專利名稱：光電式編碼器的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及用于精密測定的光電式編碼器(photoelectritric encoder)。
背景技術(shù)：
以往，在直線位移和角度位移等的精密測定中使用光電式編碼器(以下，有時也稱為‘編碼器’)。編碼器被裝載在三維測定儀或圖像測定儀等上。編碼器由光源、包含光學格子的標尺、以及可與光源一起相對標尺相對移動地配置的光接收部構(gòu)成。光接收部包括例如四個光接收元件(例如光電二極管(photodiode))、以及對應各光接收元件的光接收面配置的彼此相位不同的四個標定格子(index grating)。
下面簡單說明編碼器的動作。使光源與光接收部一起相對于標尺相對移動，同時，將來自光源的光通過包含標尺的光學格子的光學系統(tǒng)照射到光接收部的四個標定格子。即，使光接收部的標定格子相對于標尺的光學格子相對移動，同時將來自光源的光照射到標尺的光學格子所生成的干涉條紋(明暗圖形)照射到光接收部的標定格子。由此，生成光的強弱正弦波狀地變化的四個光信號。這些光信號有相互不同的相位。利用這些光信號被對應各相位的光接收元件接收并進行光電變換產(chǎn)生的電信號來測定直線等的位移量。
相位不同的四個光信號是A相(0度)的光信號、相位比A相偏移90度的B相(90度)的光信號、相位比A相偏移180度的AA相(180度)的光信號和相位比A相偏移270度的BB相(270度)的光信號。使用A相和B相的原因是，為了根據(jù)前面檢測出的是A相還是B相，來判斷光接收部的相對移動的方向。此外，除了A相和B相的光信號以外，使用將它們反轉(zhuǎn)的AA相和BB相的光信號的原因是，為了(1)除去包含在A相和B相的光信號中的直流分量，(2)確保光信號的可靠性和(3)確保高速跟蹤性。
只要有不同相位的對應多個光信號的數(shù)量的光接收元件，在原理上就可進行測定。因此，在相位不同的四個光信號的情況下，有四個光接收元件就可以。這種第1類型(type)的編碼器被公開在例如國際公開第01/31292號分冊上(說明書第5頁第19行～第6頁第7行，圖5)。
可是，因光源的光強度分布和標尺面的污跡等原因，有時光量會產(chǎn)生偏差。根據(jù)上述類型，各相位的光信號分別在一個部位檢測，所以容易受到光量偏差的影響。例如，在A相用的光接收元件的配置部位與其他光接收元件的配置部位相比照射的光的強度弱時，由于A相的輸出弱，所以測定精度下降。
因此，有如下第2類型的編碼器，即，通過將光接收元件細分排列成陣列(array)狀，使其兼?zhèn)錁硕ǜ褡拥墓δ埽M一步將A相用的光接收元件、B相用的光接收元件、AA相用的光接收元件、BB相用的光接收元件作為一組(set)，沿編碼器的測定軸方向，將多個組陣列狀地配置。這種類型被公開在例如特開平7-151565號公報( 段，圖4)中。由此，由于將檢測各相位的光信號的部位分散在寬范圍內(nèi)，可以減小光量偏差(unevenness)的影響(以下，將其稱為‘平均效應(averaging effect)’)。而且，為了進一步提高平均效應，還有除了測定軸方向(x方向)以外，沿y方向配置了多組的第3類型的編碼器。這種類型被公開在例如國際公開第01/31292號分冊上(說明書第21頁第6行～第22頁第23行，圖16)。
提高平均效應在提高測定精度上十分重要。但是，如果簡單地提高平均效應，則產(chǎn)生編碼器的應答速度下降的問題。有關(guān)這個問題，下面詳細地說明。
光電二極管這樣的光接收元件具有將n型半導體層和p型半導體層接合成結(jié)的結(jié)構(gòu)。如果這種結(jié)的電容增大，則編碼器的應答速度下降。因此，結(jié)電容的增加對編碼器的性能產(chǎn)生不良影響。光接收元件的結(jié)電容與光接收面的面積和光接收面的周圍(邊緣)的長度有相關(guān)關(guān)系。即，如果面積和周圍的長度增大，則結(jié)電容增加，如果面積和周圍的長度變小，則結(jié)電容減小。
在上述第2和第3類型中，即使合計的光接收面的面積與第1類型的面積相同，由于光接收元件的數(shù)目比第1類型多，所以周圍長度的合計增大。因此，第2和第3類型與第1類型相比其結(jié)電容增大，所以編碼器的應答速度下降。如以上那樣，在現(xiàn)有技術(shù)中，如果提高平均效應，則光接收元件的結(jié)電容增加，相反，如果降低光接收元件的結(jié)電容，則平均效應減小。
當為更加精密的測定而使標尺的光學格子窄縫(pitch)化時，于此相對，光接收元件也必須窄縫化。因此，必須配置多個減小光接收面的寬度的光接收元件。為了通過光電變換得到測定所需的強度的電信號，合計的光接收面的面積必須為一定量。因此，當光接收元件窄縫化時，由于光接收元件的數(shù)量增加，故合計的光接收面周圍的長度也增大，同時，合計的多個光接收元件的結(jié)電容增大。因此，當標尺的光學格子窄縫化時，就不能忽視編碼器的應答速率降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這種問題而開發(fā)的，其目的在于提供一種光電式編碼器，其可同時提高平均效應及減小光接收元件的結(jié)電容。
本發(fā)明的光電式編碼器包括光源；標尺，其包括被來自光源的光照射的第1光學格子；光接收部，與所述標尺間隔配置，可相對移動，其包括光接收元件，所述光接收元件具有入射基于照射在所述第1光學格子的光所生成的光信號的光接收面，利用在和所述第1光學格子對向的面上二維地配置的多個所述光接收元件檢測相位不同的多個光信號；其特征在于，所述光接收面的形狀是六邊形。
根據(jù)本發(fā)明的光電式編碼器，由于光接收元件的光接收面的形狀是六邊形，所以與方形的光接收面相比，可增加相鄰配置的光接收面的數(shù)量。由此，可提高平均效應，可實現(xiàn)高精度的測定。另外，在光接收面的面積相同時，六邊形光接收面的形狀和方形光接收面的形狀相比，可減小光接收面周圍(邊緣)的長度，所以可使光接收元件的結(jié)電容減小。其結(jié)果可提高光電式編碼器的應答速度。
在本發(fā)明的光電式編碼器中，可使多個光接收元件中相鄰的光接收元件檢測的光信號的相位不同。這樣，可將檢測相同相位的光接收元件分散。換言之，可將檢測不同相位的信號的光接收元件相互靠近。因此，即使光信號的強度不均勻，由于該影響平均施加在接收不同相位信號的光接收元件上，也可以降低由相位間的光信號強度的偏差引起的測定誤差。
在本發(fā)明的光電式編碼器中，多個光接收元件可采用形成具有這些光接收面上配置的遮光部的第2光學格子的光接收芯片。由此，即使為了降低光接收元件的結(jié)電容而增大光接收面的面積，由于配置有第2光學格子，也可以高精度地測定。
在本發(fā)明的光電式編碼器中，光接收芯片可包括接觸部，其在導電性遮光部下方連接到該遮光部上，同時和光接收面接觸；光接收元件的布線，其和遮光部連接。由此，可通過兼作將第2光學格子的遮光部連接在光接收元件上的布線來防止光接收面的有效光接收面積減小。


圖1是表示第1實施方式的光電式編碼器的概略結(jié)構(gòu)的圖；圖2是示意地表示從圖1的第1光學格子側(cè)觀察的光接收芯片的一部分的平面圖；圖3是從III(a)-III(b)剖面觀察圖2的光接收芯片的示意圖；圖4是示意地表示比較例的光電式編碼器中具有的光接收芯片的一部分的平面圖；圖5是顯示具有和正六邊形相同面積的方形的周圍(邊緣)長度的曲線圖；圖6是示意地表示第1實施方式的光接收芯片變形例的一部分的平面圖；圖7是顯示第1實施方式的光接收面與將利用該光接收面檢測的光信號光電變換產(chǎn)生的電信號強度的關(guān)系的曲線圖；圖8是示意地表示在第2實施方式的光電式編碼器中配有的光接收芯片的一部分的平面圖；圖9是從IX(a)-IX(b)剖面觀察圖8的光接收芯片的示意圖；圖10是示意地表示第2實施方式第1變形例的光接收芯片的一部分的平面圖；圖11是示意地表示第2實施方式第2變形例的光接收芯片的一部分的平面圖；圖12是示意地表示第2實施方式第3變形例的光接收芯片的一部分的平面圖；圖13是示意地表示第2實施方式第4變形例的光接收芯片的一部分的平面圖；圖14是示意地表示在第3實施方式的光電式編碼器中配有的一個光接收面和第2光學格子的配置關(guān)系的平面圖；圖15是從XV(a)-XV(b)剖面觀察圖14顯示的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖16是示意地表示在第2實施方式的光電式編碼器中配有的一個光接收面和第2光學格子的配置關(guān)系的平面圖；圖17是從XVII(a)-XVII(b)剖面觀察圖16顯示的結(jié)構(gòu)的示意圖；具體實施方式
以下，參照

本發(fā)明的光電式編碼器的第1～第3實施方式。再有，在說明第2及第3實施方式的圖中，對與已說明的實施方式的標號表示的部分相同的部分，附以同一標號省略說明。
第1實施方式圖1是表示第1實施方式的光電式編碼器1的概略結(jié)構(gòu)的圖。本實施方式以在光接收部中包括的光接收芯片的結(jié)構(gòu)為主要特征，作為其理解的前提，說明光電式編碼器1。首先，說明編碼器1的結(jié)構(gòu)。編碼器1由發(fā)光二極管(LED(light emitting diode))3、按靠近它的順序配置的標尺5和光接收部7構(gòu)成。
發(fā)光二極管3是光源的一例，將來自二極管3的光L照射到標尺5上。標尺5含有由玻璃等透明材料構(gòu)成的長的透明襯底9。在圖1中，表示其一部分。第1光學格子11形成在透明襯底9的與面對發(fā)光二極管3側(cè)的面相反側(cè)的面上。第1光學格子11含有以規(guī)定的間隔線性配置的多個遮光部13。各遮光部13向圖面的進深方向延長。遮光部13由金屬(例如鉻)等構(gòu)成。
光接收部7與標尺5間隔配置。光接收部7含有位于標尺5側(cè)的光接收芯片15和搭載它的電路襯底17。在光接收芯片15內(nèi)形成未圖示的多個光電二極管(以下，有時將‘光電二極管’記載為‘PD’)。這些PD的各光接收面朝向第1光學格子11側(cè)。PD是光接收元件的一例。作為光接收元件，也可以使用光電晶體管(phototransisrtor)來取代PD。在電路襯底17中搭載有運算用的IC芯片19。IC芯片19根據(jù)光接收芯片15的多個PD檢測出的光信號來執(zhí)行位移量的運算。
光接收部7與發(fā)光二極管3被一起安裝在支架(holder)21上。支架21可在圖中X所示的標尺5的縱向方向上移動。即，光電式編碼器1通過相對于固定的標尺5移動支架21，來測定位移量。因此，X方向為測定軸(以下，將X方向作為‘測定軸X’)。再有，在將發(fā)光二極管3和光接收部7固定，使標尺5移動來測定位移量的類型中，也可以采用本發(fā)明。因此，包含光接收芯片15的光接收部7配置為可與發(fā)光二極管3一起相對于標尺5在測定軸X方向上相對移動。
下面，簡單地說明光電式編碼器1的測定動作。在從發(fā)光二極管3將光L照射到標尺5的第1光學格子11上時，通過第1光學格子11在光接收芯片15上產(chǎn)生明暗圖形。該明暗圖形被照射到光接收芯片15上。在這種狀態(tài)下，由光接收芯片15上形成的各光電二極管(PD)檢測通過沿測定軸X移動支架21產(chǎn)生的明暗圖形的變化(正弦波狀的光信號)。即，A相(0度)的光信號、相位比A相偏移90度的B相(90度)光信號、相位比A相偏移180度的AA相(180度)的光信號和相位比A相偏移270度的BB相(270度)的光信號分別由對應的PD檢測。這樣，各PD接收相位不同的多個光信號中被分配的相位的光信號。
由各光信號產(chǎn)生的電信號被送到IC芯片19。在IC芯片19中，在對A相和B相進行規(guī)定的處理(除去直流分量等)后，根據(jù)處理后的A相和B相來運算位移量。將其結(jié)果輸出到未圖示的顯示部。以上是光電式編碼器1的動作。
第1實施方式的主要特征是光接收芯片15，下面對其詳細地說明。首先，說明光接收芯片15的平面結(jié)構(gòu)。圖2是示意地表示從圖1的第1光學格子11側(cè)觀察的光接收芯片15一部分的平面圖。多個光電二極管23的光接收面25被二維地配置在和第1光學格子相對的xy面。再有，x軸與圖1中說明的測定軸X方向一致。
光接收面25的形狀是正六邊形。基于照射到第1光學格子的光生成的光信號入射到光接收面25上。換句話說，在上述明暗圖形被照射到光接收芯片15上的狀態(tài)下，通過移動支架21生成的相位不同的多個光信號中被分配的相位的光信號入射到各光接收面25。在入射A相、B相、AA相、BB相的光信號的光接收面25上各記載了(A)、(B)、(AA)、(BB)。這是為了表示在哪個光接收面上入射哪一相位的光信號，在實際的光接收面25上沒有這樣的記載。
說明光接收面25的二維配置。連接光接收面25的相互面向的一組頂點26的線的方向和y方向(即、和測定軸正交的方向)一致。光接收面25的各邊和配置在周圍的六個其它的光接收面25的一邊對向。由此，在一個光接收面25的周圍形成有六個光接收面25。因此，光接收面25配置為蜂巢狀。然后，A相用光接收面25和AA相用光接收面25在x方向交替地排列配置所成的行與B相用光接收面25和BB相用光接收面25在x方向交替地排列配置所成的行在y方向交替地排列配置。
各相位用光接收面25的間隔P相互相等。在某相位用光接收面25的1間隔P內(nèi)有另外三個相位用光接收面25。各相位用光接收面25的間隔P被逐一以(1/4)P錯開配置。由此，可由該波長的四分之一相位差檢測第1光學格子生成的光信號。
其次，說明光接收芯片15的剖面結(jié)構(gòu)。圖3是從III(a)-III(b)剖面觀察圖2的光接收芯片15的示意圖。光接收芯片15包括n型半導體襯底27。在該襯底27的一個面中，設置間隔并形成p型的擴散區(qū)域29。半導體襯底27和擴散區(qū)域29的接合部形成光電二極管23。在半導體襯底27的一個面中，形成有p型擴散區(qū)域29的區(qū)域作為光接收面25。在擴散區(qū)域29相互之間的半導體襯底27上，形成n+型的擴散區(qū)域31。由此，p型擴散區(qū)域29與相鄰的擴散區(qū)域29分離，即，各PD23被元件分離。
半導體襯底27的一個面被硅氧化膜或硅氮化膜那樣的保護膜33覆蓋，以使其覆蓋擴散區(qū)域29、31。在另一面的整個面上形成各PD23的共用電極(例如Au電極)35。
下面說明第1實施方式的光電式編碼器1的效果。
(1)根據(jù)第1實施方式，可使光電二極管的結(jié)電容減小。將這些與比較例對比進行說明。圖4是示意地表示比較例的光電式編碼器中具有的光接收芯片的一部分的平面圖，和圖2對應。光接收芯片101具有沿x方向配置的多個光電二極管103。PD光接收面105的形狀是縱向為y方向的長方形。
圖5是顯示具有和正六邊形相同面積的方形的周圍(邊緣)長度的曲線圖。橫軸表示方形的長邊和短邊的比率，縱軸表示方形周圍的長度。將正六邊形周圍的長度作為1。由圖5可知，面積相同時，方形比正六邊形的周圍長度更長。
由此，根據(jù)圖2所示的第1實施方式，即使合計的多個光接收面25的面積與合計的圖4所示的多個光接收面105的面積相同，也可以將合計的周圍長度減小。因此，可將光電二極管23的結(jié)電容減小，故可提高光電式編碼器的應答速率。
(2)如圖2所示，根據(jù)第1實施方式，由于光接收面25的形狀是六邊形，故可使可相鄰配置的光接收面25的數(shù)量為六個。因此，由于圖4所示的光接收面105的形狀與方形的情況相比，可增加相鄰配置的光接收面的數(shù)量，故可提高平均效應。由此，可實現(xiàn)高精度的測定。
(3)如圖2所示，根據(jù)第1實施方式，PD23和位于周圍的另外六個PD23檢測的光信號的相位不同(換句話說，入射到各光接收面25的光信號的相位和入射到位于周圍的另外六個光接收面25的光信號的相位不同)。因此，PD23與相鄰的PD23檢測的光信號的相位不同。由此，可使檢測相同相位信號的PD23相互分散。換句話說，可使檢測不同相位信號的PD23相互靠近。因此，即使光信號的強度不均勻，由于其影響平均施加在接收不同相位信號的光接收元件上，故也可以降低相位間的光信號強度的偏差引起的測定誤差。
另外，在第1實施方式中，相鄰的PD23檢測的光信號的相位不同，但也可以使相鄰的PD23檢測的光信號的相位相同。圖6是示意地表示這種情況下的光接收芯片15的一部分的平面圖，和圖2對應。圖6和圖2不同，連接光接收面25的相互面向的一組頂點26的線和x方向一致。然后，將A相用、B相用、AA相用、BB相用的光接收面25在y方向排列配置所成的列順序地配置在x方向。換句話說，入射相同相位的光信號的光接收面25配置在y方向，同時，入射不同相位的光信號的光接收面25周期性地配置在測定軸X方向。此時，間隔P比圖2的間隔更大，光接收量比圖2的更大。
(4)圖7是顯示光接收面25與將由其檢測的光信號光電變換產(chǎn)生的電信號S的強度的關(guān)系的曲線。根據(jù)第1實施方式，光接收面25的y方向的長度與兩側(cè)部37相比，中央部39的大，故可提高電信號S的對比度(contrast)。
(5)在第1實施方式中，由于光接收面25的形狀是六邊形，所以，如圖2所示，在二維配置多個PD23時，可不必制造無用的空間(space)鋪設多個PD23。因此，可將光接收芯片15小型化。
第2實施方式有關(guān)第2實施方式，以與第1實施方式的差異為中心來說明。圖8是示意地表示在第2實施方式的光電式編碼器中配有的光接收芯片15的一部分的平面圖。在第2實施方式中，在光接收芯片15上形成第2光學格子41，以覆蓋圖2所示的二維配置的各光接收面25。
第2光學格子41具有在光接收面25上間隔配置的多個遮光部43。遮光部43是縱向為y方向的棒狀形狀。在各光接收面25上配置有四條或三條遮光部43。為了不向不同相位用的光接收面25上入射相同相位的光信號，而將遮光部43錯開配置(例如，A相用光接收面25的遮光部43A和B相用光接收面25的遮光部43B)。遮光部43只要具有不透光的性質(zhì)即可，因此，其材料可列舉金屬(例如鉻、鋁)或樹脂。在鄰接的光接收面25的間隙形成有遮光部45。遮光部45與遮光部43同時制圖(patterning)。
圖9是從IX(a)-IX(b)剖面觀察圖8的光接收芯片的示意圖。遮光部43通過硅氧化膜那樣的絕緣膜47以規(guī)定的間隔形成在p+型擴散區(qū)域29上。n+型擴散區(qū)域31上面介由絕緣膜47由遮光部45覆蓋。覆蓋遮光部43、45形成保護膜33。這樣，在各光接收面25中，第2光學格子41的透光部50位于和被分配的相位的光信號對應的位置，遮光部43位于其余的位置。透光部50是相鄰的遮光部43之間的區(qū)域。
第2實施方式除了有與第1實施方式同樣的效果以外，還有以下效果。根據(jù)第2實施方式，即使為減小光電二極管23的結(jié)電容而增大光接收面25的面積，由于將第2光學格子41配置在光接收面25上，故也可高精度地測定。
第2實施方式有各種變形例。圖10是示意地表示第1變形例的光接收芯片的一部分的平面圖。在第1變形例中，在光接收芯片15上形成第2光學格子41，以覆蓋圖6所示的二維配置的各光接收面25。
圖11是示意地表示第2變形例的光接收芯片15的一部分的平面圖。和第1變形例不同的是，將A相用、B相用光接收面25在y方向上交替排列所成的列與AA相用、BB相用光接收面25在y方向交替排列所成的列在x方向交替排列。例如如A相用光接收面25的遮光部43A和B相用光接收面25的遮光部43B那樣，將遮光部43錯開配置。由此，可防止在不同相位用的光接收面25上入射相同相位的光信號。
圖12、圖13是各自示意地表示第3、第4變形例的光接收芯片的一部分的平面圖。第2光學格子的圖示被省略。在圖12的第3變形例中，將在y方向順序排列A相用、AA相用、B相用、BB相用的光接收面25所成的列在x方向順序地排列。
圖13的第4變形例與上述不同，是檢測相位不同的三個光信號的光接收芯片。即、a相(0度)的光信號、相比a相相位偏移120度的b相(120度)的光信號及相比a相相位偏移240度的c相(240度)的光信號。在第4變形例中具有將在y方向順序排列a相用、b相用、c相用的光接收面25所成的列在x方向順序排列的結(jié)構(gòu)。
即使是第3或第4變形例那樣的光接收面25的二維配置，也可以通過設置第2光學格子來檢測不同相位的光信號。
第3實施方式關(guān)于第3實施方式，以和第1及第2實施方式的差異為中心說明。圖14是示意地表示在第3實施方式的光電式編碼器中配有的一個光接收面25和第2光學格子41的配置關(guān)系的平面圖。圖15是從XV(a)-XV(b)剖面觀察圖14顯示的結(jié)構(gòu)的示意圖。
在第3實施方式中，使第2光學格子41的遮光部43為與光電二極管43連接的布線的一部分。以下詳細地說明。遮光部43是鋁那樣的導電性金屬。布線53位于和遮光部43相同的層。布線53和遮光部43同時制圖，以和遮光部43連接。在遮光部43和光接收面25之間的絕緣膜47上形成有接觸孔(contacthole)49。在接觸孔49中形成有由導電塞(plug)(例如鋁)構(gòu)成的接觸部51。接觸部51在遮光部43的下方與遮光部43連接，同時與光接收面25接觸。因此，布線53通過遮光部43和接觸部51連接到光電二極管23上。再有，在第3實施方式中，將導電塞作為接觸部51，但在將作為遮光部43的膜形成在絕緣膜47上時，將該膜埋入接觸孔49中，將其作為接觸部也可以。
第3實施方式除了有與第1及第2實施方式同樣的效果以外，還有以下效果。將其與第2實施方式對比說明。圖16是示意地表示在第2實施方式的光電式編碼器中配有的第2光學格子41和光接收面25的配置關(guān)系的平面圖。圖17是從XVII(a)-XVII(b)剖面觀察圖16顯示的結(jié)構(gòu)的示意圖在第2實施方式中，在光接收面25上的遮光部43相互之間配置布線53。在其下方配置和布線53連接的接觸部51，并使接觸部51和光接收面25接觸。由于布線53的一部分位于光接收面25上，故使光接收面25的有效光接收面積減小。與此相對，在第3實施方式中，將導電性遮光部43用于布線53和PD23的連接。因此，可防止光接收面25的有效光接收面積的減少。
再有，在第2實施方式中，如圖17所示，在遮光部43和p型擴散區(qū)域29之間形成寄生電容。這是降低編碼器應答速度的原因。與此相對，在第3實施方式中，由于遮光部43和p型擴散區(qū)域29通過接觸部51連接，因此不產(chǎn)生所述那樣的寄生電容。
另外，如圖1所示，第1～第3實施方式的光電式編碼器1是使用透過標尺5的第1光學格子11的來自發(fā)光二極管3的光L進行位移量測定的所謂透過型的類型。但是，在反射型的類型，即，在使用由標尺5的第1光學格子11反射的來自發(fā)光二極管3的光L測定位移量的情況下，也可以采用本發(fā)明。
如以上所述，根據(jù)本發(fā)明的光電式編碼器，可同時實現(xiàn)平均效應的提高和光接收元件的結(jié)電容減少。通過提高平均效應，可實現(xiàn)高精度的測定。另一方面，通過減少光接收元件的結(jié)電容，可提高光電式編碼器的應答速率。
權(quán)利要求
1.一種光電式編碼器，包括光源；標尺，其包括照射來自所述光源的光的第1光學格子；光接收部，其與所述標尺間隔配置，并可相對移動，包括光接收元件，所述光接收元件具有入射基于照射在所述第1光學格子的光所生成的光信號的光接收面，利用在和所述第1光學格子對向的面上二維地配置的多個所述光接收元件檢測相位不同的多個光信號；其特征在于，所述光接收面的形狀是六邊形。
2.如權(quán)利要求1所述的光電式編碼器，其特征在于多個所述光接收元件不同于相鄰相互之間檢測的光信號的相位。
3.如權(quán)利要求1所述的光電式編碼器，其特征在于多個所述光接收元件是形成有具有在這些光接收面上配置的遮光部的第2光學格子的光接收芯片。
4.如權(quán)利要求3所述的光電式編碼器，其特征在于，所述光接收芯片包括接觸部，其在導電性的所述遮光部下與該遮光部連接，同時與所述光接收面接觸；所述光接收元件的布線，其和所述遮光部連接。
全文摘要
提供一種光電式編碼器。在光電式編碼器的光接收芯片上二維地配置多個光電二極管的光接收面。使相位不同的四個光信號(A相、B相、AA相、BB相的光信號)入射到對應的光接收面。各光接收面的形狀是正六邊形。
文檔編號H01L31/12GK1550762SQ20041004455
公開日2004年12月1日 申請日期2004年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月13日
發(fā)明者小島健司 申請人:三豐株式會社