，高功函數(shù)的電極材料是選自包括Au、Pt、Pd、MoW氧化物的組的金屬材料，或是選自PEDOT(聚-3，4-亞乙二氧基噻吩)的有機(jī)導(dǎo)電材料。
本發(fā)明的另一方面提供了一種平板顯示裝置。在一個實施例中，平板顯示裝置包括i)基板，包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域；ii)第一電極，形成在基板上；iii)第二電極，在非發(fā)射區(qū)域內(nèi)與第一電極的第一側(cè)部交迭；iv)第三電極，在非發(fā)射區(qū)域內(nèi)與第一電極的第二側(cè)部交迭；v)絕緣體，形成在第二電極和第一電極之間以及第三電極和第一電極之間；vi)半導(dǎo)體層，形成在基板之上。在該實施例中，第二電極和第三電極中的一個延伸到發(fā)射區(qū)域，半導(dǎo)體層具有開口，所述開口暴露延伸到發(fā)射區(qū)域的部分電極，由半導(dǎo)體層的開口暴露的延伸到發(fā)射區(qū)域的部分電極充當(dāng)像素電極。
本發(fā)明的又一方面提供了一種平板顯示裝置。在一個實施例中，平板顯示裝置包括i)基板；ii)排列在基板上的柵極線、數(shù)據(jù)線和電源線；iii)像素區(qū)域，具有非發(fā)射區(qū)域和發(fā)射區(qū)域，并且由柵極線、數(shù)據(jù)線和電源線限定；iv)有機(jī)薄膜晶體管，包括柵電極、源電極、漏電極和半導(dǎo)體層，并且位于非發(fā)射區(qū)域內(nèi)；v)顯示裝置，包括位于發(fā)射區(qū)域內(nèi)的像素電極。在該實施例中，源電極和漏電極由不同的材料形成，源電極和漏電極中的一個延伸到像素區(qū)域的發(fā)射區(qū)域，延伸到發(fā)射區(qū)域的部分電極充當(dāng)顯示裝置的像素電極。
本發(fā)明的又一方面提供了一種有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置。在一個實施例中，顯示裝置包括i)基板，包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域；ii)有機(jī)薄膜晶體管，包括柵電極、源電極、漏電極和半導(dǎo)體層，并且位于非發(fā)射區(qū)域內(nèi)，源電極和漏電極分別與柵電極的兩個側(cè)部交迭；iii)有機(jī)光發(fā)射元件，包括下電極、有機(jī)層和上電極。在該實施例中，有機(jī)薄膜晶體管的源電極和漏電極中的一個延伸到發(fā)射區(qū)域，半導(dǎo)體層具有暴露延伸的電極的一部分的開口，延伸的電極的暴露的部分充當(dāng)有機(jī)光發(fā)射元件的下電極。
本發(fā)明還提供了一種有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置。在一個實施例中，顯示裝置包括i)基板，包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域；ii)柵電極，形成在基板的非發(fā)射區(qū)域內(nèi)；iii)第一絕緣體，形成在基板之上；iv)源電極，與柵電極的第一側(cè)部交迭且形成在非發(fā)射區(qū)域內(nèi)的第一絕緣體上；v)漏電極，與柵電極的第二側(cè)部交迭且形成在非發(fā)射區(qū)域內(nèi)的第一絕緣體上，部分漏電極延伸到發(fā)射區(qū)域以形成下電極。顯示裝置還包括vi)有機(jī)半導(dǎo)體層，具有暴露部分下電極的開口；vii)第二絕緣體，形成在暴露部分暴露的下電極的基板之上；viii)有機(jī)層，形成在由第二絕緣體暴露的部分下電極上；ix)上電極，形成在基板之上。


將參照附圖來描述本發(fā)明的實施例。
圖1是包括傳統(tǒng)有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置的像素的平面圖。
圖2是沿圖1的II-II線截取的剖視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的包括OTFT的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置的像素的平面圖。
圖4是沿圖3的IV-IV線截取的剖視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更加充分地描述本發(fā)明的實施例，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的包括有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)的柔性有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置20的像素的平面圖。雖然柔性有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置具有以矩陣方式排列的多個像素，但是為了方便，圖3僅示出了一個像素的平面圖。
參照圖3，柔性有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置20包括柵極線210、數(shù)據(jù)線220和電源線230。像素區(qū)域25由柵極線210、數(shù)據(jù)線220和電源線230限定。像素位于像素區(qū)域25內(nèi)。像素區(qū)域25包括發(fā)射區(qū)域25-1和非發(fā)射區(qū)域25-2。正如上面所討論的，在發(fā)射區(qū)域25-1內(nèi)，從顯示裝置的有機(jī)發(fā)射元件發(fā)射光。在非發(fā)射區(qū)域25-2內(nèi)，不發(fā)射光。
位于像素區(qū)域25內(nèi)的像素包括開關(guān)OTFT 240、驅(qū)動OTFT 260、電容器250和有機(jī)發(fā)射元件，其中，有機(jī)發(fā)射元件包括用作像素電極(陽極電極)的下電極280。包括在像素內(nèi)的有機(jī)發(fā)射元件位于像素區(qū)域25的發(fā)射區(qū)域內(nèi)。開關(guān)OTFT 240、驅(qū)動OTFT 260和電容器250位于像素區(qū)域25的非發(fā)射區(qū)域內(nèi)。
位于像素區(qū)域25的非發(fā)射區(qū)域25-2內(nèi)的開關(guān)OTFT 240包括連接至柵極線210的柵電極241、半導(dǎo)體層270、源電極243和漏電極245。位于像素區(qū)域25的非發(fā)射區(qū)域25-2內(nèi)的電容器250包括下電極251和上電極255，其中，下電極251連接至開關(guān)OTFT 240的漏電極245，上電極255與下電極251交迭并且連接至電源線230。
位于像素區(qū)域25的非發(fā)射區(qū)域25-2內(nèi)的驅(qū)動OTFT 260包括連接至電容器250的下電極251的柵電極261、半導(dǎo)體層270、連接至電源線230的源電極263和漏電極265。
在根據(jù)一個實施例的具有后發(fā)射型結(jié)構(gòu)的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置中，驅(qū)動OTFT 260的源電極263和漏電極265中的一個，例如漏電極265，延伸至像素區(qū)域25的發(fā)射區(qū)域25-1。因此，在非發(fā)射區(qū)域25-2內(nèi)形成且與柵電極261交迭的部分漏電極265充當(dāng)驅(qū)動OTFT 260的電極，在發(fā)射區(qū)域25-1內(nèi)形成的部分漏電極265充當(dāng)有機(jī)發(fā)射元件的下電極280，其中，下電極280是像素電極。
在一個實施例中，用來形成驅(qū)動OTFT 260的源電極263的電極材料影響源電極263和半導(dǎo)體層270之間的接觸電阻。在一個實施例中，電極材料的功函數(shù)最好比半導(dǎo)體層270的功函數(shù)高。在一個實施例中，源電極263由具有比半導(dǎo)體層270的功函數(shù)更高的功函數(shù)的電極材料形成。因此，源電極263可由金屬電極材料或?qū)щ娪袡C(jī)材料形成。金屬電極材料的例子可包括但不限于Au、Pt、Pd和MoW氧化物。在一個實施例中，導(dǎo)電有機(jī)材料包括PEDOT。
在一個實施例中，用來形成漏電極265的電極材料不影響漏電極265和半導(dǎo)體層270之間的接觸電阻。在一個實施例中，漏電極265可由透明材料形成，使得漏電極265可充當(dāng)像素電極，也可充當(dāng)漏電極。在一個實施例中，漏電極265可由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料形成。
圖4是沿圖3的IV-IV線截取的剖視圖。圖4僅示出了有機(jī)發(fā)射元件、用來驅(qū)動有機(jī)發(fā)射元件的驅(qū)動OTFT 260和像素的電容器。
參照圖4，根據(jù)本發(fā)明實施例的包括OTFT的柔性有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置包括柔性基板200。在一個實施例中，柔性基板200可包括具有良好耐熱性的聚合物塑料膜，使得柔性基板200可承受制造有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置需要的溫度。
在一個實施例中，聚合物塑料膜可以是聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚對敘二甲酸乙二脂(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等。
柵電極261和與柵電極261分開的電容器250的下電極251形成在基板200上。在一個實施例中，柵電極261和電容器250的下電極251可由相同的材料或不同的材料形成。
第一絕緣體201形成在基板200上。在一個實施例中，在柵電極261上形成的部分第一絕緣體201充當(dāng)OTFT的柵極絕緣體，置于下電極251和上電極255之間的部分第一絕緣體201充當(dāng)電容器250的介電層。在一個實施例中，第一絕緣體201可由苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚乙烯苯酚(PVP)、聚酰亞胺或聚對二甲苯形成。
分別與柵電極261的側(cè)部交迭的源電極263和漏電極265以及連接至源電極263的電容器250的上電極255形成在第一絕緣體201上。
在一個實施例中，源電極263和漏電極265由不同的材料形成。用來形成源電極263的電極材料影響源電極263和半導(dǎo)體層270之間的接觸電阻。在一個實施例中，源電極263由具有比半導(dǎo)體層270的功函數(shù)更高的功函數(shù)的材料形成。在一個實施例中，電極材料可以是金屬電極材料或?qū)щ娪袡C(jī)材料。在一個實施例中，金屬電極材料可以是Au、Pt、Pd或MoW氧化物。在一個實施例中，導(dǎo)電有機(jī)材料可以是PEDOT等。在一個實施例中，電容器250的上電極255和源電極263可以由相同材料或不同材料形成。
在一個實施例中，漏電極265既充當(dāng)OTFT 260的漏電極，又充當(dāng)有機(jī)場致發(fā)光裝置的下電極280，下電極280是陽極電極。在一個實施例中，漏電極265由透明導(dǎo)電材料形成，例如ITO或IZO。在像素區(qū)域25的非發(fā)射區(qū)域內(nèi)的與柵電極261交迭的部分漏電極265充當(dāng)驅(qū)動OTFT 260的漏電極。位于發(fā)射區(qū)域內(nèi)的部分漏電極265充當(dāng)像素電極。
半導(dǎo)體層270形成在基板200之上。半導(dǎo)體層270具有開口275，開口275暴露部分下電極280，形成在像素區(qū)域25內(nèi)的下電極280是像素電極。[注意開口275在另一工藝步驟中用第二絕緣體203來填充。]即，半導(dǎo)體層270的開口275限定下電極280，該下電極280是漏電極265的一部分。
與源電極263和漏電極265接觸的半導(dǎo)體層270形成在第一絕緣體201之上。在一個實施例中，源電極263由具有比半導(dǎo)體層270的功函數(shù)更高的功函數(shù)的電極材料形成，使得源電極263和半導(dǎo)體層270之間的接觸電阻低。
在一個實施例中，半導(dǎo)體層270可由并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、二萘嵌苯或其衍生物、紅熒烯或其衍生物、六苯并苯或其衍生物、苝四羧酸二酰亞胺或其衍生物、苝四羧酸二酐或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚對亞苯基亞乙烯基或其衍生物、聚芴或其衍生物、聚噻吩亞乙烯基或其衍生物形成。
第二絕緣體203形成在半導(dǎo)體層270之上。第二絕緣體203具有暴露部分下電極280的開口285。注意開口285在隨后的工藝步驟中用有機(jī)層290和陰極電極295填充。第二絕緣體203充當(dāng)保護(hù)層。在一個實施例中，第二絕緣體203由苯并環(huán)丁烯(BCB)、含丙烯基的有機(jī)化合物、氟化聚亞芳香醚(FAPEfluoropolyarrylether)、cytop、或全氟環(huán)丁烷(PFCB)形成。
有機(jī)層290形成在由第二絕緣體203的開口285暴露的下電極280上。因此，作為上電極的陰極電極295形成在基板200之上。在一個實施例中，有機(jī)層290包括至少選自于空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)射層、電子傳輸層、電子注入層和空穴阻擋層中的有機(jī)層。
在一個實施例中，下電極280是延伸到像素區(qū)域25的發(fā)射區(qū)域的漏電極265的一部分。因此，并不需要用于形成下電極280的額外的掩模工藝。此外，由于漏電極265和下電極280形成在第一絕緣體201上，而且第二絕緣體203的開口285使下電極280暴露，所以也可省略用于形成像素隔離層的制造工藝和用于形成像素隔離層內(nèi)的開口的掩模工藝。
根據(jù)一個實施例的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置的驅(qū)動OTFT可用作平板顯示裝置的開關(guān)裝置，例如液晶顯示裝置。
在另一個實施例中，源電極可延伸到發(fā)射區(qū)域以形成像素電極。在一個實施例中，當(dāng)源電極用作像素電極時，漏電極由具有比半導(dǎo)體層的功函數(shù)更高的功函數(shù)的金屬電極材料形成。
此外，雖然根據(jù)一個實施例的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置的OTFT具有底部接觸結(jié)構(gòu)，但是OTFT可具有頂部接觸結(jié)構(gòu)或頂部柵極結(jié)構(gòu)。即，具有頂部接觸結(jié)構(gòu)或頂部柵極結(jié)構(gòu)的OTFT可通過形成像素電極而具有簡單的制造工藝，該像素電極是漏電極(或源電極)延伸到發(fā)射區(qū)域的延伸部分。此外，源電極和半導(dǎo)體層之間的低接觸電阻可通過使用由高功函數(shù)的電極材料形成的源電極來獲得。在一個實施例中，OTFT可用來形成后發(fā)射型有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置或前發(fā)射型有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置。
在一個實施例中，位于像素區(qū)域內(nèi)的像素包括驅(qū)動OTFT、開關(guān)OTFT、電容器和有機(jī)發(fā)射元件。在另一實施例中，像素可具有不同的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，OTFT的源電極或漏電極由像素電極材料形成，使得可以省略用于形成下電極的掩模工藝。此外，也可省略用于形成像素隔離層的工藝和用于在像素隔離層內(nèi)形成開口的掩模工藝。由于這些省略，所以可以簡化制造工藝。
在一個實施例中，源電極由具有比半導(dǎo)體層的功函數(shù)更高的功函數(shù)的電極材料形成，使得源電極和半導(dǎo)體層之間的接觸電阻可以保持在低的水平下。
盡管上述描述已經(jīng)指出了應(yīng)用于各種實施例的本發(fā)明的新穎的特點，但是技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對示出的裝置或工藝進(jìn)行形式上和細(xì)節(jié)上的各種省略、替代和改變。因此，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求限定，而非由上述描述限定。在權(quán)利要求等同物的范圍和含義以內(nèi)的所有變形都包圍在其范圍內(nèi)。
本申請要求于2004年10月14日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2004-0082091號韓國專利申請的權(quán)益，該申請的內(nèi)容全部包含于此以資參考。
權(quán)利要求
1.一種用于平板顯示裝置的薄膜晶體管，包括基板；柵電極，形成在所述基板上；源電極，與所述柵電極的第一側(cè)部交迭；漏電極，與所述柵電極的第二側(cè)部交迭；柵極絕緣體，形成在所述源電極和所述柵電極之間以及所述漏電極和所述柵電極之間；半導(dǎo)體層，其與所述源電極和所述漏電極接觸，具有暴露所述源電極和所述漏電極中的一個的一部分的開口，并且形成在所述基板之上，其中，所述暴露的電極由透明材料形成，另一個電極由具有比所述半導(dǎo)體層的功函數(shù)更高的功函數(shù)的材料形成。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣體由有機(jī)絕緣材料形成，所述半導(dǎo)體層由有機(jī)半導(dǎo)體材料形成。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述另一個電極材料是選自包括Au、Pt、Pd和MoW氧化物的組的金屬材料，或是選自PEDOT的有機(jī)導(dǎo)電材料。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述透明電極材料由ITO或IZO形成。
5.一種平板顯示裝置，包括基板，包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域；第一電極，形成在所述基板上；第二電極，與所述第一電極的第一側(cè)部交迭，并形成在所述非發(fā)射區(qū)域內(nèi)；第三電極，與所述第一電極的第二側(cè)部交迭，并形成在所述非發(fā)射區(qū)域內(nèi)；絕緣體，形成在所述第二電極和所述第一電極之間以及所述第三電極和所述第一電極之間；半導(dǎo)體層，形成在所述基板之上，其中，所述第二電極和所述第三電極中的一個延伸到所述發(fā)射區(qū)域，所述半導(dǎo)體層具有暴露部分延伸的電極的開口，所述延伸的電極的所述暴露的部分被構(gòu)造以作為有機(jī)發(fā)射元件的像素電極。
6.如權(quán)利要求5所述的平板顯示裝置，其中，所述第二電極和所述第三電極由不同的材料形成。
7.如權(quán)利要求5所述的平板顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層包括有機(jī)半導(dǎo)體層，所述延伸的電極是漏電極，另一個電極是由具有比所述有機(jī)半導(dǎo)體層的功函數(shù)更高的功函數(shù)的材料形成的源電極。
8.如權(quán)利要求7所述的平板顯示裝置，其中，所述源電極由選自包括Au、Pt、Pd和MoW氧化物的組的金屬材料形成，或由選自PEDOT的有機(jī)導(dǎo)電材料形成。
9.如權(quán)利要求5所述的平板顯示裝置，其中，所述延伸的電極是由透明材料形成的漏電極。
10.如權(quán)利要求9所述的平板顯示裝置，其中，所述透明材料是ITO或IZO。
11.如權(quán)利要求5所述的平板顯示裝置，其中，所述延伸的電極由選自ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料形成。
12.如權(quán)利要求5所述的平板顯示裝置，其中，另一個電極由i)具有比所述半導(dǎo)體層的功函數(shù)更高的功函數(shù)的材料，或ii)選自PEDOT的有機(jī)導(dǎo)電材料形成。
13.如權(quán)利要求5所述的平板顯示裝置，其中，所述絕緣體包括充當(dāng)柵極絕緣體的有機(jī)絕緣體。
14.一種平板顯示裝置，包括基板；排列在所述基板上的柵極線、數(shù)據(jù)線和電源線；像素區(qū)域，具有非發(fā)射區(qū)域和發(fā)射區(qū)域，并且由所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線和所述電源線限定；有機(jī)薄膜晶體管包括i)柵電極、ii)源電極和漏電極、iii)半導(dǎo)體層，并且位于所述非發(fā)射區(qū)域內(nèi)；顯示裝置，包括位于所述發(fā)射區(qū)域內(nèi)的像素電極，其中，所述源電極和所述漏電極由不同的材料形成，其中，所述源電極和所述漏電極中的一個延伸到所述像素區(qū)域的所述發(fā)射區(qū)域，其中，所述延伸的電極的至少一部分被構(gòu)造以作為所述顯示裝置的像素電極。
15.如權(quán)利要求14所述的平板顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層包括有機(jī)半導(dǎo)體層，另一個電極是由具有比所述有機(jī)半導(dǎo)體層的功函數(shù)更高的功函數(shù)的材料形成的源電極，所述源電極材料是選自包括Au、Pt、Pd和MoW氧化物的組的金屬材料，或是選自PEDOT的有機(jī)導(dǎo)電材料。
16.如權(quán)利要求14所述的平板顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層是有機(jī)半導(dǎo)體層，所述延伸的電極是由選自ITO或IZO的透明材料形成的漏電極。
17.一種有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，包括基板，包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域；有機(jī)薄膜晶體管，其包括i)柵電極、ii)源電極和漏電極、iii)半導(dǎo)體層，所述源電極和所述漏電極分別與所述柵電極的兩側(cè)部交迭，所述有機(jī)薄膜晶體管位于所述非發(fā)射區(qū)域內(nèi)；有機(jī)光發(fā)射元件，包括下電極、有機(jī)層和上電極，其中，所述有機(jī)薄膜晶體管的所述源電極和所述漏電極中的一個延伸到所述發(fā)射區(qū)域，所述半導(dǎo)體層具有暴露所述延伸的電極的一部分的開口，所述延伸的電極的所述暴露的部分被構(gòu)造以作為所述有機(jī)光發(fā)射元件的下電極。
18.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層是有機(jī)半導(dǎo)體層，所述源電極和所述漏電極由不同的材料形成。
19.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中，所述源電極由具有比所述半導(dǎo)體層的功函數(shù)更高的功函數(shù)的材料形成，所述源電極材料是選自包括Au、Pt、Pd和MoW氧化物的組的金屬材料，或是選自PEDOT的有機(jī)導(dǎo)電材料。
20.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中，所述漏電極由選自ITO和IZO的透明導(dǎo)電材料形成。
21.一種有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，包括基板，包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域；柵電極，形成在所述基板的所述非發(fā)射區(qū)域內(nèi)；第一絕緣體，形成在所述基板之上；源電極，與所述柵電極的第一側(cè)部交迭且形成在所述非發(fā)射區(qū)域內(nèi)的所述第一絕緣體上；漏電極，與所述柵電極的第二側(cè)部交迭且形成在所述非發(fā)射區(qū)域內(nèi)的所述第一絕緣體上，所述漏電極的一部分延伸到所述發(fā)射區(qū)域以形成下電極；有機(jī)半導(dǎo)體層，具有暴露部分所述下電極的開口，其中所述部分包括第一區(qū)和第二區(qū)；第二絕緣體，形成在所述基板之上，并覆蓋所述下電極的所述暴露的部分的所述第二區(qū)；有機(jī)層，形成在所述下電極的所述暴露的部分的所述第一區(qū)上；上電極，形成在所述基板之上，并覆蓋所述有機(jī)半導(dǎo)體層。
22.如權(quán)利要求21所述的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中，所述源電極由選自包括Au、Pt、Pd和MoW氧化物的組的金屬材料形成。
23.如權(quán)利要求21所述的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中，所述漏電極由ITO或IZO形成。
24.如權(quán)利要求21所述的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一絕緣體是充當(dāng)柵極絕緣體的有機(jī)絕緣體，所述第二絕緣體是充當(dāng)保護(hù)層的有機(jī)絕緣體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)和有機(jī)場致發(fā)光(EL)顯示裝置。該OTFT包括作為有機(jī)發(fā)射元件的像素電極(陽極電極)的漏電極，使得有機(jī)EL顯示裝置的制造工藝被簡化。在一個實施例中，有機(jī)EL顯示裝置包括i)基板，包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域；ii)有機(jī)薄膜晶體管，其包括柵電極、源電極、漏電極和半導(dǎo)體層，并且位于非發(fā)射區(qū)域內(nèi)，源電極和漏電極分別與柵電極的兩側(cè)部交迭；iii)有機(jī)光發(fā)射元件，包括下電極、有機(jī)層和上電極。在一個實施例中，OTFT的源電極和漏電極中的一個延伸到發(fā)射區(qū)域，半導(dǎo)體層具有暴露部分延伸的電極的開口，延伸的電極的暴露的部分充當(dāng)有機(jī)光發(fā)射元件的下電極(像素電極或陽極電極)。
文檔編號H01L27/32GK1779990SQ200510108400
公開日2006年5月31日 申請日期2005年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月14日
發(fā)明者李憲貞, 具在本 申請人:三星Sdi株式會社