專利名稱：層壓系統(tǒng)、ic片及片卷、以及用于制造ic芯片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及密封薄膜集成電路的層壓系統(tǒng)。本發(fā)明還涉及包括密封的多個(gè)薄膜集成電路的IC片。本發(fā)明進(jìn)一步涉及包括密封的多個(gè)薄膜集成電路的IC片的卷繞輥。本發(fā)明還涉及用于制造其中密封了薄膜集成電路的IC芯片的方法。
2.背景技術(shù)近年來，人們開發(fā)了利用在玻璃基板上設(shè)置的薄膜集成電路的IC芯片(也稱作IC卡、ID卡、RF(射頻)卡、無線卡、電子卡、無線存儲(chǔ)器、或電子存儲(chǔ)器)。在這種技術(shù)中，在完成時(shí)需要將在玻璃基板上設(shè)置的薄膜集成電路與作為支撐基板的玻璃基板分開。
因此，作為將在支撐基板上設(shè)置的薄膜集成電路與支撐基板分開的技術(shù)，例如，有這樣一種技術(shù)將含硅隔離層設(shè)置在薄膜集成電路和支撐基板之間，利用含鹵代氟化物的氣體去除隔離層，由此將薄膜集成電路與支撐基板分開(參考文獻(xiàn)1JP特開平8-254686)。

發(fā)明內(nèi)容
在玻璃基板上設(shè)置多個(gè)薄膜集成電路，并在去除隔離層的同時(shí)單獨(dú)地分開多個(gè)薄膜集成電路。然而，在單獨(dú)地密封分開的薄膜集成電路的情況下生產(chǎn)效率低。此外，由于薄膜集成電路薄且重量輕，因此很脆，極難以在沒有損壞或破裂的情況下密封薄膜集成電路。鑒于以上問題，本發(fā)明的目的是提高密封薄膜集成電路的生產(chǎn)效率，防止損壞和破裂。
此外，如上所述，薄膜集成電路非常脆，即使在密封步驟后也需要注意進(jìn)行處理；因此，非常難以在沒有損壞和破裂的情況下進(jìn)行運(yùn)輸。因此，本發(fā)明的另一目的是防止薄膜集成電路在運(yùn)輸時(shí)損壞和破裂，使薄膜集成電路易于處理。
本發(fā)明提供一種層壓系統(tǒng)，其中，在加熱和熔融狀態(tài)下擠壓時(shí)提供用于密封薄膜集成電路的第二和第三基板之一，輥?zhàn)佑糜谔峁┢渌澹邮誌C芯片，分離和密封。分離在第一基板上設(shè)置的多個(gè)薄膜集成電路、密封分開的薄膜集成電路和接收密封的薄膜集成電路的步驟可通過旋轉(zhuǎn)輥?zhàn)舆B續(xù)地進(jìn)行；因此，可以極大地提高生產(chǎn)效率。此外，由于采用彼此相對(duì)的一對(duì)輥?zhàn)?，因此能夠容易地密封薄膜集成電路?br> 根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)的第一結(jié)構(gòu)包括傳送裝置，傳送設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板；用于在加熱和熔融狀態(tài)下擠壓出熱塑性樹脂的同時(shí)在設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板上提供熱塑性樹脂的裝置；具有冷卻裝置的輥?zhàn)?，該輥?zhàn)訉⒈∧ぜ呻娐返囊幻尜N到由熱塑性樹脂形成的第二基板上并通過冷卻在加熱和熔融狀態(tài)下提供的熱塑性樹脂將薄膜集成電路與第一基板分離；卷繞有第三基板的供應(yīng)輥；用于在第二基板和第三基板之間密封與第一基板分開的薄膜集成電路的裝置；和卷繞密封的薄膜集成電路的接收輥。
根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)的第二結(jié)構(gòu)包括用于在加熱和熔融狀態(tài)下擠壓的同時(shí)在設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板上提供熱塑性樹脂的裝置；具有冷卻裝置的輥?zhàn)樱撦佔(zhàn)訉⒈∧ぜ呻娐返囊幻尜N到由熱塑性樹脂形成的第二基板上并通過冷卻在加熱和熔融狀態(tài)下提供的熱塑性樹脂將薄膜集成電路與第一基板分離；卷繞有第三基板的供應(yīng)輥；用于在第二基板和第三基板之間密封與第一基板分開的薄膜集成電路的裝置；和卷繞密封的薄膜集成電路的接收輥。
根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)的第三結(jié)構(gòu)包括傳送裝置，傳送設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板；用于在加熱和熔融狀態(tài)下擠壓出熱塑性樹脂的同時(shí)在設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板上提供熱塑性樹脂的裝置；卷繞有第三基板的供應(yīng)輥；用于將薄膜集成電路的一面貼到由熱塑性樹脂形成的第二基板上并通過冷卻在加熱和熔融狀態(tài)下提供的熱塑性樹脂將薄膜集成電路與第一基板分離并且用于在第二基板和第三基板之間密封與第一基板分開的薄膜集成電路的裝置；和卷繞密封的薄膜集成電路的接收輥。
根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)的第四結(jié)構(gòu)包括設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板；卷繞有第二基板的供應(yīng)輥；傳送第二基板的傳送裝置；在第二基板上放置第一基板從而使在第一基板上設(shè)置的薄膜集成電路的一面貼到第二基板上的移動(dòng)裝置；將薄膜集成電路的一面貼到第二基板并將薄膜集成電路與第一基板分離的分離裝置；用于在加熱和熔融狀態(tài)下提供熱塑性樹脂的裝置；用于在第二基板和由熱塑性樹脂形成的第三基板之間密封與第一基板分開的薄膜集成電路的裝置；和卷繞密封的薄膜集成電路的接收輥。
在具有第一至第四結(jié)構(gòu)中任一結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)中，用于在第二基板和第三基板之間密封薄膜集成電路的裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)印?br> 在具有第一至第三結(jié)構(gòu)中任一結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)中，用于在第二基板和第三基板之間密封薄膜集成電路的裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)?，第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又痪哂屑訜嵫b置。
在具有第三或第四結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)中，用于在第二基板和第三基板之間密封薄膜集成電路的裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)?，第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又痪哂欣鋮s裝置。
在具有第三結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)中，用于在第二基板和第三基板之間密封薄膜集成電路的裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)樱谝惠佔(zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又痪哂欣鋮s裝置，另一個(gè)具有加熱裝置。
在具有第一或第二結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)中，用于在第二基板和第三基板之間密封薄膜集成電路的裝置通過在使薄膜集成電路經(jīng)過彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又g的同時(shí)進(jìn)行加壓處理和熱處理之一或兩者的方式密封薄膜集成電路。
在具有第四結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)中，用于在第二基板和第三基板之間密封薄膜集成電路的裝置通過在使薄膜集成電路經(jīng)過彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又g的同時(shí)進(jìn)行加壓處理和熱處理的方式密封薄膜集成電路。
在具有第一至第三結(jié)構(gòu)之一的層壓系統(tǒng)中，第三基板是疊層膜。
在具有第四結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)中，第二基板是疊層膜。
此外，本發(fā)明提供一種IC片，該IC片是一種密封的薄膜集成電路，將IC片制成片狀以易于攜帶。根據(jù)本發(fā)明的IC片具有多個(gè)薄膜集成電路、第一基板和第二基板，具有把多個(gè)薄膜集成電路每一個(gè)的兩面密封在第一基板和第二基板之間的結(jié)構(gòu)。
此外，本發(fā)明提供一種IC片卷，該IC片包括密封在第一和第二基板之間的多個(gè)薄膜集成電路，該輥?zhàn)泳砝@成便于攜帶。根據(jù)本發(fā)明的IC片卷是通過將多個(gè)薄膜集成電路每一個(gè)的兩面密封在第一基板和第二基板之間而獲得的IC片卷。
對(duì)于具有以上結(jié)構(gòu)的IC片或IC片卷，多個(gè)薄膜集成電路的每一個(gè)具有多個(gè)薄膜晶體管和用作天線的導(dǎo)電層。多個(gè)薄膜集成電路規(guī)則排列。并且，第一基板或第二基板是疊層膜。
用于制造根據(jù)本發(fā)明的IC芯片的方法包括以下步驟在具有絕緣表面的第一基板上形成隔離層；在第一基板上形成多個(gè)薄膜集成電路；在薄膜集成電路之間的邊界處形成開口以露出隔離層；將含有鹵代氟化物的氣體或液體引入開口以去除隔離層；將薄膜集成電路的一面貼到第二基板以將薄膜集成電路與第一基板分離；將薄膜集成電路的另一面貼到第三基板以將薄膜集成電路密封在第二基板和第三基板之間。并且，在第一基板上形成作為薄膜集成電路的多個(gè)薄膜晶體管和用作天線的導(dǎo)電層。
根據(jù)本發(fā)明的、采用卷繞有基板的輥?zhàn)?、卷繞薄膜集成電路的輥?zhàn)雍陀糜诜蛛x和密封薄膜集成電路的輥?zhàn)拥膶訅合到y(tǒng)可連續(xù)地進(jìn)行以下步驟將在基板上設(shè)置的多個(gè)薄膜集成電路分離；密封已分開的薄膜集成電路；以及接收密封的薄膜集成電路。因此，可提高生產(chǎn)效率，縮短制造時(shí)間。此外，根據(jù)本發(fā)明的將彼此相對(duì)的一對(duì)輥?zhàn)佑米鲗訅貉b置來密封薄膜集成電路的層壓系統(tǒng)能夠容易地密封薄膜集成電路。
對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的IC片和IC片卷，已經(jīng)密封了薄膜集成電路；因此，便于攜帶，可防止薄膜集成電路損壞和破裂。此外，便于大量薄膜集成電路的運(yùn)輸。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)的示圖。
圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)的示圖。
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)的示圖。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)的示圖。
圖5A和5B是表示用于制造IC芯片的方法的示圖。
圖6A和6B是表示用于制造IC芯片的方法的示圖。
圖7A和7B是表示用于制造IC芯片的方法的示圖。
圖8是表示用于制造IC芯片的方法的示圖。
圖9是表示IC芯片的示圖。
圖10A至10E是表示IC芯片的使用圖形的示圖。
圖11A和11B是表示IC芯片的使用圖形的示圖。
圖12A和12B是表示根據(jù)本發(fā)明的IC片卷的示圖。
圖13是表示根據(jù)本發(fā)明的IC片的示圖。
具體實(shí)施例方式
參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式和實(shí)施例。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員容易理解，本發(fā)明不限于以下描述，在不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下可以進(jìn)行形式上和細(xì)節(jié)上的各種變化。因此，本發(fā)明不受下述實(shí)施方式和實(shí)施例的限制。相同的參考標(biāo)記通常表示下述本發(fā)明結(jié)構(gòu)中的相同元件。
(實(shí)施方式1)本發(fā)明提供一種層壓系統(tǒng)，其中，用于密封薄膜集成電路的第二和第三基板之一在以加熱和熔融狀態(tài)被擠壓出的同時(shí)進(jìn)行供應(yīng)，輥?zhàn)佑糜谔峁┑诙偷谌宓牧硪换?、接收密封的IC芯片、分離并密封。參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)的主要模式。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)的第一結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)包括傳送裝置11，該裝置傳送設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路13的第一基板12；在加熱和熔融狀態(tài)下擠壓出的同時(shí)提供第二基板18的模具14；冷卻輥16；卷繞有第三基板19的供應(yīng)輥15；將薄膜集成電路13密封在第二基板18和第三基板19之間的層壓裝置17；卷繞有在第二基板18和第三基板19之間密封的薄膜集成電路13的接收輥20。層壓裝置17包括輥?zhàn)?1和22。
在圖1所示的系統(tǒng)中，從模具14將第二基板18在以加熱和熔融狀態(tài)被擠壓出的同時(shí)提供到設(shè)有薄膜集成電路的第一基板12上。連同在第一基板12上提供的熔融狀態(tài)下的第二基板一起，通過傳送裝置11將第一基板12傳送到冷卻輥16。通過冷卻輥16冷卻在第一基板12上提供的第二基板18，固化熔融狀態(tài)的第二基板，將薄膜集成電路13貼到第二基板。通過冷卻輥16將貼向薄膜集成電路13的第二基板引向上面；這樣，薄膜集成電路13與第一基板12分離。將貼附有薄膜集成電路13的第二基板18向?qū)訅貉b置17傳送。第三基板19從供應(yīng)輥15向?qū)訅貉b置17傳送。在層壓裝置17處，當(dāng)其一面貼附到第二基板18的薄膜集成電路13到達(dá)層壓裝置17時(shí)，第三基板19通過擠壓處理和熱處理之一或兩種方式貼到薄膜集成電路13的另一面，從而將薄膜集成電路13密封在第二基板18和第三基板19之間。最后，將密封的薄膜集成電路13傳送至接收輥20，通過接收輥20進(jìn)行卷繞和接收。
根據(jù)以上操作，冷卻輥16、含在層壓裝置17中的輥?zhàn)?1、和接收輥20設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)中，使得從模具14提供的第二基板18按順序經(jīng)過它們。冷卻輥16和輥?zhàn)?1按同一方向旋轉(zhuǎn)。提供含在層壓裝置17中的輥?zhàn)?2和接收輥20，使得從供應(yīng)輥15提供的第三基板19按順序經(jīng)過它們。供應(yīng)輥15和輥?zhàn)?2按同一方向旋轉(zhuǎn)。
傳送裝置11傳送設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路13的第一基板12。例如，傳送裝置對(duì)應(yīng)于傳送帶、多個(gè)輥?zhàn)?、或機(jī)械手。機(jī)械手傳送第一基板12本身或傳送帶有第一基板12的臺(tái)架。傳送裝置11根據(jù)冷卻輥16旋轉(zhuǎn)的速度以預(yù)定速度傳送第一基板12。注意，傳送裝置11可設(shè)有加熱裝置。加熱裝置對(duì)應(yīng)于例如具有加熱線圈的加熱器或加熱介質(zhì)如油。在這種情況下，通過由冷卻輥16冷卻第二基板18以及由含在傳送裝置11中的加熱裝置加熱的第一基板12更容易地將薄膜集成電路13與第一基板12分離。
供應(yīng)輥15卷繞有第三基板19。供應(yīng)輥15通過以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)向?qū)訅貉b置17提供第三基板19。供應(yīng)輥15具有圓柱狀并由樹脂材料、金屬材料或類似材料形成。
熱塑性樹脂可用于第二基板18。用于第二基板18的熱塑性樹脂優(yōu)選具有低的軟化點(diǎn)。例如，可以采用聚烯烴基樹脂如聚乙烯、聚丙烯或聚甲基戊烯；乙烯基共聚物，如氯乙烯、醋酸乙烯、氯乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物、偏二氯乙烯、聚乙烯醇縮丁醛或聚乙烯醇；丙烯基樹脂；聚酯基樹脂；聚氨酯基樹脂；纖維素基樹脂，如纖維素、纖維素乙酸酯、纖維素乙酸丁酸酯、纖維素乙酸丙酸酯或乙基纖維素；苯乙烯基樹脂，如聚苯乙烯或丙烯腈-苯乙烯共聚物。應(yīng)注意，第二基板可以是從模具14擠壓出的單層或從模具14共同擠壓出的兩或多層。
疊層膜用于第三基板19。疊層膜由樹脂材料形成，例如聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯或氯乙烯，從而具有多層?？稍谄浔砻嫔线M(jìn)行加工，如壓花。疊層膜包括熱層壓型和冷層壓型。
熱層壓膜包括在由聚酯等形成的基膜上由聚乙烯樹脂等形成的粘合層。粘合層由具有比基膜的軟化點(diǎn)更低的樹脂形成。因此，僅粘合層通過加熱熔化成橡膠態(tài)并通過冷卻固化。用于基膜的材料可以是PET(聚乙烯對(duì)苯二酸酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)等以及聚酯。用于粘合層的材料可以是聚乙烯、聚酯、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯共聚物)等以及聚乙烯樹脂。
冷層壓膜包括在由例如聚酯、氯乙烯或類似物形成的基膜上的具有室溫粘接性的粘合層。
在第三基板19的粘合層側(cè)上的表面(基膜側(cè)的表面)可涂覆有二氧化硅(硅石)粉末。即使在高溫和高濕的氣氛下，涂層也能保持耐水性。
第二基板18和第三基板19的任一個(gè)或兩者可具有透光性。此外，第二基板18和第三基板19的任一個(gè)或兩者可涂覆有導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料可充有靜電，保護(hù)被密封的薄膜集成電路13。第三基板19可涂覆有作為保護(hù)膜的薄膜，該薄膜含有作為主要成分的碳(金剛石狀碳膜)或?qū)щ姴牧先缪趸熷a(ITO)。
冷卻輥16是具有冷卻裝置的輥?zhàn)?，用以通過將薄膜集成電路13的一面貼到第二基板18的一面的方式將薄膜集成電路13與第一基板12分離。冷卻裝置對(duì)應(yīng)于冷卻介質(zhì)如冷卻水。薄膜集成電路13貼附到第二基板18并通過冷卻輥16使熔融狀態(tài)的第二基板冷卻固化的方式與第一基板12分離。因此，冷卻輥16相對(duì)于第一基板12設(shè)有薄膜集成電路13的一側(cè)設(shè)置。當(dāng)薄膜集成電路13到達(dá)冷卻輥16以下時(shí)，冷卻輥16可向下移動(dòng)以將第二基板18壓向薄膜集成電路13，從而更安全地在第二基板18和薄膜集成電路13之間進(jìn)行貼合。應(yīng)注意，根據(jù)以上結(jié)構(gòu)，第一基板12由傳送裝置11移動(dòng)，冷卻輥16固定；但本發(fā)明不限于此?？赏ㄟ^第一基板12固定的同時(shí)移動(dòng)冷卻輥16的方式將薄膜集成電路13與第一基板12分離。冷卻輥16呈圓柱狀，具有例如冷卻介質(zhì)如冷卻水可在內(nèi)部流動(dòng)的結(jié)構(gòu)，通過提供冷卻介質(zhì)如冷卻水進(jìn)行冷卻。冷卻輥16由樹脂材料、金屬材料等形成，優(yōu)選由軟材料形成。
當(dāng)一面貼到第二基板18的薄膜集成電路13到達(dá)層壓裝置17時(shí)，層壓裝置17在將第二基板19貼附到薄膜集成電路13的另一表面的同時(shí)將薄膜集成電路13密封在第二基板18和第三基板19之間。層壓裝置17包括彼此相對(duì)的輥?zhàn)?1和輥?zhàn)?2。薄膜集成電路13的另一面貼到從供應(yīng)輥15向輥?zhàn)?2提供的第三基板19，當(dāng)?shù)谌?9經(jīng)過輥?zhàn)?1和輥?zhàn)?2之間時(shí)利用輥?zhàn)?1和輥?zhàn)?2進(jìn)行加壓處理和熱處理之一或兩者。通過以上步驟，將薄膜集成電路13密封在第二基板18和第三基板19之間。
在采用熱層壓膜作為第二基板19的情況下，在層壓裝置17中所含的輥?zhàn)?2具有加熱裝置。加熱裝置對(duì)應(yīng)于例如具有加熱線圈的加熱器或加熱介質(zhì)如油。輥?zhàn)?2在加熱的同時(shí)施加壓力，從而將第三基板19貼到薄膜集成電路13和第二基板18，從而密封薄膜集成電路13。當(dāng)輥?zhàn)?2具有加熱裝置并且輥?zhàn)?1具有冷卻裝置時(shí)，由于從輥?zhàn)?1傳遞的熱量，迅速地冷卻和固化被輥?zhàn)?2加熱并熔化了其粘合層的第三基板19。因此，更安全地進(jìn)行密封。
在采用冷層壓膜作為第三基板19的情況下，輥?zhàn)?2不需要具有加熱裝置。通過由輥?zhàn)?2施加壓力將第三基板19貼到薄膜集成電路13和第二基板18，從而密封薄膜集成電路13。
輥?zhàn)?1和22根據(jù)冷卻輥16和供應(yīng)輥15旋轉(zhuǎn)的速度以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)。輥?zhàn)?1和22呈圓柱狀，由樹脂材料、金屬材料或類似材料形成，優(yōu)選由軟材料形成。
接收輥20是通過卷繞在第二基板18和第三基板19之間密封的薄膜集成電路13而接收它們的輥?zhàn)?。接收?0根據(jù)輥?zhàn)?1和22旋轉(zhuǎn)的速度以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)。接收輥20呈圓柱狀，由樹脂材料、金屬材料或類似材料形成，優(yōu)選由軟材料形成。
因此，根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，通過在設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路13的第一基板12上提供來自模具14的處于加熱和熔融狀態(tài)的第二基板，并旋轉(zhuǎn)冷卻輥16、供應(yīng)輥15、輥?zhàn)?2和接收輥20，可連續(xù)地進(jìn)行以下步驟分離在第一基板12上的多個(gè)薄膜集成電路13、密封分離的薄膜集成電路、并接收密封的薄膜集成電路。因此，根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)具備高生產(chǎn)率和制造效率。
接下來，參照?qǐng)D2描述具有與上述層壓系統(tǒng)不同結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)包括傳送裝置11，該裝置傳送設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路13的第一基板12；在加熱和熔融狀態(tài)下擠壓出的同時(shí)提供第二基板18的模具14；卷繞有第三基板19的供應(yīng)輥15；將在第一基板12上設(shè)置的薄膜集成電路13的一面貼到第二基板18、將薄膜集成電路13與第一基板12分離、并密封在第二基板18和第三基板19之間的薄膜集成電路13的層壓裝置37；卷繞密封的薄膜集成電路13的接收輥20。在這種結(jié)構(gòu)中，設(shè)置相對(duì)于冷卻輥16的輥?zhàn)?2，由冷卻輥16和輥?zhàn)?2構(gòu)成層壓裝置37，該結(jié)構(gòu)在這一點(diǎn)上與圖1所示的系統(tǒng)不同。換句話說，冷卻輥16還用作在圖1所示系統(tǒng)的層壓裝置17中所包含的輥?zhàn)?1。
因此，圖2所示的系統(tǒng)比圖1所示的系統(tǒng)節(jié)省更多的空間，在圖1所示的系統(tǒng)中冷卻輥16獨(dú)立于層壓裝置17設(shè)置。圖2所示的系統(tǒng)能夠在由冷卻輥16將薄膜集成電路13與第一基板12分離之后立即密封薄膜集成電路13。因此，該系統(tǒng)可防止在密封薄膜集成電路13之前出現(xiàn)的薄膜集成電路13的損壞和破裂，能夠增加產(chǎn)量。
在圖2所示的系統(tǒng)中，通過冷卻輥16將薄膜集成電路13的一面貼到第二基板18，薄膜集成電路13與第一基板12分離，薄膜集成電路13的另一面通過輥?zhàn)?2貼到第三基板19。此外，當(dāng)薄膜集成電路13經(jīng)過冷卻輥16和輥?zhàn)?2之間時(shí)，通過進(jìn)行加壓處理和熱處理之一或兩者，將薄膜集成電路13密封在第二基板18和第三基板19之間。
在采用熱層壓膜作為第三基板19的情況下，含在層壓裝置37中的輥?zhàn)?2具有加熱裝置。加熱裝置對(duì)應(yīng)于例如具有加熱線圈的加熱器或加熱介質(zhì)如油。通過由輥?zhàn)?2在加熱的同時(shí)施加壓力，將第三基板19貼到薄膜集成電路13和第二基板18，從而密封薄膜集成電路13。當(dāng)輥?zhàn)?2具有加熱裝置并且冷卻輥16相對(duì)于輥?zhàn)?2時(shí)，由于在采用冷卻輥16和輥?zhàn)?2密封時(shí)從冷卻輥16傳遞的熱量，迅速地冷卻并固化了由輥?zhàn)?2加熱并熔化了其表面層的第三基板19。因此，可更安全地進(jìn)行密封。當(dāng)薄膜集成電路13到達(dá)冷卻輥16以下時(shí)，冷卻輥16和輥?zhàn)?2可向下移動(dòng)，從而將第二基板18壓向薄膜集成電路13，從而更安全地進(jìn)行在第二基板18和薄膜集成電路13之間的貼合。
在采用冷層壓膜作為第三基板19的情況下，輥?zhàn)?2不需要具有加熱裝置。通過由輥?zhàn)?2施加壓力，將第三基板19貼到薄膜集成電路13和第二基板18，從而密封薄膜集成電路13。
根據(jù)以上操作，冷卻輥16和接收輥20設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)中，使得由模具14提供的第二基板依次經(jīng)過它們。設(shè)置輥?zhàn)?2和接收輥20，使得從供應(yīng)輥15提供的第三基板依次經(jīng)過它們。供應(yīng)輥15和輥?zhàn)?2按同一方向旋轉(zhuǎn)。
因此，根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，通過在設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路13的第一基板12上提供來自模具14的處于加熱和熔融狀態(tài)的第二基板，并旋轉(zhuǎn)冷卻輥16、供應(yīng)輥15、輥?zhàn)?1和22和接收輥20，可連續(xù)地進(jìn)行以下步驟分離在第一基板12上的多個(gè)薄膜集成電路13、密封分離的薄膜集成電路、并接收密封的薄膜集成電路。因此，根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)具備高生產(chǎn)率和制造效率。
根據(jù)圖1和2所示的系統(tǒng)，用于分離薄膜集成電路的第二基板在以加熱熔融狀態(tài)擠壓出的同時(shí)被提供。然而，第三基板可在以加熱熔融狀態(tài)擠壓出的同時(shí)被提供。參照?qǐng)D3描述其中具有在加熱熔融狀態(tài)下被擠出的同時(shí)提供的第三基板的結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)。
根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)包括卷繞有第二基板38的供應(yīng)輥29；固定和移動(dòng)第一基板12的固定和移動(dòng)裝置33；將薄膜集成電路13貼到第二基板38并將薄膜集成電路13與第一基板12的一面分離的分離裝置36；在加熱熔融狀態(tài)下擠出的同時(shí)提供第三基板39的模具44；將薄膜集成電路13密封在第二基板38和第三基板39之間的層壓裝置47；以及卷繞密封的薄膜集成電路13的接收輥20。此外，除了上述元件之外，還包括第一傳送裝置34和第二傳送裝置35。圖3所示的結(jié)構(gòu)具有圖1所示結(jié)構(gòu)的反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，并新設(shè)置有固定和移動(dòng)裝置33、第一傳送裝置34和第二傳送裝置35。
根據(jù)此系統(tǒng)，由第一傳送裝置34傳送由供應(yīng)輥29提供的第二基板38。第一基板12通過固定和移動(dòng)裝置33放置在第二基板38以上并壓向第二基板38，從而使在第一基板12上形成的薄膜集成電路13的一面貼到第二基板38。隨后，通過含在第一傳送裝置34中的分離裝置36將該薄膜集成電路13與第一基板12分離，通過第二傳送裝置35傳送分離了薄膜集成電路13之后的基板12。將貼到薄膜集成電路13的第二基板38提供到槽紋輥(crimping roller)41和含在層壓裝置47中的冷卻輥42之間。將第三基板39在從模具44以加熱熔融狀態(tài)擠出的同時(shí)提供到槽紋輥41和含在層壓裝置47中的冷卻輥42之間。通過冷卻在槽紋輥41和冷卻輥42之間引入的第二基板38和第三基板39并同時(shí)由槽紋輥41和冷卻輥42施加壓力，將第三基板39貼到薄膜集成電路13的另一面(薄膜集成電路13沒有貼到第二基板的一面)，薄膜集成電路13密封在第二基板38和第三基板39之間。最終，密封的薄膜集成電路13傳送至接收輥20，通過接收輥20卷繞并接收。
根據(jù)以上操作，含在第一傳送裝置34中的分離裝置36、含在層壓裝置47中的槽紋輥41、和接收輥20設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)中，從而使由供應(yīng)輥29提供的第二基板38依次經(jīng)過它們。分離裝置36和槽紋輥41按同一方向旋轉(zhuǎn)。設(shè)置第一傳送裝置34和第二傳送裝置35，使得第一基板12依次經(jīng)過它們。提供含在層壓裝置47中的冷卻輥42、和接收輥20，使得由模具44提供的第三基板39依次經(jīng)過它們。
固定和移動(dòng)裝置33具有固定第一基板12的功能，使得第一基板12設(shè)有薄膜集成電路12的表面(以下稱作第一基板的一表面)相對(duì)于第二基板38，固定和移動(dòng)裝置33還具有移動(dòng)第一基板12的功能以便將在第一基板12上形成的薄膜集成電路13貼到第二基板38。通過真空吸附方法或類似方法固定第一基板12。通過移動(dòng)固定和移動(dòng)裝置33移動(dòng)第一基板12。注意，固定和移動(dòng)裝置33可如圖所示那樣一個(gè)接一個(gè)的處理第一基板12，或者可以具有圓柱體或多面體如棱柱形狀。在采用具有圓柱體或棱柱體形狀的情況下，第一基板12固定到其側(cè)面，通過旋轉(zhuǎn)圓柱體或棱柱體移動(dòng)第一基板12。
第一傳送裝置34傳送第二基板38和在第二基板38上的設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路13的第一基板12。在第一傳送裝置34端部設(shè)置的分離裝置36將薄膜集成電路13的一面貼到第二基板38，并將薄膜集成電路13從第一基板12的一面分離。在圖中所示的結(jié)構(gòu)中，分離裝置36對(duì)應(yīng)于輥?zhàn)印５诙魉脱b置35傳送與薄膜集成電路13分離的第一基板12。
疊層膜用作第二基板38。疊層膜由樹脂材料形成，例如聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯或氯乙烯，從而具有多層?？稍谄浔砻嫔线M(jìn)行加工，如壓花。疊層膜包括熱層壓型和冷層壓型。
熱層壓膜包括在由聚酯或類似材料形成的基膜上由聚乙烯樹脂或類似材料形成的粘合層。粘合層由具有比基膜的軟化點(diǎn)更低的樹脂形成。因此，僅粘合層通過加熱熔化成橡膠態(tài)并通過冷卻固化。用于基膜的材料可以是PET(聚乙烯對(duì)苯二酸酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)等以及聚酯。用于粘合層的材料可以是聚乙烯、聚酯、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯共聚物)等以及聚乙烯樹脂。
冷層壓膜包括在由例如聚酯、氯乙烯或類似物形成的基膜上的具有室溫粘接性的粘合層。
相對(duì)于第二基板38的粘合層的表面(基膜側(cè)的表面)可涂覆有二氧化硅(硅石)粉末。即使在高溫和高濕的氣氛下，涂層也能保持耐水性。
在熱層壓膜用作第二基板的情況下，第一傳送裝置具有加熱裝置。在此情況下，當(dāng)含在第一傳送裝置34中的分離裝置36具有冷卻裝置時(shí)，通過分離裝置36迅速地冷卻并固化了其表面層被含在第一傳送裝置34中的加熱裝置加熱并熔化了的第二基板38。于是，可將薄膜集成電路13貼到第二基板并可與第一基板12分離。注意，可在第一傳送裝置34的分離裝置36之前設(shè)置冷卻裝置。
熱塑性樹脂可用于第三基板39。用于第三基板39的熱塑性樹脂優(yōu)選具有低的軟化點(diǎn)。例如，可以采用聚烯烴基樹脂如聚乙烯、聚丙烯或聚甲基戊烯；乙烯基共聚物，如氯乙烯、醋酸乙烯、氯乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物、偏二氯乙烯、聚乙烯醇縮丁醛或聚乙烯醇；丙烯基樹脂；聚酯基樹脂；聚氨酯基樹脂；纖維素基樹脂，如纖維素、纖維素乙酸酯、纖維素乙酸丁酸酯、纖維素乙酸丙酸酯或乙基纖維素；苯乙烯基樹脂，如聚苯乙烯或丙烯腈-苯乙烯共聚物。應(yīng)注意，第三基板可以是從模具44擠壓出的單層或從模具44共同擠壓出的兩或多層。
第二基板38和第三基板39的任一個(gè)或兩者可具有透光性。此外，第二基板18和第三基板19的任一個(gè)或兩者可涂覆有導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料可充有靜電，保護(hù)被密封的薄膜集成電路13。第二基板38可涂覆有作為保護(hù)膜的薄膜，該薄膜含有作為主要成分的碳(金剛石狀碳膜)或?qū)щ姴牧先缪趸熷a(ITO)。
在薄膜集成電路13與第一基板12分離之后，在將第三基板從模具44以加熱熔融態(tài)擠出的同時(shí)供應(yīng)該第三基板，第三基板39通過層壓裝置47貼到薄膜集成電路12的另一面上(沒有貼到第二基板38的表面)，將薄膜集成電路13密封在第二基板38和第三基板39之間。隨后，由接收輥20接收密封的薄膜集成電路13。
根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，通過旋轉(zhuǎn)第一傳送裝置34、第二傳送裝置35、供應(yīng)輥29、槽紋輥41、冷卻輥42和接收輥20，連續(xù)地進(jìn)行以下步驟分離在第一基板12上的多個(gè)薄膜集成電路13、密封分離的薄膜集成電路、以及接收密封的薄膜集成電路。因此，根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)具有高生產(chǎn)率和制造效率。
接下來，參照?qǐng)D4描述層壓系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)。這里，描述具有圖1所示結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。注意，相同的參考標(biāo)記表示圖4中與圖1相同的元件。
第一盒子23是用于供應(yīng)基板的盒子，在其中設(shè)置有第一基板12，第一基板12設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路13。第二盒子24是用于接收基板的盒子，在其中設(shè)置與薄膜集成電路13分離后的第一基板12。在第一盒子23和第二盒子24之間設(shè)置作為傳送裝置的多個(gè)輥?zhàn)?5至27。通過旋轉(zhuǎn)輥?zhàn)?5至27傳送第一基板12。雖然圖4中示出了利用三個(gè)輥?zhàn)拥那闆r，但是不用說，輥?zhàn)拥臄?shù)量不限于此。此后，正如前面在描述圖1的層壓系統(tǒng)中所描述的那樣，薄膜集成電路13與第一基板12分離并密封，由切割裝置28切割密封的薄膜集成電路13。切割裝置28可采用小塊切割系統(tǒng)、劃線系統(tǒng)、激光照射設(shè)備(特別是，CO2激光照射設(shè)備)等。通過以上步驟完成密封的薄膜集成電路13。
在圖1至4所示的結(jié)構(gòu)中，在第一基板12上設(shè)置的薄膜集成電路13各包括多個(gè)元件的元件組和用作天線的導(dǎo)電層。然而，本發(fā)明不限于此。在第一基板12上設(shè)置的薄膜集成電路13可僅包括元件組。用作天線的導(dǎo)電層可貼到第三基板19，含在薄膜集成電路13中的多個(gè)元件可在將薄膜集成電路13貼到第三基板19的過程中連接到導(dǎo)電層。
(實(shí)施方式2)描述根據(jù)本發(fā)明的IC片(也稱作IC膜、片體或膜體)的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的IC片是用第二基板18和第三基板19密封多個(gè)薄膜集成電路13每一個(gè)的兩表面、并卷繞成輥狀的結(jié)構(gòu)(參見圖13中的IC片的橫截面圖)。多個(gè)薄膜集成電路13的每一個(gè)具有多個(gè)元件和用作天線的導(dǎo)電層。多個(gè)薄膜集成電路13的每一個(gè)規(guī)則排列。
如上所述，含有密封在一對(duì)基板之間的多個(gè)薄膜集成電路13的板狀I(lǐng)C片便于運(yùn)輸。特別是，在運(yùn)輸大量薄膜集成電路13的情況下是有利的。此外，多個(gè)薄膜集成電路13在分開時(shí)難以處理；但由本發(fā)明提供的IC片具有板狀，因此易于處理，能防止薄膜集成電路13的破裂和損壞。
(實(shí)施方式3)描述根據(jù)本發(fā)明的IC片卷(也稱作卷繞體、輥體、卷繞物等)的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的IC片卷是卷繞基板，具體而言，密封多個(gè)薄膜集成電路13每一個(gè)的第二基板18和第三基板19、并將它們纏繞成卷狀(參見圖12A中的IC片卷的橫截面圖和圖12B中的IC片卷的示意圖)。多個(gè)薄膜集成電路13的每一個(gè)具有多個(gè)元件和用作天線的導(dǎo)電層。多個(gè)薄膜集成電路13規(guī)則排列。
如上所述，含有密封在一對(duì)基板之間的多個(gè)薄膜集成電路13的IC片卷便于運(yùn)輸。特別是，在運(yùn)輸大量薄膜集成電路13的情況下是有利的。此外，多個(gè)薄膜集成電路13在分開時(shí)難以處理；但由本發(fā)明提供的IC片卷處于卷繞狀態(tài)。因此，易于處理，能防止薄膜集成電路13的破裂和損壞。
(實(shí)施方式4)參照附圖描述用于制造根據(jù)本發(fā)明的IC芯片的方法。首先，在第一基板100上形成隔離層101至103(圖5A)。第一基板100對(duì)應(yīng)于玻璃基板、石英基板、塑料基板、由撓性合成樹脂如丙烯酸的形成的樹脂基板、金屬基板、硅基板等。注意，在采用硅基板的情況下，不需要設(shè)置隔離層。隔離層101至103是由濺射、等離子CVD或類似方法形成的含硅層。含硅層對(duì)應(yīng)于非晶半導(dǎo)體層、非晶態(tài)和晶態(tài)混合而成的半非晶半導(dǎo)體層、晶體半導(dǎo)體層、或含硅的類似材料層。
隔離層101至103分別通過現(xiàn)有方法(如濺射或等離子CVD)、由選自鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)和硅(Si)的元素或含有上述元素作為主要成分的合金材料或化合物材料的層形成。隔離層分別具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
隔離層101至103選擇性地形成在第一基板100之上。圖8中示出了其頂視圖。圖5A和5B各表示沿圖8中的線A-B取向的截面圖。進(jìn)行這種選擇性形成以便防止在去除了隔離層101至103之后在隔離層101至103上設(shè)置的多個(gè)薄膜集成電路112散開。
接下來，在隔離層101至103上形成基底絕緣膜104。隨后，在絕緣膜104上形成元件組105。元件組105包括一個(gè)或多個(gè)以下元件薄膜晶體管、電容器、電阻器、二極管等。圖5A和5B表示具有GOLD結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管形成為元件組105的例子；然而，可通過在柵極的側(cè)面提供側(cè)壁的方式形成具有LDD結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。接下來，形成絕緣膜108以覆蓋元件組105，在絕緣膜108上形成絕緣膜109。在絕緣膜109上形成用作天線的導(dǎo)電層110。此外，在導(dǎo)電層110上形成用作保護(hù)膜的絕緣膜111。通過以上步驟，完成包括元件組105和導(dǎo)電層110的薄膜集成電路112。
絕緣膜108、109和111由有機(jī)材料或無機(jī)材料形成。聚酰亞胺、丙烯酸樹脂、聚酰胺、硅氧烷、環(huán)氧樹脂等用作有機(jī)材料。硅氧烷包括由硅(Si)氧(O)鍵形成的骨架，至少含有氫(例如，烷基或芳香族碳?xì)浠衔?或氟基的有機(jī)基團(tuán)用作取代基，或者至少含有氫和氟基的有機(jī)基團(tuán)用作取代基。氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅(silicon nitride oxide)等用作無機(jī)材料。
代替選擇性地形成隔離層101至103的方式，絕緣膜111可具有防止薄膜集成電路112散開的厚度。當(dāng)絕緣膜111比正常厚度更厚時(shí)，由于絕緣膜111的重量，因此可防止薄膜集成電路112散開。
接著，在相鄰的薄膜集成電路112之間選擇性地形成開口114至117，從而露出隔離層101至103(圖5B)。通過掩?？涛g、切割、激光照射或類似方式形成開口114至117。
隨后，將用于去除隔離層101至103的刻蝕劑引入開口114至117，以使隔離層101至103逐步減少，由此去除它們(圖6A)。含有鹵代氟化物的氣體或液體用作刻蝕劑。例如，采用三氟化氯(CIF3)作為鹵代氟化物。
作為選擇，三氟化碳(NF3)、三氟化溴(BrF3)或氟化氫(HF)用作鹵代氟化物。注意，在將含硅層形成為隔離層的情況下采用氟化氫。
如上所述，隔離層101至103選擇性地形成于此；因此，在除掉隔離層101至103之后，一部分絕緣膜104與第一基板100接觸。因此，能夠防止薄膜集成電路112散開。接著，薄膜集成電路112的一面貼到第二基板121。于是，薄膜集成電路112與第一基板100分離。
在以上步驟中，一部分絕緣膜104留在第一基板100上；但本發(fā)明不限于此。當(dāng)在第一基板100和絕緣膜104之間的粘接性差的情況下，通過進(jìn)行以上步驟，在某些情況下絕緣膜104完全與第一基板100分離。
接著，薄膜集成電路112的另一面貼到第三基板122，薄膜集成電路112密封在第二基板121和第三基板122之間(圖6B)。因此，薄膜集成電路112密封在第二基板121和第三基板122之間。
通過小片切割、劃線或激光切割的方式切割在薄膜集成電路112之間的一部分第二基板121和第三基板122。因此，完成了密封的IC芯片(圖7A和7B)。
通過以上步驟完成的密封的IC芯片是邊長(zhǎng)5毫米或更小的正方形(25mm2)、優(yōu)選為邊長(zhǎng)為0.3毫米的正方形(0.09mm2)至邊長(zhǎng)4毫米的正方形(16mm2)。
由于在沒有采用硅基板的情況下將在絕緣基板上形成的薄膜集成電路用作根據(jù)本發(fā)明的IC芯片，因此與由圓形硅晶片形成的芯片相比，這里對(duì)于母基板的形狀限制很少。這增加了IC芯片的導(dǎo)電性，能夠大批量的生產(chǎn)IC芯片。因此，可減少IC芯片的成本。此外，厚度為0.2μm或更少、典型為40nm-170nm、優(yōu)選為50nm-150nm的半導(dǎo)體膜用于根據(jù)本發(fā)明的IC芯片；因此，與由硅基板形成的芯片相比，該IC芯片非常薄。結(jié)果，即使安裝在物品上時(shí)，幾乎沒有注意到薄膜集成電路的存在，形成了防偽保護(hù)。此外，與由硅基板形成的IC芯片相比，根據(jù)本發(fā)明的IC芯片可以在沒有電磁波吸收的情況下接收具有高靈敏度的信號(hào)。在沒有采用硅基板的情況下，薄膜集成電路可具有透光性。因此，根據(jù)本發(fā)明的IC芯片可應(yīng)用于各種物品；例如，可以在不破壞設(shè)計(jì)的情況下安裝在印刷品表面。該實(shí)施方式可與以上的任意一個(gè)實(shí)施方式自由組合。
利用根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)形成的IC芯片包括多個(gè)元件和用作天線的導(dǎo)電層。多個(gè)元件對(duì)應(yīng)于例如薄膜晶體管、電容器、電阻器、二極管等。
IC芯片210具有在不接觸的情況下傳輸數(shù)據(jù)的功能并由各種電路構(gòu)成。IC芯片210設(shè)置有例如電源電路211、時(shí)鐘發(fā)生器電路212、數(shù)據(jù)解調(diào)/調(diào)制電路213、控制電路214(例如對(duì)應(yīng)于CPU或MPU)、接口電路215、存儲(chǔ)器216、數(shù)據(jù)總線217、天線(也稱作天線線圈)218等(圖9)。
電源電路211是以由天線218輸入的AC信號(hào)為基礎(chǔ)產(chǎn)生供應(yīng)到以上各電路的各種電源的電路。時(shí)鐘發(fā)生器電路212是以從天線218輸入的AC信號(hào)為基礎(chǔ)產(chǎn)生供應(yīng)到以上各電路的各種信號(hào)的電路。數(shù)據(jù)解調(diào)/調(diào)制電路213具有在與讀出器/寫入器219通信中解調(diào)/調(diào)制數(shù)據(jù)的功能?？刂齐娐?14對(duì)應(yīng)于例如中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU)等并具有控制其它電路的功能。天線218具有發(fā)送和接收電磁場(chǎng)或電波的功能。讀出器/寫入器219控制針對(duì)與薄膜集成電路的薄膜集成電路控制通信的過程，和薄膜集成電路的數(shù)據(jù)。
注意，構(gòu)成薄膜集成電路的電路結(jié)構(gòu)不限于以上結(jié)構(gòu)。例如，可采用具有另一元件的結(jié)構(gòu)，例如，電源電壓的限制器電路或用于密碼處理的硬件。
利用根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)制造的IC芯片用途廣泛。例如，IC芯片可用在紙幣、硬幣、有價(jià)證券、無記名支票、證書(例如，駕照或身份證(圖10A))、裝運(yùn)貨物的箱子(例如包裝紙或瓶子(圖10B))、存儲(chǔ)介質(zhì)(例如DVD或錄像帶(圖10C))、車輛(例如自行車(圖10D))、個(gè)人財(cái)物(例如皮包或眼鏡(圖10E))、食品、衣物、日用品、電子器件等中。電子器件包括液晶顯示器、EL顯示器、電視機(jī)(也稱作TV或電視接收機(jī))、無線電話等。
通過將IC芯片貼到物品的表面、放在物品內(nèi)等方式將其固定到物品上。例如，IC芯片可放在書的紙中，或由有機(jī)樹脂形成的封裝的有機(jī)樹脂中。為紙幣、硬幣、有價(jià)證券、無記名支票、證書等提供IC芯片能夠防偽。此外，為裝運(yùn)貨物的箱子、存儲(chǔ)介質(zhì)、個(gè)人財(cái)物、日用品、電子器件等提供IC芯片能夠提高檢查系統(tǒng)、收費(fèi)商店用系統(tǒng)等的效率。為車輛提供IC芯片能夠防偽或防盜。
此外，IC芯片可用于日用品管理和日用品分配的系統(tǒng)，由此提高系統(tǒng)的功能性。例如，包括顯示區(qū)294的便攜式終端的側(cè)面設(shè)置有讀出器/寫入器295，物品297的側(cè)面設(shè)置有IC芯片296(圖11A)。在這種情況下，當(dāng)IC芯片296放在讀出器/寫入器295上時(shí)，物品297的信息如原材料、產(chǎn)地、分配歷史等信息就顯示在顯示區(qū)294上。作為選擇，可在傳送帶的側(cè)面設(shè)置讀出器/寫入器305(圖11B)。在這種情況下，利用在物品397側(cè)面上設(shè)置的IC芯片306，可容易地檢查物品397。
權(quán)利要求
1.一種層壓系統(tǒng)，包括用于傳送設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板的裝置；用于在加熱和熔融狀態(tài)下擠壓出熱塑性樹脂的同時(shí)在第一基板上提供熱塑性樹脂的裝置；具有冷卻裝置的輥?zhàn)?，該輥?zhàn)訉⒈∧ぜ呻娐返囊幻尜N到由熱塑性樹脂形成的第二基板上并通過冷卻在加熱和熔融狀態(tài)下提供的熱塑性樹脂將薄膜集成電路與第一基板分離；卷繞有第三基板的供應(yīng)輥；用于在第二基板和第三基板之間密封與第一基板分開了的薄膜集成電路的裝置；和卷繞密封的薄膜集成電路的接收輥。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的層壓系統(tǒng)，其中第二基板和第三基板分別是疊層膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)印?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求1的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)樱谝惠佔(zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又械闹辽僖粋€(gè)具有加熱裝置和冷卻裝置至少之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置通過在使薄膜集成電路經(jīng)過彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又g的同時(shí)進(jìn)行加壓處理和熱處理之一或兩者的方式密封薄膜集成電路。
6.一種層壓系統(tǒng)，包括用于在加熱和熔融狀態(tài)下擠壓出熱塑性樹脂的同時(shí)在第一基板上提供熱塑性樹脂的裝置；具有冷卻裝置的輥?zhàn)?，該輥?zhàn)訉⒈∧ぜ呻娐返囊幻尜N到由熱塑性樹脂形成的第二基板上并通過冷卻在加熱和熔融狀態(tài)下提供的熱塑性樹脂將薄膜集成電路與第一基板分離；卷繞有第三基板的供應(yīng)輥；用于在第二基板和第三基板之間密封與第一基板分開的薄膜集成電路的裝置；和卷繞密封的薄膜集成電路的接收輥。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的層壓系統(tǒng)，其中第二基板和第三基板分別是疊層膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)印?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求6的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)?，第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又械闹辽僖粋€(gè)具有加熱裝置和冷卻裝置至少之一。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置通過在使薄膜集成電路經(jīng)過彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又g的同時(shí)進(jìn)行加壓處理和熱處理之一或兩者的方式密封薄膜集成電路。
11.一種層壓系統(tǒng)，包括用于傳送設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板的裝置；用于在加熱和熔融狀態(tài)下擠壓出熱塑性樹脂的同時(shí)在第一基板上提供熱塑性樹脂的裝置；卷繞有第三基板的供應(yīng)輥；用于通過冷卻在加熱和熔融狀態(tài)下提供的熱塑性樹脂并將薄膜集成電路的一面貼到由熱塑性樹脂形成的第二基板上的方式將薄膜集成電路與第一基板分離、從而將與第一基板分離的薄膜集成電路密封在第二基板和第三基板之間的裝置；和卷繞密封的薄膜集成電路的接收輥。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的層壓系統(tǒng)，其中第二基板和第三基板分別是疊層膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)印?br> 14.根據(jù)權(quán)利要求11的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)?，第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又械闹辽僖粋€(gè)具有加熱裝置和冷卻裝置至少之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置通過在使薄膜集成電路經(jīng)過彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又g的同時(shí)進(jìn)行加壓處理和熱處理之一或兩者的方式密封薄膜集成電路。
16.一種層壓系統(tǒng)，包括設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板；卷繞有第二基板的供應(yīng)輥；用于傳送第二基板的裝置；用于在第二基板上放置第一基板從而使在第一基板上設(shè)置的薄膜集成電路的一面貼到第二基板上的裝置；用于通過將薄膜集成電路的一面貼到第二基板上并分離的方式將薄膜集成電路與第一基板分離的裝置；用于在加熱和熔融狀態(tài)下提供熱塑性樹脂的裝置；用于在第二基板和由熱塑性樹脂形成的第三基板之間密封與第一基板分開的薄膜集成電路的裝置；和卷繞密封的薄膜集成電路的接收輥。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的層壓系統(tǒng)，其中第二基板和第三基板分別是疊層膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)印?br> 19.根據(jù)權(quán)利要求16的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)?，第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又械闹辽僖粋€(gè)具有加熱裝置和冷卻裝置至少之一。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置通過在使薄膜集成電路經(jīng)過彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又g的同時(shí)進(jìn)行加壓處理和熱處理之一或兩者的方式密封薄膜集成電路。
21.一種用于制造IC芯片的方法，包括以下步驟在具有絕緣表面的第一基板上形成隔離層；在第一基板上形成多個(gè)薄膜集成電路；在薄膜集成電路之間的邊界處形成開口以露出隔離層；將含有鹵代氟化物的液體或氣體引入開口以去除隔離層；將薄膜集成電路的一面貼到第二基板以將薄膜集成電路與第一基板分離；將薄膜集成電路的另一面貼到第三基板；以及將薄膜集成電路密封在第二基板和第三基板之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的用于制造IC芯片的方法，其中在第一基板上形成作為薄膜集成電路的多個(gè)薄膜晶體管和用作天線的導(dǎo)電層。
23.一種用于制造IC芯片的方法，包括步驟傳送設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板；在第一基板上提供熱塑性樹脂；將薄膜集成電路的一面貼到由熱塑性樹脂形成的第二基板上；將薄膜集成電路與第一基板分離；提供第三基板；以及將與第一基板分離的薄膜集成電路密封在第二基板和第三基板之間。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的用于制造IC芯片的方法，其中在第一基板上形成作為薄膜集成電路的多個(gè)薄膜晶體管和用作天線的導(dǎo)電層。
25.一種層壓系統(tǒng)，包括用于傳送設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板的裝置；用于在第一基板上提供熱塑性樹脂的模具；將薄膜集成電路的一面貼到由熱塑性樹脂形成的第二基板并通過冷卻以加熱熔融態(tài)供應(yīng)的熱塑性樹脂而將薄膜集成電路與第一基板分離的輥?zhàn)?；卷繞有第三基板的供應(yīng)輥；用于在第二基板和第三基板之間密封與第一基板分開的薄膜集成電路的裝置；和卷繞密封的薄膜集成電路的接收輥。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的層壓系統(tǒng)，其中第二基板和第三基板分別是疊層膜。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)印?br> 28.根據(jù)權(quán)利要求25的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置包括彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)?，第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又械闹辽僖粋€(gè)具有加熱裝置和冷卻裝置至少之一。
29.根據(jù)權(quán)利要求25的層壓系統(tǒng)，其中該密封裝置通過在使薄膜集成電路經(jīng)過彼此相對(duì)的第一輥?zhàn)雍偷诙佔(zhàn)又g的同時(shí)進(jìn)行加壓處理和熱處理之一或兩者的方式密封薄膜集成電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種層壓系統(tǒng)，其中，用于密封薄膜集成電路的第二和第三基板之一在以加熱熔融態(tài)擠壓出的同時(shí)提供給具有多個(gè)薄膜集成電路的第一基板，其它輥?zhàn)佑糜诠?yīng)其它基板、接收IC芯片、分離和密封。通過旋轉(zhuǎn)輥?zhàn)涌蛇B續(xù)地進(jìn)行以下步驟分離在第一基板上設(shè)置的薄膜集成電路；密封分離的薄膜集成電路；和接收密封的薄膜集成電路。因此，極大地提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)H01L21/56GK1722393SQ20051008462
公開日2006年1月18日 申請(qǐng)日期2005年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月16日
發(fā)明者渡邊了介, 高橋秀和, 鶴目卓也, 荒井康行, 渡邊康子, 樋口美由紀(jì) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所