專利名稱：光電二極管陣列及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電二極管陣列及其制造方法。
背景技術(shù)：
CT(computed tomography)用光電二極管陣列被要求大面積化，為了除去光電二極管陣列的不敏感區(qū)域，需要進(jìn)行三維安裝，將信號處理部配置在光入射面的相反側(cè)(里面?zhèn)?。為此，需要使用貫通布線，將入射面?zhèn)?表面?zhèn)?形成的電極引導(dǎo)到入射面的相反側(cè)(里面?zhèn)?。
使用了這樣的貫通布線的半導(dǎo)體元件，在例如下述專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2等中得到公開。在專利文獻(xiàn)1中公開的半導(dǎo)體元件，為形成貫通孔，要使用堿性溶液的濕蝕刻來蝕刻基板，所以基板要以相對基板表面成54.7°的角度，被進(jìn)行蝕刻。
專利文獻(xiàn)1特開平5-29483號公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開平6-177201號公報(bào)但是，如果使用該技術(shù)，利用貫通布線來連接光電二極管陣列的各個(gè)光電二極管的電極，貫通孔就會隨著從表面?zhèn)冗M(jìn)入里面?zhèn)龋讖街饾u擴(kuò)大。為此，光電二極管相互之間不能太靠近地形成，開口率受到限制。
圖14是現(xiàn)有技術(shù)的光電二極管陣列的截面圖。
如圖14所示，在僅使用上述蝕刻的情況下，基板表面?zhèn)鹊拿妫拓炌變?nèi)壁和表面所成的θ角是銳角。因此，在由貫通布線17覆蓋規(guī)定該銳角的角20的情況下，容易引起在角20的部分由于布線的敷層不佳導(dǎo)致的導(dǎo)通不良。
另一方面，也考慮使用干蝕刻來形成與基板表面垂直的貫通孔的方法，但在厚度250～400μm的基板上，形成孔徑均等的貫通孔在現(xiàn)實(shí)中是不可能的。另外，由于干蝕刻加工的速度較慢，如果是貫通厚度為250～400μm的基板，就需要較長的處理時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，解決上述問題，提供一種不易引起貫通布線的導(dǎo)通不良，開口率高的光電二極管陣列。
為了解決上述問題，本發(fā)明的光電二極管陣列，具有在第一導(dǎo)電型基板的被檢測光的入射面?zhèn)染仃嚑钚纬蓀n結(jié)型多個(gè)光電二極管、入射面的相反面由(100)面構(gòu)成的半導(dǎo)體基板，具有在光電二極管彼此所夾的區(qū)域所形成的、從半導(dǎo)體基板的入射面?zhèn)蓉炌ǖ较喾疵鎮(zhèn)鹊呢炌?，其特征在于，具有從入射面通過貫通孔的壁面到相反面連通的導(dǎo)電體層，該貫通孔具有在入射面?zhèn)认鄬θ肷涿娲笾麓怪钡匦纬傻拇怪笨撞?、在相反面?zhèn)刃纬傻乃慕清F形的錐形孔部，垂直孔部和錐形孔部在半導(dǎo)體基板內(nèi)部連接，錐形孔部的壁面為(111)面。
而且，大致垂直的意思是85°～90°的角度范圍內(nèi)的交叉狀態(tài)。
根據(jù)上述光電二極管陣列，從入射面通過貫通孔的壁面到相反面連接的導(dǎo)電體層的覆蓋角，全部是90°以上，所以，不易引起由導(dǎo)電體層的敷層不佳導(dǎo)致的導(dǎo)通不良。另外，由于能夠使光電二極管彼此接近，所以能夠提高開口率。
本發(fā)明的光電二極管陣列的特征在于，在半導(dǎo)體基板內(nèi)具有包圍上述貫通孔形成的第一導(dǎo)電型高雜質(zhì)濃度層。
上述光電二極管陣列在貫通孔的周圍具有高雜質(zhì)濃度層，所以既使發(fā)生由貫通孔的機(jī)械損壞導(dǎo)致的不必要的載流子，也能夠在層內(nèi)截止，能夠抑制泄漏電流、暗電流。
本發(fā)明的光電二極管陣列的制造方法，其特征在于，具有以下工序第一工序，準(zhǔn)備第一面是(100)面的半導(dǎo)體基板，在第一面的相反面的第二面的規(guī)定區(qū)域，矩陣狀地形成pn結(jié)型多個(gè)光電二極管；第二工序，對多個(gè)光電二極管的每一個(gè)，通過各向異性蝕刻，形成從半導(dǎo)體基板的第一面?zhèn)乳_始的不到半導(dǎo)體基板厚度的深度的四角錐形的錐形凹部；
第三工序，從與錐形凹部對應(yīng)的位置的第二面?zhèn)乳_始，通過干蝕刻，在第二面形成大致垂直的垂直孔，通過連接錐形凹部和垂直孔，形成從半導(dǎo)體基板的第二面貫通到第一面的貫通孔；第四工序，形成從第二面開始通過貫通孔到第一面連接的導(dǎo)電體層。
如根據(jù)上述制造方法，在形成四角錐形的錐形凹部后，形成垂直孔。由于形成的錐形凹部的深度不到半導(dǎo)體基板的厚度，所以蝕刻溶液不泄漏到第二面?zhèn)?，所以不會對第二面?zhèn)鹊墓怆姸O管造成不良影響。


圖1是第一實(shí)施方式的光電二極管陣列的平面圖。
圖2是第一實(shí)施方式的光電二極管陣列的截面圖。
圖3A是形成貫通孔的部分的平面圖。
圖3B是形成貫通孔的部分的III-III箭頭縱截面圖。
圖3C是形成貫通孔的部分的立體圖。
圖4是光電二極管陣列的截面圖。
圖5是光電二極管陣列的截面圖。
圖6是光電二極管陣列的截面圖。
圖7是用于說明光電二極管陣列的制造工序的光電二極管陣列的截面圖。
圖8是用于說明光電二極管陣列的制造工序的光電二極管陣列的截面圖。
圖9是用于說明光電二極管陣列的制造工序的光電二極管陣列的截面圖。
圖10是用于說明光電二極管陣列的制造工序的光電二極管陣列的截面圖。
圖11是用于說明光電二極管陣列的制造工序的光電二極管陣列的截面圖。
圖12是光電二極管陣列的截面圖。
圖13A是光電二極管陣列的貫通孔部分的截面圖。
圖13B是光電二極管陣列的貫通孔部分的截面圖。
圖14是現(xiàn)有技術(shù)的光電二極管陣列的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，對相同元件使用相同的符號，省略重復(fù)說明。
圖1是將本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光電二極管陣列的一部分放大的平面圖，圖2是其截面圖。
在下面的說明中，將入射光的面設(shè)為表面，將其相對的面設(shè)為里面。本實(shí)施方式的光電二極管陣列1，在表面?zhèn)?，縱橫有規(guī)則地以矩陣狀排列多個(gè)pn結(jié)(光電二極管)4，每個(gè)pn結(jié)都具有作為光電二極管陣列的一個(gè)受光像素的功能。
光電二極管陣列1包括厚度為270μm、雜質(zhì)濃度為1×1012～1015/cm3的n型硅基板3，以大小為500μm×500μm、深度為0.5～1μm、間距為1.5mm左右，來配置雜質(zhì)濃度為1×1013～1020/cm3的多個(gè)p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5。
通過由n型硅基板3和多個(gè)p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5形成的pn結(jié)4，構(gòu)成上述受光像素。另外，在同樣的p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5之間，配置用來通過分離光電二極管之間，截止不需要的載流子而降低暗電流的n+型雜質(zhì)區(qū)域(分離層)7。另外，在里面?zhèn)扰渲胣+側(cè)的電極21。
在相鄰的pn結(jié)4彼此之間，在表面?zhèn)刃纬傻谝豢撞?1(垂直孔部)，在里面?zhèn)刃纬傻诙撞?3(錐形孔部)。
圖3A是形成貫通孔的部分的平面圖，圖3B是形成貫通孔的部分的III-III箭頭的縱截面圖，圖3C是形成貫通孔的部分的立體圖。
貫通孔12是連結(jié)第一孔部11、第二孔部13而形成，第一孔部11是直徑為10μm，在基板的表面?zhèn)?，與基板的厚度方向大致平行地被打開。第一孔部11，與基板的厚度方向大致平行且呈圓柱狀地形成，在貫通分離層7的位置形成。另外，孔的深度形成為達(dá)到p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5所形成的深度以上。由此，第二孔部13就會不限制從pn結(jié)4延伸的耗盡層，而能夠接近p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5來設(shè)置。
第二孔部13從基板里面?zhèn)刃纬伤慕清F形，孔徑越向里面?zhèn)仍酱?，越向表面?zhèn)仍叫?。第二孔?3是從里面?zhèn)乳_始，通過各向異性蝕刻來形成，所以在孔部壁面露出(111)面，壁面相對光電二極管陣列的表面，大致形成54.7°的角度(圖3B的角度α54.7°)。第二孔部13形成四角錐形，由此容易在孔部內(nèi)壁上設(shè)置導(dǎo)電體層(貫通布線)。
第一孔部11和第二孔部13在基板內(nèi)部連接，形成一個(gè)貫通孔12?；灞砻婧屠锩?，包括貫通孔12的壁面、p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5的表面?zhèn)龋晒璧臒嵫趸?來覆蓋。而且，不限于硅氧化膜，也可以根據(jù)需要的光電二極管的波長靈敏度，形成AR(Antireflection)敷層。AR敷層可以是SiO2、SiNx單層，和包含它們的絕緣體復(fù)合膜或者疊層膜。
貫通布線17在上述熱氧化膜9的上層用鋁形成，通過在熱氧化膜9上挖空的接觸孔15，與p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5接觸。此外也可以通過貫通孔12的壁面，與里面?zhèn)认噙B而形成，使得與p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5的電接觸能夠從里面?zhèn)葋磉M(jìn)行。此時(shí)的第一孔部11由貫通布線17的金屬來填充，既使基板表面?zhèn)群屠锩鎮(zhèn)?，在空間上形成分開的結(jié)構(gòu)，由于沒有失去p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5和里面?zhèn)鹊碾娊佑|，所以也沒有關(guān)系(參照圖4)。
圖4是光電二極管陣列的截面圖，在該光電二極管陣列中，第一孔部11的內(nèi)部，由貫通布線17填充，光電二極管陣列的里面，與p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5電連接。
這里，貫通布線17的材料不限于鋁，也可以使用銅、鎳、金、鎢、鈦、多晶硅等、或者含有它們的合金或者疊層金屬。而且，也可以使用CVD的氧化膜代替上述熱氧化膜9。另外，也可以在上述熱氧化膜9和貫通布線17之間，介插CVD的氧化膜或者氮化膜。這樣，就能夠確保硅基板和貫通布線17之間的高絕緣性。
圖5是光電二極管陣列的截面圖。在該光電二極管陣列中，通過在貫通孔12內(nèi)部，在貫通布線17的上層填充樹脂等充填材料10，使得貫通孔12被填埋。這樣，基板表面?zhèn)群屠锩鎮(zhèn)仍诳臻g上被斷開，而p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5和里面?zhèn)葲]有失去電接觸，就會提高光電二極管陣列1的機(jī)械強(qiáng)度。
此時(shí)，作為充填貫通孔12的材料，使用含有環(huán)氧、聚酰亞胺、丙烯酸、硅、尿烷等樹脂系列絕緣材料，或者，使用在這些絕緣材料中含有電導(dǎo)電性填料的電導(dǎo)電性樹脂。
圖6是光電二極管陣列的截面圖。
也可以通過在貫通孔12內(nèi)部充填導(dǎo)電性材料10來填埋貫通孔12。充填的導(dǎo)電性材料，不僅可提高光電二極管陣列1的機(jī)械強(qiáng)度，而且如圖6所示，超過第二孔部13的里面的邊緣隆起，超過里面的邊緣的部分形成半球狀，還能夠原樣作為凸起電極來使用。導(dǎo)電性材料10也可以使用含有焊料或電導(dǎo)電性填料的電導(dǎo)電性樹脂等。
接著，說明所述光電二極管陣列的制造方法。
下面，說明向貫通孔12的內(nèi)部充填聚酰亞胺樹脂的光電二極管陣列(參照圖5)的制造方法。
圖7是用于說明光電二極管陣列的制造工序的光電二極管陣列的截面圖。
首先，準(zhǔn)備結(jié)晶面(100)的n型半導(dǎo)體基板3，在基板表面上形成熱氧化膜9，作為下一工序的n+熱擴(kuò)散掩膜來使用。將成為分離層7的位置的熱氧化膜，通過光蝕刻處理而開口，使磷熱擴(kuò)散、熱氧化。此時(shí)，在里面整個(gè)區(qū)域的磷被擴(kuò)散，形成n+型雜質(zhì)濃度層19。
圖8是用于說明光電二極管陣列的制造工序的光電二極管陣列的截面圖。
接著，同樣將形成pn結(jié)4的區(qū)域的熱氧化膜開口，將硼熱擴(kuò)散、熱氧化。該pn結(jié)4的區(qū)域成為與受光像素對應(yīng)的部分。在里面通過等離子CVD或者LP-CVD來形成氮化硅膜(SiNx)23(參照圖8)，通過蝕刻除去形成第二孔部13的部分的氮化硅膜23和熱氧化膜9。形成第二孔部13的部分成為與分離層7對應(yīng)的里面?zhèn)鹊奈恢谩?br> 此時(shí)，氮化硅膜23的除去部分的形狀和尺寸預(yù)先設(shè)計(jì)成，使得第二孔部13的四角錐頂點(diǎn)，通過后述的堿性蝕刻，達(dá)不到基板表面?zhèn)?，而且，四角錐頂點(diǎn)成為與表面?zhèn)鹊姆蛛x層7對應(yīng)的位置。
圖9是用于說明光電二極管陣列的制造工序的光電二極管陣列的截面圖。
而且，通過堿性(例如氫氧化鉀溶液、TMAH、聯(lián)氨、EDP等)蝕刻，從里面?zhèn)葘Π雽?dǎo)體基板3進(jìn)行各向異性蝕刻，形成第二孔部13。即，從基板的結(jié)晶面(100)進(jìn)行蝕刻，露出(111)面。第二孔部13通過蝕刻形成四角錐形(金字塔形)，當(dāng)蝕刻到四角錐形的頂點(diǎn)時(shí)，自動停止(參照圖9)。
另外，也可以在到達(dá)四角錐形的頂點(diǎn)之前，停止蝕刻。接著，通過在與形成的四角錐形的頂點(diǎn)對應(yīng)的部分，從表面?zhèn)冗M(jìn)行干蝕刻，形成第一孔部11，由此進(jìn)行蝕刻直到與第二孔部13的四角錐形頂點(diǎn)連接，形成由第一孔部11和第二孔部13所形成的貫通孔12。
圖10是用于說明光電二極管陣列的制造工序的光電二極管陣列的截面圖。
而且，從基板表面進(jìn)行離子注入或者擴(kuò)散，形成包圍貫通孔12的n+層25。該n+層25與分離層7和里面?zhèn)鹊膎+型雜質(zhì)濃度層19連接。之后，為了確保側(cè)壁的絕緣，通過熱氧化形成SIO2膜27(參照圖10)。側(cè)壁的絕緣膜也可以是除該SiO2膜27之外的SiNx的疊層膜、CVD的SiO2膜等。
接著，在p+、n+層設(shè)計(jì)接觸孔15后，為了形成貫通布線17，通過濺射裝置從兩面沉積鋁，形成抗蝕劑，通過蝕刻形成希望的圖案。貫通布線17的材料不限于鋁，另外，布線的形成方法也不限于濺射法。例如，也可以由CVD對多晶硅進(jìn)行降低電阻抗的擴(kuò)散。這種情況下，可以僅在接觸孔部分使用鋁，與上述多晶硅電連接。
圖11是用于說明光電二極管陣列的制造工序的光電二極管陣列的截面圖。
在里面?zhèn)刃纬筛泄庑跃埘啺穼?9，僅在想配置凸起電極33的位置開口。同時(shí)，n+側(cè)電極21的部分也開口，在此設(shè)置凸起電極33。而且，通過由與凸起電極33電·物理連接優(yōu)異的金屬形成的Under BumpMetal(下面稱為“UBM”)37來形成凸起電極33。例如，在將凸起電極33形成為焊料凸起的情況下，由于焊料不與鋁浸潤，所以需要形成浸潤性金屬作為中介。這種情況下的UBM，有時(shí)通過非電解電鍍形成Ni-Au，有時(shí)通過剝離法來形成Ti-Pt-Au或者Cr-Au來實(shí)現(xiàn)。
也可以使用丙烯酸層或者環(huán)氧層或者含有它們的復(fù)合材料層來代替聚酰亞胺層。焊料凸起，能夠通過由焊料球搭載法或者印刷法在規(guī)定的UBM部分形成焊料倒流而形成。凸起電極33不限于焊料凸起，也可以使用金凸起、鎳凸起、銅凸起、導(dǎo)電性樹脂凸起等包含金屬的導(dǎo)電性凸起。
圖12是光電二極管陣列的截面圖。
在上述制造方法中，首先，通過準(zhǔn)備n型半導(dǎo)體基板進(jìn)行熱擴(kuò)散，形成n+型雜質(zhì)濃度層，但如圖12所示，也可以通過預(yù)先熱擴(kuò)散或者外延式生長，準(zhǔn)備設(shè)置了n+型雜質(zhì)濃度層的n型半導(dǎo)體基板。由此，能夠?qū)⒐怆姸O管陣列的n+型雜質(zhì)濃度層的厚度變厚，實(shí)質(zhì)p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5和n+型雜質(zhì)濃度層19之間變窄，這樣，能夠降低電阻成分，提高高速應(yīng)答性。
另外，通過調(diào)節(jié)實(shí)質(zhì)p型雜質(zhì)擴(kuò)散層5和n+型雜質(zhì)濃度層19的間隔，能夠得到與式樣對應(yīng)的分光靈敏度曲線特性。
下面，說明上述光電二極管陣列和其制造方法的作用。
上述光電二極管陣列先通過堿性蝕刻從里面?zhèn)刃纬傻诙撞?3，之后，通過形成第一孔部11來形成貫通孔12。因此，在堿性蝕刻工序的時(shí)候，由于還沒有完成貫通孔12，不會由堿性蝕刻導(dǎo)致對表面?zhèn)冗M(jìn)行侵蝕，特別是不會對受光面造成不良影響，所以能夠防止成品率的降低。
另外，在堿性蝕刻工序中，當(dāng)?shù)诙撞?3被蝕刻到四角錐形的頂點(diǎn)時(shí)停止，所以，不需要另外設(shè)置蝕刻停止層等。此外，由于貫通孔12的大部分(第二孔部13)是通過各向異性蝕刻來形成的，所以能夠得到壁面上凹凸少的、光滑的貫通孔壁面。因此，由于貫通孔壁面的損壞而導(dǎo)致的不必要的載流子的發(fā)生也會變少，能夠減少暗電流。
圖13A和圖13B是光電二極管陣列的貫通孔的部分的截面圖。
第二孔部13的壁面相對光電二極管陣列的表面，形成54.7°的角度，第一孔部11的壁面相對上述陣列方向大致垂直。
在僅使用堿性蝕刻，貫通孔僅由第二孔部13形成的情況下，第二孔部和光電二極管陣列表面直接連接，它們的面彼此所形成的角度θ是銳角。
另一方面，在圖13A所示的光電二極管陣列中，連接兩個(gè)孔部形成貫通孔12，所以孔部的連接部分所形成的角度B是90°以上。此外，第二孔部13和光電二極管陣列里面所成的角度A也是90°以上，第一孔部11和光電二極管陣列表面所成的角度C為大致90°。
由此，從表面到貫通孔12的壁面、里面連接的貫通布線17沒有彎曲成銳角的部分，能夠抑制形成時(shí)的敷層不佳所導(dǎo)致的導(dǎo)通不良的發(fā)生。此外，根據(jù)第一孔部11形成時(shí)的干蝕刻的條件，如圖13B所示，能夠?qū)⒌谝豢撞?1形成錐形，能夠?qū)⒔嵌菴形成為90°以上。由此，能夠進(jìn)一步抑制導(dǎo)通不良。
在上述光電二極管陣列中，由于第二孔部13通過堿性蝕刻來形成，能夠向貫通孔12的壁面進(jìn)行離子注入，通過離子注入，能夠容易地形成n+層25。形成的n+層25，實(shí)現(xiàn)了作為分離各個(gè)光電二極管的分離層的目的，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了截止不需要的載流子、降低暗電流的目的。
在上述光電二極管陣列中，形成第一孔部11使得貫通分離層7。由此，在進(jìn)行形成第一孔部11的干蝕刻時(shí)，既使孔部內(nèi)壁有損害等，所產(chǎn)生的不必要的載流子也會由分離層7截止。因此，上述光電二極管陣列，能夠防止貫通布線形成時(shí)的損害所導(dǎo)致的泄漏電流等。
按照上面所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供不易引起貫通布線的導(dǎo)通不佳，開口率高的光電二極管陣列。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠用于光電二極管陣列和其制造方法。
權(quán)利要求
1.一種光電二極管陣列，具有在第一導(dǎo)電型基板的被檢測光的入射面?zhèn)染仃嚑钚纬蓀n結(jié)型多個(gè)光電二極管的、所述入射面的相反面由(100)面構(gòu)成的半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板，具有在所述光電二極管彼此所夾的區(qū)域所形成的、從所述半導(dǎo)體基板的所述入射面?zhèn)蓉炌ǖ剿鱿喾疵鎮(zhèn)鹊呢炌?，其特征在于，具有從所述入射面通過所述貫通孔的壁面到所述相反面連通的導(dǎo)電體層，所述貫通孔具有在所述入射面?zhèn)认鄬λ鋈肷涿娲笾麓怪钡匦纬傻拇怪笨撞?、在所述相反面?zhèn)刃纬傻乃慕清F形的錐形孔部，所述垂直孔部和所述錐形孔部在所述半導(dǎo)體基板內(nèi)部連接，所述錐形孔部的壁面形成為(111)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電二極管陣列，其特征在于，在所述半導(dǎo)體基板內(nèi)具有包圍所述貫通孔形成的第一導(dǎo)電型的高雜質(zhì)濃度層。
3.一種光電二極管陣列的制造方法，其特征在于，具有以下工序第一工序，準(zhǔn)備第一面是(100)面的半導(dǎo)體基板，在作為所述第一面的相反面的第二面的規(guī)定區(qū)域，矩陣狀地形成pn結(jié)型多個(gè)光電二極管；第二工序，對所述多個(gè)光電二極管的每一個(gè)，通過各向異性蝕刻，形成從所述半導(dǎo)體基板的第一面?zhèn)乳_始的不到所述半導(dǎo)體基板厚度的深度的四角錐形的錐形凹部；第三工序，從與所述錐形凹部對應(yīng)的位置的第二面?zhèn)乳_始，通過干蝕刻在所述第一面，形成大致垂直的垂直孔，通過連接所述錐形凹部和所述垂直孔，形成從所述半導(dǎo)體基板的所述第二面，貫通到所述第一面的貫通孔；第四工序，形成從所述第二面開始，通過所述貫通孔到所述第一面連接的導(dǎo)電體層。
全文摘要
光電二極管陣列的特征在于，具有在光入射面?zhèn)染仃嚑钚纬蓀n結(jié)型多個(gè)光電二極管的、入射面的相反面由(100)面構(gòu)成的半導(dǎo)體基板；在由光電二極管彼此所夾著的區(qū)域形成的、從半導(dǎo)體基板的入射面?zhèn)蓉炌ǖ较喾疵鎮(zhèn)鹊呢炌?；從入射面開始通過貫通孔的壁面到相反面連接的導(dǎo)電體層，貫通孔通過將在入射面?zhèn)认鄬θ肷涿娲笾麓怪钡匦纬傻拇怪笨撞亢驮谙喾疵鎮(zhèn)刃纬傻乃慕清F形的孔部，在半導(dǎo)體基板內(nèi)部連接而形成，四角錐形的孔部的壁面形成為(111)面。
文檔編號H01L31/00GK1685513SQ0382268
公開日2005年10月19日 申請日期2003年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月24日
發(fā)明者柴山勝己 申請人:浜松光子學(xué)株式會社