專利名稱：突出檢查區(qū)的外形結(jié)構(gòu)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般涉及用于在引線焊接連接附近的探針接觸的檢查標記，其中該檢查標記包括在同一導體中的標記，該同一導體用作探針焊盤和引線焊接連接。
背景技術：
在集成電路和芯片的外層上常用引線焊接連接，以將芯片內(nèi)的電路連接到外部設備和引線板。引線焊接連接包括來自外部設備的導電引線，該導電引線被焊接到晶片或芯片上的導電連接。當測試芯片時，通常形成導電探針接觸，其與測試探針和其它類似裝置形成臨時接觸。這些探針接觸在引線焊接連接附近形成，并電連接到引線焊接連接。
采用越來越細的間距制作引線焊接連接(例如，使其較小和更相互靠近)。然而，即使當引線焊接連接設置為更相互靠近，為了允許具有高合格率和可靠性的優(yōu)良的引線焊接連接，需要使探針接觸(其中晶片測試器向下接觸在晶片上)偏離引線焊接位置。不能為探針接觸提供足夠有效的焊盤表面區(qū)域，已表明將導致合格率和可靠性故障。通常由操作員進行可視檢查，作出關于引線焊接位置是否已被探針接觸損傷的主觀判斷。如果沒有明顯標記的檢查區(qū)，很難清楚地確定探針產(chǎn)生的損傷是否在將形成引線焊接的區(qū)域之外。

發(fā)明內(nèi)容
下面給出了產(chǎn)生檢查標記的方法，所述檢查標記用于在引線焊接連接附近的探針接觸。更具體地說，該方法在焊盤的引線焊接連接區(qū)與探針焊盤區(qū)之間產(chǎn)生檢查標記。所述方法首先在布線層上形成絕緣體層，然后在所述絕緣體層中同時構(gòu)圖布線接觸開口和檢查標記開口。所述方法然后在所述絕緣體層上沉積導體材料。所述導體材料填充所述布線接觸開口和所述檢查標記開口，并且在所述絕緣體層上形成所述焊盤。在所述檢查標記開口內(nèi)的所述導體材料形成所述檢查標記，所述檢查標記在所述引線焊接連接區(qū)與所述探針焊盤區(qū)之間。隨后，本發(fā)明在所述導體材料上形成聚酰亞胺層，并且在所述聚酰亞胺層中形成第二開口。通過所述第二開口露出所述焊盤。
在所述布線層的絕緣區(qū)上形成所述檢查標記開口。所述導體材料包括耐熔金屬，例如鋁、鉭、鈦，及其合金。所述檢查標記描繪出在所述焊盤上允許探針檢查標記的位置。
產(chǎn)生的所述結(jié)構(gòu)是在所述絕緣體層下面具有布線層的集成電路。所述焊盤包括在所述絕緣體層上的所述導體材料。所述焊盤具有引線焊接連接區(qū)和探針焊盤區(qū)。所述檢查標記在所述引線焊接連接區(qū)與所述探針焊盤區(qū)之間。所述檢查標記包括在所述絕緣體層中用所述導體材料填充的開口。另外，通過所述絕緣體層的所述接觸適于將在所述布線層中的所述導體布線電連接到所述焊盤，并且所述接觸由用于所述焊盤和所述檢查標記的相同導體材料形成。
從而，通過在Al焊接焊盤上產(chǎn)生3維圖形，本發(fā)明產(chǎn)生“檢查區(qū)”。本發(fā)明的優(yōu)點之一是其可獨立于最終的鈍化工藝或用于最終的鈍化工藝的材料而得以實現(xiàn)和檢查。因此，本發(fā)明可例如利用不能提供容易的檢查標記的聚酰亞胺材料而得到采用。
當與下面的說明和結(jié)合附圖一起考慮時，本發(fā)明的實施例的這些和其它方面將得到更好的認同和理解。然而，應當理解，雖然表明了本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其許多具體細節(jié)，下面的說明通過示例但不是限制的方式給出。只要不脫離本發(fā)明的精神，可在本發(fā)明的實施例的范圍內(nèi)進行各種改變和修改，本發(fā)明包括所有這些修改。


通過下面參考附圖的詳細說明，將更好地理解本發(fā)明的實施例，其中圖1是引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性頂視圖；圖2是引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性頂視圖；圖3是部分完成的引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性截面圖；圖4是部分完成的引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性截面圖；圖5是部分完成的引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性截面圖；圖6是部分完成的引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性截面圖；圖7是部分完成的引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性截面圖；圖8是部分完成的引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性截面圖；圖9是部分完成的引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性截面圖；圖10是部分完成的引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性截面圖；圖11是部分完成的引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性截面圖；圖12是部分完成的引線焊接連接和探針接觸焊盤的示意性截面圖；以及圖13是示出本發(fā)明的優(yōu)選方法的流程圖。
具體實施例方式
通過參考在結(jié)合附圖中示出并在下面的說明中詳述的非限制性實施例，可以更充分地說明本發(fā)明的實施例及其各種特征和優(yōu)點細節(jié)。應注意，附圖中示出的特征未必按比例畫出。為了不無謂地使本發(fā)明的實施例難于理解，省略了對公知的元件和處理技術的說明。在此采用的實例僅僅旨在便于理解實現(xiàn)本發(fā)明實施例的方法，并進一步旨在使本領域的技術人員能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的實施例。因此，不應認為實例限制了本發(fā)明的范圍。
圖1是焊盤10的頂視示意圖，該焊盤10包括其中形成引線焊接16的引線焊接區(qū)12，以及其中測試探針將接觸焊盤10并留下探針標記18的探針焊盤區(qū)14。探針標記18是由測試探針的物理接觸引起的焊盤10的受損區(qū)域。探針標記18的受損性質(zhì)將不能形成優(yōu)良的引線焊接連接。
因此，在焊盤10上形成引線焊接16之前，在探針已接觸焊盤10并在焊盤上形成標記18之后，通常由操作員進行可視檢查。然后作出關于探針標記18是否離開引線焊接區(qū)12足夠遠，以使探針標記18的損傷不影響引線焊接16的整體性的主觀判斷。為了確保由探針留下的標記18沒有很大程度地進入引線焊接區(qū)12，如圖2所示，本發(fā)明利用三維圖形產(chǎn)生檢查標記20。該檢查標記使得更加容易判斷探針標記18是否在將用于引線焊接16的區(qū)域之外。因此，檢查標記20描繪出探針焊盤區(qū)14結(jié)束的位置和引線焊接區(qū)12開始的位置。雖然在圖2中示出了兩個標記，本領域的普通技術人員可以理解，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可采用一個標記或多于兩個標記。并且，雖然在兩個標記20之間示出了一個引線焊接連接16和一個探針標記18，本領域的普通技術人員也可以理解，單個標記可用于區(qū)別多個引線焊接區(qū)12和多個探針焊盤區(qū)14。
檢查標記20包括在下面的絕緣體中的導體填充的開口。將在下面的布線層中的導體布線電連接到焊盤(下面詳細討論)的導電接觸包括與檢查標記20相同的導體材料。因為檢查標記20由與用于下面的接觸72相同的金屬形成，最終的鈍化工藝不會影響探針標記20。因此，本發(fā)明可容易地利用不易構(gòu)圖成標記的鈍化材料，例如聚酰亞胺材料而得到采用。
圖3-12示出了為在一個或多個引線焊接連接附近的一個或多個探針接觸產(chǎn)生一個或多個檢查標記的代表性方法。該方法僅僅是實例，本領域的普通技術人員可以理解，可采用具有等同效果的其它類似的方法及其變型。圖3示出了包括絕緣區(qū)30和導體布線32的布線層的一小部分。雖然示出了一個布線32，本領域的普通技術人員可以理解，布線層30實際上可包括多個布線。
如圖4所示，在布線層30上形成絕緣體層40。絕緣體層40可包括，例如，沉積的氧化物或任何其它合適的絕緣體。然后利用任何常規(guī)的掩膜構(gòu)圖技術，例如曝光有機光致抗蝕劑、顯影抗蝕劑并清洗掩膜的已曝光或未曝光部分以留下構(gòu)圖的掩膜，在絕緣體層40上構(gòu)圖掩膜50(示于圖5)。公知許多其它類型的掩膜，并可用于本發(fā)明。
然后，如圖6所示，本方法在絕緣體層40中同時構(gòu)圖布線接觸開口60和檢查標記開口62。圖6所示的材料去除工藝可包括任何包括蝕刻和化學處理的常規(guī)的材料去除工藝。該材料去除工藝優(yōu)選對絕緣材料40具有選擇性，以使該工藝去除沒有受掩膜保護的絕緣體層40的部分，而基本上不影響掩膜50或下面的導體32或絕緣體30。
如圖7所示，利用選擇性清洗工藝去除掩膜50，該選擇性清洗工藝基本上不影響其它元件，但可容易地從結(jié)構(gòu)中清洗掉掩膜材料50。隨后，在結(jié)構(gòu)上沉積導體70。導體70包括任何有用的可保形粘附到絕緣體40的導體，例如耐熔金屬，包括鋁、鉭、鈦及其合金。如圖7所示，導體70形成與下面的布線導體32的接觸72，也形成探針焊盤檢查標記20。從而，檢查標記20可視為在焊盤10中的谷或凹部。檢查標記20是3維特征，其中焊盤10的本來的平面圖形以從外部可視的方式被改變。用導體70填充的開口62產(chǎn)生該3維特征，并形成檢查標記20。
另外，在絕緣體層40的上表面保留的部分導體70包括焊盤10，該焊盤10將具有探針焊盤區(qū)14和引線焊接區(qū)12。由于探針焊盤檢查標記20由與接觸72相同的材料70構(gòu)成，探針焊盤檢查標記20可在接觸72留存的所有隨后的處理中留存。因此，例如，如果隨后進行聚酰亞胺處理，探針焊盤檢查標記20將在該處理中留存，并仍然作為可視檢查輔助。
圖8中，在結(jié)構(gòu)上沉積鈍化層80，例如聚酰亞胺等。下一步，如圖9所示，在鈍化層80上形成與上述掩膜50類似的掩膜90。如圖10所示，通過掩膜90構(gòu)圖鈍化層80，以利用與上述類似的材料去除工藝技術，在鈍化層80中形成開口。該開口露出焊盤10的引線焊接區(qū)12和探針焊盤區(qū)14。
然后，如圖11所示，再次利用上述處理去除掩膜90。圖11示出了探針110，例如可與焊盤10形成臨時接觸的測試探針。探針110優(yōu)選在探針焊盤區(qū)14中接觸焊盤10。如圖12所示，一旦去除探針110，可留下受損區(qū)18，即探針標記18。如上所述，由探針110在探針標記18中引起的不規(guī)則外形和可能的污染使得探針標記18成為不希望在其中形成引線焊接16的區(qū)域。因此，通過沉積或形成焊料球120并將引線122連接至該焊料球，形成引線焊接16。結(jié)構(gòu)120、122都是利用公知的引線焊接技術，例如常規(guī)的帶轉(zhuǎn)移(tape transfer)或類似技術形成，留下如圖12所示的結(jié)構(gòu)。
如圖12所示的結(jié)構(gòu)包括集成電路結(jié)構(gòu)，該集成電路結(jié)構(gòu)在絕緣層40下具有布線層30。焊盤10包括在絕緣體層40上的導體材料70。焊盤10具有引線焊接連接區(qū)12和探針焊盤區(qū)14。檢查標記20在引線焊接連接區(qū)12和探針焊盤區(qū)14之間。檢查標記20包括在絕緣體層40中用導體材料70填充的開口。另外，通過絕緣體層40并適于將布線層30中的導體布線32電連接到焊盤10的接觸72和接觸42也由與用于焊盤10和檢查標記20的相同導體材料70形成。
圖13以流程圖的形式示出了上面的處理。更具體地說，在操作130中，本發(fā)明在布線層上形成絕緣體層，然后，在操作132中，本發(fā)明在絕緣體層上同時構(gòu)圖布線接觸開口和檢查標記開口。然后，在操作134中，該方法在絕緣體層上沉積導體材料。導體材料填充布線接觸開口和檢查標記開口，并在絕緣體層上形成焊盤。在檢查標記開口內(nèi)的導體材料形成檢查標記，該檢查標記位于引線焊接連接區(qū)和探針焊盤區(qū)之間。隨后，本發(fā)明在導體材料上形成鈍化層(操作136)，在操作138中，在鈍化層中形成第二開口。通過該第二開口露出焊盤。此后，在操作140中，探針接觸焊盤，并在操作142中，檢查焊盤，以確定由探針標記留下的損傷是否在為引線焊接連接保留的區(qū)域中。此后，在操作144中，形成引線焊接連接。
從而，通過探針焊盤14通過產(chǎn)生可視的3維圖形，本發(fā)明產(chǎn)生“檢查區(qū)”20。本發(fā)明的優(yōu)點之一是其可獨立于最終的鈍化工藝得以實現(xiàn)和檢查。因此，本發(fā)明可利用聚酰亞胺或其它材料而得到采用。因為檢查標記20由用于下面的接觸72和焊盤10的相同金屬形成，最終的鈍化工藝不影響探針標記20。因此，本發(fā)明可容易地利用不易構(gòu)圖成標記的鈍化材料，例如聚酰亞胺材料而得到采用。
檢查區(qū)的產(chǎn)生允許總的引線焊接/探針焊盤尺寸的降低。這是通過容限的去除實現(xiàn)的，該容限與當沒有區(qū)別引線焊接區(qū)與探針區(qū)的限定器時的檢查工藝相關聯(lián)。
上述特定實施例的說明公開了本發(fā)明的一般性質(zhì)，以使其他人通過應用現(xiàn)有知識，只要不偏離總的構(gòu)思，可以容易地修改和/或改變，以用于該特定實施例的各種應用。因此，這種改變和修改應當并旨在包含在公開的實施例的意義與等同范圍內(nèi)。應當理解，在此采用的措詞或術語是為了說明而非限定的目的。因此，雖然根據(jù)優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明，本領域的技術人員將認可，本發(fā)明可利用在所述權利要求書的精神和范圍內(nèi)的修改得以實現(xiàn)。
權利要求
1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括絕緣體層；焊盤，包括在所述絕緣體層上的導體材料，所述焊盤具有引線焊接連接區(qū)和探針焊盤區(qū)；以及檢查標記，在所述引線焊接連接區(qū)與所述探針焊盤區(qū)之間，其中所述檢查標記包括在所述絕緣體層中用所述導體材料填充的開口。
2.根據(jù)權利要求1的結(jié)構(gòu)，還包括在所述導體材料上的聚酰亞胺層，所述聚酰亞胺層具有第二開口，其中通過所述第二開口露出所述焊盤。
3.根據(jù)權利要求1的結(jié)構(gòu)，其中在所述布線層的絕緣區(qū)上形成所述檢查標記開口。
4.根據(jù)權利要求1的結(jié)構(gòu)，其中所述導體包括耐熔金屬。
5.根據(jù)權利要求1的結(jié)構(gòu)，其中所述導體包括鋁、鉭、鈦及其合金中的一種。
6.根據(jù)權利要求1的結(jié)構(gòu)，其中所述檢查標記從所述集成電路結(jié)構(gòu)的外部可視。
7.根據(jù)權利要求1的結(jié)構(gòu)，其中所述檢查標記描繪出在所述焊盤上允許探針檢查標記的位置。
8.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括布線層，在絕緣體層之下，所述布線層包括導體布線；絕緣體層，在所述布線層上；焊盤，包括在所述絕緣體層上的導體材料，所述焊盤具有引線焊接連接區(qū)和探針焊盤區(qū)；檢查標記，在所述引線焊接連接區(qū)與所述探針焊盤區(qū)之間，其中所述檢查標記包括在所述絕緣體層中用所述導體材料填充的開口；以及通過所述絕緣體層的接觸，所述接觸適于將所述布線層中的所述導體布線電連接到所述焊盤，其中所述接觸包括所述導體材料。
9.根據(jù)權利要求8的結(jié)構(gòu)，還包括在所述導體材料上的聚酰亞胺層，所述聚酰亞胺層具有第二開口，其中通過所述第二開口露出所述焊盤。
10.根據(jù)權利要求8的結(jié)構(gòu)，其中在所述布線層的絕緣區(qū)上形成所述檢查標記開口。
11.根據(jù)權利要求8的結(jié)構(gòu)，其中所述導體包括耐熔金屬。
12.根據(jù)權利要求8的結(jié)構(gòu)，其中所述導體包括鋁、鉭、鈦及其合金中的一種。
13.根據(jù)權利要求8的結(jié)構(gòu)，其中所述檢查標記從所述集成電路結(jié)構(gòu)的外部可視。
14.根據(jù)權利要求8的結(jié)構(gòu)，其中所述檢查標記描繪出在所述焊盤上允許探針檢查標記的位置。
15.一種在焊盤的引線焊接連接區(qū)與探針焊盤區(qū)之間產(chǎn)生檢查標記的方法，包括以下步驟在布線層上形成絕緣體層；在所述絕緣體層中同時構(gòu)圖布線接觸開口和檢查標記開口；以及在所述絕緣體層上沉積導體材料，以使所述導體材料填充所述布線接觸開口和所述檢查標記開口，并在所述絕緣體層上形成所述焊盤，其中在所述檢查標記開口內(nèi)的所述導體材料形成所述檢查標記，所述檢查標記在所述引線焊接連接區(qū)與所述探針焊盤區(qū)之間。
16.根據(jù)權利要求15的方法，還包括以下步驟在所述導體材料上形成聚酰亞胺層；以及在所述聚酰亞胺層中形成第二開口，其中通過所述第二開口露出所述焊盤。
17.根據(jù)權利要求15的方法，其中在所述布線層的絕緣區(qū)上形成所述檢查標記開口。
18.根據(jù)權利要求15的方法，其中所述導體包括耐熔金屬。
19.根據(jù)權利要求15的方法，其中所述導體包括鋁、鉭、鈦及其合金中的一種。
20.根據(jù)權利要求15的方法，其中所述檢查標記描繪出在所述焊盤上允許探針檢查標記的位置。
全文摘要
一種在絕緣體層下具有布線層的集成電路。焊盤包括在所述絕緣體層上的導體材料。所述焊盤具有引線焊接連接區(qū)和探針焊盤區(qū)。檢查標記在所述引線焊接連接區(qū)與所述探針焊盤區(qū)之間。所述檢查標記包括在所述絕緣體層中用所述導體材料填充的開口。另外，通過所述絕緣體層的接觸適于將在所述布線層中的所述導體布線電連接到所述焊盤。所述接觸由與用于所述焊盤和所述檢查標記相同的導體材料形成。
文檔編號H01L23/48GK1790694SQ20051010828
公開日2006年6月21日 申請日期2005年10月10日 優(yōu)先權日2004年10月12日
發(fā)明者C·D·馬奇, J·P·甘比納, W·索特, T·H·道本斯佩克 申請人:國際商業(yè)機器公司